ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 7(938) от  20 февраля  2012 года


Мировой рынок


Кремниевая долина: возрождение Америки?


По данным отчета об экономическом и социальном состоянии Кремниевой долины (США), регион вступил в фазу послекризисного восстановления.

Географическая структура Кремниевой долины

Недавно вышел отчёт «The 2012 edition of the Silicon Valley Index», работу над которым вели совместно Joint Venture и Silicon Valley Community Foundation. В нём приведены основные показатели экономического и социального состояния Кремниевой долины.


Основные показатели социального (слева) и экономического (справа) состояния Кремниевой долины за последние годы
Для организаций и образовательных учреждений, которые там находятся, эти показатели (всего их более 60) позволяют проанализировать свою работу, оценить достижения и выделить проблемы, которые предстоит решить в будущем.
В текущем году, впервые за последние несколько лет, отчёт даёт позитивное заключение: Кремниевая долина восстанавливается, начался подъём. Этот регион кризис затронул в последнюю очередь. Похоже, он же будет первым, который выйдет из рецессии. Однако, общий рост обусловлен подъёмом лишь двух секторов, в остальных признаков восстановления пока не наблюдается.
Основные выводы и наблюдения, приведённые в отчёте:
Экономика региона показывает уверенный рост.
В 2011 г. количество рабочих мест увеличилось на 42 тыс., что превысило прогноз (рост за год в регионе составил 3,8% по сравнению с 1,1% в среднем по США).
«Инновационный двигатель» долины снова «зажигается». Увеличился рост запатентованных изобретений и приток инвестиций. Лидеры роста – биотехнологии, энергосбережение и медицинская электроника.
Количество талантливых специалистов начало расти.
Рост доходов наблюдается только среди высших должностей, «простые» специалисты продвижения пока не ощутили.


Рост рабочих мест в Кремниевой долине за последние годы

Показатели безработицы (в %) в Кремниевой долине (бежевый график) и в целом по США (синий график)
Население
Отток специалистов в другие штаты и за рубеж, который наблюдался предыдущие два года, сменил направление. Треть населения в регионе – это специалисты в возрасте 25–44 лет. Количество сотрудников с учёной степенью также увеличивается (см. рис.):


Общее количество защищённых научных званий: столбики — в Кремниевой долине, оранжевые точки — всего в США. Данные охватывают учёные степени: бакалавр, магистр и доктор. Источник сведений: Национальный центр статистических исследований IPEDS.
В то же время наблюдается отток студентов, прибывших на обучение в университетах Кремниевой долины из других стран, что объясняется общим экономическим спадом:


Общее количество защищённых научных званий среди временных резидентов: столбики — в Кремниевой долине, оранжевые точки — всего в США. Данные охватывают учёные степени: бакалавр, магистр и доктор. Источник сведений: Национальный центр статистических исследований IPEDS.
Инновации
Инновации – визитная карточка Кремниевой долины. Сюда входят не только новые технологии и продукты, но и достижения в бизнес-процессе и новые бизнес-модели.
Как отмечено в отчёте, Кремниевая долина до сих пор является научным центром Калифорнии, в 2010 г. на её долю приходилось 49% патентов от общего количества патентов, полученных в Калифорнии, и 12% от общего количества патентов на всей территории США, см. рис.:


Доля патентов Кремниевой долины от общего количества патентов в Калифорнии (синий график) и США (нижний график)
 Это на треть больше, чем в предыдущем году. 40% патентов в этом регионе приходится на ИТ (компьютеры, обработку и хранение данных), однако самыми быстрыми темпами развивается здесь химические технологии, где рост количества запатентованных изобретений составил 50%. Для сравнения, в области коммуникаций число зарегистрированных патентов возросло ан 24%. Распределение патентов по отраслям в Кремниевой долине показано на следующем рисунке (кликните по нему для увеличения).


Другой показатель инновационности – активность инвесторов. Второй год подряд капиталовложения в регион растут. В 2011 г. объём инвестиций вырос на 17%. Приток капитала в Долине вышел на «докризисный» уровень 2004 г., достигнув 7,6 млрд долл. Хотя до показателей лучших годов (2006-2008, а также до «доткомовского» кризиса 2000-го года), см. диаграмму:


Объём капиталовложений в Кремниевой долине, в млрд долл. США, в целом (верхняя диаграмма) и по отраслям (нижняя диаграмма)
 Интересно, что этот регион сейчас привлекает 27% всего венчурного капитала США, или 52% от венчурного капитала штата Калифорния. Наиболее привлекательной для инвесторов является секторы программного обеспечения и «чистых технологий», а для государственных субсидий – энергосбережение, биотехнологии и медицинские системы.

Перспективы
В текущем году ожидается пересмотр налоговой политики в отношении Кремниевой долины, который может существенно улучшить финансовое положение региона. Если это действительно произойдёт, можно будет смело утверждать о втором рождении инновационного городка.
Источник: Joint Venture
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/13.02.2012


Новости компаний


Слияние Micron и Elpida изменит соотношение сил на рынке DRAM


Возможная сделка между компаниями Micron Technology и Elpida Memory приведет к заметному изменению ландшафта сегмента DRAM-памяти. Появится игрок №2, который сможет бросить вызов южнокорейской компании Samsung Electronics Co., считают аналитики IHS iSuppli.
Последние недели муссируются слухи о том, что Micron ведет переговоры об инвестировании или приобретении компании Elpida, которая уже пять кварталов подряд терпит убытки и увязает в долгах. Ни одна из компаний пока официально не признала, что эти переговоры ведутся.
По данным IHS, ежемесячная мощность совместного производства Micron и Elpida составила бы 374 тыс. DRAM-пластин, или 28% от мирового производства DRAM-памяти. Следует заметить, что на долю Samsung здесь приходятся 33% (см. рис.).

