ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 14(945) от  9 апреля  2012 года


Производство/Фаундри


Samsung построит в Китае фабрику по производству памяти


Поставляя микросхемы памяти для собственных смартфонов и изделий марки Apple, компания Samsung не страдает от перепроизводства памяти. Соответственно, текущие колебания спроса и предложения на этом рынке не мешают ей делать инвестиции в расширение производства полупроводниковых изделий. Как сообщает информационное агентство Bloomberg, на северо-западе Китая в окрестностях города Сиань корейский производитель собирается возвести крупную фабрику, которая будет выпускать твёрдотельную память типа NAND.
Предполагается, что на первом этапе строительство потребует вложений в сумме $2,3 млрд., общий объём инвестиций составит около $7 млрд. Это самые большие вложения Samsung в производственный объект за пределами Южной Кореи. Соответствующая заявка недавно была подана китайским властям. Со временем именно Китай и Южная Корея станут основными производителями памяти Samsung. Новой фабрике суждено стать крупнейшей в мире среди себе подобных. Китай становится и крупным рынком сбыта электронных устройств, использующих твёрдотельную память. Кроме того, здесь производится основная часть этих устройств.
Сиань обладает достаточно развитой инфраструктурой и квалифицированной рабочей силой, хотя город и удалён от юго-восточных районов Китая, традиционно вовлечённых в процесс сборки мобильных устройств. Правительству КНР ещё предстоит одобрить заявку Samsung на строительство фабрики, поэтому до начала возведения производственных корпусов пройдёт какое-то время.
http://www.overclockers.ru/hardnews/05.04.2012


Samsung могла бы стать четвертой крупнейшей фаундри-компанией


Объем мирового рынка фаундри-услуг, по данным агентства Gartner, достиг в прошлом году 29,8 млрд долл., что на 5,1% больше по сравнению с 2010 г. Положение первой четверки фаундри-компаний в списке 10 крупнейших контрактных производителей не изменилось, однако только лидеру — TSMC — удалось увеличить долю рынка до 48,8%.
Samsung, занявшая девятое место в этом списке, заработала около 1 млрд долл. только на производстве кремниевых пластин для компании Apple. Аналитики Gartner указывают, что этот показатель не был отнесен к графе фаундри-услуг. В противном случае Samsung заняла бы четвертое место в списке крупнейших фаундри-компаний. Однако до сих пор ходят слухи о том, что своим партнером по изготовлению процессоров А6 для следующего поколения своих изделий компания Apple может выбрать не Samsung, а TSMC.
Хотя объем рынка фаундри-услуг превзошел в 2011 г. объем рынка полупроводников, аналитики Gartner считают, что рост рынка фаундри-услуг по большей мере вызван частичным обесцениванием доллара. Если бы его не произошло, рынок фаундри увеличился бы всего на 0,7%.
Таким образом, если за 2009–2010 гг. темпы роста этого рынка составили 40,5%, то за 2011 г. его объем существенно не изменился из-за невысокого объема производства персональных компьютеров и слабого потребительского спроса, а также из-за того, что с середины 2011 г. заказчики отказались от практики наращивания складских запасов.
На этом рынке продолжает консолидация — на долю первых пяти фаундри-компаний приходится почти 80% доходов.
В 2011 г. израильская компания Tower Semiconductor поднялась с шестого места списка на пятое – объем ее продаж вырос на 20,4%. В то же время доходы южнокорейской фаундри Dongbu Hitek Co., специализирующейся на аналоговых и аналого-цифровых технологиях, снизился на 5,7% по сравнению с показателем 2010 г., в результате чего она переместилась в пятого на восьмое место. Наибольшие убытки понесла китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corp. – ее продажи сократились на 15%. Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/04.04.2012


Dialog Semiconductor первой в отрасли воспользуется BCD-процессом TSMC


Фаблесс-компания Dialog Semiconductor воспользуется 130-нм технологическим процессом BCD ведущей фаундри Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. для производства ИС по управлению питанием.
Немецкая компания Dialog, производитель аналого-цифровых ИС, первой в отрасли применит процесс BCD для изготовления 130-нм кристаллов с высокой степенью интеграции для мобильных устройств – смартфонов, планшетов и ультрабуков.
По слухам, эта сделка между Dialog Semiconductor и TSMC предваряет производство ИС управления питанием, которые будут устанавливаться в смартфоны и планшеты компании Apple.
Технологический процесс BCD (bipolar-CMOS-DMOS) поддерживает интеграцию блоков логики, аналоговых и высоковольтных модулей, включая FET-транзисторы. Переход на 130 нм позволит повысить энергоэффективность ИС за счет меньшего сопротивления Rds(on).
По словам Джалала Багерли (Jalal Bagherli), главного исполнительного директора Dialog Semiconductor, его компания продолжит тесное сотрудничество с TSMC, чтобы укрепить лидирующее положение на рынке по мере перехода аналоговой индустрии на использование 300-мм пластин.
Из заявления компании Dialog Semiconductor следует, что на основе 130-нм процесса BCD было разработано несколько IP-блоков для использования в ИС по управлению питанием следующего поколения, и они уже сертифицированы. Новые микросхемы появятся к концу текущего года.
Как видим, даже линейки с такими «бывалыми» технологическими нормами производства, к слову, имеющиеся и на российских предприятиях, способны производить продукцию для самых передовых современных электронных устройств. Было бы желание.
Источник: EE Times
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/03.04.2012


