ОАО ИНТЕГРАЛ


Аналитика/Прогнозы

Как обустроить отечественную микроэлектронику: план или рынок


Всеволод Эннс, генеральный директор дизайн-центра «Союз», продолжает свои печатные рассуждения на обозначенную тему. Ожидать, что в условиях засилья импорта рынок сбыта для отечественных микросхем сформируется сам по себе, не приходится, - необходимо планомерное его развитие. При этом без точечного, «ручного» управления не обойтись.
Государство и бизнес инвестировали в развитие российской микроэлектроники значительные средства. Производство налажено, однако рынок сбыта пока не сформирован. Требуются меры по его стимулированию...
В последнее время в отечественной микроэлектронике произошли существенные изменения в лучшую сторону: появились не уступающие западным специализированные современные полупроводниковые производства, разрабатывается широкая номенклатура микросхем. Есть работающие федеральные целевые программы, средне- и долгосрочные планы, разработана стратегия развития отрасли. Это стало возможным благодаря государственному финансированию и целенаправленной работе ряда министерств и ведомств, прежде всего Минпромторга России.
Несмотря на позитивные сдвиги, ситуация, сложившаяся в отрасли, вызывает озабоченность. Новые разработки современных отечественных микросхем часто не находят применения в аппаратуре. Более того, можно констатировать, что тенденция в применении отечественных микросхем негативная. Актуальным становится вопрос формирования и развития устойчивого рынка сбыта для отечественных микросхем.
Вопросы применения компонентной базы нельзя пускать на самотек. У разработчиков выработалась стойкая привычка использовать в аппаратуре импортные микросхемы. Это удобно: широчайшая номенклатура, многочисленные дилеры, техническая поддержка, подробные спецификации и инструкции по применению. Выстроена хорошо отлаженная система, направленная на быстрое внедрение иностранных микросхем в отечественную аппаратуру специального назначения. Это и аккредитованные центры сертификации иностранных микросхем, и работающий механизм подписания государственными органами решений о применении таких микросхем.
Ожидать, что в условиях засилья импорта рынок сбыта для отечественных микросхем сформируется сам по себе, не приходится, необходимо планомерное его развитие. При этом без точечного, «ручного» управления не обойтись.
Какие шаги по стимулированию спроса являются приемлемыми в сложившихся условиях? Рассмотрим меры по защите отечественного рынка специальных микросхем. Применение отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) особенно актуально, так как это обеспечивает национальную технологическую независимость и укрепляет обороноспособность страны.
Методы развития рынка
Прежде всего, необходимо установить планку разрешенного использования импортной ЭКБ. По заранее определенному критерию (количество типов микросхем, или их суммарная стоимость) необходимо сократить использование иностранных микросхем до такого уровня, где без этого нельзя обойтись. При этом ограничения должны зависеть от назначения аппаратуры. Например, для космических аппаратов – не более 30%, для систем управления ракетно-космической техники – не более 10% и т.д.
Преимущественное использование отечественной элементной базы позволит обеспечить как гарантированность поставок, так и улучшение параметров аппаратуры и ее качества, что явится следствием совместной работы специалистов в области микроэлектроники и приборостроения. Стоимость же отечественных микросхем для специальных применений ниже стоимости импортной ЭКБ классов «military» и «space». Также существенно уменьшится вероятность присутствия «закладок» в составе аппаратуры.
Еще одним шагом должна стать обязательная предварительная экспертиза обоснованности применения импортных микросхем в новой и модернизируемой аппаратуре. Экспертиза проекта, осуществляемая при участии разработчиков микросхем и проводимая сразу после принятия решения о начале разработки аппаратуры, позволит на начальной стадии согласовать необходимую номенклатуру отечественной ЭКБ. Логичным было бы проведение экспертизы на этапе подготовки конкурсной документации на выполнение работ, в которой можно отразить требования по использованию отечественной ЭКБ.
Эффективным методом поддержки отечественных производителей микросхем будет преимущественное использование отечественных микросхем для выполнения государственных и муниципальных заказов. Прежде всего, это микросхемы для транспортных билетов, карт доступа, социальных и универсальных карт, паспортно-визовых документов и т.д. К сожалению, сейчас наблюдается отсутствие единой политики и, как следствие, государственных решений в этом направлении, что приводит к массовому использованию импортных микросхем при наличии конкурентоспособных отечественных аналогов.
Стимулирование спроса на отечественные микросхемы можно проводить и с помощью экономических рычагов. Эффективным будет дотирование микроэлектронных предприятий. Государство может полностью или частично оплачивать примененные в специальной аппаратуре отечественные микросхемы. Предприятиям – изготовителям аппаратуры будет выгодно использовать отечественную ЭКБ. Необходимые для этого средства могут быть получены государством за счет уменьшения цены заказываемого образца специальной техники. При этом цена уменьшается как в случае применения отечественной, так и импортной ЭКБ, а компенсируются затраты только на отечественные микросхемы. Данная мера является своего рода налогом на использование импортных микросхем в аппаратуре.
И, наконец, в случаях, подпадающих под действие регламентов ВТО, необходимо совершенствование национальных стандартов. В развитых странах для защиты собственных рынков используется именно этот механизм. При этом в работу рабочих групп по разработке стандартов должны быть включены разработчики и производители микросхем. Например, в России есть несколько производств микросхем светодиодных драйверов, не уступающих мировым аналогам. Для борьбы с недобросовестной конкуренцией компаний из Юго-Восточной Азии достаточно ввести в действие российские стандарты на параметры светодиодных ламп.
Госзаказ и финансирование
Помимо мер, направленных на развитие рынка, есть ряд предложений по совершенствованию системы государственного заказа, которые позволят повысить эффективность от вложенных государственных средств.
Одним из предложений является закрепление микроэлектронных предприятий за определенными направлениями в разработке ЭКБ. Таких направлений немало, и все предприятия отрасли получат свою специализацию, при этом за одним направлением может быть закреплено несколько предприятий. Эта мера, за счет концентрации усилий, поднимет производительность труда и улучшит качество разработок.
Также необходимо часть средств направлять на финансирование «прорывных» разработок. Отечественная микроэлектронная промышленность мало представлена на мировом полупроводниковым рынке. Следует выделить программы, в рамках которых предприятия сфокусируются на нишах, где у российских производителей есть предпосылки для получения конкурентоспособной на западном рынке продукции. Существуют значимые для техники специального и гражданского назначения направления, в которых отечественным предприятиям легче выйти на мировой уровень. «Прорывные» разработки позволят российской аппаратуре демонстрировать более высокие, передовые характеристики.
Еще одним предложением является акцент на проектах, где используется исключительно российская элементная база. Реальный проект – построение полностью отечественного спутника. Только в работе над законченной системой возможно конструктивное взаимодействие разработчиков аппаратуры и микросхем с целью выработки унифицированных решений и согласования необходимых характеристик.
И, наконец, это поддержка малых предприятий. Ориентация отечественной микроэлектронной отрасли на внутренний рынок специализированных схем приводит к необходимости разрабатывать широкую номенклатуру мелкосерийных изделий, включающую в себя практически весь спектр цифровых, аналоговых, смешанных схем, схем радиочастотной идентификации, а также схем, стойких к неблагоприятным внешним воздействиям. К решению проблемы освоения большой номенклатуры микросхем необходимо подключать малые и средние компании. Области в проектировании ИС, в которых такие предприятия наиболее эффективны это: заказные микросхемы, узкоспециализированные микросхемы, проекты, нацеленные на использование конкретного технического решения, а также инфраструктурные проекты, в том числе разработка IP-блоков под конкретную технологию полупроводниковых фабрик.
В заключение отметим, что перечисленные меры, оставаясь в рамках «рыночной экономики», позволят повысить эффективность работы и конкурентоспособность отечественных предприятий. Все подобные решения должны быть увязаны с текущей ситуацией в микроэлектронной отрасли и с ее спецификой. Поэтому к реализации этих мер желательно привлечь руководителей и специалистов, имеющих большую практику работы на отечественных предприятиях отрасли и необходимый опыт.
Источник: CNews

Globalfoundries и Samsung в гонке за 14 нм


Globalfoundries и Samsung не отстают друг от друга в борьбе за выпуск первых 14-нм пластин до завершения 2013 г., намереваясь обогнать основного конкурента ТSMC не менее чем на год. Между тем, здание IBM в Нью-Йорке всё ещё пустует в ожидании машины фотолитографии жесткого ультрафиолета (EUV), которая надолго «осветит» путь в будущее полупроводниковой индустрии.
Это была иллюстрация с ежегодного форума тройственного альянса Common Platform (CPA). Теперь же в компаниях заявляют, что они не ожидают готовности EUV до введения 7-нм техпроцесса. Она остается основной ставкой на будущее полупроводниковой промышленности, но она потребует прорывов в нескольких направлениях физики, подчеркнул главный технолог IBM Гари Пэттон (Gary Patton).
«Мы работаем в наиболее сложном бизнесе в истории человечества», – сказал Майк Нунен (Mike Noonen), вице-президент Globalfoundries по маркетингу и продажам.
Майк Кадиган (Mike Cadigan), глава полупроводниковой группы IBM, ранее сказал государственным чиновникам Нью-Йорка о том, что до конца 2012 г. ему необходимо новое здание для размещения новейшего прототипа установки EUV. Сейчас новое здание готово, но установка может не прибыть до апреля, а возможно и позже.
«Промышленность проголосовала (инвестициями в 2012 г.) за то, что нам необходимо сделать эту работу, но все еще остается много неизвестного», – заявил для прессы Кадиган. «Вы можете продолжать считать EUV почти невозможной, но промышленность нуждается в ней», – подчеркнул он.
«Разработчики повысили мощность лазера EUV в десять раз, до 30 Вт, но им нужно увеличить мощность еще в десять раз, до 250 Вт, до его внедрения», – утверждает Гари Пэттон (Gary Patton), главный технолог полупроводниковой группы IBM. К тому же, инженерам нужно устранить проблемы с фоторезистом, дефектами масок и процессами контроля. Пэттон сравнил это с поиском мячей для гольфа на территории размером с одну десятую штата Калифорния.

IBM сообщила подробности задач, которые стоят перед физиками в методе фотолитографии жесткого ультрафиолета
IBM сообщила подробности задач, которые стоят перед физиками в методе фотолитографии жесткого ультрафиолета

«Вы просто бросаете расплавленное олово со скоростью 150 миль в час, стреляете в него лазером, взрываете его CO2-лазером, чтобы получить плазму, удаляете из нее мусор, собираете луч, очищаете и отбиваете его вперед-назад в шести зеркалах, – сказал он. – Это реальные физические задачи, которые нам нужно решить».
Пэттон описал несколько достижений в двукратном экспонировании, которые имеют целью сократить необходимость в трехкратном или четырехкратном экспонировании в современной иммерсионной литографии в 14-нм и 10-нм техпроцессах. «Эти средства также могут быть использованы, если необходимо, в 7-нм техпроцессе», – сказал он.
Кадиган и Нунен намекнули, что технология полностью обедненного кремния-на-изоляторе (FDSOI), продвигаемая STMicroelectronics, может стать альтернативой. «Globalfoundries намеревается запустить массовое производство FDSOI до июня 2014 года», – сказал Нунен.
«EUV также открывает путь к подложкам 450 мм, ожидаемым к 2020 году», – сказал Кадиган. «Иммерсионная фотолитография, которую вы поставили под сомнение, вернет инвестиции на 450-мм пластинах», – подчеркнул он.
Гонка за 14-нм FinFET-технологией
Тем временем, гонка за техпроцессом следующего поколения продолжается. С целью ускорения разработки партнеры Common Platform Alliance согласились, что с этого года технология, разработанная на предприятии группы в Олбани (штат Нью-Йорк, США), будет передаваться непосредственно партнерам. Ранее она шла сначала на фабрику IBM в Йорктаун, а затем к партнерам.
«Мы просто исключили один шаг на пути к рынку», – сказал Пэттон из IBM.
Globalfoundries и Samsung осуществляют тестовые выпуски пластин для 14-нм FinFET-техпроцесса. Обе намереваются получить свои первые серийные подложки до конца года, если все пойдет удачно.
Globalfoundries заявила об улучшении более чем на 60% экономичности или производительности в 14-нм техпроцессе по сравнению с 28-нм, основываясь на тестовой микросхеме двуядерного процессора ARM Cortex A9. К тому же компания работает с Synopsys над системой автоматизированного проектирования и с Rambus над переносом конструкторской документации с 28-нм техпроцесса на новый.

Globalfoundries заявляет, что на двухъядерном процессоре ARM Cortex A9 новый, 14-нм техпроцесс дает 60% прироста производительности по сравнению с 28-нм

Globalfoundries заявляет, что на двухъядерном процессоре ARM Cortex A9 новый, 14-нм техпроцесс дает 60% прироста производительности по сравнению с 28-нм

K.Г. Ким (K.H. Kim), вице-президент foundry-бизнеса Samsung, заявил что компания выпустит тестовые 14-нм пластины для избранных заказчиков в апреле и сентябре. Компания имеет партнерство по интеллектуальной собственности с ARM, Synopsys и Analog Bits.
Между тем, Samsung переоборудует свою фабрику в Остине (Техас, США) с памяти на логику, надеясь на первые 28-нм подложки уже в этом году. Samsung также начнет выпускать 20-нм и 14-нм подложки не ранее конца 2014 г. на новой фабрике в Корее. «У нас есть достаточно мощностей, чтобы обеспечить вас», заметил Ким слушателям в основном докладе.