Рейтинг производителей DRAM в результате возможного объединения Micron и Elpida по показателю мощности производства
В одиночку Elpida и Micron, как правило, занимали третье и четвертое места по показателю мощности производства DRAM.
Объединение этих двух компаний могло бы привести к вытеснению южнокорейского производителя Hynix Semiconductor на третье место с долей в 23% (300 тыс. пластин ежемесячно).
По мнению Майка Говарда (Mike Howard), аналитика IHS, объединенная компания Micron-Elpida стала бы самым сильным соперником Samsung в сегменте DRAM. До сих пор эта компания, как правило, на 10% опережала своего ближайшего конкурента, а Micron-Elpida смогла бы сократить отставание.
В то же время в результате сделки или соглашения между Micron и Elpida эти компании столкнулись бы с серьезными трудностями, не последней из которых являются долги Elpida. Так, например, в III кв. прошлого года Elpida задолжала 4 млрд по облигациям. И хотя компании этой отрасли знакомы с подобными долгами не понаслышке, т.к. строительство фабрик обходится в крупные суммы, Micron явно не расположена брать на себя долговые обязательства.
Сильная йена и продолжающиеся партнерские отношения Micron с тайваньской корпорацией Nanya Technology Corp. также могут стать препятствиями для возможной сделки. Смерть прежнего главы компании Стива Эпплтона в начале февраля тоже усложняет приобретение: хорошо известно, что Эпплтон ратовал за консолидацию Micron и Elpida и всячески способствовал сделке.
Как бы то ни было, слияние двух компаний принесло бы ряд преимуществ помимо объединения производственных мощностей. Для Elpida сделка обеспечила бы доступ к дополнительным сегментам рынка, на которых работает Micron. По данным IHS, в III кв. прошлого года средняя продажная цена 1 Гбайт DRAM-памяти составила 70 центов, а у Micron – 1,34 долл. Разницу в ценах аналитики IHS объясняют тем, что эти компании работали с разными группами потребителей.
Объединение компаний позволило бы Micron выйти на рынок заказчиков мобильной DRAM-памяти. В III кв. того года доля поставок Elpida на этом рынке составила 18,4%, а у Micron – 5,3%. При этом на сегмент мобильной DRAM-памяти приходится около 15% всего рынка DRAM.
Для заказчиков и той, и другой компаний сделка может носить для потребителей двойственный характер: с одной стороны, в результате объединения на рынке станет меньше на одного поставщика DRAM-памяти, что приведет к фиксации цен. С другой стороны, объединенная компания могла бы стать противовесом чрезмерно влиятельной Samsung.
В целом, выгода от более устойчивого рынка, вероятно, перевесит недостатки, связанные с уходом одного поставщика памяти, считает Говард.
Источник: EETimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.02.2012


Финансовое положение ST вызывает опасения


Французско-итальянская компания STMicroelectronics должна решительно действовать, если желает остановить опасное снижение прибыли и предотвратить возможность оказаться на периферии рынка полупроводников. Так считают финансовые аналитики фирмы Arete Research Services.
По их мнению, настала пора серьезных перемен в высшем руководстве, управлении и структуре бизнеса компании. Кроме того, необходимо реструктурировать бизнес ST.

Прогнозировавшиеся доходы (красным) и действительные доходы STMicroelectronics, декабрь 2010—2011 гг., млрд долл.
Первым шагом ST на пути к оздоровлению должны были стать решительные действия в отношении дочерней компании ST-Ericsson, которая находится в плачевном состоянии. Скорее всего, она понапрасну израсходует в 2012 г. еще 900 млн долл.
Аналитики Arete считают, что специализирующееся на модемах отделение ST-Ericsson можно продать за 1 млрд долл. Apple или Samsung, т.к. у этих компаний нет подобных подразделений. Кроме того, Arete предлагает передать часть ресурсов, относящихся к разработке прикладных процессоров, в подразделение ST, занимающееся потребительской электроникой, и закрыть оставшуюся часть бизнеса.
В отчете Arete указано, что причина нерентабельности ST-Ericsson не в недостатке талантливых инженеров, а в заказчиках компании. Однако настойчивые попытки заниматься дальнейшей реструктуризацией ST-Ericsson свидетельствуют о непонимании произошедших на рынке перемен.
ST, в которой работает более 50 тыс. сотрудников, располагает 39 дизайн-центрами, 78 офисами для продаж в 36 странах. Однако величина дохода, приходящегося на одного сотрудника ST, в два раза меньше, чем у ближайшей по рейтингу компании Texas Instruments. По мнению экспертов Arete, ST должна как можно быстрее провести сокращение персонала ST-Ericsson, чтобы свести к минимуму отток денежных средств.
По мнению экспертов, недостаточно только одной инициативы Дидье Ламуша (Didier Lamouche), нового исполнительного директора ST-Ericsson, сделавшего ставку на возможности 300-мм производства по технологии 28/32-нм FDSOI для дифференциации изделий его компании на рынке.
Финансовое положение ST постепенно ухудшается. Ее выручка в прошлом году снизилась на 6%, тогда как доходы всей индустрии выросли на 4%. По мнению руководства ST, причиной неудач компании стала нестабильная макроэкономическая ситуация. Однако эксперты Arete считают, что компания пострадала от слишком больших надежд на возможности собственного производства, неоправданно больших инвестиций в сегмент телеприемников и от сотрудничества с Nokia.
Совокупные темпы годового прироста ST увеличились за прошлое десятилетие на 2%, тогда как полупроводниковый рынок вырос существенно больше — на 5,6%. Согласно прогнозам Arete, объем продаж ST снизится на 26% в 2012 г., а долг ST-Ericsson увеличится еще на 1,7 млрд долл. Главная проблема ST — в недостатке ответственности ее руководства: за последние 10 лет только 25 руководителей работали вне компании, а средний срок пребывания в ST, равный 22 годам, – возможная причина недостатка свежих идей и динамизма.
Таким образом, несмотря на бесспорный профессионализм сотрудников ST, в первую очередь, в таких областях как МЭМС, микрофоны, высоковольтные MOSFET и автомобильные датчики, она не сможет справиться с нынешними проблемами, если не предпримет решительных действий.
Источник: EETimes
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.02.2012

Продажи


TI упрочила лидерство на рынке аналоговых компонентов


По данным Databeans, Texas Instruments упрочила свое лидерство на рынке аналоговых полупроводников в 2011 г., увеличив отрыв от компании STMicroelectronics, которая заняла второе место в списке самых крупных компаний этого сегмента.
В 2011 г. на долю TI пришлось 15,4% всего рынка аналоговых компонентов, что на 14,6% больше прошлогоднего результата (см. таблицу). Доля ST составила 9,9% (10,1% в 2010 г.)


Рейтинг компаний на рынке аналоговых компонентов 2011/2010 гг., млрд долл.
Рынок полупроводниковых аналоговых компонентов испытал те же взлеты и падения, что и вся индустрия полупроводников в 2011 г. Объемы продаж снизились из-за слабого спроса на рынках США и Европы, который, главным образом, был обусловлен угрозой кризиса, связанного с суверенными долгами.
Совокупный объем продаж аналоговых кристаллов в 2011 г. составил 42,34 млрд долл. (42,29 млрд долл. в 2010 г.).
Продажи аналоговых компонентов TI выросли в 2011 г. на 5% и составили 6,5 млрд долл. В прошлом году TI приобрела National Semiconductor, которая вошла в состав TI в виде отделения Silicon Valley Analog. TI боролась со слабым спросом на рынке в течение всего года, особенно в сегменте высокопроизводительных аналоговых компонентов. В 2012 г. TI намеревается резко увеличить свои продажи на волне восстанавливающегося потребительского спроса. Благодаря приобретениям TI располагает самым мощным производством на рынке аналоговых полупроводников.
В 2011 г. продажи аналоговых кристаллов ST уменьшились на 3% и достигли 4,2 млрд долл. По информации от компании, это снижение, в первую очередь, обусловлено очень плохими продажами компании ST-Ericsson – совместным предприятием Ericsson и STMicroelectronics, поставляющим беспроводные кристаллы. Компания ST-Ericsson, которая не смогла стать рентабельной с момента создания в 2009 г., обновила номенклатуру продукции.
Источник: EETimes
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/14.02.2012


