ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 17(899) от 20 мая  2011 года



Dell увеличила прибыль в 2,8 раза


Прибыль Dell в I квартале 2011-2012 финансового года, который закончился 29 апреля 2011 г., выросла в 2,8 раза - до $945 млн по сравнению с $341 млн за аналогичный период прошлого финансового года. Такие сведения содержатся в финансовом отчете компании.
Прибыль в расчете на акцию по Non-GAAP составила 55 центов. Аналитики, опрошенные FactSet, прогнозировали 43 цента.
Выручка Dell за отчетный период составила $15,02 млрд. Аналитики ожидали увидеть $15,4 млрд.
По сравнению с прошлым годом последний показатель почти не изменился. В I квартале 2010-2011 финансового года выручка была зафиксирована на отметке в $14,87 млрд. Таким образом, рост за год составил всего 1%. При этом продажи в потребительском подразделении снизились на 7%.
www.cnews.ru/18.05.2011


HP разочаровала аналитиков низкими ожиданиями


Квартальная прибыль Hewlett-Packard выросла по итогам II квартала 2010-2011 финансового года (февраль-апрель) до $2,30 млрд. Представленный показатель оказался всего на $100 млн (5%) выше, чем за тот же период прошлого года, что оказалось чуть лучше ожиданий рынка, сообщает РБК.
Выручка HP за указанный период выросла на 2,5% до $31,63 млрд. При этом продажи одного из основных подразделений - по производству ПК, - напротив, снизились на 5%.
Прогноз на текущий год (завершается 31 октября 2011 г.) был скорректирован в худшую сторону и разочаровал аналитиков: теперь выручка ожидается на уровне $129-130 млрд при прибыли на акцию в размере $5. Прежний прогноз подразумевал, что выручка будет в диапазоне $130,0-131,5 млрд, а прибыль на акцию - на уровне $5,20-5,28.
В HP пояснили, что новый прогноз учитывает последствия землетрясения в Японии и жесткие условия на рынке персональных компьютеров.
Акции  HP в понедельник (16.05.11) рухнули на 4% после того, как стало известно, что компания ожидает сложный для своего бизнеса период и может не оправдать ожиданий аналитиков относительно квартальной прибыли. Поводом для этих выводов стал призыв нового гендиректора компании Лео Апотекера "экономить каждый пенни".
В понедельник СМИ распространили письмо, которое г-н Апотекер направил своим подчиненным, в нем он предупреждает о том, что компанию ждет "еще один сложный квартал". "Мы должны следить за каждым пенни и минимизировать наем сотрудников. У нас совершенно нет возможности получать выручку без прибыли или допускать какие-то необязательные расходы", - цитирует Wall Street Journal внутреннее письмо гендиректора HP. Вскоре после появления новости об этом компания сообщила, что она переносит публикацию своей квартальной отчетности на более ранний срок - с вечера среды на утро вторника.
Инвесторы восприняли эти сообщения как свидетельства того, что последний квартал снова будет неудачным для компании и ее проблемы далеки от завершения. Бумаги HP подешевели после закрытия торгов на 4%. За последние три месяца они рухнули на 17% на фоне многочисленных свидетельств о том, что ее бизнес сталкивается проблемами. Например, в квартале, завершившемся 31 января, выручка HP составила 32,3 млрд долл., не оправдав собственных прогнозов компании о том, что этот показатель будет в районе 32,8-33 млрд долл. А в феврале компания понизила свои целевые ориентиры по прибыли и выручке на весь финансовый год.
"Это продолжение проблем, которые мы в последнее время наблюдаем в HP - слабость операционных показателей и усиленный контроль за издержками", - цитирует Bloomberg аналитика Gleacher & Co Брайана Маршалла. Аналитики прогнозируют, что за квартал, завершившийся в апреле, HP покажет прибыль 1,21 долл. на акцию при выручке в 31,5 млрд долл. Если компания не оправдает этих ожиданий, это станет серьезным ударом по Лео Апотекеру, возглавившему компанию после отставки его предшественника на фоне громкого сексуального скандала.
www.cnews.ru/18.05.2011


Sony полностью восстановит работу PlayStation Network к 31 мая


Японская корпорация Sony обещает полностью восстановить работу интерактивной сети развлечений PlayStation Network, работа которой было нарушено в результате хакерской атаки, к 31 мая, сообщает Reuters.
По данным компании, в качестве компенсации из-за остановки работы сервиса Sony Online Entertainment пользователи получат бесплатное игровое время. Кроме того, в Sony отмечают, что для надзора за безопасностью работы сетей компании назначен главный информационный специалист.
15 мая компания начала восстановление работы игровой сети PlayStation Network.
В середине апреля на популярные игровые сети Sony были совершены две кибератаки. В результате взлома корпорация потеряла данные свыше 100 миллионов пользователей. По данным главы некоммерческой организации Cyber Consequences Unit Джона Баумгарнера, сервера Sony по-прежнему остаются уязвимыми для хакеров.
www..astera.ru/16.05.11



IHS повышает прогноз относительно рынка мобильных телефонов с NFC


Рынок сотовых телефонов, оснащенных функцией NFC (near field communication) для осуществления мобильных платежей, вырастет с 50 до 550 млн шт. за период 2010–2015 гг., считают аналитики агентства IHS iSuppli. Эта компания повысила свой прогноз относительно рынка технологии NFC, приняв во внимание недавние действия операторов мобильной связи США.
По информации от IHS iSuppli, ежегодное увеличение спроса примерно на 100 млн телефонов, начиная с 93,2 млн шт. в 2011 г., будет обусловлено недавно достигнутым соглашением между тремя основными операторами США о партнерстве с ведущими компаниями, выпускающими кредитные карточки.
Операторы сотовой связи AT&T, Verizon и T-Mobile заявили о том, что станут работать с Visa и MasterCard в рамках совместного предприятия Isis для реализации системы мобильных платежей на базе технологии NFC. Система Isis позволит безопасно хранить данные кредитной карточки на сотовых телефонах и использовать NFC как протокол связи для осуществления финансовых операций.
Инициатива Isis, а также усилия Google по разработке системы мобильных платежей с помощью смартфонов с ОС Android заставили аналитиков IHS iSuppli пересмотреть свой прогноз относительно поставок сотовых телефонов, оснащенных NFC, в сторону увеличения. Так, например, объем поставок на этом рынке в 2011 г. увеличился с 79,8 до 93,2 млн телефонов. В 2014 г. этот показатель вырос с 220,1 до 411,8 млн шт., а в 2015 г. он составит 544,7 млн шт. Это значит, что в 2015 г. 30,5% всех сотовых телефонов будет оснащено функцией NFC.
Технология NFC позволит обладателям сотовых телефонов оплачивать проезд в общественном транспорте, приобретать билеты на самолеты или совершать покупки с помощью беспроводных терминалов. Участие Visa и MasterCard в программе Isis свидетельствует о попытке этих компаний предотвратить захват рынка мобильных платежей компанией Google, считают аналитики HIS.
Для согласования стратегии мобильных платежей с Visa и MasterCard компании Isis понадобится дополнительное время. По этой причине испытания технологии NFC были перенесены с начала 2012 г. на лето. Схожие испытания уже проходят в Ницце и девяти других больших городах Франции. В этих испытаниях принимают участие четыре местных оператора сотовой связи – Orange-France, SFR, Bouygues Telecom и NRJ Mobile.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/55724/ 17.05.2011