Samsung готовит 14-нм пластины в этом году в надежде на получение готовых подложек до января
28-нм техпроцесс предоставляет массу возможностей и некоторые предсказывают, что переход на 10 нм будет значительно интересней, чем на 14 нм

Пока неясно, насколько процесс 14 нм FinFET будет затребован разработчиками микросхем, поскольку он привносит значительные затраты и дает минимальные преимущества по сравнению 20-нм процессом.
20-нм процесс, впервые потребует двухкратного экспонирования, т.е. дополнительных расходов. 14-нм процесс – это по существу тот же 20-нм процесс с FinFET, т.е. с дополнительными расходами», – сказал Пэттон из IBM.
«Это не является настоящей миниатюризацией. Вот когда вы достигнете 10 нм, это будет настоящей миниатюризацией, и я ожидаю серьезной прибыли», – подчеркнул Пэттон.
Действительно ли имеется выгода (на 14 нм)? «Безусловно! Просто она не настолько большая, как это было ранее», – добавил он.
«Мы полагаем, что 28 нм будет долгоживущим процессом, очень конкурентоспособным по цене решением», – сказал Ким из Samsung.
Исследователь рынка Гендель Джонс (Handel Jones) из International Business Strategies (Лос Гатос, США) заявил, что FinFET привносит действительно сложные задачи для систем со смешанными сигналами, потенциально задерживая разгон технологии. «Тем не менее, Globalfoundries и Samsung имеют хорошую возможность захватить долю рынка TSMC. К тому же, фабрика IBM в Берлингтоне работает «чрезвычайно хорошо» по радиочастотным модулям», – добавил он.
Globalfoundries демонстрирует планы развития

28-нм техпроцесс предоставляет массу возможностей и некоторые предсказывают, что переход на 10 нм будет значительно интересней, чем на 14 нм
28-нм техпроцесс предоставляет массу возможностей и некоторые предсказывают, что переход на 10 нм будет значительно интересней, чем на 14 нм


Переоснащение производств без рынков сбыта – тупик в пути и деньги на ветер


(Дмитрий Боднарь, к.т.н., генеральный директор, ЗАО «Синтез Микроэлектроника»)
Дмитрий Михайлович Боднарь – наш давний автор, и мы всегда охотно предоставляем ему возможность для публикаций. Его суждения могут показаться излишне резкими и категоричными, однако высокий профессионализм и жизненный опыт дают ему на это право.
В последние годы многие предприятия электронной промышленности развили активную деятельность по замене устаревшего оборудования на современное –отечественное и зарубежное. Подобные решения, особенно когда они реализуются за счет собственных средств и направлены на улучшение технических и экономических показателей уже выпускаемой продукции, можно только приветствовать. В отечественной электронике такие показатели как выход годной продукции, производительность труда, объем выпускаемой продукции на одного работающего – одни из самых низких по сравнению с опытом мировых производителей. И улучшать эти показатели необходимо не за счет расширения штата, а путем повышения квалификации технического и управленческого персонала, автоматизации производства и технического перевооружения. И одновременно с этим – за счет увеличения объема выпускаемой и продаваемой на рынке продукции. В противном случае автоматизация только снизит коэффициент использования оборудования и уменьшит занятость. Очевидно, это хорошо понимают руководители предприятий, принимая решения по точечному перевооружению и «расшивке слабых мест» в производстве. К тому же, на эти цели они чаще используют средства собственных предприятий.
 

Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?


Несмотря на открытое противостояние таких полупроводниковых гигантов, как Intel, Samsung или TSMC, компания STMicroelectronics продолжает развивать технологию FD-SOI и находит всё больше партнеров: в Европе запущен трехлетний проект по развитию FD-SOI с бюджетом 360 млн евро. Есть ли шанс у России на FD-SOI?
Европа отчаянно пытается вернуть себе реноме ведущего мирового производителя микроэлектронной продукции. Одним из шагов на этом глобальном пути, на который предполагается потратить до 100 млрд евро, является развитие технологии FD-SOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе), приоритет в котором сейчас принадлежит европейскому полупроводниковому гиганту STMicroelectronics. Каковы планы и перспективы развития FD-SOI?

  • Преимущества FDSOI

Потребление FDSOI почти на 30% ниже, чем у 28-нм и 20-нм КМОП. Стоимость FDSOI ниже на 5% по сравнению с КМОП 28 нм и на 25% – по сравнению с КМОП 20 нм, хотя технологические процессы похожи. Кстати, при переходе на FDSOI могут частично использоваться IP для КМОП.
На следующем уровне технологий – 14-нм FDSOI – производительность при том же рабочем напряжении увеличивается на 30%, потребление снижается в два раза при той же скорости работы, площадь кристалла сокращается на 40%.
Эти показатели можно еще больше улучшить с помощью напряжения смещения. Прямое смещение увеличивает производительность на 15%. Обратное смещение позволяет снизить потребление на 10% при той же скорости работы.
Планарная технология FDSOI имеет преимущества перед остальными: она обеспечивает лучшие характеристики при более дешевом способе производства. Тем не менее, большинство компаний пока относятся с подозрением к ней, по крайней мере, нет публичных комментариев на ее счет.

  • Компании

Технологией FDSOI занимаются, в первую очередь, STMicroelectronics, IBM, GlobalFoundries, поставщики услуг по разработке, например, VeriSilicon (Шанхай) и некоторые японские компании.
Дан Хатчесон (Dan Hutcheson), глава VLSI Research, отмечает: «Если FDSOI действительно окажется перспективной и конкурентоспособной на уровне 14 нм, то цепь поставок нарушится, и на первый план выйдет GlobalFoundries и ее клиенты».
В то же время Intel и Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) вкладывают много средств в развитие соперничающей технологии FinFET, и вряд ли они легко отступят.
Финансисты также пока молчат. Позиция STMicroelectronics по финансовой части вопроса резко отличается от мнения независимых экспертов.

Технологические и отраслевые аналитики сходятся в следующем. «FDSOI – это план «Б» для чип-вендоров, потому что они проще в изготовлении, чем FinFET, – отмечает Хатчесон. – Планарные КМОП-транзисторы имеют слишком большой ток утечки и требуется существенно переработать конструкцию, чтобы повысить быстродействие и снизить потребление». Этого же мнения придерживается Хендел Джонс, основатель и глава of International Business Strategies (IBS).

Стоимость производства подложки по различным технологиям и на разном технологическом уровне. Источник: IBS

Стоимость производства подложки по различным технологиям и на разном технологическом уровне. Источник: IBS

По оценке Джонса, у 20-нм FDSOI (эту технологию STMicroelectronics называет FDSOI 14 нм) осталось примерно год или два на то, чтобы оправдаться, поскольку, согласно отраслевым обозревателям, технология КМОП 20 нм уже исчерпала свои возможности, и нужна принципиально новая альтернативная технология. В то же время многие соглашаются, что переход на FinFET неминуем, однако проблемы с организацией технологического процесса нельзя не замечать. Джонс отмечает, что для снижения стоимости необходимо провести несколько итераций производства.
По прогнозу IBS, транзисторы 14-16-нм FinFET вряд ли появятся раньше конца 2016 г. – начала 2017 г. из-за высокой стоимости по сравнению с глубинным КМОП 28 нм. Это также способствует продвижению FDSOI 14–16 нм.

  • Партнеры

Что касается продвижения FDSOI, представитель GlobalFoundries отмечает: «Не все проблемы еще решены, как и с любой новой технологией, с FDSOI надо поработать. Однако это планарная технология и она совместима с SLP-28 нм, да и IP подходят, что значительно упрощает переход». Правда, пока еще не готовы маршруты проектирования и схемы смещения.
Вайн Дай (Wayne Dai), глава VeriSilicon, признает: «Как ведущая компания-производитель ИС мы будем следить за развитием FDSOI. VeriSilicon занимается разработкой IP для этой технологии, в частности, с использованием схемы смещения». Эти IP будут представлять собой готовые решения, доступные всем клиентам компании, проявившим интерес к FDSOI.
Стоит отметить, что г-н Дай одним из первых сделал ставку на FDSOI. Он убежден, что «поскольку планарный КМОП уже исчерпал свои возможности, а FinFET не доступен коммерческому пользователю, 28 нм FDSOI – перспективная альтернативная технология». По его словам, на основе FDSOI 20 нм и меньше можно изготавливать подложки для 3D FDSOI (FinFET на основе кремния на изоляторе), которая возможно и станет альтернативой технологии объемного глубинного кремния.
В свою очередь Хатчесон настроен скептически. Он считает технологию заманчивой, однако потребителю важно не то, какие технологии использованы, а то, как в итоге работает устройство.
Компания Globalfoundries – не единственный партнер STMicroelectronics в разработке FDSOI. «С Globalfoundries у нас есть соглашение по доле на рынке, – отмечает г-н Чери (Jean-Marc Chery), главный технический директор STMicroelectronics. – В качестве расширения международного альянса ISDA [International Semiconductor Development Alliance] мы договорились с IBM и согласились передать технологию FDSOI производителям«вротого эшелона», таким как UMC и SMIC». (Рейтинг производителей пластин можно посмотреть, например, здесь.) В июне 2012 г. UMC (Тайвань) сообщила о подписании лицензионного соглашения с IBM по разработке технологии 20-нм КМОП, в т.ч. транзисторов FinFET.
Компания IBM намерена лицензировать FDSOI. Марк Маклауд (Mark McLeod), руководитель проектов, отвечающий за технологическое сотрудничество и лицензирование в IBM, отметил: «IBM имеет лицензионные права на FDSOI 28 нм и меньше, которые она разрабатывает совместно с STMicroelectronics». Компания IBM готова сотрудничать с STMicroelectronics и поддержит технологию, если ST отдаст производство второстепенным производителям.
Про потенциальных потребителей FDSOI известно мало. Во-первых, две компании заказали сетевые ASIC. Третья планирует выпускать массовую бытовую электронику.
В то же время отсутствие поддержки со стороны Intel, TSMC and Samsung говорит о бесперспективности технологии.
Сейчас STMicroelectronics не говорит, когда начнется выпуск чипов FDSOI. Сообщается, что технология доступна на уровне 28 нм. В настоящее время идет разработка техпроцесса для 14-нм FDSOI, и первые прототипы появятся во втором полугодии 2014 г.
Хатчесон полагает, что большинство фабрик, за исключением только GlobalFoundries, видят технологию «слишком дорогой и проблематичной». Изменят ли они свое мнение и когда это произойдет, не берется сказать никто. Руководство STMicroelectronics ожидает рост спроса на FDSOI. Компания рассматривает варианты создания производственной линии на заводах «второстепенных» производителей United Microelectronics Corp. и SMIC.

  • UMC и SMIC

Компания STMicroelectronics рассматривает вариант передачи технологии FDSOI производителям «второго эшелона» – United Microelectronics ( UMC) и SMIC. Г-н Чери отметил, что соглашение с Globalfoundries остается в силе, но объема ее мощностей хватит только на первое время. В то же время STMicroelectronics не планирует открывать доступ к технологии всем компаниям. «Мы определили круг людей, для кого будет открыт доступ к технологии FDSOI 28 нм», – отметил Чери. Для каких компаний технология будет недоступна, г-н Чери не перечислил, уклонившись и от комментариев насчет Broadcom. Известно однако, что это не конкуренты STMicroelectronics (т.е. не компании-производители ИС для телевизионных приставок, шлюзов и сетевых ASIC).

  • Европа

В Европе запущен трехлетний проект по развитию FDSOI с бюджетом 360 млн евро. Он получил название «Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe», или сокращенно Places2Be. 

Проект ведет STMicroelectronics, согласовывает ENIAC. В проекте участвует 7 стран, 19 компаний и институтов. Всего занято около 500 инженеров. Список организаций Places2Be: ACREO Swedish ICT AB, Adixen Vacuum Products, Axiom IC, Bruco Integrated Circuits, Commissariat a l'energie atomique et aux energies alternatives, Dolphin Integration, Ericsson AB, eSilicon Romania Srl, Forschungzentrum Juelich, GlobalFoundries Dresden, Grenoble INP, IMEC, Ion Beam Services, Mentor Graphics France Sarl, Soitec SA, STMicroelectronics-Ericsson NV, STMicroelectronicsMicroelectronics NV, Universite Catholique de Louvain и University of Twente.

План развития FDSOI, по данным STMicroelectronics

План развития FDSOI, по данным STMicroelectronics

Целью проекта является запуск пилотной линии 28-нм и 14-нм FDSOI, а также оснащение двух заводов в Европе для массового выпуска подложек: фабрика №1 GlobalFoundries в Дрездене (Германия) и завод STMicroelectronics в Кроле (Франция). В Дрездене будет осуществляться массовый выпуск, в Кроле – 2000 подложек в месяц в настоящее время и 8000 подложек ежемесячно в 2016–2017 гг.
Ближайшей целью является подготовка техпроцесса 14 нм FDSOI для прототипирования. Для этого уже готовы PDK, в текущем году будут закончены IP. Цель STMicroelectronics – обогнать технологию FinFET 14 нм, в то время как на более высоком уровне, 7 нм, г-н Чери оставляет право лидерства конкурентам.
По оценке г-на Чери, на проведение исследований и разработку потребуется 300 млн долл. в год. Проект Places2Be позволяет получить на эти цели еще 120 млн долл. ежегодно и команду специалистов.

  • Япония

Маклауд из IBM считает, что японские компании намеренв адаптировать технологию FDSOI для использования на существующих заводах, чтобы дать им второе дыхание. Хатчесон считает эту идею бессмысленной.
Как бы то ни было, FDSOI была одной из наиболее жарких тем на форуме производителей полупроводниковых устройств в Японии (Japanese Semiconductor Executive Forum), который проводила VeriSilicon в апреле.
Присутствовавший на мероприятии Кирк Уилетт (Kirk Ouellette), директор группы разработки цифровых продуктов STMicroelectronics в Токио, считает технологию FDSOI подходящей для японского рынка, поскольку здесь представлено много портативных устройств, разработанных и произведенных в Японии. Это не только мобильные телефоны, но и всевозможные гаджеты, которые в других странах спросом не пользуются. Технология FDSOI позволяет снизить потребление, что очень важно для портативных устройств. В то же время Уилетт не подтвердил и не опроверг существование клиентов FDSOI в Японии.

  • Россия – запрыгнуть в «уходящий поезд»?

