ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 33(915) от 7 октября  2011 года

Происшествия/Последствия


Умер Стив Джобс


Сооснователь корпорации Apple Стив Джобс скончался в среду после продолжительной болезни в возрасте 56 лет, передает РИА Новости.
Американский бизнесмен, Бывший исполнительный директор, глава совета директоров и сооснователь компании Apple Стивен Пол Джобс (Стив Джобс) скончался на 57 году жизни, сообщают в четверг американские СМИ. Как передает британская телерадиовещательная корпорация Би-би-си со ссылкой на заявление компании Apple, С.Джобс скончался в среду. В последние годы С.Джобс боролся с раком. У него была диагностирована злокачественная опухоль поджелудочной железы.
На главной странице сайта компании Apple висит черно-белый портрет С.Джобса и написаны годы его жизни.
«Его блеск, энергия и страсть стали источником бесчисленных инноваций, которые обогатили и улучшили жизнь каждого из нас. Мир стал неизмеримо лучше благодаря Стиву. Его величайшей любовью была его жена Лорен и его семья. Наши сердца сейчас с ними и со всеми, кого коснулись его необычайные таланты», - говорится в заявлении совета директоров Apple.
В конце 1970-х годов С.Джобс вместе с сооснователем Apple Стивом Возняком, Майком Марккулой и другими спроектировал, разработал и выпустил в продажу одну из первых коммерчески успешных серий персональных компьютеров - Apple II. В начале 1980-х годов С.Джобс был одним из первых, кто увидел коммерческий потенциал управляемого мышью графического интерфейса пользователя, что привело к созданию Macintosh.
Проиграв борьбу за власть с советом директоров в 1984 году, С.Джобс был уволен из Apple и основал NeXT - компанию, разрабатывавшую компьютерную платформу для вузов и бизнеса. В 1996 году Apple приобрел NeXT, а С.Джобс вернулся в компанию, которую соосновал, и пробыл ее CEO с 1997 по 2011 год. В 1986 году он приобрел подразделение компьютерной графики Lucasfilm, которое было выделено как Pixar Animation Studios. Он оставался его CEO и основным акционером (с 50,1 %) до его приобретения The Walt Disney Company в 2006 году. С.Джобс стал крупнейшим частным акционером Disney (с 7 %) и членом совета директоров Disney.
История бизнес-деятельности С.Джобса внесла большой вклад в символический образ своеобразного индивидуалистического предпринимателя Кремниевой долины, подчеркнув важность дизайна и понимания ключевой роли эстетики в публичном сознании. Его работа по продвижению разработки продуктов, являющихся одновременно функциональными и элегантными, снискала ему множество последователей.
24 августа 2011 года С.Джобс объявил об уходе с должности CEO Apple. В письме об отставке он настоятельно рекомендовал назначить своим преемником Тима Кука. По своей просьбе, С.Джобс был назначен председателем совета директоров Apple.
В апреле 2009 года С.Джобс перенес пересадку печени в Методистской больнице при Университете Теннесси в Мемфисе. Прогноз для него на тот момент, по мнению врачей, был «отличным».17 января 2011 года, через полтора года после возвращения С.Джобса с пересадки печени, Apple объявил, что ему предоставлен медицинский отпуск. Глава компании объявил об уходе в письме к сотрудникам, заявив, что его решение принято, «чтобы он мог сосредоточиться на своем здоровье». Несмотря на отпуск, 2 марта он выступал на запуске iPad 2, 6 июня представлял iCloud на Worldwide Developers Conference и 7 июня выступал перед городским советом Купертино.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/57219/06.10.11

Продажи


Удивительно, но августе продажи кристаллов выросли


Согласно данным корпорации World Semiconductor Trade Statistics («Международная статистика продаж полупроводников»), в августе трехмесячное скользящее среднее продаж на мировом рынке полупроводников составило 25,03 млрд долл., что на 0,7% выше предыдущего месяца.
Этот показатель превзошел ожидания экспертов рынка. Брюс Дизен (Bruce Diesen), аналитик, Carnegie Group, прогнозировал, что трехмесячное скользящее среднее в августе составит 24,4 млрд долл., а по мнению аналитика Майкла Коуэна (Michael Cowan), этот показатель окажется в диапазоне 24,19–26,12 млрд долл. Действительные продажи оказались выше прогнозов, но меньше объемов, характерных для текущего сезона. При этом реальный уровень продаж полупроводников оказался выше самых пессимистичных ожиданий.
Продажи выросли на 2,2% относительно прошлогоднего показателя. Аналитики объясняют этот рост большим спросом на планшетные и персональные компьютеры, а также восстановлением рынка японских полупроводников и увеличением доли электронных систем в автомобилях. Однако эксперты озабочены снижением спроса на потребительскую электронику и промышленное оборудование.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/57217/06.10.11