Новости компаний


Micron выигрывает в результате закрытия Innovative Silicon


Компания Innovative Silicon, образованная в 2002 г. и разработавшая ячейку памяти Z-RAM на основе единственного транзистора с эффектом плавающего заряда (floating-body cell, FBC), прекращает свое существование.
Майкл Ван Бускирк (Michael Van Buskirk), директор по производству Innovative Silicon, не сообщил, кто приобрел активы компании, но есть все основания считать, что одним из основных покупателей стала компания Micron Technology.
Innovative Silicon, частная фирма с венчурным капиталом, была учреждена в 2002 г. Пьером Фазаном (Pierre Fazan) и Сергеем Охониным.
Фазан, бывший технический директор и председатель правления Innovative Silicon, ныне работает менеджером по проектированию в компании Micron. Охонин, бывший главный научный сотрудник Innovative Silicon, стал учредителем компании ActLight Inc.
Технология памяти Z-RAM основана на использовании более дорогостоящих подложек КнИ (silicon-on-insulator – кремний на изоляторе), чем объемные КМОП-пластины. Кроме того, Z-RAM еще не получила широкого применения в индустрии.
Компания Innovative Silicon разработала низковольтную ячейку памяти DRAM на основе эффекта плавающего напряжения на затворе транзистора. По словам Вана Бускирка, изначально технология Z-RAM не была масштабируемой и не обеспечивала высокую надежность.
В 2009 г. компании Innovative Silicon и Hynix Semiconductor Inc. представили результаты совместной разработки технологии объемной памяти Z-RAM на симпозиуме VLSI Technology Symposium, а в 2010 г. эти компании выступили на том же мероприятии с докладом о ячейке памяти Z-RAM с использованием эффекта плавающего напряжения на вертикальном двойном затворе транзистора.
Неизвестно, какая из двух компаний – Micron или Hynix – продолжит работу по совершенствованию этой технологии.
Источник: EETimes
Компания Innovative Silicon получила 47 млн долл. в качестве венчурного капитала. Похоже, что права на ее патенты перешли компании Micron.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/55721/ 17.05.2011


SanDisk покупает разработчика твердотельных дисков


Компания SanDisk объявила об окончательном соглашении о приобретении Pliant Technology – разработчика твердотельных дисков (SSD) – приблизительно за 327 млн долл.
В настоящее время Pliant продает твердотельные диски SAS для предприятий. Деятельность компании также связана с разработкой PCIe-решений для высокопроизводительных серверов для вычислений.
Сделка, одобренная советами директоров обеих компаний, должна пройти обычную в таких случаях процедуру закрытия компании, которая завершится к концу второго финансового квартала.
Эта сделка расширит возможности SanDisk за счет нескольких OEM-партнеров Pliant, в т.ч. компаний Dell, LSI и Teradata. В 2009 г. Pliant заявила о финансировании в объеме 15 млн долл. со стороны таких инвесторов как Menlo Ventures, Lightspeed Venture Partners, Arcturus Capital и Divergent Ventures.
В прошлом году Pliant пополнила продуктовую линейку Lightning двумя новыми запоминающими NAND-флэш устройствами на основе MLC (multi-level cell – многоуровневая ячейка).
Недавно компания SanDisk объявила финансовые результаты I кв., завершившегося 3-го апреля 2011 ф.г. Совокупный доход в 1,29 млрд долл. увеличился на 19% по сравнению с прошлым годом и на 3% снизился по сравнению с предыдущим кварталом. Чистый доход по принципам учета ГААП составил 224 млн долл., тогда как в 2010 г. этот показатель достиг 235 млн долл., а в IV кв. 2011 г. – 485 млн долл.
SanDisk и Toshiba недавно заявили о создании 64-Гбит монолитного кристалла X2 (2 бита на ячейку памяти), произведенного по норме 19 нм – самой передовой NAND-технологии в мире.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/55722/ 17.05.2011


Сделка между AMD и ARM бессмысленна


ARM Holdings пытается убедить компанию Advanced Micro Devices, давнишнего конкурента Intel, получить лицензии на ARM-процессоры для использования их вместо процессоров с архитектурой х86.
Однако такое предложение не может считаться целесообразным для AMD, считает Ханс Мосесман (Hans Mosesmann), аналитик Raymond James & Associates.
До тех пор пока в AMD не появится новый президент, такие стратегически важные решения как переход на процессоры ARM, приняты не будут. Кроме того, едва ли AMD сможет повысить привлекательность продукции ARM за счет добавленной стоимости.
В прошлом году пост президента AMD покинул Дирк Мейер (Dirk Meyer). Томас Зайферт (Thomas Seifert), финансовый директор и старший вице-президент этой компании, был назначен временным исполняющим обязанности главы AMD.
В докладе Мосесмана приводится мнение Найджела Дессо (Nigel Dessau), старшего вице-президента и главного директора по маркетингу AMD, о том, что его компания рассматривает рынок планшетных компьютеров как сегмент устройств с ультранизким потреблением. Учитывая, насколько этот сегмент мал на текущий момент, AMD войдет на него позже с масштабируемыми процессорами Fusion.
Гораздо больший интерес AMD проявляет к сегментам серверов для облачных вычислений и центров обработки данных (ЦОД), куда эта компания станет поставлять ядра Bulldozer. По мнению Мосесмана, едва ли кристаллам Bulldozer удастся потеснить конкурирующую продукцию, несмотря на то что они придут на смену процессорам Opteron и могут найти широкое применение в приложениях для ЦОД.
В прошлом году AMD впервые представила процессоры Bulldozer, которые предназначены для использования во многих системах, начиная с ноутбуков и заканчивая самыми современными серверами. Эти процессоры появятся в конце 2011 г. Некоторая задержка с их производством на фабрике GlobalFoundries связана с тем, что первыми устройствами семейства Fusion станут 32-нм кристаллы Llano с центральным процессором x86 и встроенным графическим ядром. Это первые процессоры AMD, которые будут выпускаться с применением материалов, имеющих высокое значение диэлектрической константы (high-k), а также транзисторов с металлическим затвором.
Мосесман считает, что сами по себе кристаллы Llano едва ли найдут успешное применение в коммерческих ПК и в серверах, хотя они и являются во многом необходимым решением, восполняющим пробел в ассортименте продукции AMD.
Куда более вероятным станет спрос на процессоры Llano в том сегменте рынка, где уже появились кристаллы Sandy Bridge Core i3 и, возможно, часть кристаллов Core i5 компании Intel. Это произойдет благодаря тому, что параметры встроенных графических процессоров Llano превосходят параметры графики Sandy Bridge.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/55776/ 18.05.2011