Зеленоградский «Микрон» является давним технологическим партнером STMicroelectronics, лицензирующим ее микроэлектронные технологии. Из наиболее «нашумевших» – 90-нм технологическая линейка «Микрона», запущенная полтора года назад, силовые SiGe-КМОП-приборы, а также проект по выпуску МЭМС. Тонкий техпроцесс FDSOI – одна из тех «не совсем массовых» технологий (см. пример Японии выше), которая вполне могла бы прижиться у ведущего российского производителя микроэлектроники и придать ему, наконец, не только подобающий «вес» в мировой табели о рангах, но и обеспечить отечественных заказчиков микросхем, в том числе, из оборонного комплекса, самой современной производственной линейкой, соответствующей мировым стандартам. Очевидно, на данном этапе это вопрос «доброй воли» государственных инвесторов. Пока идет формирование бюджетов на разработку FDSOI в Европе, Россия вполне могла бы подключиться к ним своими «нефтеевро» и обеспечить себе в этом проекте полноправное участие (тем более что речь пока идет не о таких уж больших суммах). В конце концов, государственный приоритет в развитии нанотехнологий (через «Роснано» или иными путями) напрямую коррелирует с 28-нм и 14-нм технологиями производства ИС.
Источники: Electronics Weekly, EE Times

Конференция ISSCC: литография жесткого ультрафиолета — лучший выбор для техпроцесса 10 нм и ниже


На международной конференции ISSCC лидирующий производитель литографического оборудования компания ASML рассказала о прогрессе литографии жесткого ультрафиолета (EUV), которая, по их мнению, будет наилучшим выбором для производства микросхем, начиная с техпроцесса 10 нм и менее. Более осторожно представитель компании высказался о перспективе использования 450-мм подложек в промышленном масштабе.
С использованием двукратного экспонирования и других приемов литография жесткого ультрафиолета (EUV) может формировать элементы по техпроцессам 7 нм и 3 нм, заявил технический директор ASML Мартин ван ден Бринк (Martin van den Brink) после основного доклада на международной конференции по интегральным схемам (ISSCC). «Я не вижу теоретического предела в этом процессе Вопрос в том, будет ли это выгодно нам экономически», –сказал он.
Он также обсудил планы поддержки коммерческого производства 450-мм пластин в 2018 г. с помощью литографии жесткого ультрафиолета второго поколения. В то время как Intel, Samsung и TSMC выделили в прошлом году дополнительное финансирование в размере 828 млн евро на разработку EUV, сегодня Intel является единственной компанией, финансирующей программу освоения пластин диаметром 450 мм, – в размере 553 млн евро, подчеркнул он.
«Мы все еще проявляем осторожность в вопросе 450-мм подложек, пока только один заказчик проявляет настойчивость», – отметил он в своем докладе.
Прототип успановки EUV в ASML недавно воспроизвел до 4 млрд световых импульсов мощностью 60 Вт, это эквивалент почти 40 часов работы, сообщил ван ден Бринк участникам ISSCC (см. рисунок ниже). «Это наибольшее достижение и пару месяцев назад мы не могли показать такого», – сказал он.

Стабильность отражения коллекторного зеркала EUV в диапазоне до 60 Вт

Стабильность отражения коллекторного зеркала EUV в диапазоне до 60 Вт

По вертикали: нормализованная отраженная мощность EUV (%). По горизонтали: число импульсов. Справа: 4 млрд импульсов соответствует примерно 40 часам непрерывного излучения. Многослойный коллектор, многокиловаттный лазер, плазма, оловянная капельная мишень.
Ван ден Бринк также продемонстрировал результаты EUV при мощности 40 Вт, которая дает смоделированную продукцию с выходом годных 99,99% в пяти циклах, теоретически выдавая 165 подложек в час. «Но проблема пока в том, что мы должны поддерживать такую производительность», – добавил он. Чтобы сделать коммерческое производство реальным, ASML поставило целью достичь изготовления 100 подложек в час при мощности 250 Вт. В 2014 г. компания надеется создать прототип с производительностью 70 подложек в час, отметил он.
ASML сейчас работает над одной из проблем EUV – дефектами фотошаблона – путем создания защитной пленки для фотошаблона. Сегодня применение систем иммерсионной литографии может быть расширено до норм техпроцесса 10 нм с использованием двухкратного экспонирования с разными шаблонами, но EUV предлагает лучшую альтернативу с одним шаблоном, убеждал он.
Это обсуждение подняло вопрос об объеме инвестиций, который промышленность вложила в такую технологию, и о том, что одна компания должна продолжить продвижение инновации в микроэлектронике.

TSMC в 2013 году запускает FinFET-технологию и испытывает EUV на 10 нм

Встречая жесткую конкуренцию со стороны Globalfoundries и Samsung, TSMC взялась за планы по запуску производства на своем 16-нм FinFET техпроцессе к концу 2013 г. К тому же, она надеется внедрить литографию жесткого ультрафиолета в производство 10-нм микросхем в конце 2015 г., но продолжает заниматься исследованиями электронно-лучевой литографии в качестве альтернативы.
Руководители компании подробно охарактеризовали новые техпроцессы и методы их достижения на ежегодном симпозиуме в Сан-Хосе (США). Они также представили новинки своей работы в области 3-D-стеков и всё возрастающего производства на сегодняшней технорме 28 нм.
«Похоже, у нас есть еще семь-восемь лет впереди, может больше, и мы сможем увидеть уменьшение технологической нормы до 10 и даже до 7 нм», – сказал Моррис Чанг (Morris Chang), основатель и глава компании TSMC, выступая перед небольшой группой журналистов после основного доклада на симпозиуме. «Закон Мура продолжит действовать и мы вместе с ним – если кто-нибудь следует ему, мы тоже будем следовать ему», – сказал он перед аудиторией из нескольких сотен конструкторов микросхем.
«Закон Мура имеет еще 7-8 лет в запасе», – сказал основатель TSMC Моррис Чанг
Чанг, как ветеран полупроводниковой индустрии (более 50 лет в отрасли!), прогнозирует 4%-ный рост производства в этом году. «Бесфабричные компании, вероятно, смогут воспользоваться 9%-ным ростом в этом году и также мы оптимистичны относительно себя – мы ожидаем рост более 10%», – сказал он.

Чанг заявил, что в 2013 г. TSMC потратит более 9 млрд долл. на основные средства. Это больше, чем 2 млрд долл. вложенных в 2009 г.

  • Стремительный рост на техпроцессе 28 нм

Большая доля роста в этом году пришлась на техпроцесс 28 нм. Всего годом ранее Пол Джейкобс, глава компании Qualcomm (одного из ключевых заказчиков TSMC), рассказывал своим инвесторам, что компания может продавать больше передовых микросхем, чем их можно сделать на TSMC, и повсюду искал производственные мощности.
В июне 2010 г. TSMC открыла строительную площадку на так называемой гигафабрике 15 в Тайчжуне (Тайвань), которая планировалась как производственный центр для 28-нм микросхем. В апреле 2012 г., всего через 22 месяца, на ней началось производство на половине запланированных мощностей, что является рекордом для фаундри в Тайване.
Через восемь месяцев она «выбрасывала» по 50 тыс. 28-нм пластин в месяц – еще один рекорд, – но этого было все еще недостаточно. Поэтому в следующем месяце вторая половина мощностей начала выпуск подложек и в течение пяти месяцев ожидается, что будет побит старый рекорд и добавлено еще 50 тыс. 28-нм подложек в месяц. «Этот масштаб трудно осознать», – сказал Чанг.

«Беспрецедентный рост поставок 28-нм микросхем совпал с ускорением показателей выхода годных и объемов производства», – сказал Джей Кей Ванг (J.K Wang), ответственный за 300-мм фабрики. Компания ожидает даже более резкого роста на 20 и 16 нм, поэтому у нее есть несколько тысяч инженеров, которые сегодня ведут подготовку к этим технормам на оборудовании фабрик 12 и 14.

Сейчас TSMC вводит в действие три новых фабрики каждый год
«В прошлом мы строили одну очередь новой фабрики за год, а сейчас мы, как правило, начинаем три новых очереди в год», – сказал Ванг.

Сейчас компания оценивает свой общий объем производства в 1,3 млн подложек логики в месяц, значительно опережая Samsung, который находится на втором месте с показателем около 900 000 подложек логики в месяц. По оценкам компании, если рост продолжится, к 2017 г. объем производства достигнет чудовищных 13,5 млн подложек в месяц.

  • Следующий этап – 20-нм техпроцесс

Некоторые промышленные эксперты говорят, что 20 нм будет промежуточной технормой для отработки трудностей литографии двухкратного экспонирования, но не предоставляющей значительных преимуществ конструкторам микросхем. Не говорите этого Джеку Сану (Jack Sun), главному технологу TSMC!
Он предсказывает, что к 2017 г. TSMC будет производить 20-нм микросхем не меньше, чем сейчас 28-нм ИС. Он утверждает, что этот техпроцесс предполагает увеличение плотности затворов в 1,9 раза по сравнению с высокопроизводительным 28-нм техпроцессом, хотя предполагаемый конкурент Globalfoundries обеспечит только 16%-ное увеличение плотности на 20-нм техпроцессе.
Сан также заявил, что 20-нм микросхемы смогут достичь быстродействия на 20% выше или энергопотребления на 30% меньше, чем 28-нм микросхемы. Это существенно, хотя не настолько как для традиционных основных техпроцессов. «Следующий за ним 16-нм техпроцесс будет иметь подобные характеристики, а будущий 10-нм техпроцесс будет большие преимущества», – сказал он.
TSMC ожидает получить в этом году в примерно 20 проектов на 20-нм техпроцессе на своих фабриках fab12 и fab14. «Массовое производство на этом техпроцессе действительно начнется в 2014 г.», – сказал Ванг.
«20-нм техпроцесс достигнет тех же объемов, что и 28-нм, к 2017 г.», – прогнозирует Сан.
Дизайны, использующие шаг элементов 80–90 нм, могут быть построены с использованием однократного экспонирования. Но более тонкие линии потребуют второго прохода через сканер иммерсионной литографии.
«Экосистема уже готова, – сказал Клифф Хоу (Cliff Hou), вице-президент по исследованиям и разработке в TSMC. – 38 функций из 28 инструментов EDA были протестированы для 20 нм, 185 проектных наборов уже доступны для техпроцесса, а также и основные IP-блоки и IP-блоки критического интерфейса были проверены».

«TSMC ожидает в мае выхода с фабрики 20-нм тестового устройства, основанного на ядре ARM Cortex A15», – сказал Хоу.

  • Путь FinFET короче, чем ожидалось

TSMC удивила Кремниевую долину, объявив о начале производства в конце года первых 16-нм подложек с FinFET. Это соответствует графику, объявленному Globalfoundries и Samsung здесь в Сан-Хосе всего несколько недель назад.
В целом, индустрия планирует взять опыт, накопленный в производстве 20-нм микросхем с двухратной иммерсионной литографией, и скопировать на него 3D-транзисторные структуры. Такой ход дает преимущества в плотности, энергопотреблении и производительности, которые, однако, меньше чем для основного техпроцесса.
«Мы уверены, что 16-нм FinFET-техпроцесс выйдет на максимальный объем производства в следующем году», – сказал Сан.
TSMC показала диаграмму, доказывающую, что 64-битное ядро ARM в 16-нм техпроцессе будет иметь на 90% большую производительность, чем 32-битное ядро ARM A9 в 28-нм техпроцессе. Для сравнения, по оценке TSMC, ARM A15 в 20-нм техпроцессе даст около 40% прироста.

Три крупнейшие фаундри-компании планируют начать поставки FinFET в 2014 г.
«Текущие испытания 16-нм техпроцесса с использованием 128-Мб SRAM дают результат «с опережением плана», – сказал Сан. – Ядро работает с напряжением 0,8 В, схемы ввода/вывода – с 1,8 В».
«Основные IP, такие как стандартные ячейки и ячейки памяти, уже готовы для нового техпроцесса. Однако первые блоки критичных интерфейсов не будут тестироваться до июня», – уточнил Хоу.

  • Взгляд в туманное 10-нм будущее

В конце 2015 г. TSMC надеется начать поставки своих первых 10-нм подложек с использованием литографии жесткого ультрафиолета (EUV). Ключевое слово здесь – «надеется».
TSMC работала с EUV-сканером NXE3100 и продемонстрировала его применение для получения ребер FinFET за один цикл. Она надеется скоро получить NXE3300.
Уклоняясь от своих обещаний, TSMC прокладывает путь в многолучевой электронной литографии, которая, по словам Джека Сана «показывает хороший прогресс». «Она использует параллельные лучи для повышения пропускной способности, которая пока остается слишком малой, но «прототипы оборудования показывают перспективу того, что в будущем их стоимость эксплуатации может быть ниже чем для EUV», – добавил он.
Даже если EUV достигнет своих целей, 10-нм техпроцесс все равно потребует использования методов самосовмещения с иммерсионной литографией, чтобы минимизировать необходимость EUV только для нескольких критичных слоев. TSMC также проектирует так называемое G-правило, которое автоматизирует сложный процесс решения цветовых конфликтов при двухкратном экспонировании.

Если все пойдет хорошо, 10-нм техпроцесс сможет предложить 90%-ное увеличение плотности затворов. Он также сможет обеспечить 35%-ное увеличение быстродействия при той же потребляемой мощности или 40%-ное снижение потребляемой мощности на той же частоте, что и 16-нм изделие», – предположил Сан.

  • 3-D-стеки и 450-мм подложки

Хорошие новости о 3-D-стеках. TSMC сейчас выжимает более 95% годных на некоторых видах 2,5-D дизайнов с промежуточным кремнием, изобретенных Xilinx – с четырьмя FPGA, размещенными подряд на кремниевой вставке. Компания ожидает множество проектов таких устройств уже в этом году.
«Это возможность начать с простого и хороший старт в 3-D», – сказал Сан, отметив, что вставки будут иметь размер от 100 до 50 микрон.
Это только начало для 3-D вертикальных стеков, использующих межслойные переходы через кремний. TSV (межслойные переходы через кремний) имеют размеры от 6 до 2 микрон и сейчас в работе находится много разных прототипов.
В прошлом году TSMC испытывала 2,5-D стек, несущий рядом 40-нм логику и кристалл памяти стандарта Wide I/O (с широкой шиной) от SK Hynix. Кристаллы Wide I/O прошли испытания на соответствие спецификации Jedec, но многие испытания еще проводятся.
В мае TSMC надеется подготовить проект «правильного 3-D-стека ИС» на 28-нм норме с микросхемами памяти», сказал Хоу. Позже компания попытается создать новейшую логику и память в вертикальном стеке с TSV.
Сан прогнозирует, что такие микросхемы могут быть готовы к производству в 2015 или 2016 году, что согласуется с недавними оценками от Globalfoundries. «Между тем, еще больше логических 2,5-D-стеков будет выпущено в этом году, а смешанные стеки логики с памятью должны выйти в 2014 г.», – сказал он.