Новости компаний


Intel, IBM и Samsung вложат $4,4 млрд в разработку и производство чипов в США


Администрация штата Нью-Йорк сообщила о намерении Intel, IBM, Samsung и других ведущих игроков полупроводникового рынка вложить миллиарды долларов в развитие местной экономики.
Intel, IBM, Globalfoundries, Samsung и TSMC объявили о намерении в течение 5 лет вложить в разработку и производство полупроводниковых чипов в США $4,4 млрд. Все средства пойдут на развитие полупроводниковой промышленности в штате Нью-Йорк. Инициатива направлена на укрепление позиций США на мировом полупроводниковом рынке, говорится в официальном сообщении губернатора штата.
Инвестиции будут разделены на два проекта. Первый проект, который возглавит IBM со своими партнерами, будет посвящен разработке процессоров двух следующих поколений. С учетом средств, вложенных IBM в развитие полупроводникового сектора в Нью-Йорке за последние 10 лет, суммарный объем инвестиций превысит $10 млрд.
Второй проект, в котором примут участие все из названных компаний, будет посвящен переходу с 300-мм на 450-мм кремниевые подложки. Новая технология позволит более чем вдвое увеличить емкость производств, снизить себестоимость и влияние, оказываемое на окружающую среду, говорится в сообщении.
Ожидается, что инициатива поможет создать около 4,4 тыс. рабочих мест, в том числе 2,5 тыс. постоянных рабочих мест в ряде научно-исследовательских центров и институтов, включая центры IBM, и 1,9 тыс. рабочих мест на этапе расширения исследовательских лабораторий.
«Анонсированный объем инвестиций имеет беспрецедентный характер, - заявил губернатор штата Нью-Йорк Эндрю Куомо (Andrew Cuomo). - В результате новой инициативы наш штат станет настоящим эпицентром для новых поколений процессоров, предназначенных для вычислительной техники».
Превращение Нью-Йорка в подобие Силиконовой долины - одна из задач текущей администрации штата. Помимо множества научно-исследовательских центров, здесь планируется разметить достаточно крупные производственные площадки. Так, к 2013 г. здесь ожидается окончание строительства завода Fab 8 компании Globalfoundries, максимальная емкость которого должна составить 60 тыс. 300-мм подложек в месяц.
Концентрация научно-производственных активов в Нью-Йорке стала возможна благодаря активным действиям местных властей с 1998 г., говорится в официальном сообщении. Для поддержки развития полупроводниковой промышленности в штате в ближайшие годы власти намерены дополнительно вложить $400 млн из государственных запасов.
http://rnd.cnews.ru/math/news/line/index_science.shtml?2011/09/22/456594/28.09.11


ST-Ericsson дополнит реальность кристаллами NovaThor


ST-Ericsson заявила о начале сотрудничества с софтверной компанией Metaio с целью создания кристаллов NovaThor для смартфонов и планшетных компьютеров.
Сотрудничество ST-Ericsson с Metaio, учрежденной в 2004 г., направлено на разработку мобильных приложений формата HD с эффектом дополненной реальности, сенсорных проектов и систем построения стереоскопических изображений.
Эффект дополненной реальности создается путем сочетания изображений реального мира с любыми виртуальными элементами – текстом, рисунками, графикой. Для реализации этого эффекта используются мобильные устройства с фотокамерами, с помощью которых осуществляется привязка зданий и объектов к географическому местоположению пользователя с последующим доступом к удаленным базам данных, в результате чего изображение объекта дополняется контекстной информацией. Эти технологии, впервые появившиеся в военных приложениях, начинают использоваться в смартфонах и планшетных ПК.
ST-Ericsson не одинока в своей инициативе. Так, например, в 2010 г. компания Qualcomm открыла исследовательский центр по разработке и проектированию технологий дополненной реальности в Вене.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/57198/03.10.11