Производство/Фаундри


NVIDIA говорит о ситуации с 28 нм техпроцессом


Руководство NVIDIA во время выступления на сегодняшней квартальной отчётной конференции уже дало понять, что ограниченные возможности TSMC по наращиванию объёмов выпуска 28 нм микросхем сдерживают темпы роста прибыли самой NVIDIA. По крайней мере, на уровне прогнозов всё выглядит именно так, и даже вездесущий дефицит жёстких дисков на этом фоне утрачивает свою значимость.
Попробуем рассмотреть основные комментарии, которые на прошедшей квартальной конференции NVIDIA были посвящены ситуации с уровнем выхода 28 нм графических решений. Этот показатель оказался ниже, чем ожидала NVIDIA, но он выше соответствующего критерия оценки 40 нм техпроцесса на том же этапе освоения. По предположениям главы NVIDIA, от ограниченности объёмов выпуска 28 нм изделий компанией TSMC в равной степени страдают все заказчики, графические решения NVIDIA в этом смысле не хуже других. Полностью удовлетворить спрос на 28 нм изделия компания TSMC, по мнению Дженсена Хуана, не сможет до конца текущего года. Даже если объёмы производства будут увеличиваться, спрос может опережать предложение, поскольку 28 нм микросхемы будут применяться и в смартфонах.
Господин Хуан отметил, что если ситуация с доступностью способных выпускать 28 нм изделия мощностей не улучшится, компания оставит часть продуктов на 40 нм техпроцессе. В идеале же NVIDIA хотелось бы в текущем году перевести все изделия на 28 нм техпроцесс – по крайней мере, в производительном сегменте. Поставки 28 нм изделий по заказам NVIDIA компания TSMC начала ещё в прошлом квартале, который в календаре первой завершился 29 января этого года. Однако, только в текущем квартале объёмы поставок 28 нм изделий NVIDIA достигнут значимых величин. Ситуация с 28 нм техпроцессом не конвейере TSMC планомерно улучшается, но не с той скоростью, которая устроила бы NVIDIA. Компания хотела бы достаточно быстро перевести свои графические решения на 28 нм техпроцесс, и к концу года она рассчитывает оказаться в выгодном положении по сравнению с конкурентами.
По поводу сроков анонса Kepler глава NVIDIA не сказал ничего определённого, лишь выразив надежду, что скоро сможет поведать о продуктах этого семейства больше подробностей. Kepler он назвал, "пожалуй, самым лучшим GPU в истории NVIDIA", особенно по уровню быстродействия и энергетической эффективности.
www.overclockers.ru/hardnews/16.02.2012


Аналитика/Прогнозы


Сообщений о контрафактных компонентах стало больше


Число сообщений о контрафактных электронных компонентах за два последних года увеличилось в четыре раза, сообщают аналитики IHS iSuppli.
В 2011 г. участники цепочки поставок сообщили о 1363 отдельных и подтвержденных случаях обнаружения контрафактных компонентов, тогда как в 2009 г. этот показатель равнялся 324. Впервые количество случаев обнаружения контрафактной продукции за год превысило 1000.
По данным IHS, больше всего сообщений о контрафактных компонентах, обнаруженных за период с 2009 по 2011 гг., поступило, в основном, от компаний из сегмента военной и авиакосмической техники США. Однако такие компоненты могут нанести ущерб компании из любой страны, которая использует их в своей продукции.
Контрафактные изделия не только наносят ущерб в миллионы долларов, но и причиняют вред здоровью человека и даже угрожают национальной безопасности.
По мнению Рори Кинга (Rory King), руководителя отдела маркетинга продуктов, IHS, это одна из главных проблем производителей электроники – и, в первую очередь, компаний оборонной и авиакосмической промышленности. Эту проблему нельзя игнорировать, т.к. объемы контрафактных изделий растут, а большинство компаний не знает о ней и неспособно принять эффективные меры по обнаружению и нейтрализации подделок. Законодательство США обяжет поставщиков компонентов для оборонной промышленности отвечать за контрафактную продукцию, а доступ к информации о подделках обеспечит должную поддержку компаниям.
Типовой список расходных материалов или компонентов для военной техники насчитывает от нескольких сотен до тысяч приобретенных компонентов, из которых, как правило, 0,5–5% относятся к контрафактным, по данным организации ERAI. Та же статистика верна и в отношении медицинского оборудования.
Кинг предлагает компаниям, специализирующимся на производстве электронной техники для военной и авиакосмической промышленностей, активно использовать средства обнаружения и данные для анализа, оценки и принятия дальнейших решений в отношении предполагаемых поддельных компонентов. Этим компаниям также следует работать с надежными поставщиками, хотя это и не непросто, учитывая большое количество компонентов и заказов во всей цепочке поставок.
Источник: Electronics news
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.02.2012


Оборонка


Созданию в РФ современной элементной базы будет посвящено одно из заседаний ВПК - Рогозин


Российское руководство уделит особое внимание развитию элементной базы ОПК, заявил в пятницу журналистам вице-премьер Дмитрий Рогозин.
"Одно из заседаний Военно-промышленной комиссии будет полностью посвящено созданию в России современной электронной базы", - сказал Д.Рогозин в ходе посещения зеленоградского предприятия "Ангстрем".
По его словам, современные войны уже другие. "Войну выигрывает тот, кто выигрывает ее заранее", - отметил Д.Рогозин.
"Мы должны иметь собственную элементную базу, а не закупать за рубежом. Мы можем производить свои болты и гайки, но и элементная база должна быть отечественная", - подчеркнул вице-премьер.
Д.Рогозин добавил, что главной угрозой безопасности при закупке за рубежом элементной базы является так называемые "закладки". Он отметил, что, например, в США, в Пентагоне создан целый отдел киберразработок, на это направление выделяются огромные деньги.
"Если мы будем зависеть технологически от них, нам никто не сможет дать гарантий невмешательства", - отметил вице-премьер.
"ИНТЕРФАКС-АВН"
http://rosrep.ru/news/ 17.02.2012


«Ангстрем» продемонстрировал новую радиостанцию для ВПК и радиоэлектронное производство