Наука и технологии


Тактовую частоту можно повысить за счет нового физического явления


Исследователи из Массачусетского технологического института (МТИ) и их коллеги из немецкого Университета Аугсбурга сообщили об открытии нового физического явления, которое позволит значительно увеличить емкость транзисторов, что, в свою очередь, повысит тактовую частоту или вычислительную мощность устройств.
Предметом исследования стал алюминат лантана, состоявший из чередующихся слоев оксидов лантана и алюминия. Лантановые слои несут небольшой положительный, а алюминиевые – отрицательный заряды. В результате сложения электрических полей между верхней и нижней частями структуры создается потенциал.
Алюминат лантана и титанат стронция считаются отличными изоляторами, которые не проводят электрического тока. Однако достаточно толстый слой алюмината лантана его электрический потенциал нарастает до величины, позволяющей электронам перемещаться с верхней части структуры к нижней. В результате в месте соединения структуры с титанатом стронция возникает проводящий канал, что во многом напоминает процесс включения транзистора.
Инженеры измерили емкость между этим каналом и электродом затвора в верхней части структуры алюмината лантана. Учитывая, что полученные результаты были отчасти ограничены возможностями экспериментального оборудования, был сделан вывод о том, что незначительное изменение напряжения может привести к протеканию большого заряда по каналу между этими двумя материалами.
К удивлению исследователей, было установлено, что этот канал работает при комнатной температуре. При этом емкость структуры настолько велика, что не поддается описанию с использованием представлений современной физики.
Нечто подобное наблюдалось в очень чистых полупроводниковых структурах, однако этот эффект был очень незначительным. Напротив, несмотря на то, что экспериментальные образцы алюмината лантана и титаната стронция были загрязненными, эффект образования канала проводимости оказался весьма заметным. Возможно, исследователи стали свидетелями возникновения нового квантово-механического эффекта или неизвестного физического явления.
Несмотря на то, что по каналу между двумя материалами перемещается очень большой заряд, его скорость слишком мала для тех частот переключения, которые используются в компьютерных кристаллах. Исследователи МИТ утверждают, что более чистые образцы материалов обладают меньшим электрическим сопротивлением. Кроме того, возможно, после того как ученые поймут природу этого эффекта, им удастся его воссоздать с использованием других более распространенных материалов.
Результаты этого исследования был опубликованы на прошлой неделе в журнале Science.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/9318/doc/55723/ 18.05.2011


Производство/Фаундри


Количество заказов на 28-нм производство TSMC утроилось


Число заказов на начальном этапе производства ИС по норме 28 нм, размещенных на фаундри Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., более чем втрое превысило число заказов на аналогичном этапе изготовления 40-нм ИС.
Смартфоны и планшетные компьютеры стали теми революционными продуктами, которые обусловили взрывообразный спрос на 28-нм продукцию. На текущий момент TSMC получила 90% всех заказов от всех отраслевых компаний на производство микросхем по норме 28 нм.
Эта фаундри-компания уже поставляет 28-нм ИС нескольким клиентам. Для мобильных интернет-устройств требуются кристаллы с высокой производительностью и низким энергопотреблением. TSMC работает с использованием процессов HKMG и стандартной поликремниевой технологии на норме 28 нм. Запуск 20-нм производства намечен на вторую половину 2012 г.
TSMC не станет внедрять технологию FinFET, которая считается весьма успешной в производстве микросхем для мобильных приложений, по крайней мере, до 14 нм. Напротив, корпорация Intel недавно заявила о применении этой технологии в своем 22-нм процессе, которую называет трехзатворной (tri-gate). Серийное производство по этой технологии начнется на фабрике Intel в Чандлере во второй половине 2011 г.
Таким образом, у Intel будет преимущество по геометрическим параметрам перед TSMC примерно в год и более года – в отношении применения FinFET. Считается, что эта технология лучше, чем метод планарных транзисторов, на таких малых нормах как 20 и 22 нм.
Благодаря вертикальной интеграционной стурктуре Intel и управлению всеми аспектами проектирования, производства и контроля этой компании удалось гораздо быстрее, чем TSMC, внедрить технологию FinFET. Для этой фаундри-компании потребуется подготовить всю экосистему для перехода на FinFET, т.е. позаботиться о готовности средств проектирования, IP, комплектов разработки и т.д. 20-нм производство будет осуществляться по планарной технологии.
Взрывообразный спрос на смартфоны и планшеты позволяет TSMC рассчитывать на опережающие темпы роста в 2011 г. Так, например, TSMC полагает, что ее доходы в текущем году увеличатся на 20%, в то время как рост остальных компаний этого сегмента рынка составит 15%. В то же время, по оценкам TSMC, рынок полупроводников подрастет всего лишь на 2%.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/55710/ 16.05.2011


Разное


EDN называет победителей премии 2010 г. «За новаторское решение»