«В не таком уж далеком будущем должен появиться и смартфон на кремниевой супермикросхеме в 3-D корпусе», – сказал Сан.

  • Переход на 450-мм пластины

«Новое поколение кремниевых подложек все откладывается и не станет актуальным, по меньшей мере, до 2016 г.», – сказал Ванг. TSMC действует как главный подрядчик для фабрики консорциума G450, которая сейчас тестирует прототипы оборудования для 450-мм подложек.

Сравнение 450-мм и 300-мм пластин

TSMC полагает, что все оборудование под 450 мм будет готово для крупносерийного производства к концу 2015 г., кроме литографических систем. Иммерсионные системы не будут готовы для 450-мм пластин до конца 2017 г., а EUV... скажем, Ванг надеется, что они будут готовы в начале 2018 г. И снова, ключевое слово – «надеется». Поэтому TSMC планирует запустить пробную линию 450-мм пластин в 2016 или 2017 г., наращивая производство 10- и 7-нм микросхем.

Глава TSMC Моррис Чанг о настоящем и будущем компании


Не часто выпадает возможность задать несколько вопросов Моррису Чангу (Morris Chang) — человеку, который создал модель полупроводникового фаундри-производства, когда он помогал основывать компанию Taiwan Semiconductor Manufacturing Co ещё в 1987 году.
Человек, которого в TSMC называют просто «Председатель» (chairman), обычно бывает в США только один раз в год.
В свой 81 год он вышел на сцену конференц-центра в Сан-Хосе и сделал основной доклад для ежегодного симпозиума TSMC. Он использовал несколько слайдов и, не имея с собой записей, подробно изложил ситуацию в промышленности в прошлом году, свой прогноз на год вперед (4% роста), а также состояние и перспективы крупнейшего в мире производителя кремниевых пластин для логических ИС.
После доклада журналисты и посетители конференции подошли к нему с множеством вопросов. Он отвечал вдумчиво, пока его не отвлекли для дальнейших дел.
– Правдивы ли слухи о том, что TSMC построит новую фабрику в США?
– Решение пока не принято. Строительство новой фабрики – это серьезное решение. Сейчас новая фабрика стоит 5 млрд долл. У нас есть 20 фабрик в Тайване и в этом есть преимущество, потому что когда ломается машина на одной фабрике, мы можем привезти ее с другой. Мы не сможем сделать так для фабрики в США.
– Считаете ли вы Intel конкурентом сейчас, когда она выпускает микросхемы для некоторых других п/п-компаний?
– У нас всегда были конкуренты. Они приходят и уходят. Как изготовитель микропроцессоров Intel потенциально конкурирует со своими заказчиками. Samsung в некотором смысле является более агрессивным в фаундри-бизнесе, чем GlobalFoundries.
– Будет ли давление цен и далее таким суровым в этом году?
– Я никогда не видел, чтобы ценовое давление прекратилось.
– Какова перспектива закона Мура теперь, когда технологические нормы кажутся все более труднодоступными и приносящими все меньше прибыли?
– Похоже, у нас есть еще семь-восемь лет впереди, может больше, и мы сможем увидеть уменьшение технологической нормы до 10 и даже до 7 нм.
– Как вы думаете, что людям нужно знать о TSMC?
– Я думаю, люди, особенно в США, просто не знают нас достаточно хорошо. Они знают об Apple, Intel, Google – но очень мало о TSMC.

  • TSMC увеличит доходы на 15–20%

В своем выступлении Моррис Чанг, в частности, заявил, что он ожидает повышения доходов компании в этом году на 15–20% с резким скачком доходов уже в этом месяце.
Чанг также сообщил, что, по его ожиданиям, TSMC будет единственным крупным производителем 28-нм ИС в 2013 г. из-за того, что Samsung и GlobalFoundries борются за запуск в производство 28-нм ИС по технологии «затвор первым» (gate first).
Мартовские продажи TSMC составили 1,4 млрд долл., что на 7,2% выше февральских продаж и на 18,9% выше продаж в марте 2012 г. Продажи в первом квартале составили 4,42 млрд долл. – на 25,7% больше чем в первом квартале 2012 г.
Для сравнения, мартовские продажи компании UMC (основного тайваньского конкурента TSMC) составили 320 млн долл. – это на 6,8% выше, чем 300 млн долл. в марте 2012 г., а продажи первого квартала в размере 928 млн долл. были на 5,7% выше, чем 877 млн долл. за первый квартал 2012 г.
Продажи TSMC в феврале составили 1,38 млрд долл., что на 13% ниже, чем в январе, но на 21,5% выше, чем в феврале 2012 г. Суммарные продажи TSMC за январь-февраль составили 2,966 млрд долл., на 29% выше, чем в январе-феврале 2012 г.
Январские продажи TSMC в размере 1,6 млрд долл. были на 37% выше, чем в январе 2012 г. Продажи TSMC в декабре были на 20% выше, чем в декабре 2011 г., на уровне 1,26 млрд долл. В ноябре продажи TSMC составили 1,5 млрд долл., показывая падение на 11,5% против 1,7 млрд долл. в октябре, что стало наибольшим зафиксированным уровнем продаж за квартал. В IV квартале 2012 г. доходы TSMC составили 4,5 млрд долл., а прибыль – 1,4 млрд долл. Доходы возросли на 25% против IV квартала 2011 г., а прибыль на 32%.
Продажи же UMC в феврале составили 294 млн долл., что на 3,4% выше, чем в феврале 2012 г., но ниже чем в январе 2013 г. Январские продажи UMC составили 316 млн долл. В январе-феврале этого года, доходы UMC достигли 607 млн долл., что на 5% выше продаж за январь-февраль 2012 г. в сумме 579 млн долл. UMC пережил падение продаж на 13,4% от месяца к месяцу в декабре по сравнению с продажами в декабре 2012 г. в сумме 270 млн долл. Доходы UMC за ноябрь составили 310 млн долл., а в октябре – 319 млн долл.


Россия заняла 14-е место в рейтинге инновационности стран мира


Россия заняла 14-е место в рейтинге инновационности, опередив Канаду, Великобританию, Австралию и многие другие государства.
Агентство Bloomberg составило список самых инновационных государств в мире Global Innovation Index, который включил 50 стран.
В процессе анализа 200 государств и суверенных территорий аналитики агентства учли семь факторов: R&D intensity, productivity, high-tech density, researcher concentration, manufacturing capability, tertiary efficiency и patent activity. Источниками данных стали Всемирный банк, Всемирная организация интеллектуальной собственности, организация The Conference Board, Организация экономического сотрудничества и развития и UNESCO.
R&D intensity - объем средств в процентном отношении к валовому внутреннему продукту (ВВП), который государство направляет на исследования и разработки (вес - 20%). Productivity - ВВП в расчете на час рабочего времени (20%). High-tech density (20%) - процентная доля публичных высокотехнологичных компаний среди всех публичных компаний в государстве (включая компании из аэрокосмической отрасли, оборонные предприятия, биотехнологические компании, компании, занимающиеся разработкой программного обеспечения, выпуском полупроводников, возобновляемыми источниками энергии, интернет-услугами и интернет-ПО).
Показатель Researcher concentration (20%) - это количество научных работников на один миллион жителей. Manufacturing capability (10%) - добавленная стоимость производства в процентном отношении к ВВП. В свою очередь, фактор tertiary efficiency (5%) учитывает посещаемость в высших учебных заведениях, процент дипломированных специалистов от общего объема набора и долю дипломированных специалистов в общем объеме работающего населения в государстве, а patent activity (5%) - количество патентов, подаваемых местными компаниями в расчете на миллион жителей и в расчете на $1 млн средств, потраченных на научно-исследовательскую деятельность.
Места с 1 по 10 в рейтинге инновационности Global Innovation Index заняли США, Южная Корея, Германия, Финляндия, Швеция, Япония, Сингапур, Австрия, Дания и Франция.
Россия заняла 14 место, между Норвегией (13) и Бельгией (15). Позиции страны по отдельным показателям можно увидеть в таблице ниже. Самые слабые позиции Россия продемонстрировала по показателям производительности труда (Productivity, 41) и вклада производства в ВВП (Manufacturing capability, 39), самые сильные - по доле публичных хай-тек компаний (High-tech density, 2) и доле дипломированных специалистов (tertiary efficiency, 2).
Bloomberg Global Innovation Index


Страна

Общее место

R&D intensity

Produ- ctivity

High- tech

Resear- cher

Manufa- cturing

Tertiary efficiency

Patent activity

США

1

9

3

1

10

52

26

6

Южная Корея

2

5

32

3

8

3

4

1

Германия

3

8

7

4

17

23

25

7

Финляндия

4

2

14

11

1

31

3

23

Швеция

5

3

11

6

7

49

21

38

Япония

6

4

21

20

6

15

27

2

Сингапур

7

11

20

16

4

10

20

53

Австрия

8

10

9

14

15

29

28

19

Дания

9

6

12

18

3

66

30

20

Франция

10

14

6

8

18

73

12

18

Нидерланды

11

18

4

5

26

60

51

40

Ирландия

12

21

8

19

21

7

9

32

Норвегия

13

20

2

13

5

81

39

27

Россия

14

29

41

2

24

38

2

8

Бельгия

15

15

5

15

20

55

31

63

Люксембург

16

22

1

12

9

84

53

55

Канада

17

16

15

25

11

67

1

46

Великобритания

18

19

13

23

16

69

17

11

Словения

19

17

23

34

19

19

24

12

Исландия

20

12

16

-

2

54

38

39

Швейцария

21

7

17

10

22

-

34

45

Австралия

22

13

10

37

14

80

22

54

Чешская Республика

23

24

30

26

28

11

36

41

Италия

24

28

19

22

34

36

56

25

Португалия

25

23

34

27

13

57

43

62

Венгрия

26

32

35

21

31

16

59

36

Испания

27

27

18

63

25

53

13

50

Новая Зеландия

28

30

25

41

12

-

11

3

Китай

29

25

67

9

40

6

66

4

Польша

30

44

36

17

36

30

35

13

Эстония

31

26

39

-

23

46

29

48

Израиль

32

1

24

7

-

-

7

41

Литва

33

39

37

-

29

43

10

56

Словакия

34

54

29

-

30

20

40

35

Хорватия

35

40

33

52

38

37

45

31

Гонконг

36

41

22

24

27

89

32

75

Турция

37

38

38

46

45

26

49

49

Малайзия

38

48

42

30

56

4

23

30

Мальта

39

50

26

33

41

63

67

61

Тунис

40

33

59

40

32

24

58

-

Греция

41

49

28

36

33

-

15

24

Украина

42

37

69

47

39

34

6

17

Болгария

43

51

48

49

37

33

44

37

Латвия

44

58

43

28

35

72

50

9

Аргентина

45

53

40

-

43

13

55

57

Румыния

46

55

53

53

44

9

52

14

Иран

47

42

50

-

48

74

18

22

Македония

48

74

45

28

52

28

63

33

Беларусь

49

46

47

-

-

2

5

5

Южная Африка

50

35

56

35

54

50

95

68


Зону с особым статусом для всего Зеленограда — «без сколковского гламура»