17 февраля зеленоградский завод «Ангстрем» посетили с рабочим визитом заместитель председателя Правительства РФ Дмитрий Рогозин и министр обороны РФ Анатолий Сердюков. Им представили новую разработку предприятия, выполненную совместно с Минобороны — комплекс связи 6-го поколения для вооруженных сил, превосходящий мировые аналоги, а также опытное сборочное производство радиоэлектронных устройств этого комплекса, для которых «Ангстрем» серийно производит электронную компонентную базу. На совместном совещании правительственная делегация и руководство «Ангстрема» обсудили переход к серийному выпуску радиостанций и массовым поставкам их в вооруженные силы РФ и на предприятия ВПК, выпускающие военную технику в рамках Гособоронзаказа, а также в системы контроля безопасности ядерных объектов и системы доверенной идентификации.
Разработка комплекса радиоэлектронной связи, которую «Ангстрем» выполнил по заказу Министерства обороны и по поручению Президента РФ, завершилась совсем недавно, а создание элементной базы для суперсовременной радиостанции на «Ангстреме» было запущено 4 года назад. Сейчас на «Ангстреме» собирают первые партии этой техники, а после успешного прохождения государственных испытаний готовятся приступить и к серийному выпуску. Опытное производство, которое показали высоким гостям и журналистам, построено на деньги самого предприятия и на самом современном оборудовании — станки для сборки, настройки и тестирования оборудования закуплены и установлены буквально несколько месяцев назад. Как сообщил президент группы компаний «Ангстрем» Алексей Таболкин, представляя новый проект, многое оборудование «Ангстрем» разрабатывал сам, с нуля — например, камеры для испытаний и настройки широкодиапазонных радиостанций. По его словам, это был сложный путь — приходилось опираться только на свой опыт, так как разрабатываемые устройства серьезно расходились с существующими мировыми аналогами, к тому же оказалось, что в стране катастрофически не хватает нужных специалистов, и «Ангстрем» сам обучал кадры буквально «на ходу».
Отвечая на вопрос Zelenograd.ru, Алексей Таболкин сообщил, что на сегодняшний день радиоэлектронное производство можно признать ведущим производством «Ангстрема». «Микроэлектроника — наш традиционный конёк, и мы умеем делать многие вещи, которые никто в мире не умеет, и до сих пор занимаемся их экспортом. А связь — достаточно новое направление, и оно у нас получается. Новое производство мы запускаем совместно с Минобороны и под заказ ВПК, другие его применения пока обсуждаются. Ожидаем, что заказчики будут совершенно разные, и спрос будет достаточно большой, поскольку эта радиостанция универсальна, подходит для разных применений», — отметил он.
Комплекс связи с цифровой портативной радиостанцией, разработанный на «Ангстреме», предназначен прежде всего для спецприменений. Радиостанция работает в широком спектре диапазонов и способна обеспечивать связь между всеми существующими видами телекоммуникационных технологий — спутник, сотовая связь, интернет, FM-радио или цифровое ТВ и т.д. Она одна заменить весь существующий парк радиостанций, при этом конфигурация нужных диапазонов частот и видов связи производится программно. Кроме того, устройство отличается высокой устойчивостью к радиоэлектронному подавлению. По некоторым параметрам эта радиостанция превосходит все существующие мировые аналоги, как подчеркнул Алексей Таболкин — есть основания считать, что эта зеленоградская разработка серьезно опередила мировой уровень средств связи для специального назначения и является уникальной.
Дмитрий Рогозин лично испытал в действии радиостанцию нового комплекса связи, отметив высокое качество ее работы. «Когда в августе 2008 года мы проводили операцию по принуждению к миру агрессора, то увидели, что необходимо серьезно улучшить качество связи тактического звена на поле боя. Сейчас мы посмотрели радиостанции, сделанные «Ангстремом» по новым технологиям. Эта связь работает. И работает без проблем по разным частотам, в том числе, обеспечивая связь с обычным мобильным телефоном. Так что, когда хотим, мы умеем делать не только по-европейски, но даже, как говорил Чапаев, «в мировом масштабе», — заявил Дмитрий Рогозин. Его поддержал Министр обороны Анатолий Сердюков: «Эта новейшая станция уникальна во всех отношениях по сравнению с другими действующими образцами. Она работает в более широком диапазоне частот, чем применяемая сейчас в вооруженных силах. В этом году мы должны получить первую партию — 2,5 тысячи образцов», — сказал он.
Ядром радиостанции является отечественный процессор с тактовой частотой до 1 ГГц, спроектированный «Ангстремом» совместно с зеленоградской компанией «Элвис» в соответствии с топологическими нормами 65нм. В России пока нет таких микроэлектронных производств, поэтому изготавливать его приходится за рубежом — однако, на «Ангстреме» возлагают большие надежды на строительство собственной фабрики чипов 130-65нм, финансирование которой недавно возобновилось. Остальная микроэлектронная «начинка» и комплектующие радиостанции тоже пока преимущественно импортного производства, но уже ведется планомерная работа по замене их на отечественные. Часть микросхем делают на кристальном производстве самого «Ангстрема» или проектируют на предприятии. Помимо «Ангстрема», который является идеологическим центром этого проекта, в поставках комплектующих задействовано много других российских предприятий, в том числе зеленоградских, как рассказал Zelenograd.ru Алексей Дианов, начальник Управления по корпоративным коммуникациям группы компаний «Ангстрем».
«Критически важные системы делают в России. — Сообщил Алексей Дианов. — Они есть, но многое еще нужно разрабатывать. У „Ангстрема“ есть компетенции, люди, наука, с которыми можно это сделать, и мы уже это делаем в рамках ОКРов. Разработчиков собираем по всей стране, привозим в Зеленоград, даем им квартиры — у нас есть целая программа по привлечению кадров на предприятие в рамках открытия новых производств. В наших планах в следующем году увеличить число сотрудников на 400 человек. Радиоэлектроника — это основа, на которой параллельно будут развиваться и другие производства: если раньше „Ангстрем“ просто занимался производством микроэлектроники, то сейчас в нашим направлением стали и системы связи; в процессе их разработки выяснилось, что в стране не производится нормальных антенн, и даже корпуса радиостанций мы тоже собираемся делать — всё это необходимо начинать делать „с нуля“ у себя, раз мы производим радиостанцию для российского ВПК. И конечно, все технологии, которые мы освоим, мы будем использовать и для других своих проектов».
Напутствовал «Ангстрем» в освоении новых направлений деятельности Леонид Рейман, председатель совета директоров НПО «Ангстрем». Начиная совещание, он отметил, что предприятие переживало разные периоды развития и в последнее время начало активно возрождаться — сегодня на нем осваивают самые передовые системы связи, и разработанные радиостанции это одно из первых подобных изделий. «В ближайшее время мы планируем продолжать эту работу — для этого у „Ангстрема“ имеются и возможности, и люди, способные решать подобные задачи», — заявил он.
Первый заместитель председателя Военно-промышленной комиссии при Правительстве РФ Юрий Борисов также пожелал удачи «Ангстрему» в разработке и освоении новой техники: «Мы всегда знали „Ангстрем“ как микроэлектронный центр, а сейчас он не уступает и на рынке связи. Это — самый массовый сегмент рынка, и он также будет продвигать российскую микроэлектронику».
Дмитрий Рогозин завершил свой визит на завод встречей с трудовым коллективом, который представляли в том числе ветераны производства и молодые сотрудники, передавшие чиновнику коллективное письмо. В ответ он пообещал, что руководство страны и возглавляемая им Военно-промышленная комиссия будут уделять самое пристальное внимание развитию отечественной элементной базы. «Есть модные вещи, нано- и тому подобное, но есть и развитие радиоэлектроники в Российской Федерации, независимой на всей технологической цепочке от иностранных поставщиков. Да, это дорого, потребуется закупка оборудования, технологии, но самое главное — нужны свои мозги, чтобы они не утекали!», — заявил Дмитрий Рогозин, и в доказательство этого пригласил войти в совет консультантов Военно-промышленной комиссии одного из старейших сотрудников «Ангстрема» Анатолия Яковлева, директора завода в 1981-1987 годах и создателя первого отечественного транзистора. Ветеран ответил согласием.
http://www.zelenograd.ru/news/19.02.2012


