ОАО ИНТЕГРАЛ


Мировой рынок

ProMOS продаст фабрику к концу года


Компания ProMOS Technologies заявила о планах продать фабрику по изготовлению 300-мм пластин и соответствующие предприятия на открытых торгах к концу 2012 г.
Начальная сумма предложения составляет 666,9 млн долл. Компания заявила о том, что аукцион по продаже этого производства, расположенного в Центральном тайваньском научном парке (CTSP), должен завершиться в конце ноября, а сделка – через месяц.
Компания ProMOS станет фаблес.
ProMOS выдвинула условия, что тот участник аукциона, который приобретет фабрику, должен возобновить ее деятельность до наступления нового лунного года, а большая часть персонала ProMOS, занятая на этом предприятии, должна вернуться к своей работе. Сама компания планирует оставить несколько десятков сотрудников из нынешнего персонала после своего преобразования в фаблес-компанию.
Некоторое время назад ProMOS заявила о намерении сократить 1300 сотрудников в рамках программы по реструктуризации.
Источник: DigiTimes

Ситуация с DRAM выглядит оптимистичной, утверждает президент Inotera


Учитывая перспективы отрасли DRAM по выраженной консолидации, и стремления компаний к дифференциации, прогноз по рынку на ближайшие 2-3 года выглядит оптимистичным, заявил президент Inotera Memories Чарльз Као. Об этом сообщил Digitimes.
Доминирующее положение на глобальном рынке DRAM, скорее всего, будет занимать меньшее число поставщиков - разделённых на три лагеря, что позволит дифференцировать их продукцию от конкурентов и поспособствует переходу отрасли к более сбалансированному развитию, заявил Као.
Если в качестве примера взять Nanya Technology, то компания добьётся особенно выдающихся результатов в области нишевой продукции в сегменте устройств памяти, отметил Као. Если каждый игрок будет концентрироваться на соответствующих специализированных сегментах рынка, можно предположить, что глобальная отрасль DRAM достигнет устойчивого развития.
Например, Inotera смещает акценты в пользу продукции, не связанной с ПК, отметил Као. Выручка компании по этой продукции вырастет до 50% от общей суммы к концу 2012 года, по сравнению с 20%, полученными за первый квартал. Кроме того, Inotera готовится к наращиванию объёмов производства по 30-нм техпроцессу. Компания рассчитывает использовать новый узел для изготовления 40 тыс. 12-дюймовых пластин ежемесячно к середине 2012 года, что составит примерно одну треть от её мощностей, по оценкам составляющих 130 000 единиц.
Ожидается, что доход Inotera за третий квартал превысит показатель за второй, благодаря более высоким средним продажным ценам.
В дополнение к этому Као сообщил, что Inotera получит синдицированный банковский кредит на сумму порядка 10 млрд НТД (335 млн долларов) к концу июня. Компания рассчитается по долгам на сумму 25,4 млрд НТД, подлежавших к выплате в конце мая, и другим долгам на сумму 5 млрд НТД во второй половине текущего года.
В настоящее время Micron Technology является крупнейшим акционером Inotera, и её пакет акций составляет 39,6% тайваньской компании.

Производственные расходы станут рекордными в 2013 г.


Согласно прогнозу SEMI, в 2012 г. производственные расходы увеличатся к концу текущего года, а в 2013 г. достигнут рекордной величины.
В этом году расходы на оборудование для производства полупроводников вырастут на 2%, составив 39,5 млрд долл., а в следующем году – на 17% (46,3 млрд долл.)

Прогноз затрат на производственное оборудование, млрд долл. Источник: отчет «SEMI World Fab Forecast», 29 мая 2012 г.
Если говорить о региональном распределении, то наибольшие расходы на производственное оборудование придутся на Корею (свыше 11 млрд долл.), Тайвань (8,5 млрд долл.), Америку (8,3 млрд долл.), Японию (3,8 млрд долл.) и Европу/Ближний Восток (3,5 млрд долл.). В следующем году наибольшие расходы будут сделаны в Корее (свыше 12,5 млрд долл.), Америке (свыше 11,5 млрд долл.), Тайване (свыше 8 млрд долл.), Японии (свыше 4 млрд долл.) и Китае (свыше 3,6 млрд долл.).
Наибольшее увеличение расходов на производственное оборудование отмечается в 2012 г. в сегментах памяти и СБИС. Несмотря на то, что капитальные расходы Intel, по ее оценкам, достигнут в этом году исторического максимума, затраты на оборудование по изготовлению микропроцессоров увеличатся ненамного.
По данным SEMI, в этом году запланирована реализация 45 производственных проектов (новых и текущих), а в 2013 г. – 24.
Расходы на возведение фабрик сократятся в 2012 г. до 6,2 млрд долл., а в 2013 г. – до 6,1 млрд долл.

Прогноз затрат на строительство фабрик, млрд долл. Источник: отчет «SEMI World Fab Forecast», 29 мая 2012 г.
Samsung инвестирует 8 млрд долл. в производство памяти в Сиане (Китай), которое будет запущено в IV кв. Компания UMC потратит почти 8 млрд долл. на фабрики P5/P6, строительство которых началось в мае текущего года. Заявления о планах возведения фабрик сделали компании TSMC, Intel и SMIC. В скором времени ожидается также запуск производства Line 17 компании Samsung. В 2012 г. начнется строительство 11 новых фабрик, а в 2013 г. – семи.
Наибольшие расходы на возведение фабрик в 2012 г. приходятся на Америку (2,8 млрд долл.), Тайвань (1,3 млрд долл.) и Корею (1,1 млрд долл.). В следующем году среди лидеров по этим показателям окажутся Тайвань (2,2 млрд долл.), Китай (1,4 млрд долл.), Корея (1,4 млрд долл.) и Япония (850 млн долл.). Наиболее масштабные проекты строительства фабрик осуществляют компании Intel, TSMC и Samsung, а в 2013 г. – Samsung, TSMC и UMC.
Суммарная емкость всех новых фабрик, возведение которых началось в 2012 г., составит 900 тыс. пластин ежемесячно (в 200-мм эквиваленте). Из этих мощностей 60% придется на производство памяти, 20% – на изготовление СБИС и 20% – на БИС. В 2013 г. количество ежемесячно выпускаемых пластин увеличится на 550 тыс., причем около половины из них придется на СБИС и несколько меньше – на ИС памяти.

Индия планирует совместно с GlobalFoundries, Infineon, IBM, ST и «Ситроникс» строить фабрики для производства ИС


Индийское правительство разработало план по созданию фабрик по производству ИС. Ряд мировых производителей ИС выразили свою заинтересованность в реализации этого проекта.
Как сообщает журнал Hindu Business Line, в настоящее время, всё больше компаний подключаются к плану правительства Индии по строительству на территории этой страны одной или нескольких фабрик по производству полупроводниковых пластин. Уже по меньшей мере пять ведущих компаний выразили свою заинтересованность в поддержке этого проекта. В сообщении, не указываются источники информации, но называются компании, выразившие свою заинтересованность в проекте: GlobalFoundries, Infineon Technologies, STMicrolectronics, российская компания «Ситроникс» и консорциум компаний, в составе Jaypee Associates, IBM и Tower Semiconductor. «Ситроникс» является владельцем завода «Микрон» (г. Зеленоград), ведущего российского производителя ИС.
Расположенная в г. Мигдаль-ха-Эмек, Израиль, компания Tower, продающая свои изделия под брендом TowerJazz, объявила в феврале 2012 г. о своей заинтересованности в создании 300-мм фабрики в Индии, но в феврале не раскрыла имена своих партнёров по консорциуму. В сообщении Hindu Business Line говорится, что компании TSMC и Freescale Semiconductor отвергли возможность участия в проекте, а Intel предложила лишь оказывать консультативную поддержку.
В сообщении цитируется неназванный источник: «В то время как Freescale и TSMC просто отказались от участия в проекте, Intel предложила консультационную поддержку по инфраструктурным и финансовым вопросам, связанным с производством полупроводников. GlobalFoundries заявила, что она может предложить ноу-хау для производства 200-мм пластин и технологию обработки, являющуюся интеллектуальной собственностью».
В сообщении говорится, что индийское правительство выбрало консалтинговую компанию Accenture PLC (Дублин, Ирландия), для того чтобы составить бизнес-предложения для участвующих в проекте фирм. Компании не будут брать на себя какие-либо обязательства до тех пор, пока не будут известны размер и форма финансовой поддержки со стороны индийского правительства. Фабрики по производству полупроводниковых пластин стоятся по всему миру, как правило, при поддержке со стороны местных и государственных властей и в районах, где до этого не было производственных предприятий, изготавливающих ИС.
Индийское правительство в июне 2011 г. пригласило разработчиков технологий и инвесторов к сотрудничеству по создании фабрик по производству полупроводниковых пластин. В сентябре 2011 г. сообщалось, что 11 компаний пригласили на встречу, которая состоялась в Департаменте информации.
Многие наблюдатели скептически относятся к плану строительства фабрики по производству ИС в любом месте Индии, поскольку цена строительства такой фабрики составит миллиарды долларов, и подобные фабрики удобнее создавать в других местах, например, на Тайване, где уже есть много фабрик и существуют определённые преференции для таких проектов. Тем не менее, правительство Индии продвигает свой план создания местного производства ИС как средства для выравнивания будущего торгового баланса страны.
Правительство прогнозирует в Индии рост спроса на бытовую электронику, импорт которой страна не может себе позволить. Местное производство ИС будет не только компенсировать расходы на импорт, но, с точки зрения правительства, это также  поддержит рост всей экосистемы по производству ИС благодаря разработке соответствующего ПО.
...После этого так и хочется воскликнуть словами известного персонажа Жванецкого: «Так... Теперь попросим на трибуну начальника транспортного цеха. Пусть доложит об изыскании внутренних резервов».
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/3.05.2012