Михаил Ан: «Неплохо было бы без сколковского „гламура“ сделать особую зону с особым статусом для всего Зеленограда».
В Зеленограде состоялась конференция SEMICON 2013, посвященная проблемам развития микроэлектронной отрасли в России и организованная под эгидой правительства Москвы и всемирной ассоциации SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International). Заместитель руководителя Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства Москвы Михаил Ан, участвовавший в открытии конференции, ответил на вопросы издания Zelenograd.ru о планах столичных властей по предоставлению льгот научным и промышленным предприятиям, о создании в Зеленограде технопарка и технополиса на базе Специализированной территории малого предпринимательства (СТМП), о перспективе увеличения числа площадок ОЭЗ «Зеленоград» и придания особого статуса уже существующим промзонам города.
Михаил Ан, заместитель руководителя Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства Москвы
— Недавно на «Микроне» прошёл круглый стол на тему «Состояние высокотехнологичного сектора экономики города Москвы и перспективы развития» с участием руководителей промышленных предприятий Зеленограда, заместителя мэра Москвы Андрея Шаронова и руководителя Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства Алексея Комиссарова. Что там обсуждалось?
— Сейчас проводится серия таких встреч в разных округах города, в частности, они уже прошли в Восточном округе и на «Микроне» в Зеленограде, дальше состоятся и по другим округам. Цель — общение и выстраивание постоянного диалога с предприятиями округа. Отдельные встречи проходят по промышленности, по более крупным предприятиям, планируем проводить их и для малого и среднего бизнеса — это немного разные аудитории. В Зеленограде был просто неформальный диалог с бизнес-сообществом о том, какие у предприятий есть вопросы, что работает, что не работает.
— Какие главные вопросы были у зеленоградских предприятий?
— Как всегда это рост ставки аренды, все задают вопросы по этому поводу, поэтому мы сейчас ищем решение — готовим матрицу промышленности, по которой эффективные предприятия будут получать льготы, льготный стимул, только не кулуарным, а вполне прозрачным способом. Подходы у нас уже определены, сейчас осталось просчитать экономику, проанализировать, какие должны быть критерии и конкретные параметры эффективности предприятий.
— Вы будете оценивать предприятия по каким-то критериям и предлагать им льготы?
— Да, мы пока предполагаем в качестве критериев использовать следующие: выручка на квадратный метр — показатель того, насколько эффективно используется площадь; выручка на человека, то есть производительность труда; соблюдение экологических стандартов, так как мы живем в городе, где это особенно важно — отсутствие претензий со стороны органов, осуществляющих экологический контроль. Ну и скорее всего, говоря о понижающей ставке аренды за землю, о налоге на имущество и землю, то есть о так называемых налогах модернизации — мы готовы снижать или обнулять их тем предприятиям, которые исправно платят другие налоги, такие как налог на прибыль, например. У нас модно в последнее время в стране и в Москве минимизировать или аннулировать налог на прибыль, поэтому среди обсуждаемых критериев — уплата налога на прибыль и, возможно, налогов, связанных с фондом оплаты труда. То есть, мы говорим предпринимателям: если вы плАтите белую зарплату, если у вас нормальная прибыльная организация, и вы не минимизируете свои доходы — хорошо, платИте эти налоги, а другие мы вам, соответственно, сделаем ниже, чтобы вы могли долгосрочно работать в городе на понижающей ставке. Концептуальная идея в нашем департаменте такая. Сейчас задача — правильно всё просчитать, у нас сложности с качеством статистики...
— Инициатива оценки предприятий для предоставления им льгот будет исходить от вас или от самих предприятий, в заявительном порядке?
— Наша задача сейчас — разработать подходы, критерии оценки и принять некие постановления правительства. Дальше администрировать этот процесс может любой департамент, тот же департамент городского имущества.
— Зеленоградские площадки жалуются, что сейчас достаточно тяжело стать технопарком, технополисом или индустриальным парком — очень жесткие требования, поэтому никто из зеленоградских площадок такого статуса еще не получил...
— Тяжело стать технопарком? Неправильно жалуются. Критерии такие, чтобы потом не было ситуации, как с федеральными особыми зонами — когда компании получили статус резидента, а дальше строительством они не занимаются, и нет никакого механизма, чтобы дать возможность другим резидентам, которые готовы строиться и развиваться, прийти вместо этих. Мы хотим, чтобы в технопарках и технополисах всё реально реализовывалось. В нашем городском механизме как раз заложен такой регулирующий фактор: компании должны инвестировать, должны создавать рабочие места, а в обмен на это они получат льготы и возможность находиться в технопарках. Сейчас мы активно создаем как раз на базе городских площадок Зеленограда в дополнение к особой зоне технопарк и технополис. Уже принято решение о создании технопарка, готовится решение о создании индустриальной площадки. Технопарк создаётся на базе СТМП Зеленоград — Специализированной территории малого предпринимательства. В будущем он, возможно, перерастет в технополис. Соответственно, мы планируем там вложение бюджетных инвестиций в этом и в следующем году в создание офисно-производственных и лабораторных помещений для привлечения резидентов — малых и средних компаний. А на будущее уже подбираем новые площадки в Зеленограде, структурируем, чтобы более крупные компании — либо вырастающие из компаний технопарка, либо крупные инвесторы — приходили и размещали там производство. Сейчас в Зеленограде строится очень много жилья, много жилья уже есть, но по официальной статистике 40 тысяч зеленоградцев каждый день едут в Москву на работу. Соответственно, какая-то компенсирующая составляющая может быть и здесь, благодаря созданию новых рабочих мест.
— Рассматриваете ли вы возможность введения каких-то преференций на торгах при закупке высокотехнологичной продукции, произведенной в Москве? Например, такие преференции не помешали бы зеленоградскому «Микрону», который производит билеты для столичного метро и участвует в конкурсах наравне с импортёрами зарубежных карточек...
— Есть федеральное законодательство, в соответствии с ФЗ-94 и ФЗ-223 преференции на торгах невозможны, это противозаконно, плюс по ВТО тоже есть ограничения. Поэтому — нет, преференций мы не введём, но конкурировать и поддерживать свои предприятия — да, планируем.
— Есть ли перспективы создания в Зеленограде третьей площадки особой зоны — на Северной промзоне?
— У особой зоны есть площадка на базе МИЭТ и площадка в Алабушево. В Зеленограде есть еще несколько промзон — Восточная и Северная, есть площадка на юге, есть Малинская промзона, примерно так. Сейчас по федеральному законодательству особая зона может иметь три площадки. Мы в настоящее время ведем переговоры с Минэкономразвития, и они планируют, в принципе, учесть мнение ряда регионов и поменять федеральное законодательство по особым зонам. В том числе обсуждается вопрос по увеличению количества площадок в ОЭЗ или вообще по снятию ограничений на число площадок. Для нас это было бы, в принципе, неплохим решением, потому что... Возьмите пример Китая или ряда других успешных стран, которые создали особые экономические зоны: они делают особыми зонами целые города. У нас пока вроде готовности такой нет, хотя в моем понимании было бы хорошо сделать из Зеленограда такую особую зону, ведь в советское время он как раз и создавался как спецзона под развитие микроэлектроники. Поэтому в принципе вполне неплохо было бы без сколковского «гламура» спокойно сделать особую зону с особым статусом для всего города. По текущему законодательству и по зрелости и готовности определенных людей, которые принимают решения — пока, видимо, к этому нет готовности. Поэтому мы пытаемся скомбинировать другие решения — инструмент особой зоны, кластерную программу Минэкономразвития плюс ресурсы правительства Москвы. Сейчас мы обсуждаем, как их оптимизировать, как выстроить коллаборацию через кластер по площадкам, которые будут непосредственно входить в состав особой зоны. Если их будет три, значит, надо третью площадку подбирать очень аккуратно, решая, кто будет третьей площадкой. Если их будет больше, чем три, тогда можно учитывать и интересы других, в том числе частных игроков.
////
— Речь как раз о том, что третья площадка могла бы лечь под уже существующие и действующие предприятия микроэлектроники — например, «Микрон»...
— Если этого хочет «Микрон» — лучше это обсуждать с «Микроном». Хочет «Микрон», хочет «Ангстрем», хотят и другие предприятия — хорошо, как мы одну площадку выделим всем трем, четырем, десяти игрокам? Это будет справедливо — выбрать кого-то одного? Смотрите на это со стороны: почему «Микрон», почему «Ангстрем»? У них у каждого, конечно, есть аргументация в свою пользу. Но справедливо ли это? Поэтому, если ограничения снимаются, мы видим это шире: все промзоны Зеленограда теоретически можно включить в ОЭЗ как площадки особой зоны. Не весь город, а именно все промзоны — Алабушево, Северную, Восточную, МИЭТ, «Микрон» и всё, что вокруг него, Южная, Малино — потенциально можно создать семь-восемь площадок. Предметом конкретных решений должны стать юридически значимые моменты, такие как решение о расширении количества площадок либо решение о том, что расширять их не будут. Тогда можно будет говорить о чём-то дальше.
— Индустриальный парк будет создан на базе чистой площадки, а не какого-то существующего зеленоградского предприятия?
— На базе существующих предприятий индустриальный парк не создаётся. Индустриальные парки — это промзоны, только с управляющими компаниями, которые координируют деятельность развития всей территории. Мы ищем такие площадки и в Зеленограде, и на новых территориях Москвы, как «зеленое поле», green field. К нему подводится вся инфраструктура, создается управляющая компания, которая занимается привлечением инвесторов, развитием и размещением инвесторов, снятием административных барьеров, согласованием процедур и так далее. При необходимости создаются разные налоговые и прочие льготы.
— Это проект Москвы, аналогичный федеральному проекту особых экономических зон?
— Да, технополис и технопарк — это формат региональной «особой зоны», можно так сказать, которая имеет региональные преференции и не имеет федеральных, как у ОЭЗ. Например, не имеет таможенных спецтарифов, но на практике это не самый критичный элемент. Он, конечно, важен при сопоставлении условия вхождения, но... Например, «Крокус Наноэлектроника», который пришёл в Москву, изначально планировал стать резидентом ОЭЗ «Зеленоград», а потом выбрал технополис «Москва», при том, что там есть только региональные льготы, то есть в особой зоне лучше. Почему они приняли такое решение? Потому что мы в Москве гораздо быстрее всё запускаем, у нас хороший менеджмент, четко и быстро всё создается. Это к вашему вопросу о третьей площадке особой зоны — у технополиса «Москва» единственная площадка в 30 гектаров, он там очень быстро развивается. Сейчас мы обсуждаем, чтобы дать им в будущем дополнительную площадку под дальнейшее развитие...
— Значит, на московских площадках вы надеетесь работать быстрее и эффективнее, чем это получается у особой зоны?
Особая зона — тоже наша московская площадка, только там более сложная форма управления, совместного с Минэкономразвития. Там тоже определенное решение сейчас обсуждается... Когда будет — скажем, какое.  Источник: Zelenograd.ru

Майкл Делл (Dell Inc.) о производстве электроники, Путине и тенденциях рынка


Основатель компании Майкл Делл, возглавляющий этот консорциум, в интервью «Коммерсанту» рассказал, зачем он хочет сделать Dell частным бизнесом, перспективно ли производство персональных компьютеров и почему в 2009 году на Всемирной экономическом форуме в Давосе Владимир Путин отклонил предложение о помощи.

 В четверг, 18 июля, акционеры Dell Inc., одного из крупнейших в мире производителей электроники и персональных компьютеров, должны были проголосовать «за» или «против» предложения консорциума инвесторов по выкупу за 24,4 млрд долл. акций с рынка.
- Почему же Вы решили превратить Dell из публичной компании в частную?
- То, что мы делаем, действительно ускоряет трансформацию Dell. Мы обнаружили, что покупатели хотят от нас большего. Не только продукты, но и сервисы. Не только "железо", но и софт, а также IT-решения. Мы наращивали возможности, делали инвестиции в Dell как для органического роста, так и за счет поглощений. Мы собираемся существенно ускорить отдачу от этих инвестиций. Мы хотим больше инвестировать в научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, в IT-сервисы, в разработку софта, увеличить штат в сегменте продаж, расширить наше присутствие на новых рынках. А также хотим больше инвестировать в персональные компьютеры, планшетные компьютеры и в бизнес виртуальных клиентских сервисов. И все эти инвестиции, скорее всего, сократят прибыль Dell, что, в свою очередь, сделает компанию менее привлекательной для публичных инвесторов. А если мы станем частной компанией, то сможем агрессивно инвестировать в наш бизнес.
- Судя по вашей отчетности, у Dell сохраняется сильная зависимость от основного бизнеса – продажи компьютеров. И спад на этом рынке немедленно отразился на квартальной прибыли, которая упала на 79%...
- На самом деле, мы более прибыльны, чем большинство производителей компьютеров.
- Не спорю, но все же как Вы планируете изменить этот тренд?
- Не секрет, что рынок персональных компьютеров очень конкурентен. Мы видим несколько трендов в ходе эволюции персонального компьютера: теперь есть настольный ПК, ноутбук, планшет и виртуальный ПК. Мы делаем акцент на развитии новых сегментов. Так, продажи планшетных компьютеров растут очень быстро. Сегмент виртуальных компьютеров также растет. Мы купили компанию Wyse, которая является мировым лидером в сегменте виртуальных ПК.
Мы не думаем, что на рынке ПК обязательно начнется фантастический рост. Мы лидеры в этой сфере, и рынок будет консолидироваться. Наши цепочки поставщиков очень эффективны. И бизнес ПК, конечно, основополагающий для нас.
Но правда и то, что мы достаточно много инвестируем в новые области. Серверы – это для нас не новый бизнес, мы занимаемся им с середины 1990-х. Мы имеем самую большую рыночную долю в США и Канаде и еще в 30–40 больших странах по всему миру. Этот бизнес существенно развился. На основе серверов в дата-центрах мы развивали системы хранения данных и сети, а также бизнес в области IT-безопасности и "облачных" сервисов. Из 110 тыс. сотрудников Dell 50 тыс. заняты в IT-сервисах Dell и помогают нашим клиентам изменить бизнес.
- Что Вы думаете о новой версии Windows 8? Верите ли вы, что Windows 8.1 поможет вам нарастить прибыль в сегменте ПК?
- Я использую Windows 8.1, и она более удачна, чем Windows 8. Они устранили немало досадных проблем, которые замечали многие пользователи. И хорошая новость в том, что все, кто имеет Windows 8, получат Windows 8.1: это обновление.
И вот еще что важно. Dell обслуживает множество корпораций и бизнесов, и все эти предприятия никогда не примут новую версию Windows. Большинство корпораций переходят с Windows XP на Windows 7. Конечно, Windows 8.1 повысит уровень принятия новой версии Windows. А также поможет развитию рынка восьмидюймовых планшетов в нижнем ценовом сегменте.
- Многие производители электроники разместили свои производственные мощности в Китае, потому что там была дешевая рабочая сила. Но в последнее время зарплаты китайских рабочих растут. Увеличение стоимости рабочей силы в Китае – это проблема для Dell?
- Если растет стоимость рабочей силы, то это значит, экономика растет. И люди в этой стране могут тратить больше денег. Знали ли вы, что Китай – второй по величине рынок? Мы имеем достаточно большой бизнес в Китае. И если китайская экономика растет, то больше людей смогут купить наши продукты. И это здорово!
- Но сможете ли вы удержать рост цен на продукцию?
Есть две вещи, которые нужно понять. Первое: производительность труда увеличивается очень-очень быстро. Второе: чтобы делать наши компьютеры, требуется совсем немного рабочей силы. Таким образом, изменение стоимости рабочей силы несущественно отражается на цене производства компьютеров.
- У вас есть планы по передислокации производства в Китае – туда, где более дешевая рабочая сила: в другую область Китая или в другую страну?
- Две недели назад я побывал на нашей фабрике в городе Чэнду, который находится в центре Китая. Туда я приехал из польского города Лодзь, где находится еще одна наша фабрика. Конечно, цена рабочей силы в центре Китая ниже, чем в других регионах. Но мы имеем заводы по всему миру – в Индии, Польше, Бразилии, Мексике, Китае, Азии.
- Это оптимальная структура производственных мощностей?
- Мы должны быть там, где наши покупатели. Завод в Польше стратегически важно расположен для того, чтобы покрывать северную часть полушария от России до Западной Европы, Россию. Фабрика в Мексике производит продукцию для Северной Америки, бразильская – для Латинской Америки, индийская – для Малайзии и Южной Азии, а китайская, очевидно, для Северной Азии, Кореи и Японии.
- Планируете ли Вы менять что-либо в бизнесе Dell на российском рынке? Может, и здесь фабрику построите?
- Я много путешествую по миру и в каждой стране, где я бываю, мне говорят: "Не могли бы вы построить фабрику у нас?" Если бы я исполнил все пожелания, то у нас было бы 190 фабрик – по одной в каждой стране. Это не самая лучшая идея.
В последние годы мы увеличили штат персонала Dell, работающего в России по теме исследований и разработок. Это случилось благодаря покупкам софтверных компаний в России. Более 300 сотрудников в Москве, Санкт-Петербурге и Новосибирске разрабатывают софт для Dell. Мы будем увеличивать инвестиции в НИОКР, в продажи, в работу с партнерами, с системными интеграторами и сервисными партнерами. Мы агрессивно наращиваем наш корпоративный бизнес. В области дата-центров у нас много инноваций, и мы не прячем их от российских клиентов, в отличие от других компаний.
- В 2009 году в Давосе между Вами и Владимиром Путиным состоялся памятный разговор: в ответ на Ваше предложение о помощи России господин Путин ответил: "Нам не нужна помощь. Мы не инвалиды". Как эта история изменила Ваше отношение к российской политике, бизнесу и к нашей стране в целом?
- В английском языке слово "help" ("помощь".- "Ъ") имеет различную смысловую нагрузку. Его можно перевести как помощь человеку, который находится в невыгодном положении. Мои слова перевели именно так. Но это не то, что я сказал, и даже не то, что я намеревался сказать. Переводчик неправильно перевел мои слова. Трудности перевода, такое бывает. (Смеется.)
У меня есть хороший друг, который понимает русский язык. Сразу после встречи он все объяснил и мне, и Путину. Случилась ошибка в переводе, ее сразу исправили. Путин это понял, хотя в прессе об этом не сообщалось.
- В последнее время на рынке много разговоров о том, что Федеральная резервная система вскоре перестанет поддерживать экономику США. Как это повлияет на технологические компании?
- Посмотрите на рост технологий в последние 20 лет. Он просто потрясающий, но во многом не был связан с ростом экономики. Технологии позволяют экономике расти, но сами растут намного быстрее. Компании всегда отводили для IT место на галерке. Но сейчас без IT вы не можете заниматься продажами, охраной здоровья, образованием, социальными сетями, не можете оптимизировать ваши трудовые ресурсы в области продаж. Возможности в технологической сфере продолжают расти. Очевидно, мы не можем контролировать то, что делают сотрудники центробанков. Мы думаем о наших клиентах. Для нас открыты безграничные возможности в мире.
- Владимир Путин в прошлом году призвал к деофшоризации экономики в России. А весной и в США широко обсуждалась тема деофшоризации технологических компаний. Насколько Вас это беспокоит?
- Я думаю, что в каждой стране идут дебаты о системе налогообложения. Но, возможно, более интересный вопрос - как сделать страну конкурентоспособной в мире. Скажем, Россия хочет быть страной, привлекательной для инвесторов, для прямых иностранных инвестиций, для капитала, для создания рабочих мест, для сервисов, для проведения НИОКР и размещения производства. Что должна делать Россия, чтобы привлечь такие инвестиции? И что каждая страна должна сделать? Нужны инфраструктура, талантливые работники, конкурентная налоговая система, верховенство закона и так далее.
Страна может сконцентрироваться на вопросе, сколько же налогов она будет собирать со своих компаний. Но кто тогда приедет в эту страну работать? Конечно, мы всегда работаем по законам страны, где мы работаем. Но я также знаю, что инвестиции идут туда, где им лучше. Если государство скажет мне: "Мистер Делл, мы вам рады. Посмотрите, как мы можем помочь росту вашего бизнеса в нашей стране", то это прекрасно! Вот так нам нравится. Мы начинаем нанимать людей, строить центр исследований и разработок, может быть, создавать несколько совместных предприятий, будем укреплять связи, начинать совместные разработки и все, что еще можно придумать. Но если нам скажут: "Мы не хотим, чтобы вы тут работали. Мы сделаем ваш бизнес дорогим и сложным", то о чем можно дальше разговаривать? (Смеется.)
Источник: КоммерсантЪ