Разработки


1 Мбит EEPROM CAT24M01 в корпусе SOIC-8 выдерживает до миллиона циклов

перезаписи
CAT24M01WI-GT3 - новинка компании ON Semiconductor в семействе последовательной 1 Мбит (131 072 слов) EEPROM с I2C-интерфейсом (100 кГц, 400 кГц и 1 МГц) и размером страницы 256 байт. Технические данные утверждают, что ячейки памяти способны выдержать до миллиона циклов записи, а также сохранять данные в течение 100 лет. Новая микросхема изготавливается по технологии 0,18 мкм и имеет низкое энергопотребление
Отличительные особенности:
поддержка Standard (100 кГц), Fast (400 кГц) и Fast-plus (1 МГц)
протоколов I2C;
CAT24M01 - 1 Мбит EEPROM в корпусе SOIC-8напряжение питания 1,8-5,5 В;
буфер записи на 256 байт,
триггеры Шмитта и фильтры шумоподавления на входах шины I2C;
1 000 000 циклов перезаписи;
сохранение данных более 100 лет;
аппаратная защита от записи всей микросхемы;
промышленный и расширенный температурные диапазоны;
низкое энергопотребление
температурный диапазон: -40°C...+125°C;
корпус: SO8-150-1.27
www.terraelectronica.ruhttp://radioradar.net/news/electronics_news/cat24m01wi_gt3.html/03.10.11


Мощные MOSFET транзисторы семейства AUIRFxxxxWL в корпусе с широкими выводами

AUIRF3004WL и AUIRF1324WL - представители нового семейства силовых MOSFET транзисторов компании International Rectifier, выполненных в новом корпусе WideLead TO-262 (TO-262WL), преимуществом которого являются широкие выводы, имеющие сопротивление на 50% ниже по сравнению с выводами у обычного корпуса TO-262 и обеспечивающие ток транзистора выше на 30%.
Мощные MOSFET транзисторы семейства AUIRFxxxxWL в корпусе с широкими выводамиНовые транзисторы разработаны для мощных применений с большой нагрузкой, для которых требуется малое значение Rds(on); они имеют улучшенные характеристики и совместимы с существующими стандартами производства.
В стандартном корпусе TO-262 для монтажа через отверстия выводы стока и истока могут добавлять до 1 мОм дополнительно к сопротивлению открытого канала MOSFET. Сопротивление выводов нового корпуса WideLead TO-262 составляет менее 0,5 мОм, при этом значительно уменьшаются потери на проводимость и нагрев выводов, одновременно достигаются значения тока выше на 30% по сравнению с традиционным корпусом TO-262 при данной температуре. В частности, при тестировании температура выводов корпуса WideLead по сравнению с выводами корпуса TO-262 была на 30% меньше при постоянном токе 40 А и на 39% ниже при токе 60 А. Более того, другие усовершенствования корпуса позволили получить Rds(on) на 20% меньше, чем у аналогичного MOSFET в корпусе TO-262.
Другим преимуществом транзисторов является их сертификация по автомобильному стандарту качества AEQ-101, что свидетельствует об их повышенной надежности и нулевом уровне дефектов.
http://radioradar.net/news/electronics_news/auirf3004wl_auirf1324wl.html/03.10.11`


Прочее в России


Omnicomm: спрос на системы контроля расхода топлива значительно вырос в 2011 г.