По итогам июля 2012 года мировые продажи полупроводниковой продукции составили 24,4 млрд долларов


Международная ассоциация производителей полупроводников SIA (Semiconductors Industry Association) сегодня сообщила о том, что по итогам июля 2012 года мировые продажи полупроводниковой продукции составили 24,4 млрд долларов, что на 0,2% больше 24,34 млрд долларов по итогам июня. В то же время, в годовом исчислении этот показатель упал почти на 2%. В июле 2011 года продажи составили 24,86 млрд долларов.
"Июльские данные показывают нам робкий позитив и указания на восстановление спроса, но в то же время очевидно, что макроэкономические проблемы являются существенным сдерживающим фактором для роста", - говорит Брайен Туи, президент SIA.
По его словам, региональные прогнозы по продажам полупроводников остаются туманными: в Японии полупроводниковая отрасль восстановилась от прошлогодних природных катастроф, но с другой стороны проседание происходит в Европе и обеих Америках.
По итогам июля 2012 года в Японии продажи в годовом исчислении выросли на 4,2%, в Азиатско-Тихоокеанском регионе - на 1,4%, однако в Европе они упали на 10, а в Северной и Южной Америке - на 10,4%. Права на данный материал принадлежат Cybersecurity.ru

Доходы разработчиков аналоговых ИС заметно выросли в апреле


Доходы большинства тайваньских дизайн-центров по разработке аналоговых ИС достигли в апреле рекордной величины второй месяц подряд за счет высокого спроса на эти компоненты.
Благодаря высокому спросу со стороны глобальных IDM-производителей отношение объема заказов к объему поставок локальных дизайн-центров по разработке аналоговых ИС, в т.ч. Copella Microsystems, Macroblock и On-Bright Electronics, превысило значение 1,1.
Доходы центра разработки Copella в апреле выросли на 112,1% относительно прошлогоднего показателя, составив 7,26 млн долл., тогда как темпы роста доходов компаний Macroblock и On-Bright составили 32,7 и 34,7% за тот же месяц.
Ожидается, что доходы дизайн-центров Richtek Technology и Global Mixed-code Technology (GMT), также занимающихся разработкой аналоговых ИС, увеличатся до 15% за II кв. 2012 г. и достигнут 39,4–43,1 млн долл.


GMT: финансовый отчет, I кв. 2012 г., млн TWD

Показатель

Объем

Кв./кв.

Г./г.

Доходы

1100

7,98%

(12,51%)

Валовая прибыль

34,37%

ниже на 1,44%

выше на 3,27%

Чистая опер. прибыль

188

5,50%

(6,19%)

Чистая прибыль

140

(10,59%)

(29,74%)

Чистая приб. на акцию, TWD

1,63

 

 

Источник: GMT, компиляция Digitimes, май 2012 г.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/11.05.2012

Японская полупроводниковая агония продолжается


Японская полупроводниковая промышленность находится в кризисе и компании никак не могут найти выход из создавшегося положения. Агония на промышленных предприятиях продолжается в течение нескольких последних лет.
После объявления компании Renesas в конце марта 2012 г. о годовой выручке в 9,8 млрд долл. можно сделать вывод о том, что продолжается агония японской полупроводниковой промышленности. В 2003 г., спустя год после того, как в результате слияния мощностей по производству полупроводниковых изделий компаний Hitachi и Mitsubishi была создана компания Renesas, был зафиксирован доход 9 млрд долл. США и Renesas была признана вторым поставщиком в мире.
В 2010 году Renesas приобрела полупроводниковый бизнес NEC. NEC Electronics с 1987 по 1991 гг. занимала первую строчку в мировом рейтинге компаний-производителей полупроводниковых изделий. До того как NEC была приобретена компанией Renesas, её годовой доход составлял чуть меньше 6 млрд долл.
Теперь же операционные потери Renesas в закончившемся в марте 2012 г. финансовом году составили 710 млн долл., а сумма чистых убытков составила 790 млн долл.
В прошлом году сообщалось, что компании Renesas, Panasonic и Fujitsu договорились о слиянии мощностей своих полупроводниковых бизнесов. Японцы всё ещё продолжают верить в провальную по сути стратегию консолидации. После появления сообщения о слиянии мощностей Renesas, Panasonic и Fujitsu, г-н Малкольм Пенн (Malcolm Penn), генеральный директор Future Horizons, так прокомментировал это событие: «Сколько еще раз нужно решать уравнение «1 + 1=0,5» чтобы уже кто-нибудь понял, что такой подход не может быть правильной стратегией?».
Очевидно, японцам требуется это сделать еще несколько раз.
Странным является то, что, пока продожается безуспешный стратегический процесс консолидации, в Японии практически не зафиксировано ни одного нового проекта в полупроводниковой промышленности.
И всё это происходит на фоне того, что Panasonic и Sony сообщили о гигантских финансовых убытках, самых крупных за последние 10 лет.
Источник: Electronics Weekly
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/12.05.2012

 


Renesas сокращает 15% сотрудников и расширяет диалог с TSMC


Убытки в минувшем финансовом году заставляют Renesas сократить 15% рабочих мест и передать производство ряда микроконтроллеров своим стратегическим партнёрам TSMC и GlobalFoundries.
Согласно опубликованному сообщению корпорация Renesas Electronics, крупнейший японский производитель логических ИС, заключит соглашение о деловом партнерстве с Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. (TSMC), тайваньской компанией-производителем ИС.
В компании Renesas информацию о сотрудничестве с TSMC подтвердили, но не представили никаких подробностей. Переход на режим аутсорсинга при производстве ИС может рассматриваться как шаг в борьбе с тяжелыми потерями, понесёнными компанией Renesas.
По данным газеты Japan Daily Press, Renesas может объявить о ликвидации 6000 рабочих мест, что составляет около 15% персонала, в попытке сократить ежегодные расходы на 50 млрд иен (около 630 млн долл.). По результатам последнего финансового года, завершившегося 31 марта 2012 г., чистые убытки Renesas составили 62,60 млрд иен (около 790 млн долл.) при выручке в 883,11 млрд иен (около 11,1 млрд долл.).
Финансовый год был омрачен последствиями Великого Японского землетрясения, произошедшего 11 марта 2011 г., в результате которого была прекращена деятельность ряда промышленных предприятий Renesas, а производители автомобильной электроники столкнулись с нарушением графика поставки микроконтроллеров. Renesas уже некоторое время работает с компаниями TSMC  и GlobalFoundries, как со стратегическими партнёрами, и передала производственным предприятиям партнёров заказы на производство ряда микроконтроллеров.
Источник: EE Times

Китай освоил 22-нанометровую технологию


Новость на Newsland: Китай освоил 22-нанометровую технологию
Китай близок к очередному прорыву в микроэлектронике: учёные страны освоили 22-нанометровую технологию производства интегральных микросхем, сообщает агентство «Синьхуа» со ссылкой на Институт микроэлектроники Китайской академии наук.
По информации научного учреждения, его специалистам удалось создать опытные образцы полевых транзисторов с шириной затвора в 22 нанометра, что является первым шагом к производству микросхем с такой же толщиной рабочего слоя. Как утверждают учёные, замена материалов на основе кремния металлами и их окислами позволила снизить стоимость продукта при одновременном повышении производительности и эффективности энергопотребления приборов.
22 нанометра – это отрезок примерно в 2300 раз меньше диаметра человеческого волоса. Для микроэлектроники эта цифра означает, что на участке размером с поперечное сечение волоса можно разместить до 10 миллионов транзисторов, являющихся основными элементами логических устройств. Многие компании по всему миру стремятся освоить 22-нанометровую технологию, дабы сделать производство компьютеров, мобильных телефонов и другой техники >более массовым и дешёвым. КНР запустила соответствующие исследовательские проекты в 2009 году.
Китайские учёные надеются, что промышленное освоение данной технологии позволит их стране снизить зависимость от импорта и повысить конкурентоспособность собственных производителей микроэлектронных деталей.
Источник: erudition.com.ua

Упав в 2012 году, рынок микросхем вырастет в 2013-м


По данным организации WSTS, глобальный рынок микросхем все-таки будет расти в 2013 году.
Отраслевая организация World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) получила предварительные прогнозы и теперь предсказывает слабые показатели на глобальном рынке микросхем в конце текущего года.
В результате, объем глобального рынка микросхем в 2012 г. ожидается на уровне 290 млрд долл., что на 3,2% меньше, чем было в 2011 г. Однако WSTS прогнозирует, что рынок вновь увеличится в 2013 г., поднявшись на 4,5%.
Тем самым, WSTS пересмотрела свои прежние прогнозы роста в 2012 и 2013 гг., которые были озвучены в июне 2012 года и предсказывали рост на 0,4% в 2012 г. и на 7,2% в 2013 г. Снижение ожиданий по объемам спровоцировано нестабильностью мировой экономики, включая замедление роста китайской экономики.
Другие недавние прогнозы пока что более оптимистичны (см. Report: Rising GDP set to boost chip markets).
По данным WSTS, слабость рынка в 2012 г. имеет весьма обширную географию. Сокращение наблюдается во всех географических регионах и для всех категориях продуктов, кроме цифровых логических ИС и оптоэлектроники.
WSTS ожидает рост мирового рынка в 2014 году на уровне 5,2% — до 319 млрд долл., со средним показателем роста до 10% в большинстве географических регионов и категорий полупроводниковых приборов, в расчете на оздоровление мировой экономики.