На состоявшейся недавно 21-й ежегодной церемонии вручения наград за оригинальную идею EDN Innovation Awards издательство EDN вручило премии отличившимся инженерам-электронщикам за новаторскую продукцию.
Мероприятие EDN Innovation Awards имеет особую значимость в сообществе электронщиков, т.к. победителей выбирает жюри, состоящее из отраслевых экспертов. EDN принимает заявки на участие в конкурсе на своем сайте EDN.com. Технические редакторы EDN выбирают наиболее заслуживающих, с их точки зрения, номинантов в качестве финалистов. Затем на основе голосования читателей и редколлегии EDN определяются победители конкурса.
Ниже перечислены все победители и финалисты конкурса EDN.
Стандартная прикладная продукция
Финалисты этой категории – компании Broadcom, Integrated Device Technology, Lantiq North America, Lattice Semiconductor и Mindspeed Technologies – разработали стандартные системы на кристалле, которые характеризуются сочетанием высокой вычислительной мощности, периферийных функций, аналоговых цепей и микропрограммного обеспечения, что позволяет решать специфические прикладные задачи.
Победителем в этой номинации стала компания Integrated Device Technology, которая реализовала различные технологии на одном кристалле: LVDS-контроллер синхронизации, цепь управления питанием и 4-канальный светодиодный драйвер для системы подсветки.
Аналоговые микросхемы
В эту категорию вошли следующие финалисты – производители инновационных аналоговых схем: Avago Technologies, Intersil, Linear Technology и NXP Semiconductors.
Победителем среди них стала NXP Semiconductors – компания, техническое мастерство которой позволило сочетать в одном кристалле сложные аналоговые и цифровые функции.
Цифровые микросхемы
Это достаточно широкая категория, к которой относятся кристаллы от контроллеров памяти до FPGA. Финалисты номинации – компании Anobit, Microsemi Corp, Octasic и Rambus – продемонстрировали успешное внедрение новых концепций, цифровых методов и устройств с отличительными рабочими характеристиками.
Победителем номинации стала компания Microsemi, которой удалось реализовать три самые разные технологии в одной микросхеме – процессоры, FPGA и аналоговые схемы. Таким образом, один кристалл в состоянии полностью заменить цифровые и аналоговые подсистемы во многих встраиваемых решениях, обеспечив при этом возможность в любое время изменять цифровую или аналоговую части, а также программное обеспечение.
Силовые микросхемы
К этой категории относятся технические достижения в широкой области силовых ИС. В число финалистов вошли компании EPC, Linear Technology, Powercast и Power Integrations, а победителем стала Linear Technology, предложившая революционное решение проблемы, с которой инженеры не могли справиться десятками лет.
Процессоры
К этой категории относятся компании, которые разрабатывают микропроцессоры, центральные процессоры, а также соответствующие средства разработки аппаратно-программного обеспечения. Среди финалистов данной номинации оказались ARM, Freescale Semiconductor, Intel Corp и Texas Instruments.
Победителем стала компания ARM, которая практически собственными силами создала бизнес по лицензированию интеллектуальной собственности, стала доминирующим разработчиком и поставщиком IP-ядер для широкого ряда вендоров. ARM-ядра находят применение в таких ИС как СнК для мобильных телефонов, планшетных компьютеров, переносных мультимедийных устройств и большого числа других продуктов.
Инструментальные средства САПР и технологии ASIC
Финалисты этой категории – компании Apache Design Solutions, GateRocket Inc., GlobalFoundries и Mentor Graphic – известны своими инновационными автоматизированными средствами, которые позволяют уменьшить время цикла, повысить технологичность и улучшить надежность функционирования интегральных схем.
Сегодняшнему победителю – компании Apache Design Solutions – удалось добиться многого. Во-первых, эта компания славится разработкой дифференцированной инновационной продукцией. К числу ее последних достижений относится решение задачи симуляции электростатического разряда, которая многие годы представляла большую проблему для разработчиков. Второе достижение – выход этой компании на рынок IPO.
Человеко-машинный интерфейс
К этой категории относятся новые методы электронного взаимодействия с системами без использования клавиатуры и мыши в качестве устройств ввода. Примерами таких интерфейсов являются сенсорные панели и дисплеи, а также периферийные устройства, обеспечивающие бесконтактное взаимодействие с системой, например, приставки Nintendo Wii, Sony PlayStation Move, Microsoft Kinect и дисплейные системы, создающие эффект присутствия. Финалистами этой категории стали компании Atmel Corp, Fujitsu Semiconductor, Microchip Technology и Ocular LCD.
Победителем стала компания Microchip Technology, которая пополнила долгое время остававшуюся популярной серию встраиваемых микроконтроллеров с функцией поддержки сенсорной панели и сенсорного интерфейса. Расширенные возможности этих устройств позволяют активировать сенсорную цепь, даже если на руку пользователя надета перчатка или пальцы находятся в непосредственной близости от датчика, а также в условиях повышенной влажности и других неблагоприятных для сенсорного интерфейса условиях.
Программное обеспечение
Эта категория определяет софт для обеспечения сетевой безопасности, управления надежностью работы системы и жизненным циклом изделий, а также оптимизации питания компонентов и приложений во встраиваемых системах. В число финалистов вошли компании Backbone Security, IAR Systems, National Semiconductor и Ridgetop Group Inc.
Победителем среди них стала National Semiconductor – компания, которая известна не только своими достижениями в производстве компонентов, но и с давних пор является новатором в разработке программного обеспечения на основе интернет-технологий, применяемого для проектирования приложений.
Пассивные компоненты, датчики, индикаторы и соединительные устройства
К этой категории относятся инновации в области пассивных компонентов высокого качества, а также интерфейсные устройства. В число финалистов вошли компании Aptina, Austriamicrosystems, CUI Inc и InvenSense Inc.
Победителем стала компания Aptina, чьи творческие способности и технологичность оказались на самом высоком уровне.
Средства разработки, исходные проекты и одноплатные компьютеры
Для производителей средства разработки всегда были основным способом предложить свою новую продукцию инженерам по принципу «попробуйте и оцените». Исходные проекты от вендоров позволяют разработчикам повторно использовать интеллектуальную собственность в аппаратно-программном обеспечении. В число финалистов вошли компании Arrow Electronics, Freescale Semiconductor, MontaVista Software и Xilinx.
Победителем среди них стала Freescale Semiconductor, чьи средства разработки характеризуются высокой вычислительной мощью, гибкой конфигурацией системы ввода-вывода, большой наглядностью и полезностью в качестве опытного образца.
Контрольно-измерительные системы и платы
К этой категории относится инновационное контрольно-измерительное оборудование, в т.ч. стендовые и модульные измерительные приборы, а также законченные системы. Среди финалистов – компании Agilent Technologies, LeCroy Corp., National Instruments и Tektronix.
Победителем стала компания Agilent, на протяжении последних лет специализирующаяся на модульных измерительных приборах, в которых реализованы технологии PXI и AXIe.
Источники питания
К этой категории относятся практические достижения в области систем питания.
В число финалистов вошли компании Agilent Technologies, Bellnix America, CUI Inc. и Ericsson Power Modules.
Победителем среди них оказалась Bellnix, которая специализируется на низковольтных сильноточных источниках питания POL для FPGA.
Рационализаторы года
Эта номинация определяет не продукцию, а конкретных людей или коллектив, которые внесли значительный вклад в совершенствование электронных схем. К числу таких достижений относятся и заметное продвижение в новом направлении, например, в совершенствовании новой методологии, позволяющей решить трудные проблемы, либо в развитии технологии.
В число финалистов этой категории вошли Пол Дарби (Paul Darbee), компания DarbeeVision; Роберт Добкин (Robert Dobkin) и Том Хэк (Tom Hack), компания Linear Technology; Брэд Доерр (Brad Doerr), Стив Дрэйвинг (Steve Draving), Дэйв Дэшер (Dave Dascher), Ник Фернандез (Nick Fernandez), Райан Карлино (Ryan Carlino), Стив Терсич (Steve Tursich) и Дэйв Гиссел (Dave Gissel), компания Agilent Technologies; Марио Паниччиа (Mario Paniccia), компания Intel Corp.
Победителями стали Роберт Добкин и Том Хэк из компании Linear Technology. Им удалось решить трудную задачу, суть которой в том, что напряжение на выводах стабилизатора не обязательно совпадает с напряжением на выводах нагрузки. Некоторые инженеры решают эту проблему, отдельно измеряя напряжение на нагрузке. Победители этой номинации получают те же данные путем небольших вариаций регулируемого напряжения и определения импеданса. Затем эти данные используются для генерации требуемого напряжения на нагрузке при заданном токе.
Источник: EDN, 13.05.2011


Российская микроэлектроника


О выполнении программы «Развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 гг.