Российская микроэлектроника


В Зеленограде запущена линия производства микросхем 90 нм


ОАО «Ситроникс» совместно с ОАО «Роснано» запустили в Зеленограде линию производства микросхем на основе технологии 90 нм, передает корреспондент РИА Новости. «Производство полного цикла с R&D-центром позволит нам выстроиться в мировой рынок, используя собственные ноу-хау и технологии», – сказал президент «Ситроникса» Сергей Асланян.
Конечными продуктами проекта станут чипы навигационных систем ГЛОНАСС/GPS, промышленной электроники, а также чипы с расширенной функциональностью для биометрических паспортов и других персональных документов, банковских и социальных карт, SIM-карт и меток радиочастотной идентификации.
Новые интегральные схемы будут обладать большей производительностью и объемом памяти, низким энергопотреблением, более эффективными механизмами защиты.
«Линия производства по технологии 180 нм у нас загружена примерно на 70%, к этому показателю мы шли три года. Запускаемая сегодня линия в первый год будет загружена не более чем на 40%», - сказала директор по маркетингу «Ситроникс микроэлектроника» Карина Абагян.
По ее словам, технологический процесс открываемой линии занимает три месяца. Таким образом, первая готовая продукция по технологии 90 нм на производстве в Зеленограде появится в мае, это будут чипы памяти.
По данным «Ситроникс», линии производства микросхем по технологии 90 нм существуют, кроме России, еще только в семи странах. Это - США, Германия, Япония, Китай, Тайвань, Южная Корея и Франция.
Запущенное в Зеленограде производство базируется на производственной площадке ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон».
В рамках проекта будет использована лицензия одного из ведущих мировых изготовителей полупроводниковых приборов - компании ST Microelectronics - на технологический процесс изготовления интегральных схем с нормами 90 нанометров. Также предполагается создание дизайн-центра, который будет осуществлять проектирование собственных чипов.
Проектная мощность открываемой линии - три тысячи пластин диаметром 200 мм в месяц, при подготовке к производству площадь «чистых комнат» завода увеличена на 25% до 3,5 тыс. кв. м. Тестовая эксплуатация линии началась еще в 2011 году, но коммерческая продукция пока не выпускалась.
Рынок памяти и процессоров, производимых по более современным технологиям, компании «Ситроникс» не интересен. Без учета этих сегментов, мировая доля чипов, производимых по технологии 90 нм, по оценке «Ситроникс», является самой крупной и составляет 35%.
Участниками проекта, помимо «Роснано», стали ОАО АФК «Система», ОАО «Ситроникс», ОАО «НИИМЭ и Микрон», ЗАО «Амекс». Общий бюджет проекта составляет 16,5 млрд рублей, из них инвестиции «Роснано» - около 6,5 млрд рублей, ОАО «Ситроникс» также 6,5 млрд рублей. Помимо этого, был привлечен кредит со стороны «Банка Москвы» и «Роснано» на 3,5 млрд рублей. Планируется, что объем продаж продукции проекта в 2015 году составит 12 млрд рублей в год.
Совместное с «Роснано» предприятие «Ситроникс-Нано» для производства микросхем по технологии 90 нм на мощностях ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» было создано в октябре 2009 года. Лицензию на производство и продажу чипов по технологии 90 нм «Ситроникс» приобрел весной 2010 года. Технологическим партнером проекта, общий объем финансирования которого оценивается в 16,5 млрд рублей, является STMicroelectronics.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.02.2012