Итоговый прогноз WSTS, озвученный на отраслевой встрече в Кобэ (Япония) в ноябре 2012 г. Источник: DigiTimes

Что спасет рынок полупроводников от снижения доходов?


По мнению аналитиков IC Insights, ответом на этот вопрос может стать уменьшение числа стартапов, снижение капитальных расходов и переход на модель облегченного производства.
В августе Билл Маклин (Bill McLean), президент IC Insights, сделал прогноз о том, что за период 2011–2021 гг. темпы роста продаж микросхем составят 54% при CAGR (среднем совокупном темпе роста) равном 8%. За 1996–2011 гг. CAGR составил 5,2% (см. таблицу).
Таблица. Темпы роста рынка полупроводников


Год

Объем поставок ИС, млрд шт.

Средняя продажная цена, долл.

Объем рынка ИС, млрд долл.

1996

49,4

2,49

122,8

2011

192,7

1,37

264,0

CAGR за 1996–2011 гг., %

9,5

–4,0

5,2

 

 

 

 

2011

192,7

1,37

264,0

2021

380,0

1,51

573,8

CAGR за 2011–2021 гг., %

7,0

1,0

8,0

Источник: IC Insights

По мнению Маклина, темпы роста ИС в ед. шт. снизятся с 9,5% за год (период 1996–2011 гг.) до 7% в ближайшие 10 лет, однако средние продажные цены вырастут. Этот прогноз основан на выводах о том, что совершенствование производства компонентов, уменьшение числа прорывных высокорентабельных приложений, например серверов, и недостаточно совершенные устройства связи до сих пор сдерживали темпы роста полупроводникового рынка, которые не превысили 10%.
По мнению Маклина, следующие факторы позволят увеличить объемы продаж ИС.
Меньшее число начинающих компаний. В настоящее время полупроводниковая отрасль закрыта для новых стартапов, что позволит умерить неоправданные инвестиции в новые фабрики.
Переход на бизнес-модель “fab-lite” (облегченная модель производства). Такой подход позволит избежать чрезмерных расходов на производственные мощности.
Сокращение темпов роста капитальных затрат с 21% в 2011 г. до 19% в текущем и до 15% – в 2021 г.
Отсрочка перехода на 450-мм пластины, что позволит сократить сопутствующие производственные расходы.

Европейские производители кристаллов не желают отстать от жизни


На недавно прошедшем Международном отраслевом симпозиуме ISS Europe 2012 поставщики полупроводников, оборудования и материалов единодушно пришли к выводу о том, что производство на 450-мм кремниевых пластинах позволит европейскому рынку успешно конкурировать с рынками США и Азии в ближайшие 15 лет.


Цель программы EEMI450 (European 450mm Equipment & Materials Initiative), стартовавшей в 2009 г., состоит в повышении конкурентоспособности европейских производителей полупроводников и материалов на основе совместных проектов по реализации 450-мм технологий. На состоявшейся дискуссии в рамках симпозиума руководители компаний обсуждали последствия перехода с 300-мм на 450-мм пластины.
Ален Астье (Alain Astier), вице-президент по развитию производства STMicroelectronics, не видит каких-либо проблем при переходе на 450-мм пластины: например, европейские заводы в Кроле и Дрездене уже готовы к выпуску продукции по новой технологии.
Рутгер Вийбург (Rutger Wijburg), вице-президент и генеральный директор GlobalFoundries, считает, что переход на 450 мм позволит производить не только масштабируемые кристаллы по самым современным технологиям в рамках стратегии More Moore (период времени, где закон Мура еще работает), но и менее передовые ИС с высокой интеграцией элементов в соответствии с планом More than Moore (новая область микро- и наноэлектронных устройств).
Майкл Хаммер (Michael Hummel), управляющий директор Texas Instruments Europe, поддержал идею перехода отрасли на 450 мм пластины, заметив при этом, что в производстве аналоговых компонентов по-прежнему будут поддерживаться 200-мм технологии. Он рассчитывает на то, что этому примеру последуют и соответствующие европейские производители. При этом Хаммер обратил внимание участников дискуссии на необходимость решения сопутствующих проблем в области культурно-правовых вопросов, тарифов на потребляемую электроэнергию и привлечения молодых инженеров в отрасль.
Райнхард Плосс (Reinhard Ploss), член совета директоров Infineon, предупредил, что нельзя забывать о принципе системной интеграции даже при масштабировании высокоэффективных технологий. По его мнению, переход на 450 мм целесообразен только в том случае, если конечные решения на основе этой технологии станут лучше и найдут спрос на рынке.
Клаус Шмидт (Claus Schmidt), управляющий директор фонда Robert Bosch Venture Capital, подчеркнул, что венчурные фирмы по-прежнему готовы поддерживать начинающие компании, у которых имеются интересные идеи. Культурные различия между предпринимателями из Кремниевой долины и Европы, по его мнению, заключаются в том, что европейские стартапы менее устойчивы к поражениям, тогда как неудачи начинающих компаний в США лишь подстегивают их искать новые возможности для реализации своих идей.
Паоло Джарджини (Paolo Gargini), главный управляющий по технологиям Intel, уверен, что переход на 450-мм пластины сродни историческому переходу с 200- на 300-мм пластины. На этот раз освоение новой технологии будет проще благодаря извлеченным урокам. По его мнению, первое серийное производство на 450-мм пластинах откроется в 2016–2019 гг.
По словам Джарджини, традиционно с момента разработки подобных технологий до производства требуется 10–15 лет. Это время можно и сократить – многое зависит от поддержки европейского правительства. Например, на строительство 450-мм завода Intel городская администрация Нью-Йорка выделила 400 млн долл. Возведение этого производства поддерживают также компании Samsung, TSMC, IBM и GlobalFoundries. Intel планирует использовать этот завод в качеств экспериментальной площадки и приглашает европейские компании принять участие в осуществлении совместного проекта.
Вилли ван Пемброк, глава отделения наноэлектроники, DG Information Society and Media, сделал вывод о том, что переход на 450-мм пластины произойдет в любом случае и эта технология будет освоена быстрее, чем в свое время переход на 300 мм. По мнению Пемброка, серийное 450-мм производство начнется на топологической норме 8 нм.
По мнению Люка Ван ден Хоува (Luc Van den hove), президента научно-исследовательского концерна IMEC, в настоящее время европейские производители оборудования и материалов должны оказывать поддержку 200- и 300-мм технологиям, а в дальнейшем окончательно перейти на 450 мм в рамках стратегий “More Moore” и “More than Moore”. По прогнозам IMEC, экспериментальное производство с использованием 450-мм пластин откроется к 2015 г. И Европе следует играть ведущую роль в освоении новой технологии, чтобы не остаться на задворках через пять лет.
Официальный документ EEMI450 определяет цели программы EEMI450 и указывает на необходимость проведения научно-исследовательских работ, направленных на освоение технологии пластин диаметром 450 мм европейскими производителями полупроводникового оборудования и материалов. В частности, в документе утверждается, что 450-мм производство будет более экономичным для производителей полупроводниковых изделий.
Источник: EE Times
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/05.03.12


Infineon лидирует на рынке силовых п/п компонентов


Компания Infineon остаётся лидером в рейтинге мировых поставщиков силовых полупроводниковых модулей и дискретных компонентов.
По данным исследовательской компании IMS Research Ltd.,  рынок силовых полупроводниковых компонентов в 2011 году увеличился на 9% и достиг 18 млрд долл., а на первой строчке в рейтинге мировых поставщиков в данном сегменте рынка находится компания Infineon Technologies AG.
По мнению экспертов IMS, рынок успешно рос в первой половине 2011 года, затем в третьем квартале рост рынка замедлился, а резкое замедление роста рынка произошло в четвёртом квартале, которое эксперты связывают с коррекцией складских запасов у основных потребителей данной продукции.
Ситуация в сегменте силовых модулей была гораздо лучше по сравнению с сегментом дискретных компонентов. В 2011 году объём продаж в сегменте силовых модулей увеличился на 32%, в то время как рост продаж в сегменте дискретных компонентов составил 3%. Основными потребителями силовых модулей являлись производители систем солнечной энергетики, узлов и блоков автоэлектроники и бытовой техники.
Силовые модули были очень востребованы на последовательно растущих рынках автомобильной электроники и солнечной энергетики. Продажи дискретных компонентов  пострадали от волатильности рынка потребительской электроники и т.н. «белого товарного рынка» – такой продукции бытового назначения, как стиральные машины, холодильники и т.п.
Согласно исследованию IMS, компания Infineon осталось ведущим поставщиком мощных дискретных компонентов и модулей. Выросла доля рынка у следующих производителей силовых модулей — Mitsubishi Electric, Fuji Electric и Semikron.
По мнению Ричарда Идена (Richard Eden), старшего рыночного аналитика IMS Research, Mitsubishi Electric упрочила своё лидирующее положение в сегменте силовых модулей, что позволило компании сократить суммарный разрыв с Infineon.
В 2011 году в сегменте силовых модулей доля японских производителей составила 51% по сравнению с 48% в 2010 году. Ниже перечислены, в десять ведущих мировых поставщиков силовых полупроводниковых модулей и дискретных компонентов в 2011 году:
Infineon
Mitsubishi Electric
Toshiba
STMicroelectronics
International Rectifier
Fuji Electric
Fairchild
Vishay
Renesas
Semikron
Источник: EE Times