Компания Omnicomm — российский разработчик систем контроля расхода топлива — сообщила о последовательном росте спроса на свои решения в течение первых трех кварталов 2011 г., в результате чего в первом квартале 2011 г. компания увеличила выпуск продукции на 100% в сравнении с четвертым кварталом 2010 г. Рост также продолжился во втором и третьем кварталах 2011 г., и в четвертом квартале в Omnicomm планируют увеличить объем выпуска систем контроля расхода топлива и мониторинга транcпорта FAS до 2 тыс. в месяц, что почти в 8 раз превышает соответствующие показатели 2010 г., говорится в сообщении компании.
Как отмечается драйверами роста Omnicomm в этом году стали датчики уровня топлива LLS и телематические терминалы с функцией контроля расхода топлива (FAS Standart, FAS ГЛОНАСС, FTC, FTC ГЛОНАСС и FAS AERO). По отдельным позициям произошло увеличение выпуска продукции более чем в 4 раза. Также в августе 2011 г. компания зафиксировала выпуск стотысячного датчика контроля расхода топлива LLS.
Как заявил заместитель генерального директора компании Omnicomm Станислав Емельянов, значительный рост стоимости топлива в 2011 г. заставил компании обратить внимание на необходимость его экономии и существенно подстегнул развитие рынка транспортной телематики. «Возможность мгновенного сокращения затрат на ГСМ на 25-30% при внедрении систем контроля расхода топлива привлекает компании из всех отраслей бизнеса», — добавил он.
Для сохранения высокого качества производимого оборудования при увеличении объема производства компанией Omnicomm было внедрено новое производственное оборудование, изменена технология сборки, а также расширен отдел технического контроля.
http://www.cnews.ru/news/line/index.shtml?2011/09/27/457143/27.09.11


Импорт продукции радиоэлектронной промышленности России увеличился на 61,5%


Объем импорта предприятий радиоэлектронной промышленности в первом полугодии 2011 года составил $74,3 млн, превысив аналогичный показатель 2010 года на 61,5%.
Основная доля импорта – 71,3% приходится на страны дальнего зарубежья, объем импорта из которых вырос на 82,4%. Импорт из стран СНГ в течение года увеличился на 25,7%. Положительное сальдо внешнеторгового баланса выросло на 97%, составив более $573 млн.
Свыше 130 предприятий отрасли осуществляли внешнеторговое сотрудничество более чем с 60 странами мира. Продукция предприятий радиоэлектронной промышленности экспортируется в 62 страны мира, импорт осуществлялся из 61 страны.
Основными партнерами в экспорте предприятий радиоэлектронной промышленности в первом полугодии 2011 года стали: Сирия (29,7%), Венесуэла (23,3 %), Индия (12,9%), Азербайджан (11,2 %), Египет (4,1 %) и Алжир (3,5 %).
Основными партнерами в импорте предприятий РЭП являются 10 стран, суммарная доля которых в общем объеме импорта – 83,3%, в их числе: Беларусь (15,7%), Китай (14,3%), Соединенные Штаты (13%), Германия (11,2%), Украина (7,4%), Казахстан (4,6%), Филиппины (4,5%), Тайвань (4,3%), Бельгия (4,2%) и Малайзия (4,1%).
Из доклада «Комплексная программа развития радиоэлектронной промышленности» директора Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России А.С.Якунина на Х отраслевой научно-практической конференции (20-21 сентября, Великий Новгород).
Источник: Минпромторг
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/russianmarket/doc/57213/05.10.11

 


Р Е Ш Е Н И Е 10-й отраслевой научно-практической конференции «Комплексная программа развития радиоэлектронной промышленности» 20 – 21 сентября 2011 г. г. В.Новгород.