TSMC ожидает хороших финансовых результатов за 1Q12


Эксперты констатируют рост консолидированной выручки TSMC в первом квартале 2012 г. и предполагают их дальнейший рост во II кв.
Эксперты полагают, что консолидированная выручка крупнейшего контрактного производителя Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) за первый квартал 2012 г., будет близка к цифрам, которые ранее называло руководство компании и составит около 3,5-3,6 млрд долл. США.
За первые два месяца 2012 года консолидированная выручка TSMC составила 2,336 млрд долл. По оценкам наблюдателей, консолидированная выручка компании в марте составит 1,2–1,25 млрд долл., в результате чего квартальная сумма консолидированной выручки и будет составлять около 3,55–3,58 млрд долл.
TSMC видит хороший потенциал для своего высокотехнологического оборудования. Фото из архива Digitimes
Как отмечают эксперты, рост заказов на изделия, выполненные по технологиям до 65 нм включительно (50 нм, 45 нм, 32 нм и т.д.), обеспечил увеличение мартовских продаж по сравнению с февральским объёмом — до 1,156 млрд долл. В ближайшие месяцы, количество заказов, как ожидается, останется важным фактором  для поддержания роста продаж контрактного производителя.
По мнению наблюдателей, консолидированная выручка TSMC во втором квартале 2012 г., скорее всего, увеличится на 5-10%.
Благодаря большому объёму заказов, сформированных в начале марта на изделия, выполненные по 28-нм, 40-нм и 65-нм технологическим процессам, все производственные мощности TSMC  по выпуску 12-дюймовых пластин работают на полную мощность. По информации, полученной от поставщиков ИС для мобильных коммуникационных приложений, можно сделать вывод, что выполнение высокотехнологичных заказов продлится до середины III кв.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/05.04.2012


Новости компаний


Toshiba отмечает 25-летие памяти типа NAND


Если для производителей оперативной памяти наступили не самые лёгкие времена, то производители твёрдотельной памяти, используемой в различных носителях данных, с уверенностью смотрят в будущее. Снижение удельной стоимости хранения гигабайта данных и дефицит жёстких дисков повышают спрос на твёрдотельные накопители.
Японская компания Toshiba сочла нужным напомнить, что именно она в 1987 году изобрела память типа NAND, и в текущем году это изобретение отмечает своё 25-летие. В прошлом году объёмы поставок твёрдотельной памяти в восемь раз превзошли объёмы продаж оперативной памяти. Карты памяти и USB-флэшки, твёрдотельные накопители различных типов – все эти продукты используют память типа NAND. Твёрдотельной памяти уже удалось "потопить" накопители на гибких магнитных дисках, а также потеснить оптические носители информации. Теперь NAND борется за место под солнцем с жёсткими дисками, и на некоторых направлениях уже выигрывает. Мероприятия, посвящённые 25-летию памяти типа NAND, компания Toshiba будет проводить на протяжении всего 2012 года.
www.overclockers.ru/hardnews/04.04.2012


Конкуренты выстроились в очередь на покупку обанкротившегося японского производителя чипов Elpida


Японская Toshiba может совместно с южнокорейской SK Hynix купить обанкротившегося японского чипмейкера Elpida Memory, сообщает агентство Bloomberg со ссылкой на местные СМИ.
По данным источников, Toshiba, Hynix, а также американская Micron Technology уже подали заявки на участие в торгах для покупки Elpida целиком или по частям. Лидером в гонке за приобретение Elpida пока считается американская Micron, однако альянс Toshiba и Hynix может спутать ее планы.
Elpida, последний японский производитель чипов оперативной памяти (DRAM), в конце февраля объявила о банкротстве и провела делистинг на Токийской бирже.
По данным японского минфина, долг Elpida Memory составляет 448 млрд иен (около $5,5 млрд). По данным Reuters, это самый крупный долг за все время существования механизма защиты от банкротства в Японии. Задолженность компании постоянно росла в течение последних шести кварталов.
Еще три года назад Япония была одним из лидеров среди производителей чипов DRAM, которые являются ключевым компонентом компьютеров и мобильных устройств. Но с приходом южнокорейских конкурентов — Samsung и Hynix — Elpida оказалась в тяжелом положении. Она не уследила за новой тенденцией — массовым переходом с ПК на планшеты и смартфоны — и уступила лидерство южнокорейским компаниям.
www.vedomosti.ru/tech/news/05.04.2012


Spansion и SK Hynix займутся производством микросхем SLC NAND


Компания Spansion заявила об образовании альянса с южнокорейским производителем микросхем памяти SK Hynix.
В рамках данного соглашения эти две компании займутся разработкой и производством изделий на основе флэш-памяти типа SLC NAND, заключив кросс-лицензионный договор. Предполагается, что первая продукция на основе SLC NAND, выпущенная на базе этого сотрудничества, появится во II кв. 2012 г.