NXP передаёт часть объёма производства контрактным производителям


NXP Semiconductors оптимизирует свои расходы на производственную, научно-исследовательскую и проектную деятельность.
По словам генерального директора NXP Semiconductors Рика Клеммера (Rick Clemmer), сказанным им в ходе интервью информационному агентству Electronics Weekly, компания в течение ближайших трёх лет передаст производство трети объёма своих изделий контрактным производителям.
В 2015 году компания планирует до 35% объёма своей продукции изготавливать по 40-нм технологии на производственных мощностях контрактных производителей.
По словам Клеммера, в настоящее время компания NXP использует контрактных производителей для изготовления только 15% объёма своих изделий, причём для производства указанных изделий используются 90-нм и 40-нм техпроцессы.
У NXP есть собственные фабрики, находящиеся в Неймегене (Nijmegen) и Манчестере (Manchester). Компания также имеет совместные предприятия с Silicon Manufacturing Company (SMC), Advanced Semiconductor Manufacturing Co и TSMC.
NXP полагает, что доходы за третий квартал в годовом исчислении увеличатся на 10% и достигнут уровня 1,17 млрд долл. США. Но чистая прибыль снизится до 115 млн долл.
По словам Клеммера, он удовлетворён размером выручки компании, но считает, что необходимо увеличить валовую прибыль.
По мнению Клеммера, компания удовлетворена размером текущих общехозяйственных и административных расходов, а также издержками на организацию продаж, но к расходам на исследовательскую и проектную деятельность компании нужно подходить более избирательно.
По мнению экспертов NXP, есть опасения относительно ближайших перспектив рынка. Эксперты не видят макроэкономических улучшений в краткосрочной перспективе.
По прогнозам NXP, объём рынка в четвёртом квартале снизится на 3–5%. Более трети своего бизнеса NXP осуществляет в Китае и Клеммер видит признаки снижения объёма этого рынка.
Компания по-прежнему прикладывает значительные усилия, чтобы погасить долги, появившиеся в результате сделки, когда она была выкуплена частными инвесторами в 2006 году у Philips.
Чистый долг в течение квартала, в годовом исчислении сократился на 76 млн долл. и сейчас составляет 2,88 млрд долл.
В течение третьего квартала подразделение компании NXP, которое называют «идентификацией» (в состав которого входят направления смарт-карт и RFID), обогнало по объёму доходов подразделение автомобильных приложений.
Источник: Electronics Weekly

IHS: рынок ИС для управления питанием снизится в 2012 году


По прогнозам IHS ISuppli, в 2012 г. рынок полупроводников для управления питанием снизится на 6%, главным образом, из-за нестабильности мирового потребительского рынка.
ИС для управления питанием применяются в широком ряде устройств для экономии энергии. Доходы на рынке кристаллов по управлению питанием к концу 2012 г. упадут до 29,9 млрд долл., по сравнению с 31,8 млрд в 2011 г., когда в индустрии наблюдался небольшой рост на 1,5%, от 31,4 млрд в 2010 г.
По данным предыдущего прогноза IHS на 2012 год, опубликованного в сентябре, рынок должен был вырасти на 1,7%.
По словам Марияны Вукичевич (Marijana Vukicevic), главного аналитика IHS по управлению питанием, падение рынка в текущем году обусловлено общим снижением потребительских расходов во всем мире. Несмотря на популярность таких устройств, как смартфоны и планшеты, потребительские рынки в целом остаются неустойчивыми, с заметным спадом в определенных сегментах, таких как ноутбуки и другие компьютерные платформы.
Кроме того, общее снижение на рынке управления питанием в текущем году связано с замедлением инициатив в области энергетики в Азии. Действие правительственных поощрений, направленных на увеличение эффективности систем охлаждения для жилого и коммерческого использования, истекло, а новых усилий для стимулирования рынка в 2012 году не предпринималось.
По прогнозам IHS, в 2013 г. рост рынка кристаллов по управлению питанием составит 7,6% и достигнет 32,2 млрд долл. В течение следующих трех лет ожидается умеренный рост, и, по оценкам аналитиков, к 2016 г. доходы отрасли вырастут до 38,7 млрд долл.


Доходы рынка ИС управления питанием. Источник: IHS, декабрь 2012, составлено Digitimes
В IHS отмечают, что необходимость совершенствования современного оборудования с применением ИС для управления питанием, будет являться стимулом для дальнейшего развития отрасли. В будущем областью применения полупроводников по управлению питанием станут такие ключевые рынки, как портативные устройства, связь, энергетика, общественная инфраструктура и новое строительство. Одним из наиболее перспективных направлений является рынок альтернативных источников энергии, – для управления питанием в гибридных и электрических транспортных средствах, в ветроэнергетике и гелиоэнергетике, а также для смарт-сеток интеллектуальных счетчиков и аналогичных устройств. Медицинская электроника также будет стимулировать спрос на кристаллы по управлению питанием – для использования в различных устройствах для диагностики, мониторинга и оказания первой помощи.


UMC приступает к строительству новых цехов фабрики Fab 12A


UMC предполагает ввести в строй во второй половине 2012 г. новую фабрику по производству 300-мм пластин по новой 28-нм технологии
Компания United Microelectronics (UMC) в скором времени начнёт строительство пятого и шестого цеха фабрики по производству 300-мм пластин, расположенной в Южно-тайваньском научном парке (STSP). Церемония по случаю закладки первого камня новых цехов фабрики намечена на 24 мая.
Производительность аналогичной фабрики (Fab 12A) по производству 300-мм пластин, расположенной в STSP, составила в I кв. 2012 г. 14 000 пластин, в то время как другая 300-мм фабрика (Fab 12i)), расположенная в Сингапуре, изготовила 13 400 пластин.
UMC также планирует построить седьмой и восьмой цеха фабрики Fab 12A. Предприятие уже решило вопросы с выделением земельного участка для следующего этапа строительства.
Ранее представители UMC заявляли, что бюджет запланированных на 2012 год капиталовложений в размере 2 млрд долл. США останется неизменным. Большая часть капиталовложений будет направлена ??на создание мощностей по производству пластин по передовой 28-нм технологии и цехов 300-мм фабрики.
В UMC рассчитывают ввести в строй 28-нм производственные мощности во второй половине 2012 г. и ожидают, что доход от работы новых мощностей по итогам года составит около 5% суммарных доходов компании.
Источник: DigiTimes

Японская полупроводниковая отрасль дряхлеет


Год назад японская полупроводниковая индустрия испытала опустошительные удары стихии в виде землетрясения и последовавшего цунами. Однако настоящее бедствие эта отрасль терпела уже несколько лет до землетрясения, когда страна утрачивала статус одного из ведущих регионов в области полупроводникового производства.
По мнению Лена Джелинека (Len Jelinek), директора и главного аналитика отдела полупроводникового производства в IHS, последствия землетрясения, отразившиеся на состоянии мировой полупроводниковой индустрии, со всей убедительностью продемонстрировали снижение статуса Японии на мировом рынке полупроводников и подчеркнули необходимость восстановления этого бизнеса.
На долю поставщиков, штаб-квартиры которых находятся в Японии, в 2003 г. пришлось 27% всей выручки мирового рынка полупроводников. По данным IHS, в течение следующих 8 лет этот показатель снижался, и в 2011 г. он достиг 19% (см. диаграмму).


Доля доходов японских поставщиков на мировом рынке полупроводников, Источник: IHS iSuppli, март 2012 г.
По сравнению с основными регионами полупроводникового производства, в Японии самое малое количество современных 300-мм фабрик и максимальное число старых производств, работающих с 6-дюймовыми пластинами. Японские компании не обновляют устаревшие фабрики, в результате чего некогда самая передовая в мире полупроводниковая отрасль постепенно дряхлеет.
Сразу после землетрясения появились опасения, что японское полупроводниковое производство остановится. Многие аналитики предсказывали, что дефицит компонентов будет наблюдаться в течение года, пока производство полностью не восстановится. В настоящее время производство восстанавливается. Из поврежденных фабрик была закрыта только фабрика Freescale Semiconductor.
Ранее Freescale сообщила о своем намерении в конце 2012 г. закрыть производство аналоговых изделий в Сендае, работающее по технологии 6-дюймовых пластин. Землетрясение ускорило принятие этого решения. Теперь ясно, что последствия землетрясения и цунами оказались не такими мрачными, как предсказывали некоторые аналитики.
Это бедствие, к несчастью японских полупроводниковых компаний, обнажило давно существующую, но не до конца открыто признанную проблему: Япония больше не занимает лидирующие позиции в области производства полупроводниковых компонентов.
В феврале для укрепления положения японской полупроводниковой отрасли было предложено объединить три производства компаний Renesas, Fujitsu и Panasonic. В соответствии с этим планом разработка и производство будут разделены между двумя компаниями. Кроме того, план предусматривает большие инвестиции для оживления производственной фирмы.
На самом деле, этот план является хорошо замаскированной стратегией сокращения полупроводникового производства, считают аналитики IHS, и едва ли поспособствует оживлению отрасли.
На фоне перехода производства на изготовление продукции по норме 28 нм и меньше необходимо признать факт того, что в настоящее время ни одна японская компания не в состоянии работать по этому технологическому процессу. История учит, что успех приходит по мере накопления опыта. Не имея сильной технологической платформы, с помощью которой японские компании могли бы совершенствовать полупроводниковое производство, у них мало шансов на то, чтобы идти в ногу со временем.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/26.03.2012