Как нам обустроить российскую микроэлектронику. Часть 2


На сегодняшний день перед российской микроэлектроникой остро стоит задача заполнения внутреннего рынка отечественными микросхемами.
В первой части мы коснулись вопросов освоения российской микроэлектроникой новых техпроцессов и разработки необходимой номенклатуры микросхем.
На сегодняшний день перед российской микроэлектроникой стоит задача заполнения внутреннего рынка отечественными микросхемами. Емкость гражданского внутреннего рынка невелика из-за отсутствия крупных потребителей электронной компонентной базы (аппаратных и сборочных производств, ориентированных на отечественные микросхемы), и за последние 20 лет он был практически полностью занят иностранными компаниями.
Всеволод Эннс: «Для создания условий развития малых предприятий необходимо привлекать их к выполнению государственных заказов, поддерживая специализацию компаний и накопление компетенций в области их работы».
В результате актуальным остается внутренний рынок специальных микросхем, предназначенных как для аппаратуры особого назначения, так и для систем, разрабатываемых в рамках государственных и региональных программ (как, например, проекты универсальной электронной карты или электронных билетов для общественного транспорта).
Такая специализация отрасли приводит к необходимости разрабатывать широкую номенклатуру мелкосерийных изделий, включающую в себя практически весь спектр цифровых, аналоговых, смешанных схем, схем радиочастотной идентификации, а также схем, стойких к неблагоприятным внешним воздействиям. К решению этой проблемы могут быть с успехом подключены небольшие коллективы разработчиков, то есть предприятия с численностью инженерно-технического состава от 10 до 50 человек.
Основными конкурентными преимуществами малых дизайнерских компаний являются:
1)    Небольшие накладные расходы;
2)    Оперативность принятия решений;
3)    Высокая эффективность работы как отдельных сотрудников, так и организации в целом;
4)    Нацеленность на быстрое получение результатов работ.
Следует отметить, что ведению бизнеса малыми компаниями в такой высокотехнологичной сфере, как микроэлектроника, способствует также использование аутсорсинга ряда услуг и возможность пользования ресурсами коллективных центров.
Рассмотрим вопрос, в каких областях малые дизайн-центры могут проявить себя наиболее эффективно. Разработка интегральных схем характеризуется длительным циклом, большими затратами и высоким барьером выхода на рынок. В этих условиях малое предприятие с момента своего создания практически всегда привязано к крупной компании–заказчику: полупроводниковому заводу или разработчику аппаратуры. В первом случае дизайн-центр, как правило, не имеет четкой специализации и разрабатывает микросхемы различных типов в зависимости от задач, стоящих перед полупроводниковым заводом. Во втором случае у компании чаще всего имеется узкая специализация в зависимости от типа разрабатываемой головным заказчиком аппаратуры. Оба подхода имеют право на жизнь. Близость к полупроводниковому производству позволяет быстрее внедрить ту или иную разработку в серию, а близость к разработчику аппаратуры позволяет быстрее состыковать микросхему с другими частями аппаратуры.
Обслуживание крупных предприятий является нормальным видом бизнеса для малых предприятий, однако предприятие, с одной стороны, несет крупные затраты на содержание высококвалифицированных специалистов с разносторонними навыками, а с другой - существуют риски ведения бизнеса, которые зависят от текущего состояния крупного предприятия-заказчика.
Для создания условий развития малых предприятий необходимо привлекать их к выполнению государственных заказов, поддерживая специализацию компаний и накопление компетенций в области их работы.
Учитывая наличие нескольких полупроводниковых производств в России, а также множества предприятий-потребителей, количество узлов возрастает, и формируются группы – скопления близко расположенных узлов. Группы могут быть интегрированы в подразделение на уровне одного большого предприятия либо могут быть составлены из нескольких малых предприятий в рамках территориально–производственного кластера. Большие группы узлов в основном находятся в сфере интересов крупных компаний, а небольшие группы зачастую остаются неохваченными. Такие группы являются наиболее перспективными сегментами рынка для небольших компаний. Здесь малое предприятие функционирует в строго ограниченных рамках по типам разрабатываемых микросхем и технологиям. В этом случае оно максимально успешно.
Области в проектировании ИС, в которых малые предприятия наиболее эффективны:
1)    Заказные проекты. Работы такого рода чрезвычайно сложны и затратны, а финансирование, которое могут себе позволить заказчики, – небольшое;
2)    Узкоспециализированные проекты. Такие проекты, как, например, разработка микросхем для медицинской аппаратуры, как правило, также имеют небольшое общее финансирование;
3)    Проекты, нацеленные на использование конкретного технического решения. Например, основой бизнеса небольшого дизайн-центра может служить использование процессорного ядра определенной архитектуры;
4)    Инфраструктурные проекты. В том числе разработка IP-блоков под конкретную технологию полупроводниковой фабрики;
Вышеперечисленные проекты крупными организациями обычно реализуются неохотно.
В зарубежных странах успешно развиваются небольшие компании, разрабатывающие интегральные схемы. На Тайване многочисленные средние и малые fabless-компании – разработчики микросхем, как правило, специализируются в определенных направлениях. Например, компания Mediatek создает ИС для мультимедийных средств, компания Neotec – ИС для устройств батарейного питания и т.д.
Несмотря на различные масштабы компаний (годовые объемы реализованной продукции составляют от нескольких сотен тысяч до миллиардов долларов) у большинства из них много общего. Задача подобных компаний на начальном этапе их развития – показать стабильную реализацию продукции и прибыль и выйти на IPO. Поэтому такие компании стараются сконцентрироваться на определенном направлении и быть номером один в нем, так как считается, что только номер один и номер два могут рассчитывать на прибыль на рынке, остальные компании несут убытки.
Модель бизнеса fabless предполагает наличие трех видов деятельности: собственно разработки, сопровождения производства и продвижения продукции на рынке. Узкая специализация компаний приводит к их тесной связи с разработчиками и производителями аппаратуры с одной стороны и с изготовителями полупроводниковых кристаллов с другой, что существенно облегчается на Тайване территориальной и языковой близостью тех и других производств к fabless-компании.
Правительство финансирует определенные проекты, которые для начинающих компаний могут быть стартовыми. Дальнейший успех компаний зависит от их активной деятельности, которая происходит в благоприятной среде соседства с крупными заводами, производящими огромное количество потребительской и иной электроники. Следует иметь в виду также, что тесный контакт с кремниевыми заводами - foundry - дает возможность тайваньским малым предприятиям существенно снижать стоимость полупроводниковых пластин, изготавливаемых для их нужд.
Из опыта дизайнерских компаний Тайваня следует позаимствовать нацеленность компаний не только на разработку интегральных схем, но и на реализацию и продвижение продукции. Необходимо развивать foundry-сервисы микроэлектронных заводов, а также способствовать независимому сопровождению и продажам небольшими компаниями своей продукции.
В Советском Союзе было множество предприятий, выпускающих бытовую и специальную аппаратуру. Для этой аппаратуры требовалось большое количество микроэлектронных изделий. Подобная среда, безусловно, была бы благоприятной для развития технико-внедренческих компаний. Хотя малые предприятия в те времена не были развиты, советский опыт также дает много полезного. Плановая система способствует быстрому развитию определенных технических направлений (в данном случае направления разработки интегральных схем). В деле развития небольших компаний плановая система также оказалась бы полезной. Во-первых, она исключила бы дублирование работ. Во-вторых, такая система гарантировала бы на начальных этапах финансовую устойчивость малых предприятий, учитывая непредсказуемость технических результатов в инновационной сфере. Ну и, наконец, плановое объединение небольших компаний в кластеры по территориально-производственному принципу позволило бы эффективно использовать систему аутсорсинга. Необходимо отметить, что работы по этому направлению в настоящий момент ведутся Министерством промышленности и торговли РФ, Министерством экономического развития РФ в рамках особых экономических зон, а также Фондом содействия развитию малых предприятий.
Первоочередные меры создания условий развития малых предприятий в микроэлектронике могут быть сформулированы следующим образом:
1.    Государственное регулирование. Конкуренция и рыночные механизмы эффективно работают в отлаженной рыночной экономике. Однако на этапе становления или реорганизации отрасли во избежание потерь необходимо государственное управление. В нашем случае, достаточно закрепить направления деятельности за дизайн-центрами и создать условия для их привлечения к выполнению государственно важных задач.
2.    Изменение конкурсных процедур. Усовершенствование правил проведения конкурсов на выполнение государственных контрактов облегчит участие небольших компаний в конкурсах в рамках своих компетенций.
3.    Доработка нормативных актов, регламентирующих поставку изделий на внутренний рынок, в том числе определение правил и норм работы компаний по модели fabless-foundry позволит небольшим компаниям-разработчикам эффективнее вести кроме разработки также и сопровождение производства, продвижение и продажи микросхем под своим именем.
4.    Формирование кластеров. Развитие территориально-производственных кластеров с возможностью эффективного аутсорсинга тех или иных услуг внутри кластеров будет способствовать организации малых предприятий.