Министерство промышленности и торговли РФ опубликовало аналитическую справку за 1 квартал 2011 года по ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 гг.
Ключевыми мероприятиями на 2011 год по направлению «Капитальные вложения» являются:
- ФГУП «Научно-производственное предприятие «Пульсар» (Москва) – реконструкция и техническое перевооружение для создания производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках.
- ФГУП «Научно-производственное предприятие «Салют» (Нижний Новгород) – реконструкция и техническое перевооружение для увеличения объемов производства активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью.
- ФГУП «Научно-производственное предприятие «Алмаз» (Саратов) – реконструкция и техническое перевооружение производства для ввода новых мощностей по изготовлению новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов.
мФГУП «Научно-производственное предприятие «Восток» (Новосибирск) – техническое перевооружение для создания производственной линии по выпуску новых изделий радиационно-стойкой ЭКБ.
ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (Зеленоград) – техническое перевооружение для создания базового центра проектирования.
- ОАО «Конструкторское бюро «Луч» (Рыбинск, Ярославская область) – техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей.
- ОАО «Челябинский радиозавод «Полет» (Челябинск) – техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы.
- ФГУП «Производственное объединение «Октябрь» (Каменск-Уральский, Свердловская область) – Техническое перевооружение для создания новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики.
Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом»
- ФГУП «Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е. Седакова», (Нижний Новгород) - реконструкция дизайн-центра радиационностойкой электронной компонентной базы;
- ФГУП «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова, (Нижний Новгород) – техническое перевооружение для создания технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах.
Федеральное космическое агентство
- ОАО «Научно-исследовательский институт точных приборов» (Москва) - реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования и функциональной поддержки процессов изготовления и эксплуатации параметрических рядов сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв.м;
- ОАО «Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (Москва) – реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования.
На сайте также представлены также планы по направлениям «НИОКР»:
Минпромторг России:
- Разработка базовой технологии изготовления и базовой конструкции микро-акустоэлектромеханической системы измерения температуры на основе использования поверхностных акустических волн (ПАВ), совместимых с технологией микроэлектроники.
- Разработка унифицированных встраиваемых малогабаритных радиационно стойких вторичных источников питания и их элементов для бортовых систем ракетно-космической и авиационной техники и промышленной электроники.
- Разработка базовой конструкции и технологии производства силовых модулей высокоплотных источников вторичного электропитания.
- Разработка универсальных микропроцессорных измерителей - датчиков и аналитических систем с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга состояния окружающей среды и контроля утечек опасных и вредных веществ.
- Разработка базовой технологии вандалопрочных информационных панелей на основе технологий поверхностных акустических волн для информационных систем массового и индивидуального обслуживания.
- Разработка унифицированной базовой технологии прототипирования многоядерных систем на кристалле с универсальной частью на базе ядра с архитектурой Эльбрус при создании многоядерных микропроцессоров для их серийного производства.
- Разработка ленточной технологии и организация серийного производства металлополимерных микроплат антенн RFID для микроэлектронных модулей радиочастотной идентификации.
- Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок.
- Создание экологически безопасной технологии производства высокочистого кремния в обеспечение получения интегральных схем и полупроводниковых приборов на базе многослойных кремниевых структур.
- Разработка производственной технологии эпитаксиальных структур для высокоэффективных светодиодов белого, зеленого и синего диапазонов излучения.
- Разработка базовых технологий создания унифицированных электронных модулей контроля воздействия тяжелых заряженных частиц для радиоэлектронной аппаратуры,
- Разработка базовой технологии, конструктивно-технологических и схемо-топологических решений преобразователей температуры с цифровым выходом в интегральном исполнении на структурах «кремний-на-диэлектрике» для создания радиационностойких унифицированных электронных модулей преобразователей физических величин.
- Разработка технологических процессов изготовления и базовых конструкций ультразвуковых систем для изделий ракетно-космической техники.
Минобрнауки России
В 2011 году будет обеспечена реализация научно-исследовательских работ в рамках мероприятий 60 и 62 (направление 4 «Микроэлектроника») Программы в части разработки базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов, а также научно-исследовательских работ по разработке базовой технологии формирования многослойной разводки (7 – 8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Сu.
Научно-исследовательские работы по данным мероприятиям позволят обеспечить создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям современных электронных компонентов.
Федеральное космическое агентство
- Разработка базовых технологий создания унифицированных электронных модулей контроля воздействия тяжелых заряженных частиц для радиоэлектронной аппаратуры, функционирующей в жестких условиях эксплуатации.
- Разработка базовой технологии, конструктивно-технологических и схемо-топологических решений преобразователей температуры с цифровым выходом в интегральном исполнении на структурах «кремний-на-диэлектрике» для создания радиационностойких унифицированных электронных модулей преобразователей физических величин.
- Разработка технологических процессов изготовления и базовых конструкций ультразвуковых систем для изделий ракетно-космической техники.
Объем финансирования в 2011 году за счет средств федерального бюджета составляет 13 млн рублей, в том числе «капитальные вложения» – 3 млн рублей предусмотрено по программе (3,070 млн руб. – выделенные объемы финансирования, бюджетные инвестиции – 3,070 млн руб. межбюджетные субсидии – 0 тыс. рублей), НИОКР – 10 млн руб. предусмотрено по программе (9,930 млн руб. – выделенные объемы финансирования).
С полным текстом аналитической справки можно ознакомиться здесь
Источник: Минпромторг РФ
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/russianmarket/doc/55747/ 17.05.2011


«Микрон» представил российскую микроэлектронику на международном Совете GSA EMEA Leadership Council в Мюнхене


ОАО «НИИМЭ и Микрон», ведущий производитель и экспортер микроэлектроники в России и СНГ, представил российскую микроэлектронику на заседании Совета по Европе, Ближнему Востоку и Африке (EMEA Leadership Council) Всемирной Полупроводниковой Ассоциации (GSA) в Мюнхене.
Совет EMEA Leadership Council, куда входит «Микрон», в этом году посвящен теме «Процветание через инновации: капитализация развивающихся рынков, отраслевые ниши и возможности роста» (Prosperity through innovation: capitalising on emerging markets, applications & growth opportunities). Заместитель генерального директора «Микрона» по маркетингу Андрей Голушко представил на Совете доклад «Российская полупроводниковая отрасль: текущая ситуация и перспективы развития».
По итогам Совета А. Голушко отметил: «Интерес к нашей стране растет – например, в проекте строительства 200 мм фабрики «Микрона» приняли участие более 40 компаний из 10 стран мира. В 2010 году российский рынок полупроводников составил менее 1% от общемирового, но при выборе правильного пути развития он может вырасти в десятки раз, и это понимают наши зарубежные партнеры».
«Иностранные компании рассматривают возможности размещения производств и R&D отделений в России. Это обусловлено низкими по сравнению с другими участниками BRICS геополитическими рисками и культурной близостью России и Европы. Кроме того, за полувековую историю развития микроэлектроники в нашей стране сформирована необходимая инфраструктура, сейчас восстанавливаются утраченные отраслевые связи, в частности вокруг «Микрона» формируется отраслевой кластер микроэлектроники, куда входят дизайн-центры, исследовательские институты, ВУЗы и другие организации» - отметил А. Голушко.
ОАО «НИИМЭ и Микрон», предприятие с 46-летней историей, является крупнейшим по объемам продаж в России и СНГ производителем и экспортером микроэлектроники. ОАО «НИИМЭ и Микрон» входит в состав ОАО «СИТРОНИКС», где является головным предприятием бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника». Выручка направления в 2010 году составила 255,4 млн. долларов США. Рост выручки по отношению к 2009 году составил 23%. Предприятие осуществляет поставки более 400 заказчикам в России и 100 за рубежом, «Микрон» обладает мощной научной и инженерной школой, развивает собственный R&D центр, в котором работают около 400 человек. Предприятие на постоянной основе сотрудничает с более чем 60 научными организациями. Стоимость НИОКР составляет около 15% выручки предприятия. В компании заняты 1635 сотрудников. В чистых комнатах «Микрона» расположено современное производство интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм и базовой технологией EEPROM на пластинах диаметром 200 мм. На предприятии реализуется совместный проект с ГК «РОСНАНО» по созданию на базе «Микрона» производства интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм.
Некоммерческая организация «GSA – Всемирная Полупроводниковая Ассоциация» (GSA – Global Semiconductor Alliance), основанная в 1994 году, объединяет более 500 полупроводниковых компаний и организаций из 25 стран мира, включая поставщиков оборудования и материалов, венчурные фонды и инвестиционные банки.
Совет по Европе, Ближнему Востоку и Африке (EMEA Leadership Council) Всемирной Полупроводниковой Ассоциации объединяет руководителей ведущих полупроводниковых компаний, консультирующих GSA по вопросам глобального и регионального развития, и определяет стратегию GSA в регионах присутствия.
«Sitronics.ru» 12 мая 2011 года