Заслушав и обсудив доклады директора Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России А.С.Якунина и первого заместителя губернатора Новгородской области А.Ф.Габитова, а также доклады и выступления участников, научно-практическая конференция отмечает:
Конференция посвящена рассмотрению актуальных вопросов анализа состояния и перспектив комплексного развития радиоэлектронной промышленности, дальнейшего развития радиоэлектронных технологий и их применения для реализации конкурентоспособных инновационных социально-значимых проектов с целью расширения рынков сбыта продукции радиоэлектронных предприятий с учетом современного состояния российской экономики.
В работе конференции приняли участие руководящие работники и сотрудники Военно-промышленной комиссии при Правительстве Российской Федерации, Минпромторга России, Минэкономразвития России, Минобрнауки России, Минобороны России, Рособоронзаказа, Российской академии наук, Роскосмоса, ГК «Ростехнологии», АФК «Система», ОАО «Рособоронэкспорт», регионов России, а также предприятий разработчиков и изготовителей радиоэлектронной и телекоммуникационной продукции и электронной компонентной базы. Всего в работе конференции приняли участие 232 специалиста из 156 предприятий и организаций из 30 городов России и Беларуси, было заслушано 34 доклада и выступлений ответственных работников министерств, ведомств, руководителей предприятий, ведущих ученых и специалистов в области радиоэлектроники, в рамках конференции была организована выставка радиоэлектронной продукции 29 предприятий.
Радиоэлектроника - важнейший структурообразующий элемент экономики России. Ее динамичное развитие и эффективное функционирование является необходимым условием достижения высоких и устойчивых темпов экономического роста, национальной безопасности и обороноспособности страны, повышения уровня жизни населения, рациональной интеграции России в мировую экономику. Радиоэлектронные технологии являются катализатором и локомотивом научно-технического прогресса страны и базисом для устойчивого развития других отраслей промышленности. Рынок радиоэлектроники является одним из самых емких и быстрорастущих и обладает огромным потенциалом дальнейшего развития.
Широкое применение радиоэлектроники во всех сферах деятельности человека оказало и продолжает оказывать огромное влияние на развитие экономики и образ жизни людей.
Многие разработки радиоэлектронного комплекса конкурентоспособны на мировом рынке, а некоторые не имеют зарубежных аналогов. Из вооружения и военной техники, поставляемых на экспорт, можно выделить зенитные ракетные комплексы, радиолокационные станции противовоздушной обороны и управления воздушным движением, бортовые радиолокационные станции и головки самонаведения, комплексы радиоэлектронной борьбы, радиолокационные комплексы дальнего обнаружения и разведки воздушного базирования. Из разработок гражданского назначения следует отметить вычислительные системы, программное обеспечение, оборудование цифрового телевидения, навигационную аппаратуру, связное оборудование, медицинскую технику, средства и комплексы для Единой системы организации воздушного движения, оборудование для топливно-энергетического и агропромышленного комплексов и др.
Комплексная программа развития отрасли предусматривает выполнение мероприятий по научно-техническому развитию, техническому перевооружению предприятий, оптимизации производственно-технологических ресурсов, институциональным преобразованиям и корпоративному строительству, региональному развитию, мерам по сохранению и развитию кадрового потенциала отрасли и т.д. Эффективная реализация программы развития требует рационального использования временных, интеллектуальных и материальных ресурсов и, в первую очередь, мер государственной поддержки предприятий, государственно-частного партнерства, комплекса непрограммных мероприятий, а также инициативы предприятий.
Работы, ведущиеся в рамках федеральных целевых программ "Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007-2010 годы и на период до 2015 года", "Глобальная навигационная система", "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы и др., а также в программах Союзного государства, призваны обеспечить повышение конкурентоспособности и технического уровня производства, выход инновационной продукции на внутренний и внешний рынки. В этих работах (более 500 НИОКР) решаются вопросы по созданию, развитию и внедрению технологий радиоэлектроники по направлениям вычислительных, телекоммуникационных и радиотехнических систем, электронной компонентной базы, включая современные технологии ее проектирования, производства и создания.
В отрасли выработан и реализуется комплекс мер, направленных на экономическую стабилизацию и дальнейшую технологическую модернизацию предприятий, развитие современных радиоэлектронных технологий, включающий меры по обеспечению спроса на радиоэлектронную продукцию, общесистемные меры по стабилизации финансового состояния предприятий и меры, направленные на техперевооружение, поддержку перспективных инновационных проектов, которые смогут занять конкурентные позиции в посткризисной экономике страны. При этом особое внимание уделяется повышению координации использования выделяемых средств как в рамках каждой ФЦП, так и между программами, концентрации усилий на реализации наиболее приоритетных направлений, таких как перспективные технологии широкополосной связи беспроводного доступа, цифрового телевидения, ГЛОНАСС, радиочастотной идентификации, управления воздушным движением, медицинской аппаратуры и т.д.
Основой стратегии развития РЭП является комплексная модернизация предприятий отрасли (техническая, технологическая, информационная и кадровая), переход к инновационному пути развития на основе избранных приоритетов, повышении инновационной активности, разработки и внедрения новых технических средств и передовых современных технологий с целью увеличения объемов продаж продукции и завоевания новых секторов рынка. Большое внимание уделяется проведению НИОКР по разработке и освоению в производстве промышленных критических технологий, реализация которых обеспечит создание высокоэффективной конкурентоспособной радиоэлектронной продукции как военного, так и гражданского назначения, а также работам, связанным с техническим перевооружением и дальнейшим развитием научной и производственной базы отрасли.
Развитие производственных мощностей для выпуска радиоэлектронной продукции в отрасли осуществляется за счет поэтапного широкомасштабного технического перевооружения предприятий. Только в текущем году осуществляется модернизация производства и техническое перевооружение 123 предприятий отрасли, в том числе создается 15 дизайн-центров.