Samsung инвестирует в ASML вслед за Intel и TSMC


ASML сообщила, что Samsung Electronics инвестирует 276 млн евро в разработку нового поколения технологий литографии в течение ближайших пяти лет в рамках совместной программы этого поставщика производственного оборудования.
ASML заявила, что ей удалось осуществить поставленную цель – собрать на разработку средства в объеме 1,38 млрд евро.
Доля участия Samsung в капитале ASML составит 503 млн евро, или 3% акций, в соответствии с теми же общими условиями договора, которые действуют в отношении других участников этой программы.
ASML анонсировала свою программу инвестиций 9-го июля этого года. Цель этой программы – ускорить разработку основных технологий литографии, а именно, фотолитографии глубокого ультрафиолета (EUV). Компания Intel стала первым участником этой программы, на долю которого пришлось 15% акций голландского поставщика оборудования.
Из заявления ASML следует, что эта компания не будет привлекать к сотрудничеству дополнительных инвесторов в рамках предложенной программы. Таким образом, миноритарная доля компаний Intel, TSMC и Samsung составила 23% в акциях ASML, или 3,85 млрд евро.
Источник: DigiTimes

IC Insights: фаундри-компании отчаянно сражаются за технологическое первенство


Различия между лидерами в области производственных технологий и отстающими компаниями велико и все больше увеличивается, указывают аналитики IC Insights.
Фаундри-бизнес поделен между двумя лагерями: четырьмя компаниями, предлагающими ведущую технологию, и группой небольших игроков, у которых ее нет. В результате объемы продаж этих двух групп различаются в очень большой степени. TSMC и Globalfoundries отчаянно сражаются за лидерство в фаундри-производстве. Так, например, Globalfoundries недавно заявила о том, что в 2014 г. начнет выпуск по 14-нм технологии FinFET, значительно опередив, таким образом, TSMC. До появления Globalfoundries на этом рынке TSMC безоговорочно лидировала среди фаундри-компаний, однако Globalfoundries посягнула на это первенство. Согласно данным IC Insights, 65% доходов Globalfoundries в 2012 г. будут получены благодаря применению самых современных технологических норм менее 45 нм. В то же время на долю передовых технологий TSMC придется только 37% доходов. Однако за счет намного больших масштабов деятельности TSMC доля ее изделий, выпущенных в 2012 г. по норме 45 нм и менее, составит 6,23 млрд долл., а у Globalfoundries этот показатель достигнет 2,79 млрд долл.


Доходы основных игроков рынка фаундри-услуг от продажи изделий, выпущенных по нормам менее 45 нм
Китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) лишь недавно освоила 45-нм технологию производства, спустя более чем три года после TSMC. По данным IC Insights, на долю изделий SMIC, выпущенных по нормам 45 нм и менее, придется около 1%.
Недавно компания Globalfoundries превзошла по доходам корпорацию United Microelectronics Corp. (UMC), которая долгое время занимала второе место среди лидеров рынка. На долю продукции UMC, произведенной по современным нормам проектирования, придется только 11%.
Отставание в технологическом развитии между SMIC и остальными участниками рынка фаундри-услуг еще больше. Из 14 фаундри-компаний, занимающих позиции между пятым и 18-м местом по объему продаж, только четыре (TowerJazz, Grace/HHNEC, Dongbu и Xinxin) в состоянии выпускать в 2012 г. кристаллы, произведенные по норме 90 нм и ниже. Но даже это производство, скорее всего, будет иметь сравнительно малый объем. В общей сложности объем продаж этих 14 фаундри-компаний составит за этот год 4,6 млрд долл., или около 15% всего рынка фаундри-услуг.
По мнению аналитиков IC Insights, фаундри-компании, стремящиеся идти в ногу со временем, будут либо создавать совместные предприятия и заключать лицензионные договоры, как это сделали, например, IBM и Globalfoundries, либо увеличивать расходы на научно-исследовательскую деятельность по освоению нового техпроцесса, как это сделали TSMC и Globalfoundries.
Доходы от выпуска изделий по нормам 30 нм и ниже составят около 30% всей прибыли фаундри-компаний в 2012 г., увеличившись за год на 22%. На долю продукции, произведенной по нормам 80 нм и меньше придется только 13% всех продаж за текущий год, что на 14% ниже уровня 2011 г. и на 15% – ниже показателя 2010 г.
Источник: EE Times

Кремниевая долина: возрождение Америки?


По данным отчета об экономическом и социальном состоянии Кремниевой долины (США), регион вступил в фазу послекризисного восстановления.

Географическая структура Кремниевой долины

Недавно вышел отчёт «The 2012 edition of the Silicon Valley Index», работу над которым вели совместно Joint Venture и Silicon Valley Community Foundation. В нём приведены основные показатели экономического и социального состояния Кремниевой долины.


Основные показатели социального (слева) и экономического (справа) состояния Кремниевой долины за последние годы
Для организаций и образовательных учреждений, которые там находятся, эти показатели (всего их более 60) позволяют проанализировать свою работу, оценить достижения и выделить проблемы, которые предстоит решить в будущем.
В текущем году, впервые за последние несколько лет, отчёт даёт позитивное заключение: Кремниевая долина восстанавливается, начался подъём. Этот регион кризис затронул в последнюю очередь. Похоже, он же будет первым, который выйдет из рецессии. Однако, общий рост обусловлен подъёмом лишь двух секторов, в остальных признаков восстановления пока не наблюдается.
Основные выводы и наблюдения, приведённые в отчёте:
Экономика региона показывает уверенный рост.
В 2011 г. количество рабочих мест увеличилось на 42 тыс., что превысило прогноз (рост за год в регионе составил 3,8% по сравнению с 1,1% в среднем по США).
«Инновационный двигатель» долины снова «зажигается». Увеличился рост запатентованных изобретений и приток инвестиций. Лидеры роста – биотехнологии, энергосбережение и медицинская электроника.
Количество талантливых специалистов начало расти.
Рост доходов наблюдается только среди высших должностей, «простые» специалисты продвижения пока не ощутили.


Рост рабочих мест в Кремниевой долине за последние годы

Показатели безработицы (в %) в Кремниевой долине (бежевый график) и в целом по США (синий график)
Население
Отток специалистов в другие штаты и за рубеж, который наблюдался предыдущие два года, сменил направление. Треть населения в регионе – это специалисты в возрасте 25–44 лет. Количество сотрудников с учёной степенью также увеличивается (см. рис.):


Общее количество защищённых научных званий: столбики — в Кремниевой долине, оранжевые точки — всего в США. Данные охватывают учёные степени: бакалавр, магистр и доктор. Источник сведений: Национальный центр статистических исследований IPEDS.
В то же время наблюдается отток студентов, прибывших на обучение в университетах Кремниевой долины из других стран, что объясняется общим экономическим спадом:


Общее количество защищённых научных званий среди временных резидентов: столбики — в Кремниевой долине, оранжевые точки — всего в США. Данные охватывают учёные степени: бакалавр, магистр и доктор. Источник сведений: Национальный центр статистических исследований IPEDS.
Инновации
Инновации – визитная карточка Кремниевой долины. Сюда входят не только новые технологии и продукты, но и достижения в бизнес-процессе и новые бизнес-модели.
Как отмечено в отчёте, Кремниевая долина до сих пор является научным центром Калифорнии, в 2010 г. на её долю приходилось 49% патентов от общего количества патентов, полученных в Калифорнии, и 12% от общего количества патентов на всей территории США, см. рис.:


Доля патентов Кремниевой долины от общего количества патентов в Калифорнии (синий график) и США (нижний график)
 Это на треть больше, чем в предыдущем году. 40% патентов в этом регионе приходится на ИТ (компьютеры, обработку и хранение данных), однако самыми быстрыми темпами развивается здесь химические технологии, где рост количества запатентованных изобретений составил 50%. Для сравнения, в области коммуникаций число зарегистрированных патентов возросло ан 24%. Распределение патентов по отраслям в Кремниевой долине показано на следующем рисунке (кликните по нему для увеличения).


Другой показатель инновационности – активность инвесторов. Второй год подряд капиталовложения в регион растут. В 2011 г. объём инвестиций вырос на 17%. Приток капитала в Долине вышел на «докризисный» уровень 2004 г., достигнув 7,6 млрд долл. Хотя до показателей лучших годов (2006-2008, а также до «доткомовского» кризиса 2000-го года), см. диаграмму:


Объём капиталовложений в Кремниевой долине, в млрд долл. США, в целом (верхняя диаграмма) и по отраслям (нижняя диаграмма)
 Интересно, что этот регион сейчас привлекает 27% всего венчурного капитала США, или 52% от венчурного капитала штата Калифорния. Наиболее привлекательной для инвесторов является секторы программного обеспечения и «чистых технологий», а для государственных субсидий – энергосбережение, биотехнологии и медицинские системы.