В России построят завод по выпуску магниторезистивной памяти


«Роснано» и Crocus Technology создают в России производство MRAM - впервые в мире по технологиям 90 и 65 нм.
«Роснано» и французская компания Crocus Technology объявили о заключении соглашения о создании в России производства памяти MRAM нового поколения. В рамках соглашения «Роснано» и Crocus создадут компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нм с применением разработанной Crocus технологии термического переключения. Сумма сделки составляет $300 млн, говорится в официальном сообщении.
Российская сторона планирует инвестировать в проект до 3,8 млрд руб (около $140 млн). На первом этапе «Роснано» и соинвесторы - венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension и Sofinnova Ventures - вложат $55 млн в уставной капитал Crocus. Еще около $125 млн участники вложат в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется инвестировать еще $120 млн, которые пойдут на расширение производства, а в перспективе - совершенствование технологического процесса до 45 нм. Французам будет принадлежать не менее 51% СП, сообщает Reuters.
«Мы выбрали Crocus, поскольку уверены: эта компания обладает лучшей в своем классе технологией и способна вывести на рынок продукцию, не имеющую мировых аналогов, - подчеркнул председатель правления «Роснано» Анатолий Чубайс. - Руководство Crocus имеет большой опыт сотрудничества с российскими разработчиками. Компании CNE и Crocus занимают важное место в стратегии «Роснано» по созданию в России микроэлектронной индустрии на базе передовых мировых технологий».
«Инвестиции «Роснано» отражают стремление компании преодолеть международные барьеры и стимулировать развитие нанотехнологической индустрии, - отметил исполнительный председатель совета директоров Crocus Technology Бертран Камбу (Bertrand Cambou). - Мы рады, что «Роснано» выбрала для своих инвестиций технологию Crocus и активно участвует в создании уникального российского производства, ориентированного на глобальный рынок».
Предприятие CNE наладит первое в мире производство устройств MRAM с проектными нормами 90 и 65 нм по технологии Crocus. На стандартные 300-мм пластины, произведенные по технологии КМОП, на заводе будут наноситься дополнительные слои для создания устройств MRAM. По информации Reuters, завод может быть расположен в Зеленограде, Сколково или Калининградской области. На первоначальном этапе его штат составит около 100 человек.
В ближайшие 2 года CNE планирует выпускать до 500 пластин в неделю. На второй фазе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин в неделю. Кроме этого запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и, в дальнейшем, систем на кристалле (System on Chip - SoC). На первом этапе Crocus инвестирует более $5 млн в российские исследовательские организации.
В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах - Crocus. Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (NFC) и защищенной памяти. В приложениях будут востребованы такие преимущества памяти Crocus MRAM, как практически неограниченное число циклов перезаписи, энергонезависимость и высокая производительность как при чтении, так и при записи. Потенциальный объем мирового рынка для продукции проекта составляет более $40 млрд в год.
MRAM (магниторезистивная память с произвольным доступом) - технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами DRAM и флэш-памяти и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство – энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные данные в случае отключения питания. Технология термического переключения Crocus состоит в том, что запись выполняется путем нагревания ячейки памяти. На текущий момент только Crocus удалось создать действующий 130-нм чип и продемонстрировать возможность производства 90-нм магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.
www.cnews.ru/17.05.2011


«Роснано» вкладывает средства в американского производителя памяти MRAM


Деловое издание Wall Street Journal сообщает, что американское представительство госкорпорации «Роснано» совместно с одним из калифорнийских стартапов создают совместное предприятие, стоимостью около $300 млн, которое будет коммерциализировать технологию магниторезистивную память MRAM.
Частная компания Crocus Technology, учрежденная в 2006 году, является одной из компаний, пытающихся коммерциализировать технологию памяти MRAM или магнеторезистивную память с произвольным доступом (magnetoresistive RAM). «Роснано» надеется привлечь американскую компанию деньгами, в обмен на это претендуя на строительство завода по выпуску модулей MRAM на территории России.
Ранее калифорнийская Crocus уже привлекла от инвесторов $60 млн, а в рамках инвестирования, где принимала участие и «Роснано» , компания привлекла от прочих инвесторов еще $55 млн. Что касается инвестиций со стороны российской госкорпорации (недавно преобразованной в ОАО), то они составили около $245 млн.
«Технология MRAM имеет привлекательное будущее и огромный потенциал развития», - полагает директор американского подразделения «Роснано» Дмитрий Аханов.
По его словам, до сих пор «Роснано» прежде вложила порядка $4,5 млрд в 100 проектов, включая $700 млн в завод для компании Plastic Logic по производству дисплеев из пластика для электронных ридеров. Глава «Роснано» Анатолий Чубайс говорит, что технологии Crocus могут дать серьезный синергетический эффект с ранее реализованными проектами госкорпорации.
Чипы MRAM могут быть использованы практически во всех современных типах электронных запоминающих устройств. Одно из главных преимуществ новинки состоит в том, что микросхема способна удерживать заряд (т.е. хранить информацию) даже в том случае, когда устройство выключено, а на чип не подается электрический заряд. В то же время MRAM-чипы обладают скоростью работы DRAM-чипов, используемых в качестве модулей оперативной памяти в ПК и ноутбуках.
Ранее технологией MRAM интересовались компании Intel, Freescale Semiconductors, Micron и другие.
В прошлом Crocus заключила соглашение с компанией Tower Semiconductor о производстве чипов в Израиле, кроме того в здесь же в будущем намерены начать выпуск SoC-решений с использованием MRAM и мобильных технологий.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/russianmarket/doc/55713/ 18.05.2011