Конференция рекомендует:

1. Считать основной стратегической задачей радиоэлектронной промышленности дальнейшее инновационное развитие отрасли, обеспечение интенсивной реконструкции и модернизации производства, разработку, освоение и выпуск наукоемкой конкурентоспособной радиоэлектронной продукции для наполнения внутреннего и внешнего рынков.

 2.Первоочередными задачами по дальнейшему развитию радиоэлектронной промышленности считать:
2.1. Разработку стратегии развития радиоэлектронной промышленности с учетом современных и прогнозируемых экономических условий, тенденций развития науки и техники, прогнозов возможного обновления технологий и продуктов, оценки возможности предприятий отрасли по выполнению заданий Государственной программы вооружений, федеральных целевых программ, обязательств по экспорту продукции, созданию и внедрению нововведений, изменившегося структурного состава отрасли, действующей Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года и стратегий развития созданных интегрированных структур.
2.2. Разработку Государственной программы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности».
2.3. Обеспечение реализации на конкурсной основе заданий федеральных целевых, ведомственных и межгосударственных программ. Особое внимание уделять проведению НИОКР по разработке и освоению в производстве промышленных критических технологий, реализация которых обеспечит создание высокоэффективной конкурентоспособной радиоэлектронной продукции как военного, так и гражданского назначения, а также работам, связанным с техническим перевооружением и дальнейшим развитием научной и производственной базы отрасли.
2.4. Продолжение работы по расширению участия предприятий РЭП в реализации региональных программ инновационного и социально-экономического развития. При реализации региональных программ использовать существующие заделы по разработке продукции на основе двойных технологий, созданные в рамках федеральных целевых, ведомственных и межгосударственных программ как фактор, минимизирующий региональные затраты на их использование для нужд региона. При уточнении мероприятий федеральных целевых программ, инновационных программ развития регионов придавать им большую практическую направленность с целью выпуска продукции, необходимой для региональных хозяйств, создание специализированных уникальных производств (региональных дизайн-центров, центров микросистемотехники, испытаний, метрологии и др.) на основе интегрирования средств федерального и регионального бюджетов и внебюджетных средств предприятий.
2.5. Расширение межотраслевого взаимодействия, корректировку совместных планов развития, постановку и выполнение совместных работ по созданию ЭКБ, базовых несущих конструкций и унифицированных электронных модулей межотраслевого применения.
3. Считать приоритетами в развитии научно-технического потенциала радиоэлектронной промышленности:
· внедрение и поддержание военных и гражданских базовых и критических технологий, обеспечивающих создание, производство и ремонт перспективных образцов изделий, комплектующих, материалов и элементной базы;
· обеспечение технологической независимости в области производства конкурентоспособной продукции гражданского и военного назначения;
· активизацию инвестиционной деятельности по проведению качественного обновления научно-технической и производственно-технологической базы отрасли;
· совершенствование кадрового состава и наращивание интеллектуального потенциала предприятий радиоэлектронной промышленности, обеспечение социальной защищенности работников;
· институциональное совершенствование радиоэлектронной промышленности на основе создания и развития крупных научно-производственных структур.

4. В целях создания необходимых условий для формирования отечественных рынков радиоэлектронной продукции гражданского назначения Департаменту радиоэлектронной промышленности Минпромторга России во взаимодействии с органами законодательной власти и другими министерствами и ведомствами активизировать работу по корректировке существующей и созданию новой нормативно-технической документации, регламентирующей расширенное применение радиоэлектронной аппаратуры в топливно-энергетическом, жилищно-коммунальном и транспортном комплексах Российской Федерации.