Перспективы
В текущем году ожидается пересмотр налоговой политики в отношении Кремниевой долины, который может существенно улучшить финансовое положение региона. Если это действительно произойдёт, можно будет смело утверждать о втором рождении инновационного городка.
Источник: Joint Venture
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/13.02.2012


США причислили оптоэлектронику к стратегически важным целям


В понедельник Национальный научно-исследовательский совет США (NRC) спустя 15 лет после опубликования эпохальной программы по стратегии развития фотоники в XXI в. представил доклад "Optics and Photonics: Essential Technologies for Our Nation".
Определив развитие технологий в области оптики и фотоники критически важными направлениями для будущего нации, совет NRC предложил ряд эффективных инициатив, направленных на совершенствование производства, изобретательскую деятельность, создание материалов и приложений, которые обеспечили бы лидерство США в этой области.
Доклад и его рекомендации появились в условиях, когда в США велики опасения относительно отставания в области передовых технологий оптики и фотоники. Авторы доклада считают, что США необходимо создать новые направления в отрасли и рабочие места, чтобы обеспечить развитие указанных технологий.
По данным Ганеша Гопалкришнана (Ganesh Gopalakrishnan), исполнительного технического директора Ассоциации развития оптоэлектронной промышленности (Optoelectronics Industry Development Association), за последние 10 лет в Северной Америке сократилось около 200 тыс. рабочих мест в сфере производства.
Хотя значение современного производства оптоэлектронных компонентов и недооценено в новом докладе правительства, рекомендации в этом направлении свидетельствуют о первом шаге в сторону оживления технологической производственной базы США.
Очевидно, что всесторонняя оценка стратегических технологий в условиях, когда представители правительственных структур ищут пути оживления технологического производства США, является весьма важной мерой. Однако во главу угла этого доклада необходимо было бы поставить обсуждение состояния передового производства – той области, в которой компании США имеют высокий шанс конкурировать с мировыми производителями крупносерийной продукции.
Один из разделов доклада посвящен анализу состояния производства дисплеев, фотоэлементов и оптоэлектронных компонентов. В первых двух категориях производство США сократилось за последние несколько лет. К сожалению, многие перспективные производители изделий для рынка гелиоэнергетики не выдержали ценового давления и перенесли свои предприятия в Азию – в основном, в Китай.
По мнению авторов доклада, способность США производить основные компоненты для связи на основе таких устройств как лазеры, модуляторы, усилители, фотодетекторы и волноводы, является краеугольной.
Чтобы идти в ногу с мировым рынком оптоэлектроники, необходимо, чтобы соответствующие компоненты производились по месту их потребления. В докладе отмечается, что фактором, определяющим развитие производства оптоэлектронных компонентов, является объем их изготовления. Чем он выше, тем с большей вероятностью они будут выпускаться за пределами страны.
При таком подходе недооценивается необходимость производства в США небольших партий современных компонентов для фотоники. В настоящее время прилагаются усилия по созданию в США предприятий для выпуска оптоэлектронных устройств. Например, в шт. Огайо сооружается фабрика для сборки и корпусирования.
Одним из способов оживления центров производства оптически и фотоники является т.н. технология «аддитивного изготовления» (или 3D printing – «трехмерной печати»), которая позволяет создавать устройства путем послойного наращивания. Эта технология успешно применяется и в фотонике. Одним из преимуществ такого производства является сокращение циклов разработки, другим – исключение расходов на проектирование и производство с использованием дорогостоящих заказных средств.
Новые методы производства на основе лазерной стереолитографии позволят увеличить точность технологии аддитивного изготовления. В докладе отмечается, что лазерное коротковолновое излучение позволяет изготавливать весьма миниатюрные устройства. Технология аддитивного производства также обеспечит выпуск изделий поблизости от их места сбыта, где бы ни осуществлялось проектирование.
Таким образом, в докладе, пусть и не в очень явном виде, даются выводы и рекомендации по определению тех сегментов промышленности, которые позволили бы вернуть американских рабочих на производство.
Источник: EE Times

Intel успешно совершенствует 14-нм технологию


Главный директор по технологиям Intel Джастин Раттнер (JustinRattner) заверил, что 14 нм будут освоены вовремя.
4 декабря Джастин Раттнер (JustinRattner), главный директор по технологиям (CTO) Intel, на встрече в Тайване заявил о том, что разработка 14-нм технологии идет по графику, а серийное производство по этому техпроцессу начнется через 1–2 года. В настоящее время Intel совместно с партнерами осваивает производство на основе 450-мм пластин.
Раттнер также заметил, что агрессивное освоение 14-нм технологии компанией Intel позволит распространить действие закона Мура еще на 10 лет.
В конце 2013 г. Intel станет производить поколение 14-нм процессоров (P1272) и СнК (1273) (в скобках приведены условные обоpначения технологических процессов по терминологии Intel), а также инвестирует в фабрики D1X Fab (шт. Орегон), Fab 42 (шт. Аризона), Fab 24 (Ирландия), после чего в 2015 г. займется освоением норм 10, 7 и 5 нм.


Конкурирующая с Intel компания Samsung планирует уже в 2013 г. использовать 20-нм техпроцесс. В настоящее время эта компания работает над 14 нм, а TSMC намеревается запустить небольшое серийное производство первых объемных кристаллов ПЛИС по норме 20 нм во второй половине 2013 г. Компания Globalfoundries некоторое время назад заявила о том, что опытное производство по 14-нм FinFET-процессу начнется в конце 2013 г., а серийное – в 2014 г.
Что касается производства на основе 450-мм пластин, то Intel инвестировала в голландскую компанию ASML с целью ускорить создание EUV-установок. Ожидается, что изготовление ИС по соответствующим технологиям стартует в 2017 г.
Источник: DigiTimes

Контрафактные комплектующие в критических приложениях


Рост числа случаев использования контрафактной продукции вынуждает Министерство обороны США ужесточить политику и процедуры, направленные на выявление поддельных комплектующих и предотвращение условий их использования.
По данным исследовательской компании IHS ISuppli, представители оборонного ведомства США намерены скорректировать правила, регулирующие применение электронных компонентов для военных приложений. Целью этих усилий является создание эффективного барьера увеличивающимся попыткам использования контрафактных компонентов в военных приложениях.
Как отмечает IHS, по сравнению с достигнутым в прошлом году рекордным уровнем попыток использования контрафактных компонентов, количество таких попыток продолжает увеличиваться. Количество подобных случаев, зарегистрированных в текущем году по август включительно, составляет в среднем 107,3 раза в месяц по сравнению с 107,1 случаями в прошлом году.
В соответствии с данными IHS, в течение 12 месяцев в общей сложности было зафиксировано 1336 случаев попыток использования контрафактных компонентов в военных приложениях, при этом общий объём сделок с комплектующими изделиями составил 834079 случая. Эти показатели являются неполными, т.к. отражают лишь определённую часть всех зарегистрированных инцидентов.
Изменения правил, которые собирается внедрить Министерство обороны США (DoD), являются частью мер, направленных на выявление и предотвращение использования контрафактных электронных компонентов в рамках программы «National Defense Authorization Act of 2012». Как указывает IHS, к другим изменениям можно отнести совершенствование системы выявления и предотвращения использования контрафактных деталей на всех уровнях в цепочке поставок.

Global Reports of Counterfeit Incidents and Part Involved in ERAI-Reported Incidents – глобальный отчёт о количестве случаев использования контрафактных изделий и общем число сделок, по данным ERAI – частной глобальной компании, изучающей и отслеживающей проблемы, влияющие на глобальную цепь поставок электронных компонентов. Здесь: Incidents Reported – зарегистрированное число инцидентов; Purchased Parts Involved (ERAI Only) – задействованных покупных компонентов; Counterfeit Incidents – инцидентов с использованием контрафактных компонентов
По мнению IHS, использование новых правил переложит бремя расходов, связанных с переделкой или проведением корректирующих мероприятий из-за использования поддельных комплектующих частей, на подрядчиков, выполняющих заказы оборонного ведомства. Правила формулируют новые требования к проведению анализа, оценке и реакции на сообщения о поддельных и подозрительных электронных компонентах.
Понятие риска для военных приложений
Случаи применения поддельных комплектующих является растущей проблемой производителей электроники во всём мире. Но увеличение числа использования подделок в военной и аэрокосмической отраслях вызывает особую тревогу, учитывая последствия для безопасности и обороны. Многие комплектующие, закупаемые подрядчиками и государственными учреждениями, предназначены для электронных систем самолетов, танков и кораблей.
По словам Рори Кинга (Rory King), директора подразделения IHS, контрафактные комплектующие представляют собой серьезную и растущую угрозу для цепочки поставок электронных компонентов в целом и для аэрокосмической и оборонной промышленности, в частности.
По словам Кинга, продолжающийся рекордными темпами рост числа попыток использования контрафактной продукции вынуждает Министерство обороны США принимать меры к ужесточению политики и введению процедур, направленных на выявление поддельных комплектующих и предотвращения условий их использования. Хорошей новостью является то, что данной проблеме в последнее время уделяется повышенное внимание, и все большее число компаний-поставщиков присоединяются к усилиям по организации надежной защиты от контрафактной продукции.


