СПЕЦИФИКАЦИИ НА ИМС |
|
Продажи
Разработки
AUIRF3004WL и AUIRF1324WL - представители нового семейства силовых MOSFET транзисторов компании International Rectifier, выполненных в новом корпусе WideLead TO-262 (TO-262WL), преимуществом которого являются широкие выводы, имеющие сопротивление на 50% ниже по сравнению с выводами у обычного корпуса TO-262 и обеспечивающие ток транзистора выше на 30%.
Мощные MOSFET транзисторы семейства AUIRFxxxxWL в корпусе с широкими выводамиНовые транзисторы разработаны для мощных применений с большой нагрузкой, для которых требуется малое значение Rds(on); они имеют улучшенные характеристики и совместимы с существующими стандартами производства.
В стандартном корпусе TO-262 для монтажа через отверстия выводы стока и истока могут добавлять до 1 мОм дополнительно к сопротивлению открытого канала MOSFET. Сопротивление выводов нового корпуса WideLead TO-262 составляет менее 0,5 мОм, при этом значительно уменьшаются потери на проводимость и нагрев выводов, одновременно достигаются значения тока выше на 30% по сравнению с традиционным корпусом TO-262 при данной температуре. В частности, при тестировании температура выводов корпуса WideLead по сравнению с выводами корпуса TO-262 была на 30% меньше при постоянном токе 40 А и на 39% ниже при токе 60 А. Более того, другие усовершенствования корпуса позволили получить Rds(on) на 20% меньше, чем у аналогичного MOSFET в корпусе TO-262.
Другим преимуществом транзисторов является их сертификация по автомобильному стандарту качества AEQ-101, что свидетельствует об их повышенной надежности и нулевом уровне дефектов.
http://radioradar.net/news/electronics_news/auirf3004wl_auirf1324wl.html/03.10.11`
Конференция рекомендует:
1. Считать основной стратегической задачей радиоэлектронной промышленности дальнейшее инновационное развитие отрасли, обеспечение интенсивной реконструкции и модернизации производства, разработку, освоение и выпуск наукоемкой конкурентоспособной радиоэлектронной продукции для наполнения внутреннего и внешнего рынков.
2.Первоочередными задачами по дальнейшему развитию радиоэлектронной промышленности считать:
2.1. Разработку стратегии развития радиоэлектронной промышленности с учетом современных и прогнозируемых экономических условий, тенденций развития науки и техники, прогнозов возможного обновления технологий и продуктов, оценки возможности предприятий отрасли по выполнению заданий Государственной программы вооружений, федеральных целевых программ, обязательств по экспорту продукции, созданию и внедрению нововведений, изменившегося структурного состава отрасли, действующей Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года и стратегий развития созданных интегрированных структур.
2.2. Разработку Государственной программы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности».
2.3. Обеспечение реализации на конкурсной основе заданий федеральных целевых, ведомственных и межгосударственных программ. Особое внимание уделять проведению НИОКР по разработке и освоению в производстве промышленных критических технологий, реализация которых обеспечит создание высокоэффективной конкурентоспособной радиоэлектронной продукции как военного, так и гражданского назначения, а также работам, связанным с техническим перевооружением и дальнейшим развитием научной и производственной базы отрасли.
2.4. Продолжение работы по расширению участия предприятий РЭП в реализации региональных программ инновационного и социально-экономического развития. При реализации региональных программ использовать существующие заделы по разработке продукции на основе двойных технологий, созданные в рамках федеральных целевых, ведомственных и межгосударственных программ как фактор, минимизирующий региональные затраты на их использование для нужд региона. При уточнении мероприятий федеральных целевых программ, инновационных программ развития регионов придавать им большую практическую направленность с целью выпуска продукции, необходимой для региональных хозяйств, создание специализированных уникальных производств (региональных дизайн-центров, центров микросистемотехники, испытаний, метрологии и др.) на основе интегрирования средств федерального и регионального бюджетов и внебюджетных средств предприятий.
2.5. Расширение межотраслевого взаимодействия, корректировку совместных планов развития, постановку и выполнение совместных работ по созданию ЭКБ, базовых несущих конструкций и унифицированных электронных модулей межотраслевого применения.
3. Считать приоритетами в развитии научно-технического потенциала радиоэлектронной промышленности:
· внедрение и поддержание военных и гражданских базовых и критических технологий, обеспечивающих создание, производство и ремонт перспективных образцов изделий, комплектующих, материалов и элементной базы;
· обеспечение технологической независимости в области производства конкурентоспособной продукции гражданского и военного назначения;
· активизацию инвестиционной деятельности по проведению качественного обновления научно-технической и производственно-технологической базы отрасли;
· совершенствование кадрового состава и наращивание интеллектуального потенциала предприятий радиоэлектронной промышленности, обеспечение социальной защищенности работников;
· институциональное совершенствование радиоэлектронной промышленности на основе создания и развития крупных научно-производственных структур.
4. В целях создания необходимых условий для формирования отечественных рынков радиоэлектронной продукции гражданского назначения Департаменту радиоэлектронной промышленности Минпромторга России во взаимодействии с органами законодательной власти и другими министерствами и ведомствами активизировать работу по корректировке существующей и созданию новой нормативно-технической документации, регламентирующей расширенное применение радиоэлектронной аппаратуры в топливно-энергетическом, жилищно-коммунальном и транспортном комплексах Российской Федерации.
5. Рекомендовать руководителям предприятий:
- взять под личный контроль своевременное и качественное представление в Департамент радиоэлектронной промышленности необходимых документов для выполнения заданий действующих ФЦП;
- шире использовать меры организационной и экономической направленности в системах поддержки и стимулирования развития предприятий радиоэлектронной промышленности, в т.ч.:
· в области таможенно - тарифного регулирования;
· повышения инвестиционной привлекательности предприятий;
· повышения финансовой устойчивости;
· развития внешнеэкономической деятельности предприятий;
· стимулирования государственно-частного партнерства;
· защиты отечественного рынка радиоэлектроники;
· регионального развития;
· развития кадрового потенциала и т.д.
- усилить информационно-маркетинговые службы предприятий, расширить участие в проводимых выставках, повысить уровень рекламы своей продукции, в том числе используя интернет-сайты предприятий и Департамента радиоэлектронной промышленности, имея в виду расширение рыночных ниш предприятий, повышение темпов развития, обеспечение возможности активного влияния на рынки сбыта производимой продукции.
6. Рекомендовать руководителям интегрированных структур:
- представить в Департамент радиоэлектронной промышленности стратегии развития интегрированных структур с учетом сложившихся современных условий, которые будут учтены при разработке стратегии развития отрасли;
- сформировать комплексные планы развития интегрированных структур на базе единой научно-технической политики при выполнении НИОКР, необходимости создания (развития) технологических мощностей для серийного выпуска разработанной продукции с учетом не только возможностей вертикальной интеграции предприятий в рамках интегрированных структур, но и рациональной диверсификации и кооперации с предприятиями других интегрированных структур.
Директор Департамента
радиоэлектронной промышленности,
заместитель председателя
оргкомитета конференции
А.С.Якунин