"Росэлектроника" планирует к 2020 г занять более 50% рынка


ОАО "Российская электроника", которая построит три базовых центра внедрения светодиодов в Санкт-Петербурге, Москве и Томске, планирует к 2020 году занять более половины российского рынка осветительных приборов, сообщил в среду руководитель департамента управления проектов компании Федор Боярков.
В мае 2010 года глава ОАО "Российская электроника" Андрей Зверев на инновационном форуме в Томске заявлял, что "Росэлектроника" создаст три базовых центра внедрения светодиодов в Санкт-Петербурге, Москве и Томске, которые станут основой российской светодиодной промышленности.
"Мы планируем к 2020 году занять 65% рынка уличного освещения. Что касается бытового освещения, то в быту светодиоды практически не представлены, планируется занять нишу не менее 50%", - сказал Боярков.
Он отметил, что технология производства светодиода достаточно сложна, и более нигде в России строительство светодиодного производства не планируется. По словам Бояркова, компания планирует произвести за время проекта (5 лет) более двух миллиардов штук светодиодов и более шести миллионов светодиодных осветительных устройств.
Кроме того, Боярков сообщил, что объем инвестиций в три базовых центра внедрения светодиодов составляет около 20 миллиардов рублей. Из них 18 миллиардов будут предоставлены в рамках кредитной линии Внешэкономбанка, остальные - средства компании.
"Объем инвестиций в томский завод светодиодных светильников полного цикла составляют 7, 5 миллиарда рублей. Из них 5,5 миллиарда рублей мы планируем направить на покупку оборудования. Если все пойдет, как мы планируем, то мы выйдем на строительство примерно в сентябре текущего года",- отметил Боярков.
Он добавил, что в 2012 году планируется ввести в эксплуатацию лабораторный и энергетический корпуса, а в 2013 году - корпус очистки аммиака.
Холдинговая компания "Российская электроника" образована в начале 2009 года на базе государственного холдинга "Российская электроника"
В настоящее время открытое акционерное общество "Российская электроника" в качестве холдинговой и управляющей компании консолидирует потенциал около 80 предприятий электронной отрасли. Предприятия специализируются в разработке и производстве изделий электронной техники, электронных материалов и оборудования для их изготовления, а также СВЧ-техники, полупроводниковых приборов и материалов.
РИА Новости 14 апреля 2011 года


Фабрика 65-45 нанометров ищет иностранного партнёра


Вопросы размещения в России производства микроэлектроники и научно-исследовательских отделений крупных иностранных компаний обcуждался на заседании Совета по Европе, Ближнему Востоку и Африке (EMEA Leadership Council) Всемирной Полупроводниковой Ассоциации (Global Semicondutro Alliance) в Мюнхене.
Представитель зеленоградского «Микрона» Андрей Голушко рассказал на заседании совета о российской микроэлектронной отрасли: текущей ситуации и перспективах. По итогам совета А.Голушко отметил, что интерес к России растёт и некоторые иностранные компании рассматривают возможности размещения производств и R&D отделений в России. В строительстве уже работающего производства «Микрона» по производству чипов 180-90 нм на пластинах диаметром 200 мм приняли участие более 40 компаний из 10 стран.
Сегодняшний интерес западных компаний скорее всего обусловлен информацией о планах строительства фабрики с технологией 65 нм, рассказал Zelenograd.ru эксперт рынка микроэлектроники, близкий к реализации проекта фабрики 65-45 нм на пластинах 300 мм: «Очевидно, завод мощностью сотни миллионов чипов в месяц нельзя строить, чтобы он работал только на российский рынок. Поэтому основная часть продукции пойдёт на экспорт и проект состоится только при условии нахождения такого партнёра, участие которого обеспечит экспорт производимой продукции».
О возобновлении планов по строительству этой фабрики на площадке «Алабушево» зеленоградской Особой экономической зоны (ОЭЗ) рассказал недавно гендиректор «Микрона» Геннадий Красников.
Весь проект оценивается в 58,427 миллиардов рублей, около половины из которых может быть профинансировано из бюджета. Однако оставшуюся часть средств должны будут найти частные инвесторы
Проект фабрики чипов 65-45 нм начался в 2007 года, когда его одобрила правительственная инвестиционная комиссия. Однако первоначальные сроки строительства фабрики сдвинулись из-за экономического кризиса и больших затрат на модернизацию существующего производства. Теперь кризис завершён и перспективы проекта вновь обретают более чёткие очертания. Однако, если поиски иностранного партнёра не увенчаются успехом, то проект опять, как и в 2009 году, может будет заморожен.
Zelenograd.ru,
http://www.zelenograd.ru/news/5823/17.05.2011


Прочее в России


Чубайс открыл первое нанопроизводство в Москве.


«Роснано» вложила 150 млн руб. в создание московской площадки по производству термоэлектрических охлаждающих микроэлементов, которые используются в телекомоборудовании, лазерной технике и медицине. К 2015 г. инвестор рассчитывает, что россиянам удастся занять 10% мирового рынка в этом сегменте.
Госкорпорация «Роснано» инвестирует 150 млн руб. в новую площадку компании РМТ по производству термоэлектрических охлаждающих элементов, расположенную в Москве. Как рассказал CNews директор по маркетингу РМТ Тимофей Громов, это второй по счету производственный актив компании. Ожидается, что на полную мощность он заработает уже осенью 2011 г.
В Москве будет осуществляться разработка и производство продукции под небольшие заказы, отмечает Громов. Более крупная площадка, рассчитанная на производство под крупные заказы, базируется в Нижнем Новгороде.
Общий бюджет проекта составляет около 800 млн руб. Из них, по словам Громова, сама РМТ вложила около 30%. Соинвестором проекта, помимо «Роснано», выступил венчурный фонд «С-Групп Венчурс», созданный с участием капитала РВК. По словам представителей фонда, объем инвестиций с их стороны «сопоставим с вкладом «Роснано». Оставшиеся средства РМТ привлекает за счет банковского кредита.
В 2009 г., когда наблюдательный совет «Роснано» одобрил финансирование проекта, предполагалось, что общий его бюджет составит 827 млн руб., из которых из которых 150 млн руб. вложит госкорпорация, 167 млн руб. - РМТ и 150 млн руб. - соинвестор. Еще 360 млн руб. планировалось привлечь в виде кредита от банка.
Термоэлектрические охлаждающие элементы используются для охлаждения лазеров, фотоприемников, интегральных микросхем и широко применяются, например, в телекоммуникационной индустрии, медицине, при производстве систем безопасности, приборов ночного видения. Кроме того, они используются для космических проектов, например, для охлаждения некоторых компонентов спутников.
Как сообщают в РМТ, около 80% ее продукции идет на экспорт. Основными странами сбыта являются США, Япония, Канада, страны Европы и Юго-Восточной Азии. Свою текущую долю на мировом рынке компания оценивает примерно в 2,5%. Открывая производство в Москве, глава «Роснано» Анатолий Чубайс отметил, что перед РМТ стоит задача к 2015 г. занять около 10% рынка.
Выручка РМТ в 2010 г. составила 146 млн руб. К 2015 г. компания рассчитывает достичь показателя в 1,3 млрд руб.
Стоит отметить, что новая производственная площадка стала четвертой по счету, созданной при участии «Роснано». Первая, по производству монолитного твердосплавного инструмента с многослойным наноструктурированным покрытием, была открыта в апреле 2010 г. в Рыбинске.
В ноябре 2010 г. госкорпорация совместно с «Онэксимом» Михаила Прохорова и «Республиканской инвестиционной компанией» открыли площадку по производству светодиодов на бывшем заводе Elcoteq в Санкт-Петербурге. Позднее в том же году госкорпорация совместно с компанией ЕСМ открыла площадку по производству электрохимических станков для прецизионного изготовления деталей из наноструктурированных материалов и нанометрического структурирования поверхности в Уфе.
Одновременно с открытием нового производства в Москве, «Роснано» также объявила о заключении инвестиционного соглашения по созданию в России производства памяти MRAM (магниторезистивной памяти) с французской компанией Crocus Technology. Объем сделки составляет $300 млн, из них до $140 млн планирует вложить госкорпорация.
В рамках соглашения планируется создать компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM с проектными нормами 90-нм и 65-нм. В перспективе технологический процесс планируется усовершенствовать до 45-нм.
www.cnews.ru/18.05.2011