Светлое силиконовое будущее


Российская электроника – некогда одна из передовых отраслей отечественной экономики – переживает не лучшие времена. Между тем, по мнению экспертов, в этой области Россия могла бы играть весомую роль не только на внутреннем, но и на внешнем рынке.
Там, где нас нет
Конечно, когда мы говорим о том, чтобы занимать высокие позиции на мировом рынке, надо понимать, какой сегмент рынка остается доступным для российских производителей. Возможность серьезно быть представленной на рынке бытовой техники или современных гаджетов Россия уже полностью потеряла: этот сегмент прочно завоеван производителями из Юго-Восточной Азии.
Перспективы для отечественных производителей тем не менее сохраняются в сегменте специальной радиоэлектроники, которая используется при производстве современных систем вооружения, в атомной промышленности, космической и прочих наукоемких отраслях. Как и в сегменте профессиональной электроники, который включает в себя операторское оборудование для телекоммуникационной отрасли, электронику для промышленности, автомобильную электронику, электронику для энергетического и медицинского оборудования, для систем безопасности, а также высокопроизводительные системы обработки информации.
«Даже сейчас, в непростых условиях, производство электронных компонентов в России постоянно растет, – подчеркивает генеральный директор холдинга «Росэлектроника» Андрей Зверев. – При этом мы присутствуем на мировом рынке компонентов. Но вот что странно: отечественный военно-промышленный комплекс при таких условиях лишь на 60% обеспечен отечественными компонентами. В гражданском же секторе отечественный производитель и вовсе присутствует лишь на несколько процентов. Уровень развития профессиональной электроники в будущем будет в значительной степени определять конкурентоспособность российской промышленности, эффективность работы социальной сферы и национальную безопасность».
Состояние рынка
В самом деле, производство электронных компонентов всех видов сейчас является одним из самых высокоприбыльных секторов экономики. Мировой рынок электронной компонентной базы оценивают в 483 млрд долл. В 2011 году объем мирового рынка радиоэлектроники составил более 2 трлн долл. Правда, доля специальной радиоэлектроники составляет лишь 7% мирового промышленного производства. Но зато именно в этом сегменте мы, как ни странно, до сих пор обладаем уникальными технологиями.
В частности, речь идет о мощной вакуумной и твердотельной СВЧ-электронике, без которой немыслимы современное вооружение и космическая техника. Производят СВЧ-электронику всего шесть государств, Россия в том числе. То есть мы говорим об очень узком круге производителей – даже более узком, чем клуб атомных держав.
«Конечно, в начале 90-х годов российская электроника серьезно теряла свои позиции и наработки именно из-за того, что были сокращены оборонные заказы, – напоминает эксперт. – Но тем не менее у нас есть серьезные научно-технические заделы и достижения, которые позволили сохранить позиции в таких наукоемких областях. К ним, например, помимо СВЧ-электроники, относятся алгоритмизация обработки информации и сигналов для военной электроники, радиационно стойкая ЭКБ, новые энергосберегающие технологии светотехники на основе полупроводниковых светодиодов, приборы для тепловизионной техники».
Приходится констатировать, что отечественный рынок электронных компонентов для военной и аэрокосмической техники падал довольно долго. За 15 лет (начиная с 1991 года) общее количество предприятий и организаций отрасли сократилось вдвое. Износ технологического оборудования достиг 53%. Какие-либо значимые государственные инвестиции в отрасль фактически отсутствовали. Спад удалось преодолеть только к 2006 году.
Уже в 2007 году благодаря возобновлению оборонзаказа рост отечественного рынка составил 10% и сразу приблизился к 230 млн долл. При этом объем производства продукции предприятий ОПК увеличился сразу на 6%. И продолжает расти ежегодно почти на 15%. Однако доля инновационной продукции в общем объеме рынка растет довольно медленно. Сейчас она составляет всего около 7%. Чем, вероятно, объясняются и более чем скромные возможности российских предприятий в поставках высокотехнологичной отечественной продукции на мировой рынок. Пока доля российского рынка не превышает 0,3%.
«Модернизация отечественной электронной отрасли, безусловно, одна из приоритетных задач промышленного развития России, – отмечает первый заместитель председателя Комитета Госдумы РФ по промышленности, первый вице-президент Союза машиностроителей России Владимир Гутенев. – К сожалению, мы отстаем в производстве современных чипов и микросхем, без которых немыслима современная электроника. В ней до сих пор действуют ГОСТы 70-х годов! Естественно, говорить об их соответствии современным технологическим требованиям не приходится! Так что модернизация отрасли – важнейшая задача, от решения которой зависит как развитие высокотехнологичных отраслей промышленности, так и создание новейших образцов вооружений».
Какими могут быть механизмы вывода отрасли на конкурентоспособные позиции мирового рынка?
Хочешь мира – готовь электронику
Главным двигателем развития отрасли может и должен стать государственный оборонный заказ. К счастью, осознание такой необходимости есть. Отечественная оборонка «задышала» с принятием государственной программы вооружения на 2011–2020 годы, объем финансирования которой составляет 20 трлн руб. Очевидно, что современное вооружение – это прежде всего высокие эксплуатационные характеристики. И здесь как нигде важно, чтобы эти характеристики обеспечивались компонентами отечественного производства.
«У России есть свои национальные интересы, в первую очередь – в сферах безопасности и технологической независимости. Отстоять их, не имея собственной электронной промышленности, невозможно, – уверен Михаил Ремезов, председатель президиума Экспертного совета Военно-промышленной комиссии. – Как мы можем быть уверены в микросхемах импортного производства? Что может обезопасить нас от несанкционированного вмешательства в топологию оборудования, если «начинка» его – сплошь иностранная? Поэтому, конечно, последние решения по развитию отечественного ОПК следует рассматривать только с положительной стороны. Тем более что с 1 января 2014 года, как мы помним, в законную силу вступает закон о федеральной контрактной системе, по которому до 15% будет увеличена доля участия малого бизнеса в госзакупках. Шансы на эффективное импортозамещение в электронике сегодня во многом связаны именно с предприятиями малого и среднего бизнеса».
Следует отметить, что еще как минимум четыре федеральные целевые программы разработаны и уже действуют с учетом нужд российской электроники: «Развитие ОПК», «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники на 2008–2025 годы», «Разработка, восстановление и организация производства материалов малотоннажной химии» и «Поддержка, развитие и использование системы ГЛОНАСС на 2012–2020 годы».
Однако замыкаться на одних только внутренних задачах нельзя. Современные электронные технологии могут развиваться только при условии постоянного взаимопроникновения достижений самых разных производителей. «Инновационное развитие возможно только при открытой модели предприятия, – уверен Андрей Зверев. – Это понимают и принимают все больше организаций с мировым именем. И они все чаще прибегают к созданию таких открытых моделей производства, при которых организация плотнее взаимодействует с внешними контрагентами и вовлекает их в свои бизнес-процессы. Принцип открытых инноваций должен стать приоритетным для предприятий отрасли. Более гибкой должна становиться политика в отношении управления результатами НИОКРов. Это жизненно важно для того, чтобы иметь шансы выходить на мировой рынок и закреплять там свои позиции».
Новые Электроники
Конечно, любые меры могут оказаться безуспешными, если в электронику не придут молодые, перспективные ученые, инженеры и рабочие. Вообще кадровая проблема – одна из основных для отрасли.
«Российской электронике действительно не хватает квалифицированных специалистов, – подтверждает и Владимир Гутенев. – На мой взгляд, это один из основных сдерживающих факторов развития отрасли. К сожалению, реальность такова, что через 3–4 года в случае, если в электронику не начнут приходить квалифицированные кадры, обученные на современных технологиях, начнется необратимый спад отрасли. У нас есть все для того, чтобы не допустить подобного. В России по-прежнему существует школа подготовки высококлассных специалистов на базе уникальной политехнической системы образования. И она до сих пор приносит результаты».
Как наиболее востребованные сегодня называют такие специальности, как разработчики сверхбольших интегральных схем (СБИС) и систем на кристалле (СНК). Спрос на их услуги чрезвычайно высок. Однако предложение от российских вузов на подготовленные кадры не удовлетворяет спрос производственников.
Некоторые иностранные эксперты, изучавшие российский рынок электроники, уверены, что отечественной отрасли не выжить без создания специальных центров подготовки кадров на предприятиях. Если этого не сделать, то процесс заказного проектирования также может сильно затормозиться, а через пару-тройку лет и вовсе обрушиться.
Наконец, еще одним серьезным препятствием на пути развития отечественной электроники считается острейший дефицит молодых амбициозных предпринимателей и менеджеров среднего и верхнего звена для инновационного развития отрасли. Их отсутствие делает невозможной реализацию даже самых перспективных отраслевых проектов, востребованных рынком продукции и услуг. Решить эту задачу возможно только при самом активном участии государства через систему поддерживающих программ и стимулирующих грантов.
Руслан Николаевич Пухов – директор Центра анализа стратегий и технологий.

ОЭЗ «Зеленоград» к 2013 г.: проблемы резидентов и государственное строительство


Юрий Васильев, руководитель особой экономической зоны «Зеленоград», рассказал о строительстве «чистых комнат» для резидентов, освоении 45-нм технологии, о взаимодействии с Минэкономразвития и «штрафниками», о «капризах» Plastic Logic и других интересных вопросах деятельности ОЭЗ.
Что завершено и что не удалось выполнить в 2012 году, как идёт строительство на площадке Алабушево, почему резидентам ОЭЗ не хватает электромощностей и что в ближайшем будущем ожидает тех из них, кто до сих пор не реализовал свои планы — на эти и другие вопросы Zelenograd.ru ответил Юрий Васильев, руководитель особой экономической зоны «Зеленоград».
Ревизия резидентов
— Вы вызываете тех резидентов ОЭЗ, к которым есть вопросы?
— Да. Поясню: у меня, как руководителя филиала ОАО «Особые экономические зоны», нет полномочий расторгать соглашения с этими компаниями, выгонять их из резидентов и т.д. Их соглашения о ведении технико-внедренческой деятельности подписаны с Министерством экономического развития. Проводить проверку их деятельности я тоже не имею права, такие проверки проводит Минэкономразвития (МЭР). Наша роль — «глаза и уши», организационная помощь министерству в этих вопросах; мы должны мониторить своих резидентов, находить места, которые вызывают вопросы, указывать на них и помогать министерству на них реагировать.
— Компании обязаны предоставлять такие документы в Минэкономразвития?
— Нам — нет, а в министерство обязаны, но есть такая практика: если компания отказывается предоставлять их нам, значит уже что-то не в порядке. Мы, не чувствуя их «под кончиками пальцев», сигнализируем об этом. Если компания реально что-то делает, не в ее интересах скрывать это, просто нет смысла.
— Минэкономразвития собирается проводить некую ревизию резидентов?
— Мы договорились с Шароновым и Савельевым: сейчас через Наблюдательные советы мы заслушиваем эти компании... На практике они разделились на несколько групп. Первая группа — это компании, к которым действительно много вопросов, и которые мы не в первый раз вызываем, но они не являются вообще, вторая группа компаний — те, которые являются на Наблюдательные советы, из них большая часть говорит: «Нам нужно время, мы готовы обновить бизнес-план, актуализировать его к следующему Наблюдательному совету, мы представим новый график нашей работы». Так уже заявляло несколько компаний; мы даем им передышку, чтобы они осмыслили план работ на 2013-2014 годы и четко нам его заявили.
— В первой и второй группах сколько компаний, о каком количестве «штрафников» идёт речь?
— В списке тех, кого хочется заслушать — 15-20 компаний. Всего сейчас у нас 35 резидентов, из них 25 будут строиться. Из «офисных» есть компании, которые уже арендуют площади на территории ЗИТЦ; есть те, которые в рамках холдинговых структур будут арендовать площади у других компаний, которые должны построиться, и тут они от нас не зависят. Также есть очень небольшая часть «офисных» компаний, которые должны арендовать те офисы, что строим мы, и тут как раз наоборот: мы немного затягиваем с этим, и здесь не их вина. Мы помогаем им найти временные офисы, чтобы как-то решить их проблемы... Вообще у нас есть такая практика — мы мониторим офисные площади промышленного назначения в Зеленограде, потому что как действующие, так и множество потенциальных резидентов, понимая, какие сроки...
— ...ищут что-то временное?
— Да, и просят нас помочь. Для нас это очень важно — как можно быстрее закрепить их за Зеленоградом, а для резидентов, которые страдают от того, что мы пока еще что-то не построили, мы таким образом хоть как-то свою миссию выполняем.

Система поставок электронной индустрии борется с производителями контрафакта


В этой статье Джеф Хил (Geoff Hill), управляющий директор Astute Electronics, изложил свой взгляд на угрозу контрафактной продукции.
Контрафактное производство электронных компонентов - это реальная и непрекращающаяся угроза для электронной отрасли. Это не может быть ни для кого сюрпризом, но, очевидно, имеются существенные отличия в том, как различные OEM-производители и даже различные географические регионы противостоят этой проблеме.
В США, со всеми полномочиями федерального правительства, подготовившего секцию 818 Закона о национальной обороне (NDA), эта тема для всех была вынесена первым пунктом повестки дня. Однако, это привело к недостаточной гибкому подходу в логике работы системы поставок - из-за разделения дистрибьюторов по таким категориям, как привилегированные, авторизованные, независимые и агенты. Таким образом накладывая ненужные ограничения на методы работы цепочек поставок, классифицируя их больше, чем саму продукцию.
Аудиты и политики открытой книги - это методы развития, позволяющие и поставщику, и заказчику учиться и развиваться с одной скоростью, и создавать деловые отношения, основанные на доверии, используя опыт обеих сторон.
В Великобритании, где правительство отдало этот вопрос на откуп индустрии, по моему мнению, проблема не получила достаточного внимания и приоритета, которого она заслуживает. На современный взгляд, стандарт AS6081 уже потенциально устарел (например, редакция Rev.A находится в процессе разработки) и не позволяет продвинуться далее в битве с контрафактом. Великобритания должна не упустить инициативу и возможность влиять в мировом масштабе, с помощью отбора поставщиков и условий соглашений, а правила торговли должны быть однозначными и основанными как минимум на таких критериях:
стандарт ISO9001;
стандарт AS9100/AS9120;
расширенный период гарантии, минимум один год (обязательно по AS6081);
глубокий аудит перед утверждением поставщика с использованием стандарта ARP 6178;
>приложение отчета о полном тестировании для каждого продукта, поставленного без истории его происхождения;
если дистрибьютор проводит аутсорсинг с тестовой лабораторией, он должны уметь продемонстрировать факт прохождения аудита тестирующей лабораторией (AS6081 / AS6171);
должно быть разрешено значительное финансирование для надежных, длительных инвестиций.
Связь между моральным старением и контрафактными компонентами очевидна. Моральное старение все также будет главным препятствием для электронной отрасли, особенно для высоконадежных военных и аэрокосмических платформ, где есть длительные сроки разработки от концепции до производства. К тому же, средний жизненный цикл полупроводников составляет 5-7 лет и имеется необходимость увеличения периода жизни существующих программ. Так что эта проблема останется.
Привлечение производственных партнеров, ориентированных на широкий ассортимент, мелкосерийное и высоконадежное производство - единственный путь упредить проблемы морального устаревания. К тому же, организация поддержки в течение всего жизненного цикла, либо использование программного обеспечения, подобного IHS, или аутсорсинг для компаний, которые могут обеспечить такой сервис, позволит создать возможности для перепроектирования в будущем или принять решение о последней закупке. Однако всегда будет существовать необходимость купить продукт на сером рынке.
Используя недавно принятые стандарты, такие как AS5553A и AS6081 (принятые министерством обороны в практическую деятельность), компании могут применять программы смягчения требований, которые поддаются аудиту и могут обеспечить доверие заказчиков и правительства.
Обеспечивая качество и одновременно партнерские отношения в поставках, можно установить такие процедуры и методики для всех организаций, которые обеспечат путь к отбору новых поставщиков в соответствии с режимами тестирования, требуемыми для верификации заказанного продукта.
Механизмы информирования о несоответствующей продукции дают индустрии сведения о подозреваемых комплектующих и поставщиках.
Точные критерии отбора (включая базы данных отрасли), основанные на качестве, позволят только проверенным и утвержденным поставщикам принимать участие в закупках продукции без отслеженной истории (основной источник контрафактной продукции).
Тестирование, проведенное компетентным и информированным персоналом, обеспечит верность результатов и передачу отчетов. Планируемые на будущее стандарты, такие как AS6171 (методы тестирования), обеспечат появление стандартизированных процедур.
Принятие правительством и промышленностью стандартов AS или недавно опубликованной программы IECQ CAP и их последующее выполнение в системе поставок можно считать первым шагом по защите этой критической сферы.
Благодаря стандартам SAE, позволяющим смягчить требования к другим сферам системы поставок, таким как франшизная дистрибуция, для отрасли будет доступен целый пакет методов снижения риска.
Тестирование в лаборатории дистрибьютора Astute
Например, объем продукции, который проходит через тестовые лаборатории дистрибьютора Astute, соответствует 18% продукции с неотслеженной историей. Следовательно, 82% составляет продукция с отслеженной историей, которая заказана прямо у производителя.
Инвестиции в системы тестирования и контроля касаются только 18% объема поставок, и чтобы удержать стоимость, бизнесу необходимо постоянно развивать услуги и увеличивать их добавочную стоимость.
Чтобы увеличить доходы, необходимые для оправдания этих инвестиций, компания создала подразделение электромеханического бизнеса, в первую очередь для поддержки аэрокосмической и оборонной отраслей.
Мы также ищем возможность приобрести новые линии франшизы, а эксплуатационная команда инженеров будет сформирована к концу этого года.
Источник: Electronics Weekly