Наука и технологии


Сложить нанопасьянс


У России появился шанс стать мировым лидером в производстве фотолитографических машин. Но даже если она его упустит, мы в любом случае можем разработать технологии, которые станут основой следующего нанотехнологического уклада
На заре микроэлектроники, еще в 1965 году, один из создателей корпорации Intel Гордон Мур высказал предположение, которое впоследствии назвали законом Мура: число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые полтора-два года, а их размеры — с той же скоростью уменьшаться. И если в 1971 году проектные нормы производства микросхем были 10 мкм, то сейчас речь идет о размерах меньше 20 нм.
Ключевой технологией, обеспечивающей достижение этих результатов, является фотолитография. Фотолитографическое оборудование — одно из самых сложных, точных и дорогих в машиностроении. Цена таких установок выросла с десятков тысяч долларов до десятков миллионов.
Цель фотолитографии в микроэлектронике — формирование заданного изображения на кремниевой подложке для получения необходимой топологии микросхемы. Для этого на подложку наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится светочувствительный материал — фоторезист, который подвергается облучению через оптическую систему и фотошаблон (маску). После дальнейшей обработки фоторезиста, на пластине остается заданный фотошаблоном рисунок. Чтобы закон Мура продолжал соблюдаться, необходимо постоянное уменьшение размеров элементов рисунка. Это, в свою очередь, требует уменьшения длины волны излучения, повышения качества оптической системы и увеличения точности работы механизма, передвигающего подложку под падающим лучом.
Вот почему ключевые элементы любой фотолитографической установки — это оптическая система, источник излучения и система совмещения (позиционирования).
Последняя разработка советской фотолитографической установки (революционная по тем временам) с источником света на длине волны 248 нм была сделана в СССР в конце 1980-х минским предприятием "Планар" под научным руководством тогдашнего директора Физико-технологического института РАН академика РАН Камиля Валиева. Опытный образец установки, находившийся на "Планаре", судя по всему, в начале 1990-х был продан в Китай.
Всего две фирмы
В последние годы голландская компания ASMLithography разработала фотолитографическое оборудование на длине волны 193 нм с разрешением 32 нм, которое испытывается в Intel и в тайваньской компании TSMC. Однако возможность дальнейшего кардинального уменьшения проектных норм при длине волны источника 193 нм у многих специалистов вызывает сомнения.
Еще в начале 1990-х возникла идея создавать оптическую литографию на длине волны 13,5 нм — это диапазон мягкого рентгена или экстремального ультрафиолета (extreme ultraviolet, EUV). Такая длина волны была выбрана потому, что создать эффективные источники излучения и оптику в диапазоне от 193 до 13,5 нм оказалось невозможно. Проблема в том, что на длине волны 13,5 нм нельзя использовать традиционную преломляющую оптику из-за интенсивного поглощения такого света всеми материалами. Поэтому в подобных оптических системах используют отражающую рентгенооптику, то есть зеркала с соответствующим интерференционным покрытием.
В настоящее время лишь две компании в мире ведут разработки фотолитографических машин, действующих в диапазоне проектных норм менее 20 нм: вышеупомянутая ASMLithography и японская Nikon.
ASML разработала (с участием российских ученых) прототипы фотолитографической установки на длине волны 13,5 нм еще в 2006 году и направила их для исследований и испытаний в международный микроэлектронный центр IMEC в Бельгии и в аналогичный центр в Олбани, в Соединенных Штатах.
Но в России сохранились и работают группы ученых, занятые созданием и важнейших узлов самых современных фотолитографических установок на длине волны 13,5 нм, и самой установки. Они сотрудничают в этом с ASML и пытаются убедить наше правительство в необходимости восстановления современного оптико-электронного машиностроения в России, тем более что разработка и производство фотолитографических установок, сочетающих в себе прецизионные оптику и механику и уникальные источники излучения, могут стать хорошей школой для развития всего спектра наукоемкого машиностроения.
Разработкой оптической системы и ее элементов для фотолитографических установок, работающих на этой длине волны, и прототипа самой установки занимается в Институте физики микроструктур (ИМФ) РАН в Нижнем Новгороде член-корреспондент РАН Николай Салащенко. Источник излучения создается под руководством ведущего научного сотрудника Константина Кошелева в Институте спектроскопии (ИСАН) РАН в подмосковном Троицке. А сверхточными системами позиционирования, которые можно использовать и в фотолитографических установках, занимается "Лаборатория “Амфора”" в Москве.
Оловянный источник
В 2000 году, когда Константин Кошелев работал консультантом в голландском Институте физики плазмы, ASML предложила, чтобы его лаборатория в ИСАН консультировала компанию. Это предложение не было случайным. Оно основывалось на известных достижениях ИСАН в изучении спектров излучения различных материалов, которыми там занимались в течение многих десятилетий. Но консультации переросли в тесное сотрудничество, когда в ИСАН предложили новый вариант EUV-источника.
В качестве источника ИСАН решил использовать пары олова. Кошелев поясняет: "Мощность источника излучения должна составлять десятки киловатт в объеме, который не превышает кубического миллиметра, и ее можно получить только на парах олова".
Сейчас в ИСАН разрабатывают два типа EUV-источников излучения на парах олова — на основе разрядной и лазерной плазмы.
Лазерная плазма возникает, когда излучение мощного лазера фокусируется на мишень в вакууме. Нынешнее решение конструкции лазерного источника напоминает "лазерный термояд": с огромной частотой, в десятки килогерц, летят микрокапли расплавленного олова, в них попадает сфокусированный луч импульсного лазера. Капли взрываются и светят.
В разрядном источнике, который, упрощенно говоря, представляет собой газоразрядную лампу, надо было придумать, как отводить излишнюю энергию. В лаборатории Кошелева впервые продемонстрировали эффективность источника, который представляет собой электроды в виде двух вращающихся колес с пленкой жидкого олова на их поверхности. Инициация разряда между ними осуществляется излучением высокочастотного лазера, сфокусированного на поверхности электрода. Испаренные лазером пары олова замыкают промежуток, и возникает разряд с током силой 10–20 кА. Он сжимается, нагревается и светит в нужном спектральном диапазоне. И если колеса вращаются достаточно быстро, то разряд плазмы происходит всякий раз над новым местом на поверхности электрода. Но оказалось, что существуют ограничения на скорость вращения колес в жидкости, а значит, и на мощность отводимой энергии, и, как следствие, на мощность EUV-излучения. В ИСАН было предложено другое решение, которое основано на использовании электродов в виде двух параллельно льющихся с высокой скоростью потоков жидкого олова. По одному из них с большой частотой бьет лазер, инициирующий разряд. Между струями возникает разрядная дуга, а поток олова уносит лишнее тепло. "Все это, — замечает Константин Кошелев, — выглядит просто и изящно на бумаге, но понятно, что это сложнейшие конструкции, работающие к тому же в вакууме".
"Сейчас, — рассказывает Кошелев, — Николай Салащенко показал, что есть еще одно окно, где зеркала могут хорошо отражать: 6,5–6,7 нанометра. А мы поняли, какой должен быть источник на этой длине волны. И сейчас этот источник разрабатываем. Это тоже лазерная или разрядная плазма, которая будет создана на одном из двух элементов — гадолинии или тербии". Фотолитографическая установка на такой длине волны в перспективе может позволить достичь разрешения 3 нм, которое требуется для изготовления элементов квантового компьютера.
Отразить рентген
"Мы начали заниматься рентгенооптикой в диапазоне длин волн от одной десятой ангстрема до тысячи ангстрем в конце 1970-х и сейчас находимся на одном из лидирующих мест в мире, — рассказывает Николай Салащенко. До всякой фотолитографии рентгенооптика использовалась в микроскопии, астрономии, диагностике плазмы".
Начав заниматься рентгенооптикой, в ИФМ поняли, что им придется разрабатывать и изготавливать практически все — от технологий и технологического оборудования до измерительной аппаратуры. В результате в институте был создан замкнутый цикл производства рентгенооптики. "Этим мы и сильны, и интересны. Поэтому с нами сотрудничает ASML", — говорит Николай Салащенко.
Проведенные расчеты показали, что точность изготовления оптики для EUV-литографии должна составлять единицы ангстремов. "Тогда я подумал, — вспоминает Салащенко, — что так не бывает. Теперь я могу сказать, что бывает и что без этого нельзя. Но чтобы делать с такой точностью, надо уметь измерять оптические поверхности с еще большей точностью. И мы начали работу с того, что разработали и изготовили специальный интерферометр, который позволяет это сделать. Таких интерферометров в мире единицы".
Но ни одна из существующих технологий изготовления зеркал не обеспечивает нужной точности. Поэтому в ИФМ были развиты технологии прецизионной коррекции формы поверхности, основанные или на локальном нанесении специальных многослойных структур, или на локальном ионном травлении низкоэнергетичными ионами, или на сочетании обеих методик.
Когда изготовлена подложка для зеркала нужной формы и нужного качества, необходимо нанести на него отражающее покрытие; в случае зеркал для нанолитографа на длине волны 13,5 нм это многослойное молибден-кремниевое покрытие. Многослойные покрытия, как правило, наносятся методом магнетронного распыления. "В настоящее время, — говорит Салащенко, — мы пытаемся существенно изменить технологию нанесения многослойных покрытий, введя возможность полировки поверхности каждого свеженанесенного слоя низкоэнергетичными ионами. Такой установки пока нет ни у кого в мире, да и мы ее только осваиваем".
Источники излучения, которые используются в области глубокого ультрафиолета, наряду с полезной длиной волны излучают очень большой фон, который попадает на экспонируемую пластину и нагревает ее. Нужен фильтр, который пропустит излучение только на рабочей длине 13,5 или 6,7 нм волны, а остальное излучение отразит или поглотит. Причем эти фильтры могут нагреваться под воздействием фонового излучения до 1000 градусов и должны месяцами работать в импульсном режиме. Проблема в том, что для этих длин волн нет прозрачных материалов. Но в ИФМ смогли создать такой фильтр. Салащенко показывает сам фильтр (это пленка толщиной 50 нм и диаметром 200 мм, натянутая на металлический каркас) и установку для его изготовления. Кроме того, в литографической машине много движущихся частей, и в результате трения одной части о другую в пространство выбрасывается довольно много частиц размером до сотни нанометров. И часть из них осаждается на маске и искажает рисунок печати. Для защиты маски тоже используется фильтр, но его толщина должна составлять уже 20 нм.
На вопрос о технологии изготовления таких фильтров Салащенко загадочно разводит руками. Загадочность не случайна. Николай Салащенко — монополист в производстве этих фильтров и снабжает ими весь мир.