Помесячный отчёт о об инцидентах с контрафактными компонентами. Здесь: Purchased Parts Involved – задействованные покупные компоненты; Counterfeit Incidents – инциденты с контрафактными компонентами
По данным IHS, типичный перечень материалов или комплектующих для конкретной системы, предназначенной для использования в военном приложении, может содержать от нескольких сотен до нескольких тысяч компонентов, причём, от 0,5% до 5% компонентов обычно относятся к изделиям, которые могут быть контрафактными. К другим рискам можно отнести использование устаревших компонентов или случаи закупки изделий с использованием единственной цепочки поставок.
Президент США Обама подписал в 2012 году документ под названием «National Defense Authorization Act of 2012», который формулирует правила для выявления поддельных комплектующих и предотвращает их использование. Ожидается, что внедрение документа будет осуществляться последовательно, по частям, которые должны определить характеристики для поддельных деталей, определить обязанности подрядчиков, а также конкретизировать роль государства.
* * *
Интересно, что в недавно принятых на самом высоком уровне (высшими чинами профильных министерств РФ) обстоятельных решениях XI конференции «Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники» никоим образом не затрагиваются вопросы, связанные с использованием контрафактных комплектующих не только в «обиходной», но и критически важной электронике (космос, авиастроение, оборонка). И это  несмотря на то, что в последние годы из-за подобных «проколов» пострадал не один важный отечественный проект. Видимо, в нашей стране тоже нужно, чтобы сначала «президент Обама» принял соответствующий документ...
Источник:EE Times

Altera начнет выпускать 20-нм ПЛИС в следующем году


Компания Altera приступит к выпуску 20-нм изделий в следующем году, а в 2014 г. начнет серийное производство этой продукции. Об этом заявил Брэдли Хау (Bradley Howe), ст. вице-президент отдела R&D, Altera.
Новый техпроцесс обеспечит вдвое большую плотность по сравнению с 28-нм кристаллами и позволит на 60% уменьшить потребление статической и динамической мощности. В результате появятся трансиверы на 40 Гбит/с и объединительные платы с интерфейсам на 28 Гбит/с.

20-нм транзистор, изготовленный по технологии FD-SOI (справа), реализован намного проще, чем даже упрощенный вариант КМОП-транзистора на монолитной подложке (справа)
DSP в новых кристаллах для высокопроизводительных приложений обеспечат производительность в 5 Тфлопс. В настоящее время изделия Altera разрабатываются по 20-нм КМОП-процессу TSMC с использованием монолитной подложки (bulk CMOS process). По словам Хау, TSMC удалось обеспечить очень высокий выход годных на этой норме.
В то же время Altera активно работает над освоением FinFET-технологии. Поскольку TSMC намеревается использовать 20-нм FinFET-процесс в производстве кристаллов, Altera не исключает возможности задействовать эту технологию при изготовлении второго поколения продукции.
В то же время Altera пытается оценить возможности другой технологии производства – FD-SOI.
На вопрос о том, не озабочено ли руководство Altera тем, что конкурирующие компании Achronix и Netronome получают пластины у Intel, Хау ответил, что одной из нескольких проблем, с которыми столкнулась продукция этих поставщиков, является недопустимо большое энергопотребление. Кроме того, эти изделия страдают от невысокой надежности сред проектирования, тогда как Altera сильна как в программной, так и в аппаратной реализации кристаллов.

Intel добилась максимальной доли на рынке полупроводников


В 2011 году Intel вновь подтвердила свое лидерство на рынке полупроводников. Более того, по оценкам IHS, в течение прошлого года эта компания увеличила свою рыночную долю до 15,6%, то есть на 2,5% относительно 2010 года, когда она занимала 13,1% рынка. Для Intel этот результат является максимальным за последние 10 лет. По данным IHS, в 2001 году доля Intel на полупроводниковом рынке составляла 14,9%.
В прошлом году выручка Intel возросла на 20,6%, что является самым высоким показателем среди топ5 ведущих производителей полупроводниковой продукции. Рост продаж Samsung, занявшей второе место на рынке полупроводников по итогам 2011 года, составил 0,6% в годовом исчислении. Таким образом, рыночная доля компании, как и в 2010 году, составила 9,2%. Третьим по величине производителем полупроводников была признана Texas Instruments с долей 4,5%. Компания Toshiba в прошлом году заняла 4,1% рынка. В пятерку лидеров прошлого года также вошла Renesas, а ее доля составила 3,4%.
В 2011 году полупроводниковый рынок показал положительную динамику роста в годовом разрезе. Несмотря на снижение продаж в четвертом квартале, составившее 5,9%, в целом его объем увеличился на 1,3% относительно 2010 года. Как отмечают эксперты, из 302 производителей полупроводников, учавствовавших в исследовании, только половина компаний (52,6%) смогла увеличить объем своего бизнеса в прошлом году. Наиболее высокие показали роста выручки в этот период показали американские вендоры: их продажи возросли на 7,5%. Для сравнения, выручка японских поставщиков во многом из-за последствий землетрясения, произошедшего в марте прошлого года, в целом сократилась на 7,2%.
Источник: @Astera
www.astera.ru/news/28.03.2012

Рынок реакторов MOCVD дла GaN LED достигнет дна в первой половине 2012 г.


По данным IMS Research, в 2012 г. будет поставлено 342 MOCVD-системы для производства светодиодов по технологии GaN, тогда как в 2011 г. было продано 654 системы.
Впервые два квартала 2012 г. объем поставок этих реакторов понизится до минимального уровня. Во второй половине текущего года он начнет увеличиваться умеренными темпами, когда компании станут наращивать мощности в ожидании высокого спроса на рынке общего освещения в 2013 г.
В 2009–2010 гг. на рынке MOCVD-реакторов наблюдался бум, когда возникла потребность в светодиодах для подсветки экранов телевизоров. В 2011 г. спрос на этом сегменте рынка понизился, но остался устойчивым, т.к. китайские производители и китайско-тайваньские совместные предприятия приобретали MOCVD-реакторы, пользуясь поддержкой китайского правительства и невзирая на затоваривание рынка во второй половине 2010 г. Однако в 2011 г. эта поддержка прекратилась.


Затоваривание рынка произошло также вследствие более слабого, чем ожидалось, спроса на фоне тяжелой макроэкономической ситуации и более медленного, чем прогнозировалось, развития рынка ТВ со светодиодной подсветкой, в которой к тому же стало использоваться меньше светодиодов из расчета на одну панель.
Во второй половине 2011 г. объем заказов на MOCVD-реакторы резко сократился. Вялый спрос сохранится и в первой половине 2012 г. По мнению Джейми Фокс (Jamie Fox), аналитика IMS Research, совокупный объем продаж этого оборудования за три первых квартала текущего года сравняется с показателем продаж за один из пиковых кварталов 2010 г. Однако даже при таком серьезном снижении темпов роста объем рынка в 2012 г. окажется выше на 52%, чем в 2009 г., когда было поставлено лишь 224 системы.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/leader-r/news/30.02.2012


KKR инвестирует 620 млн долл. в Renesas


KKR, нью-йоркская компания прямых инвестиций, возглавившая консорциум, который в 2006 г. приобрел NXP, покупает акции Renesas на сумму в 622 млн долл.
Всоответствии с общепринятой практикой разделения компаний, KKR уже порекомендовала выделить бизнес СнК Renesas в отдельную фирму.

Пока неясно, является ли эта рекомендация предварительным условием для осуществления инвестиций. Компания Renesas на 90% принадлежит Hitachi, Mitsubishi и NEC, но ее акции оцениваются настолько низко, что рыночная капитализация Renesas составляет лишь 1,7 млрд долл. Таким образом, сумма инвестиций объемом в 620 млн долл. станет достаточно ощутимой для этой компании.
За те шесть лет, в течение которых KKR владеет NXP, эта голландская компания практически не выросла. Напомним, что по результатам последнего финансового года, завершившегося 31 марта 2012 г., чистые убытки Renesas составили около 790 млн долл. Renesas была вынуждена сократить 15% сотрудников и обратиться к TSMC с предложением о сотрудничестве.
В конце мая компании Renesas и TSMC сделали совместное заявление о технологическом сотрудничестве для производства микроконтроллеров по 40-нм технологии с использованием eFlash-техпроцесса. В числе главных целей сотрудничества между Renesas и TSMC были указаны стремление к созданию сети фабрик и дальнейшее расширение клиентской базы.
Источник: Electronics Weekly

Intel меняет подход к производству микрочипов


Новые технологии позволят компании экномить до 2 млрд долларов в год.
Intel планирует потратить более 4 млрд долларов на покупку 15% голландской компании ASML и профинансировать ее исследования в сфере разработки микрочипов нового поколения, сообщает Reuters. Сначала Intel получит первые 10% акций своего европейского поставщика. Еще 5% достанутся американской компании в случае одобрения со стороны собрания акционеров.
Агентство пишет, что Intel надеется таким образом приблизить эру нового поколения микрочипов, это потребует интенсивных капиталовложений, но обеспечивает миллиарды долларов сэкономленных денег в будущем за счет сокращения затрат на производство микросхем. По мнению опрошенных агентством аналитиков, крупнейший в мире поставщик чипов ASML планирует сосредоточиться на производстве микросхем на 450-миллиметровых пластинах при помощи экстремальной ультрафиолетовой литографии.
По мнению аналитика RBC Capital Дуга Фридмана, с переходом на новые технологии Intel может сэкономить около 2 млрд долларов в год. «Переход от пластин старого образца к пластинам нового образца позволит сэкономить от 30 до 40 центов на производстве каждого микрочипа», — сказал он. «Чем быстрее мы это сделаем, тем скорее мы сможем получить выгоду от повышения производительности труда», — сказал главный операционный директор Intel Брайан Кржанич.
Intel завершил I квартал 2012 года снижением чистой прибыли на 19%. С января по март компания заработала 2,7 млрд долларов, или 0,53 доллара в расчете на акцию против 3,4 млрд долларов, или 0,64 доллара на акцию годом ранее. Выручка компании снизилась относительно IV квартала 2011 года на 7% — с 13,9 млрд долларов до 12,9 млрд долларов.
Источник: bfm.ru

ASML остается лидером на рынке литографического оборудования


На долю продаж голландской компании ASML Holding NV в 2011 г. приходится больше, чем на Nikon и Canon вместе взятых. А всего пару лет назад об этой компании никто не знал.
По итогам 2011 г. компания заняла 57% рынка инструментов для литографии. Ближайшие конкуренты, Nikon и Canon, заняли 28% и 15% соответственно.  В начале года расклад был совсем другим: Nikon 42%, Canon 35%, ASML 22%.