 


Конфликт «Пульсара» с «Ростехнологиями» достиг Кремля


Предприятие пожаловалось руководителям государства на проверки, а «Росэлектроника» заявляет, что нашла нарушения хозяйственной деятельности.
Коллектив научно-производственного предприятия «Пульсар», которое является головной организации твердотельной сверхвысокочастотной электроники в России и участвует в создании нового вооружения, попросил Дмитрия Медведева и Владимира Путина вмешаться в конфликт с «Ростехнологиями».
 «Невзирая на успешное состояние дел во ФГУП «НПП Пульсар», ОАО «Российская электроника», которая от имени государственной корпорации «Ростехнологии» осуществляет управление нашим предприятием, предложило свою стратегию развития и создания НПП «Пульсар». Предложения наших специалистов полностью отвергнуты. Коллектив «Пульсара» уверен, что принятие стратегии приведет к разрушению эффективно действующей структуры предприятия и его головной роли в твердотельной СВЧ электронике», – пишут авторы обращения президенту РФ. По их утверждению, «Ростехнологии» и «Российская электроника» «замучили предприятие проверками». «Пульсар» в какой-то момент проверяли сразу три комиссии, несмотря на то, что за последние 5 лет Счетная палата и прокуратура проводили на предприятии многочисленные проверки, по результатам которых нарушений выявлено не было.
 Как рассказал гендиректор «Пульсара» Андрей Васильев, претензии к предприятию связаны не с основной деятельностью, а с имущественным комплексом. В частности, проверяющие сочли, что руководство «Пульсара» продешевило со сдачей в аренду своей складской базы в Подмосковье, хотя договор, как утверждает Васильев, был заключен еще до того, как он стал директором: «Это странная позиция. Мы не занимаемся сдачей в аренду помещений, мы умеем зарабатывать деньги своей профессиональной деятельностью. «Мы успешное предприятие, за последние 5 лет существенно выросли, более чем в 5 раз увеличили объемы производства и производительность труда, более чем в 3 раза – заработную плату». В вину Васильеву поставили и то, что во время прошлогодней летней жары он установил на проходной аппарат по продаже газированной воды. «Я никогда не думал, что его нужно ставить на правах аренды. Сделали так: фирма ставит нам этот автомат и обслуживает его, а наши сотрудники покупают там газированную воду. А мне говорят: вы один квадратный метр украли у государства», – сообщил гендиректор «Пульсара». Он не исключает, что истинная цель проверок – в получении контроля над территорией, которую занимает НПП, возле Четвертого транспортного кольца и в 20 минутах езды от Кремля.
 Президент Медведев отреагировал на письмо коллектива предприятия в течение суток. «Нам пришли официальные бумаги из администрации президента о том, что он поручил министру (промышленности и торговли – BFM.ru) и руководителю «Ростехнологий» разобраться и доложить», – рассказал Васильев. Пока никаких действий со стороны министерства или «Ростехнологий» он не видит, отмечая, что «вся эта ситуация и проверки не улучшают климат на «Пульсаре».
 ФГУП «НПП Пульсар» участвует в создании новых российских комплексов вооружения, в частности, ЗРПК «Панцирь-С1», ЗРК «Триумфатор-М», МРЛК «Небо-М», РЛМ «Полимент-Редут». «Мы занимаемся очень специфической деятельностью – разработкой и производством изделий сверхвысокочастотной электроники. Это область в основном направлена на оборонный заказ, это электроника, которую невозможно купить за рубежом, которую страна должна делать сама», – сказал BFM.ru гендиректор «Пульсара» Андрей Васильев.
 В «Ростехнологиях», куда BFM.ru обратился за комментариями, переадресовали вопросы «Российской электронике». В последней в свою очередь подтвердили факт проверки эффективности использования вверенного ФГУП «НПП «Пульсар» имущественного комплекса. По словам генерального директора «Росэлектроники» Андрея Зверева, был выявлен ряд нарушений хозяйственной деятельности со стороны «Пульсара». «Обнаружено, что складское помещение предприятия в Московской области площадью 6 тысяч квадратных метров вместе с участком земли площадью 1,3 гектара в течение более 5 лет сдавалось в аренду, но без соблюдения порядка оформления таких сделок: заключения договора аренды, соблюдения процедуры согласования с собственником и проведения конкурса», –- сказал он.
 При этом фактически получаемая предприятием арендная плата была в 4 раза ниже среднерыночной на данные объекты, отметил Зверев. Кроме того, проверка показала, что закупочные цены по ряду комплектующих были завышены в 2,6-18 раз, в сравнении с ценами других участников рынка на абсолютно аналогичную продукцию. По предварительным расчетам компании, общий ущерб только за 2010 год составил более 100 млн рублей. Андрей Зверев также сообщил, что по факту выявления серьезных недостатков в работе гендиректора ФГУП «НПП «Пульсар», дело передается в правоохранительные органы для проверки и возбуждения уголовного дела.
 В заключение Зверев подчеркнул, что «Росэлектроника» также заинтересована в стабильно и эффективно действующем НПП «Пульсар»: «Стратегия, разрабатываемая в настоящее время совместно с советом руководителей других предприятий холдинга, предполагает план очень масштабного развития. В результате его осуществления будет создано мощное научно-производственное объединение на базе ФГУП «НПП «Пульсар», ФГУП «Государственный завод «Пульсар» и ОАО «Оптрон», предусмотрены многомиллиардные инвестиции на техперевооружение».
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/russianmarket/doc/55711/ 16.5.2011


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014