Когда готовы зеркала и фильтры, можно собирать литограф. Салащенко показывает его макет: "Это первый в России литограф-мультипликатор на длине волны 13,5 нанометра. В настоящее время мы начали отрабатывать режимы работы литографа, определяем достигнутое пространственное разрешение, которое позволяет получать изготовленная нами оптика". Поскольку работы в этом диапазоне длин волн ведутся в России впервые, в ИФМ вынуждены создавать совместно с сотрудниками Института химии при Нижегородском университете фоторезисты, чувствительные на длине волны 13,5 нм, и оборудование для их исследований и испытаний.
Сдвинуть наностол
Единственное предприятие на территории бывшего Союза, которое было способно делать системы позиционирования для фотолитографов и продолжает делать разнообразные координатные столы, — это минский "Планар". Однако оказалось, что и в России есть коллектив, новый инновационный бизнес, работающий в области систем позиционирования нанометровой точности, — "Лаборатория “Амфора”", которая еще в 2003 году стала призером Конкурса русских инноваций (см. "Микроскопический бизнес", "Эксперт" № 3 от 27 января 2003 года).
Генеральный директор компании Павел Осипов в конце 1970-х работал в НПО "Астрофизика", которое разрабатывало высокоэнергетические лазерные технологические комплексы и оптические системы для обороны страны. "Лабораторию “Амфора”" он создал совместно с Константином Индукаевым, учеником академика Михаила Леонтовича. Индукаев, в частности, участвовал в разработке спутниковой электродинамической пушки — нашем "асимметричном ответе" на американскую СОИ — и высокоточных систем наведения спутниковых антенн. Тогда у него родились многие идеи, которые теперь используются в высокоточных системах позиционирования, ставших одним из основных направлений развития "Амфоры".
В традиционных системах позиционирования, поясняет Индукаев, господствует привод, включающий линейный электродвигатель и лазерный интерферометр, который использует систему обратной связи. Но в такой системе всегда присутствуют неустранимые колебания. А линейный привод с механическими винтовыми передачами всегда имеет практически не устранимый люфт. "Лаборатория “Амфора”" в своих системах позиционирования использует бесконтактную магнитную винтовую передачу без обратной связи.
У такого винта может быть большая ошибка — два микрона, полтора микрона, — но в каждой точке она строго одинакова, и обеспечивается высочайшая повторяемость, до долей нанометра, при подходе и слева, и справа, потому что в этой винтовой паре нет никакого люфта. Ее жесткость в разы превосходит жесткость традиционных систем позиционирования. Она способна обеспечивать передвижение с точностью в доли нанометра на 200–300 мм или даже 400 мм. "Это наше изобретение, — поясняет Осипов. — На него есть патенты". На базе такой передачи можно строить и уникальные металлорежущие станки, тем более что в "Амфоре" на аналогичных принципах разработаны и линейные подачи, и шпиндели, и координатные столы, в том числе для систем литографии.
Войти в мировой клуб
"Я уверен, — говорит Константин Кошелев, — что в одиночку России не создать промышленный образец литографа ни к 2020 году, ни позже. Потому что у нас нет соответствующей индустрии и мы не сможем развить ее на необходимом уровне в эти сроки. Но мы можем войти в мировой клуб, сотрудничая с ASML. И быть полноправными его участниками. И на это государство должно потратиться. На Западе до сих пор нас побаиваются, но если мы вложим свои деньги, сможем производить что-то важное для этого оборудования и у нас в руках будут важные патенты, то отношение будет другое. А пока ASML нам платит, и поэтому патенты принадлежат им. Но сейчас Роснано начала проект поддержки фотолитографии в стране, и мы рассчитываем на него. Если у нас будет собственное финансирование, то мы сможем закрепить хотя бы часть патентов за собой".
Как поясняет заместитель управляющего директора Роснано Руслан Титов, один из вариантов, который сейчас обсуждается, — создать инжиниринговую компанию с филиалом за границей, и чтобы она дверь в дверь сидела с ASML и то, что разработали у Кошелева, можно было бы сразу поставлять в ASML. Роснано с Кошелевым делает попытку создать первый такой бизнес в области передовой наноэлектроники, чтобы ASML стала воспринимать его не как ученого-разработчика, а как поставщика решений для их литографических машин. "И мы в это инвестируем деньги, — говорит Титов. — Потому что иностранных инженеров в русское юридическое лицо не наймешь, на работу в Россию их не перевезешь. А русских инженеров в ASML уже достаточно много". К примеру, директор исследовательского подразделения ASML — выпускник Физтеха Вадим Банин. А в компании "Саймер" — основном поставщике источников для фотолитографии — программу по EUV-литографии возглавляет выпускник Физтеха Игорь Фоменков. 
Но есть и другое мнение. "Нашей задачей, — говорит директор Физико-технологического института РАН, академик РАН Александр Орликовский, — должно стать не просто участие в разработках зарубежных компаний, а прорыв, чтобы к 2020 году быть на равных с ведущими мировыми разработчиками этого оборудования и создать образец действующей установки с разрешением менее 20 нанометров".
Вот почему генеральный конструктор ОАО "НИИМЭ и Микрон" академик РАН Геннадий Красников, академик РАН Александр Орликовский и член-корреспондент РАН Николай Салащенко обратились в правительство с предложением создать в России программу развития производства фотолитографического оборудования и электронного машиностроения в целом.
"Есть два варианта промышленной политики, — поясняет Геннадий Красников, — в том числе в области фотолитографии и электронного машиностроения. Если есть деньги, если есть научные разработки и уверенность в том, что наши разработки лучшие и смогут завоевать существенную часть рынка, то нам надо развивать собственную промышленность.
Создание собственного литографа — очень сложная задача, не только техническая, но и маркетинговая, и экономическая, и политическая. Потому что ASML сотрудничает со всеми крупнейшими компаниями мира, выпускающими чипы. И к ним будет трудно пробиться. Но к решению этой задачи можно двигаться шагами. Первым шагом может быть поставка таких литографов в качестве научного оборудования каким-то лабораториям, компаниям, университетам, которые ведут исследования в этой области. С ними начинать выстраивать отношения. Одну установку продал, другую, постепенно завоевываешь авторитет, начинаешь это дело раскручивать.
Результатом предлагавшейся нами программы должно было стать создание установки, которую могли бы взять, во-первых, исследовательские центры, а во-вторых, которую мы на “Микроне” могли бы попытаться адаптировать в технологический маршрут.
А вот если у вас нет необходимых сил и денег, то возможен второй вариант — вступление в международный альянс, как теперь работают все компании мира. Та же ASML. Хотя, если мы хотим принимать участие в альянсе на равных, то все равно нужны разработки и деньги. Потому что, если ты вкладываешь туда свои деньги и ресурсы, то ты имеешь такие же права, как и другие. А если ты выполняешь работу на чужие деньги, то ты отдаешь не только результаты своей работы, но и интеллектуальную собственность".
Подключить промышленность
Николай Салащенко считает, что надо думать, как сделать полноценный литограф в России. По его мнению, в стране есть все условия для этого. Но, конечно, не надо отказываться от сотрудничества с ASML. Оба пути естественны. Один не мешает другому, а даже дополняет и помогает. Нужно использовать и возможности, которые может предоставить Роснано, для этого его и создавали. Нужно по возможности подключать и российскую промышленность: например, замечает Салащенко, "для нас было бы интересно совместно работать с Красногорским механическим заводом имени Зверева и над проблемой создания фотолитографа, и над проблемой выпуска прецизионной оптики".
В рамках подготовки к выпуску фотолитографа завод мог бы взять на себя разработку вместе с ИФМ промышленного интерферометра, необходимого для изготовления сверхточной оптики, разработку промышленной технологии изготовления и метрологии супергладких поверхностей, разработку технологии и оборудования для прецизионной коррекции формы оптических поверхностей.
Пока в мире всем циклом технологий, необходимых для создания сверхточной оптики и проекционных объективов сверхвысокого разрешения, обладают компании Zeiss (ФРГ) и частично General Optics (США) и Nikon (Япония). Освоение этих технологий российской промышленностью серьезно повысило бы ее конкурентоспособность. Тем более что, например, интерферометры, которые разработал ИФМ, не выпускаются мировой промышленностью. ИФМ совместно с Красногорским заводом мог бы, по мнению Салащенко, снабдить таким оборудованием университеты и оптическое производство и в России, и в Европе.
По мнению заместителя начальника научного оптико-конструкторского центра Красногорского механического завода им. С. А. Зверева Владимира Анчуткина, "конечно, КМЗ был бы заинтересован в участии в таком проекте. И если нам поступит соответствующее предложение и будет принято решение о финансировании проекта, то мы будем готовы взять на себя весь комплекс работ по оптической части экспериментального и опытного образцов EUV-нанолитографа".
Аналогичную позицию занял и главный инженер минского научно-производственного предприятия КБТЭМ-ОМО, входящего в состав объединения точного машиностроения "Планар", Владимир Матюшков: "Если будет решение о финансировании таких работ на уровне Союзного государства, то мы можем заняться разработкой систем позиционирования и для EUV-фотолитографа. Понимание, как это делать, у нас есть".
Некоторые из наших экспертов обратили внимание на политику Китая, который взял курс на создание собственного производства фотолитографического оборудования. Пока — прошлого поколения. На этом они учат инженеров, растят своих ученых. Когда они все это запустят, у них появятся тысячи людей, которые умеют на этом работать. И переход на следующую ступень (а скорее всего, через ступень) будет существенно проще.
Проблема России в том, что значительная часть наукоемкого машиностроения, которое когда-то в СССР было сконцентрировано в электронной промышленности, приборостроении и точном машиностроении, рассыпалась по отдельным небольшим коллективам в Академии наук, остаткам отраслевой науки, новым инновационным малым предприятиям и оказалась вне организующих усилий государства и корпораций. Большого бизнеса, который занимался бы наукоемким машиностроением, в стране тоже нет. Ситуация с разработкой фотолитографической установки — наглядный пример такой "рассыпанности": в стране нет центра координации подобных разработок. В результате значительная часть нашей академической и отраслевой науки оказывается замкнута на Запад, где под ее результаты и создаются самые квалифицированные рабочие места, дающие львиную долю добавленной стоимости. И туда продолжают утекать наши идеи и наши специалисты.
Станет ли Россия мировым лидером в производстве фотолитографических машин — вопрос открытый, но в любом случае, вступив на этот путь, она получит хорошие заделы в прецизионной оптике и механике, которые неизбежно станут основой следующего нанотехнологического уклада.
http://www.warandpeace.ru/ru/19.02.2012