Раздвоение на рынке началось еще в 2004 г., когда ASML впервые заняла доминирующую позицию в поставках оборудования для ArF-литографии с длиной волны 193 нм. Конкуренты не смогли потеснить ее и в области субмикронной ультрафиолетовой литографии: компания начала массовый выпуск уже в 2005 г., в то время как Nikon планировал сделать то же самое лишь в 2014—2015 гг. Компания уже обогнала давнишнего лидера на рынке оборудования для производства полупроводниковых схем Applied Materials.
За 2011 год продажи оборудования для иммерсионной литографии ASML выросли на 82%. Рост продаж Nikon значительно меньше, лишь18%. 
В области оборудования для i-line литографии Canon занял 53%, Nikon 40%, ASML 8%. Однако вряд ли это можно считать весомым проигрышем. Одна установка этого типа стоит около 5 млн долл., в то время как за машину для иммерсионной литографии придется выложить не менее 30 млн. Исчтоник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/03.04.2012

У EUV-литографии альтернатив нет


Компания Zygo, разработчик и производитель оптических систем и электрооптических измерительных приборов, получила от «главной полупроводниковой компании» заказ объемом 2 млн долл. на производство усовершенствованной оптики для установок фотолитографии глубокого ультрафиолета (EUV).
Оптическая система, на создание которой потребуется около двух лет, предназначена для разработки технологического процесса EUV-литографии.
Демонстрационная EUV-установка компании ASML на 300-мм фабрике IMEC. Источник: IMEC
Этот заказ будет выполняться в рамках научно-исследовательского проекта MET-5 по созданию установки для микроэкспонирования. Проект возглавляет консорциум Sematech. Усовершенствованная оптическая система позволит исследователям работать с элементами шириной менее 16 нм для разработки нового техпроцесса.
В октябре 2011 г. Zygo уже получила заказ объемом 9 млн долл. на разработку оптической системы в рамках проекта MET-5 от консорциума Sematech и Группы по наноразмерной науке и технике (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE). Условия соглашения предусматривают создание оптики для систем субмикронной литографии. Ожидается, что на разработку и производство зеркальной системы для EUV-литографии, в которой будет применяться высокоточная оптика от Zygo, потребуется 22 месяца.
Неясно, почему новый заказ поступил от «главной полупроводниковой компании», а не от CNSE или Sematech. Все компании — IBM, Intel, Globalfoundries Samsung, TSMC и Toshiba – работают с Группой CNSE. Однако Intel и TSMC являются наиболее вероятным кандидатами на роль главной полупроводниковой компании, поручившей Zygo изготовить оптические системы для субмикронной литографии.
Intel является мировым лидером в области миниатюризации производственных процессов. Так, например, эта компания уже работает по 22-нм технологии с использованием стандартных методов оптической литографии. В то же время компания TSMC получила экспериментальную установку для субмикронной литографии от ASML Holding, благодаря чему имеет возможность ускорить разработку соответствующего процесса. При этом компания IBM считается лидером в Альянсе CPA (Common Platform Alliance), в который входят Samsung и Globlfoundries.
Следует заметить, что Люк ван ден Хоув, президент IMEC (микро- и наноэлектронный научный центр), считает, что у субмикронной литографии нет альтернативы — она и в дальнейшем будет применяться в производстве микросхем. Этот научный центр приобрел у ASML самую первую установку для субмикронной литографии, однако до сих пор не смог решить проблему отсутствия достаточно яркого источника света.
В настоящее время ASML прилагает огромные усилия, чтобы решить эту задачу. Для реализации литографической технологии по нормам 10 нм и меньше предлагалось использовать электронно-лучевые установки и другие методы, однако ван ден Хоув уверен, что существующая проблема будет решена уже выбранным способом.
Центр IMEC сотрудничает с ASML более 20 лет. Если ASML большее внимание уделяет вопросам создания оборудования, то IMEC занимается разработкой этапов техпроцесса, резистов, фотошаблонов и пр. По словам Хоува, настало время, когда нельзя создать новый инструмент, не учтя особенностей техпроцесса и технологического оборудования на производстве.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/09.04.2012

На рынке полупроводников рекорд второй год подряд


Рынок полупроводниковых материалов вырос на 7% за 2011 г. Это лучший результат за всю историю наблюдений SEMI, причем уже второй год подряд.
Продажи полупроводниковых материалов выросли до 47,86 млрд долл. США за 2011 г. В 2010 г. объем рынка оценивался в 44,85 млрд, в 2007 г. — 42,67 млрд.  


Из этой суммы на материалы для подложек и корпусов ИС приходится 24,20 млрд и 23,67 млрд долл. соответственно. Отчасти это связано с изменением курсов валют.
Второй год подряд Тайвань становится самым большим потребителем полупроводниковых материалов, на него приходится 10,04 млрд долл. Рынок Японии потерял 1%, в то время как в других странах региона наблюдался умеренный рост. В Южной Корее он связан с увеличением спроса на производственные материалы, а в Китае — на материалы для корпусов.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/05.04.2012


Дефицит микросхем Qualcomm не позволит Apple выпустить новый iPhone ранее октября


На этой неделе представители Qualcomm признались, что получают от TSMC меньше заказанных 28 нм микросхем, чем хотелось бы. Дефицит даже вынудил заказчика искать новых контрактных производителей, способных выпускать дополнительное количество 28 нм изделий. Разрывать отношения с TSMC компания Qualcomm не торопится, но и оставлять ситуацию без изменений тоже не желает.
Как сообщает сайт CNet со ссылкой на комментарии аналитиков Piper Jaffray, дефицит 28 нм микросхем Qualcomm может стать дополнительным фактором, вынуждающим Apple задержать анонс следующего поколения iPhone до октября текущего года. Ожидается, что именно 28 нм решение Qualcomm будет использоваться в новом смартфоне Apple для реализации доступа к сетям поколения LTE. Ранее сообщалось, что новый iPhone может выйти летом этого года, но часть источников склонялась к октябрьскому анонсу.
Сайт EE Times со ссылкой на данные Strategy Analytics сообщает, что в 2011 году на долю Qualcomm приходилось 45% мировой выручки от реализации микросхем, обеспечивающих доступ к беспроводным сетям. Компании Intel удалось достичь доли в 15% благодаря приобретению соответствующего подразделения Infineon. В 2012 году, по прогнозам экспертов, Qualcomm сможет существенно увеличить свою долю на рынке средств доступа к сетям LTE.
www.overclockers.ru/hardnews/20.04.2012


В следующем году TSMC потратит на расширение производства $10 млрд.


Компания TSMC ударными темпами приближает момент перехода на использование кремниевых пластин типоразмера 450 мм, а также с опережением графика готовится перейти на 20 нм технологию. Всё это требует существенных финансовых затрат, и в текущем году соответствующая статья расходов уже была увеличена на 23% - преимущественно ради решения проблемы с дефицитом производственных мощностей, занятых в выпуске 28 нм продукции.
Как сообщает ресурс Taiwan Economic News со ссылкой на китайские СМИ, в следующем году капитальные затраты TSMC будут увеличены до $10 млрд. – практически на 25% от текущего уровня. Считается, что главным стимулирующим фактором станет желание Apple перенести производство своих процессоров с мощностей Samsung на конвейер "политически нейтральной" TSMC. Компания Apple якобы даже направила на Тайвань делегацию из 200 инженеров, чтобы те ознакомились с технологическими возможностями TSMC. Считается, что новые процессоры Apple, которые будут изготавливаться силами TSMC, перейдут на техпроцесс 2х нм класса. Пилотная партия процессоров для Apple будет изготовлена в следующем полугодии, а в серию они пойдут только во второй половине 2013 года.
Затраты TSMC на капитальное строительство в 2013 году будут в основном связаны с расширением производственных мощностей, наращиванием объёмов выпуска 20 нм и 28 нм изделий, а также подготовке к переходу на 16 нм техпроцесс с использованием так называемых FinFET-структур. Официальные суммы затрат, заложенные в планах на 2013 год, представители TSMC озвучат не ранее ноября, когда состоится их встреча с поставщиками технологического оборудования.


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014