Экспорт по-русски. Особенности внешнеэкономической деятельности российских производителей микроэлектроники


Несколько последних десятилетий экспорт сырья является основным и доминирующим источником наполнения государственного бюджета России. В сегменте продаж hi-tech- продукции только продажа оружия дает стабильное, не снижающееся поступление валюты в страну. Российская микроэлектроника, как и многие другие высокотехнологичные отрасли, в мировом объеме занимает 0,5–1,5% рынка и вряд ли улучшит эти показатели в ближайшие годы. Просто ли вести экспортно-импортный бизнес в микроэлектронике России?

Одним из наиболее важных показателей, характеризующих конкурентный уровень страны, ее производителей и конкретный тип продукта, является доля экспорта в общем объеме выпускаемой продукции. Чем более высокотехнологичной является экспортируемая продукция, тем большее значение приобретает этот показатель в оценке ее конкурентоспособности.

Будущее технологий изготовления ИС: битва между Intel, IBM и ST


Будущее технологических процессов остается открытым при наличии трех возможных вариантов: FinFET на монолитной подложке, FinFET на кремнии-на-изоляторе (SOI), планарный FD-SOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе.
Так считает Асен Асенов (Asen Asenov), профессор электроники и электротехники в Университете Глазго и директор Gold Standard Simulations, ведущей компании в области статистической нестабильности КМОП.
«Идет битва между Intel и IBM – между SOI FinFET и монолитной FinFET технологиями, – сказал Асенов. – В то же время, планарная технология FD-SOI компании ST предлагает очень хорошее решение с малым потреблением. FD-SOI имеет преимущества с точки зрения простоты».
Недавно Асенов предоставил специальный доклад о применимости техпроцессов на ежегодной конференции по автоматизации проектирования DAC.
FD-SOI – надежда европейской микроэлектроники
«Основной проблемой FD-SOI является отсутствие достаточной инфраструктуры. С точки зрения экосистемы, нет достаточного количества людей, – добавил Асенов. – Все интересуются FinFET, потому что это делает Intel. Я думаю FD-SOI – это очень хорошее техническое решение. Вы можете сократить энергопотребление с помощью обратного смещения – FinFET нечувствительны к обратному смещению, – а FD-SOI имеет очень хорошую восприимчивость к обратному смещению».
Развитие FD-SOI зависит от STMicroelectronics. ST производит 28-нм FD-SOI подложки в г. Кроль (Франция) в количестве менее 2000 пластин в месяц, но она уже передала производственный процесс на фабрику Globalfoundries в Дрездене. Также ST намеревается лицензировать технологию, чтобы расширить экосистему FD-SOI.
«ST находится в очень благоприятной ситуации, она имеет хорошие отношения с SOITEC и LETI, – сказал Асенов, – Французское правительство закачивает туда деньги».
В рамках программы Places2Be стоимостью 100 млрд долл., объявленной вице-президентом Евросоюза Нили Кроэс (Neelie Kroes) в прошлом месяце, ЕС вложит 360 млн евро для поддержки производств в Дрездене и Кроле. Половина бюджета ST на исследования и разработку, около 300 млн долл., тоже будет направлена на развитие FD-SOI.
Это является жизненной необходимостью для Европы как экономического сообщества, полагает Асенов: «Если у нас не будет передовой полупроводниковой промышленности, то мы станем страной третьего мира. Для Европы очень важно проснуться и осознать, что полупроводниковая технология – это технологическая основа всех цифровых приложений».
IBM против Intel за FinFET
Что касается соперничества IBM–Intel между монолитной FinFET и FinFET на SOI, Асенов указывает, что эта битва другой экосистемы. Монолитная технология имеет большую экосистему, а SOI – значительно меньшую.
Очевидно, что монолитные FinFET имеют трудности, потому что Intel отказалась от идеальной прямоугольной формы ребер, перейдя на трапецеидальные ребра, что снижает быстродействие ИС на этом техпроцессе на 15%.

«Рассмотреть FinFET-транзисторы Intel довольно сложно», – говорит Асенов.
Фотографии трех FinFET-транзисторов Intel, полученные с помощью просвечивающего электронного микроскопа с наложением области от статистического 3D-атомного симулятора GARAND
Intel не сказала, почему она перешла на трапецеидальную форму, но Асенов имеет свое мнение:
«В монолитной FinFET-технологии вам необходимо вытравливать ребра, – сказал Асенов. – Чтобы обеспечить изоляцию, нужно вытравить ребро и затем продолжить углублять канавку в кремнии, которая вдвое-втрое глубже высоты ребра. Также осаждение оксида с высоким К может быть легче с трапецеидальным ребром».
«По сравнению с прямоугольным ребром, трапецеидальное ребро Intel дает меньшее на 15% быстродействие при той же высоте и ширине», – сказал Асенов.
Однако IBM, используя SOI FinFET, показала, что может лучше приблизится к идеальной прямоугольной форме.
«IBM показала, что они могут добиться лучшей формы, – сказал Асенов. – На вершине ребра имеется некоторое закругление, потому что при идеальной прямоугольной форме иногда возникает высокая напряженность электрического поля, что может привести к проблемам с надежностью».
Тогда почему Intel не переходит на SOI?
«Intel перешла на более сложную технологию, потому что она боится стать зависимой от одного поставщика SOI-подложек – SOITEC, – ответил Асенов. – К тому же Intel беспокоят объемы поставок подложек, которые она сможет получить от SOITEC».
«SOITEC понимает проблему Intel и лицензировала технологию другим компаниям, и ситуация с поставками SOI стала лучше», – заявил Асенов.
Кроме Globalfoundries, другие фаундри не перешли на SOI. На вопрос почему, Асенов ответил: «Производство SOI FinFET дешевле, чем монолитной FinFET, но SOI-подложки значительно дороже, и поэтому если фаундри переходит на SOI, она должна отдать часть своей прибыли производителю SOI. Поэтому монолитная технология лучше для фаундри компаний, и поэтому они переходят на монолитный техпроцесс 16 нм и 14 нм. Однако SOI имеет преимущество. Для фаундри-производителей главной целью является не наилучшее техническое решение, а решение, которое производит наибольшую прибыль–.
Поэтому битва за будущее производственного процесса складывается так: SOI FinFET против FD-SOI.
Технология FD-SOI здесь является плохо предсказуемой, потому что это европейское решение, в то время как Америка переходит на FinFET.
Однако FD-SOI хорошо масштабируется
«28-нм FD-SOI-техпроцесс предоставляет на 30% лучшее быстродействие, чем 28-нм монолитный техпроцесс, – заявляет главный инженер и директор по маркетингу ST Жан-Марк Чери (Jean-Marc Chery). – 14-нм техпроцесс дает еще 30% повышения быстродействия при том же напряжении питания, 50% снижения энергопотребления на той же частоте и 40% уменьшения площади кристалла».
Эти показатели могут быть улучшены с помощью смещения. Прямое смещение активной области на 14-нм FD-SOI-техпроцессе дает еще 15% быстродействия при том же рабочем напряжении; обратное смещение «тела» снижает энергопотребление еще на 10% при той же частоте. Смещение, однако, неприменимо к FinFET.
На данный момент стоит задача получить готовый для прототипов заказчика 14-нм FD-SOI-техпроцесс во втором квартале 2014 г.
14-нм проектировочный набор PDK уже готов, 14-нм IP будет готова к концу этого года, 14-нм тестовые носители для определения качества процесса запланированы к концу года.
«Мы должны подготовить 14-нм FD-SOI-техпроцесс до того, как кто-нибудь получит 14-нм FinFET», – сказал Чери.
Чери ожидает, что сложность и дороговизна FinFET-технологии отпугнет заказчиков, желающих получить недорогой и более простой техпроцесс.
Источник: Electronics Weekly

Кремниевая фотоника в центре внимания на международной конференции OFC/NFOEC


В этом году Международная конференция и выставка оптоволоконных систем связи, объединенная с Национальной конференцией инженеров оптоволоконных систем (OFC/NFOEC), посвящена технологии 100 Гб/с с новыми видами приемопередатчиков и процессоров.
В этом году мартовская конференция
OFC/NFOEC (Международная конференция и выставка оптоволоконных систем связи/Национальная конференция инженеров оптоволоконных систем), прошедшая в США, была посвящена технологии 100 Гб/с с новыми видами приемопередатчиков и процессоров, соревнующихся за право вывести на рынок высокоскоростные сети с наименьшими возможными стоимостью и энергопотреблением. Трехдневная выставка, прошедшая в рамках пятидневной объединенной конференции с более чем 800 презентациями, собрала более 550 экспонентов и 12 тыс. посетителей-профессионалов со всего мира
Например, Kotura упаковала свой 4х25-Гб/с кремниево-фотонный приемопередатчик в корпус QSFP (прямоугольный малогабаритный модульный), который потребляет 3,5 Вт, утверждая, что это единственный модуль такого типа, поддерживающий мультиплексирование по длине волны (WDM). Многие другие показали 100-гигабитные модули в CFP2 и других корпусах. И многие приемопередатчики соревновались за скорость 4х25 Гб/с, используя другие подходы на физическом уровне.
Applied Micro Circuits Corp. и PMC-Sierra Inc. независимо проанонсировали конкурирующие процессоры, приспособленные для обработки потоков данных на скорости 100 Гб/с. В свою очередь, Broadcom Corp. показала интегрированные оптические устройства со скоростью передачи данных до 120 Гб/с, включая экономичный 100-Гб/с передатчик большой дальности действия.
Более 10 компаний приняли участие в демонстрации в 4х25-Гб/с версии 100-гигабитного оборудования (смонтированного силами организации Optical Internetworking Forum), использующего множество модулей, включая и CFP2 и QSFP28. В число участников входят: Altera, Broadcom, Finisar, Fujitsu, Inphi, Luxtera, Molex, Oclaro, Semtech, Xilinx и Yamaichi Electronics, использующая пробные изделия от Agilent и Tektronix.
Некоторое время промышленность будет выпускать относительно дорогие, «прожорливые» 100 Гб/с продукты, основанные на десяти 10 Гб/с каналах. Сегодня большим прорывом является уменьшение размеров и энергопотребления продуктов, которые используют связку из четырех новых 25-Гб/с каналов.
100-гигабитные каналы имеют множество применений в магистральных сетях и внутри дата-центров, одинаково жаждущих большей полосы пропускания в условиях бума мобильного Интернета. По мнению одного из экспертов рынка, продажи приемопередатчиков Ethernet 100 Гб/с должны вырасти от 144 млн долл. в 2012 г. до почти 700 млн долл. в 2017.
«Взрывной рост пакетного трафика, прогнозируемый от облачных услуг, домашнего широкополосного доступа и мобильных транспортных сетей, заставляет China Mobile инвестировать в расширение нашей оптической транспортной сети для поддержки 100 Гб/с», – сказал Билл Хуанг (Bill Huang), генеральный директор группы исследований и разработки в China Mobile, наибольшего в мире мобильного оператора.
В заявлении для прессы от fabless-компании PMC-Sierra Хуанг призвал поддержать стандарт пакетной обработки данных в оптических транспортных сетях (OTN). «Для наибольшей отдачи наших инвестиций нам необходимы OTN-решения... и поэтому мы экономически можем внедрить 100 Гб/с и оптическую коммутацию в широком масштабе», – сказал он.
100-гигабитные компоненты появляются и начинают захватывать рынок. На OFC/NFOEC была возможностью увидеть реальные, работающие, готовые к производству 100-гигабитные оптические устройства, подчеркнул Крис Коул (Chris Cole) из Finisair, участник группы поддерживающей модули CFP2.
Заглядывая в будущее, AT&T представила доклад о своей работе по передаче сигналов со скоростью 400 Гб/с через свою оптическую сеть 100 ГГц. Отдельная группа IEEE уже начинает работу над версией Ethernet 400 Гб/с.



Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014