Разное


Таможня будет искать «контрафакт» в ваших ноутбуках, мобильниках и плеерах


Жители Западной Европы протестуют против закона ACTA, позволяющего таможенникам без суда, по собственному желанию, обыскивать ваши электронные носители на предмет наличия в них данных, нарушающих законы о копирайте.
Многотысячные демонстрации прокатились 11 февраля по европейским городам. В Германии (Берлин, Мюнхен и др.) на улицы вышло более 25 тыс. демонстрантов, в Софии (Болгария) - 4 тыс. человек, протесты прошли в Лондоне, Варшаве, Праге, Вильнюсе, Бухаресте,  Братиславе, Париже, Брюсселе, Дублине и других городах. Люди выступали против тайного от законодателей европейских стран принятия международного торгового соглашения о борьбе с контрафактной продукцией ACTA (Anti-Counterfeiting Trade Agreement), которое, по их мнению, ограничивает свободу слова в Интернете и предусматривает обыски электронных носителей без санкции суда.
По сообщениям BBC, протестующие уверены, что ACTA значительно сократит возможность свободно выражать свое мнение в Интернете. В то же время сторонники законопроекта настаивают, что соглашение не вносит каких-либо изменений в действующие законы и лишь защищает права авторов на фоне активного развития пиратства в интернете. Они подчеркивают, что во время обсуждений всегда выступали за открытость принципов соглашения. ACTA предусматривает создание крупной международной системы контроля за соблюдением авторских прав. В рамках соглашения таможенники получат право без суда досматривать ноутбуки, сотовые телефоны и иные электронные носители для поиска данных, нарушающих законы о копирайте. ACTA введет в силу требования и к интернет-провайдерам, включающие разглашение информации о деятельности пользователей.
Хотя разработчики ACTA отказывались публиковать предварительный текст соглашения, в том числе и по запросу законодателей европейских стран, документ уже подписали 22 члена Евросоюза, однако его еще не ратифицировал Европарламент. Дебаты по этому поводу должны состояться в июне 2012 г. Давление со стороны жителей Евросоюза, в основном молодежи, заставило повременить с подписанием соглашения Польшу, Чешскую Республику и Словакию, сообщает BBC. 10 февраля Германия также объявила, что откладывает подписание ACTA до проведения «консультаций», поскольку «ACTA противоречит принципам демократии». Некоторые активисты сравнивают такой надзор (введение функции «Большого брата») с коммунистическим режимом. Между тем, ACTA уже подписали США и Япония.
Все это происходит тогда, когда США угрожают ввести против Украины санкции, закрепив за ней статус «главной пиратской страны в Европе» за систематическое нарушение авторских прав. Вероятность введения санкций в текущем году достаточно высока. В этом случае США могут ввести пошлины на импорт украинской продукции на сумму более 650 млн долл. в год. «Украина — ключевой экспортер цифрового пиратского контента в регионе. В этой стране расположено несколько всемирно популярных ресурсов с платной загрузкой продукции, а также torrent-трекеров. Широко распространено использование нелицензионного программного обеспечения на больших и малых предприятиях и даже в государственных органах», — сообщает Международный альянс интеллектуальной собственности (IIPA), объединяющий семь крупнейших ассоциаций американских производителей контента. Помимо Украины, в перечне «нарушителей» ещё восемь стран, в том числе Россия и Китай.
Источник: BBC
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/13.02.2012


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014