 5. Рекомендовать руководителям предприятий:
- взять под личный контроль своевременное и качественное представление в Департамент радиоэлектронной промышленности необходимых документов для выполнения заданий действующих ФЦП;
- шире использовать меры организационной и экономической направленности в системах поддержки и стимулирования развития предприятий радиоэлектронной промышленности, в т.ч.:
· в области таможенно - тарифного регулирования;
· повышения инвестиционной привлекательности предприятий;
· повышения финансовой устойчивости;
· развития внешнеэкономической деятельности предприятий;
· стимулирования государственно-частного партнерства;
· защиты отечественного рынка радиоэлектроники;
· регионального развития;
· развития кадрового потенциала и т.д.
- усилить информационно-маркетинговые службы предприятий, расширить участие в проводимых выставках, повысить уровень рекламы своей продукции, в том числе используя интернет-сайты предприятий и Департамента радиоэлектронной промышленности, имея в виду расширение рыночных ниш предприятий, повышение темпов развития, обеспечение возможности активного влияния на рынки сбыта производимой продукции.

 6. Рекомендовать руководителям интегрированных структур:

 - представить в Департамент радиоэлектронной промышленности стратегии развития интегрированных структур с учетом сложившихся современных условий, которые будут учтены при разработке стратегии развития отрасли;
- сформировать комплексные планы развития интегрированных структур на базе единой научно-технической политики при выполнении НИОКР, необходимости создания (развития) технологических мощностей для серийного выпуска разработанной продукции с учетом не только возможностей вертикальной интеграции предприятий в рамках интегрированных структур, но и рациональной диверсификации и кооперации с предприятиями других интегрированных структур.

Директор Департамента
радиоэлектронной промышленности,
заместитель председателя
оргкомитета конференции

 А.С.Якунин


Роснано вложит более 30 млн долларов в производство суперконденсаторов


ОАО «Роснано», венчурный фонд I2BF Global Ventures (США) и компания Nesscap Energy Inc. (Канада) подписали инвестиционное соглашение о создании в России производства суперконденсаторов для транспорта, промышленности и бытовой электроники.
Суперконденсаторы (ионисторы) - это устройства для накопления энергии, которые занимают промежуточное положение между обычными конденсаторами и аккумуляторами. Они обладают большой емкостью, но при этом, в отличие от аккумуляторов, способны быстро высвобождать накопленный электрический заряд, подобно обычным конденсаторам. В 2010 году объем мирового рынка суперконденсаторов составил почти $700 млн. Ожидается, что в период до 2017 года мировой рынок будет расти со среднегодовым темпом 25% и достигнет более $2 млрд.
Общий бюджет проекта составит $40 млн, из которых «Роснано» инвестирует $19 млн в виде денежного вклада в обыкновенные акции Nesscap Energy Inc., и предоставит $11,5 млн в виде займа российскому 100% дочернему обществу Nesscap Russia. Инвестором проекта также является международный венчурный фонд I2BF Global Ventures - один из крупнейших существующих акционеров Nesscap. В проекте принимают участие и другие инвесторы, отмечается в сообщении.
«Продукция проектной компании будет поставляться на растущий европейский и азиатский рынок для применения в автомобилестроении и альтернативной энергетике. У нас уже имеются контракты на поставку и проекты по совместной разработке продуктов с крупнейшими мировыми отраслевыми игроками. Такие энергоэффективные решения также актуальны и для России, поэтому они находятся в области наших стратегических интересов», - отметил управляющий директор «Роснано» Георгий Колпачев.
В рамках проекта будет также создан центр исследований и разработок для дальнейшего совершенствования технологии, в котором будут задействованы российские специалисты ведущих российских научно-исследовательских институтов.
Nesscap Energy - созданная в 1999 году канадская компания, мировой лидер в области технологических инноваций и разработки суперконденсаторов. Управляющая компания I2BF Global Ventures (США) создана в 2005 году и специализируется на инвестициях в области возобновляемой энергетики и «зеленых технологий». Под управлением I2BF находится более $150 млн. В октябре 2010 года было объявлено о создании российско-казахстанского фонда нанотехнологий под совместным управлением I2BF и ВТБ Капитал. Заявленный целевой объем данного фонда составляет $100 млн. «Роснано» и «Казына Капитал Менеджмент» (Казахстан) выступят его якорными инвесторами.
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/russianmarket/doc/57205/04.10.11


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014