Структура 2-Гбайт флэш-памяти SLC NAND, организованная в виде 2048 блоков

Spansion считается крупнейшим производителем микросхем памяти NOR. Из заявления этой компании следует, что изготавливаемая ею линейка NOR-памяти дополнится NAND-изделиями для сегментов встраиваемых систем, автомобильной электроники, промышленной техники и оборудования связи. Семейство изделий флэш-памяти NAND от Spansion появится в ближайшие несколько кварталов.
В заявлении компании SK Hynix сообщается, что сотрудничество позволит компании производить для Spansion микросхемы флэш-памяти SLC NAND, предназначенные для использования в цифровых телевизорах, мобильных телефонах и автомобильной электронике.
Spansion также заявила о том, что продолжит разработку своей NAND-технологии захвата заряда. В июле 2010 г. эта компания заключила договор с Elpida Memory о совместной разработке технологического NAND-процесса и соответствующих изделий. Этот договор позволил Elpida воспользоваться MirrorBit – NAND-технологией захвата заряда. Затем в сентябре того же года эти две компании совместно разработали 1,8-В 4-Гбайт флэш-память NAND на основе технологии MirrorBit на фабрике Elpida в Хиросиме.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/06.04.2012

 


Мировой рынок


ASML остается лидером на рынке литографического оборудования


На долю продаж голландской компании ASML Holding NV в 2011 г. приходится больше, чем на Nikon и Canon вместе взятых. А всего пару лет назад об этой компании никто не знал.
По итогам 2011 г. компания заняла 57% рынка инструментов для литографии. Ближайшие конкуренты, Nikon и Canon, заняли 28% и 15% соответственно.  В начале года расклад был совсем другим: Nikon 42%, Canon 35%, ASML 22%.


Раздвоение на рынке началось еще в 2004 г., когда ASML впервые заняла доминирующую позицию в поставках оборудования для ArF-литографии с длиной волны 193 нм. Конкуренты не смогли потеснить ее и в области субмикронной ультрафиолетовой литографии: компания начала массовый выпуск уже в 2005 г., в то время как Nikon планировал сделать то же самое лишь в 2014—2015 гг. Компания уже обогнала давнишнего лидера на рынке оборудования для производства полупроводниковых схем Applied Materials.
За 2011 год продажи оборудования для иммерсионной литографии ASML выросли на 82%. Рост продаж Nikon значительно меньше, лишь18%. 
В области оборудования для i-line литографии Canon занял 53%, Nikon 40%, ASML 8%. Однако вряд ли это можно считать весомым проигрышем. Одна установка этого типа стоит около 5 млн долл., в то время как за машину для иммерсионной литографии придется выложить не менее 30 млн. Исчтоник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/03.04.2012


У EUV-литографии альтернатив нет


Компания Zygo, разработчик и производитель оптических систем и электрооптических измерительных приборов, получила от «главной полупроводниковой компании» заказ объемом 2 млн долл. на производство усовершенствованной оптики для установок фотолитографии глубокого ультрафиолета (EUV).
Оптическая система, на создание которой потребуется около двух лет, предназначена для разработки технологического процесса EUV-литографии.
Демонстрационная EUV-установка компании ASML на 300-мм фабрике IMEC. Источник: IMEC
Этот заказ будет выполняться в рамках научно-исследовательского проекта MET-5 по созданию установки для микроэкспонирования. Проект возглавляет консорциум Sematech. Усовершенствованная оптическая система позволит исследователям работать с элементами шириной менее 16 нм для разработки нового техпроцесса.
В октябре 2011 г. Zygo уже получила заказ объемом 9 млн долл. на разработку оптической системы в рамках проекта MET-5 от консорциума Sematech и Группы по наноразмерной науке и технике (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE). Условия соглашения предусматривают создание оптики для систем субмикронной литографии. Ожидается, что на разработку и производство зеркальной системы для EUV-литографии, в которой будет применяться высокоточная оптика от Zygo, потребуется 22 месяца.
Неясно, почему новый заказ поступил от «главной полупроводниковой компании», а не от CNSE или Sematech. Все компании — IBM, Intel, Globalfoundries Samsung, TSMC и Toshiba – работают с Группой CNSE. Однако Intel и TSMC являются наиболее вероятным кандидатами на роль главной полупроводниковой компании, поручившей Zygo изготовить оптические системы для субмикронной литографии.
Intel является мировым лидером в области миниатюризации производственных процессов. Так, например, эта компания уже работает по 22-нм технологии с использованием стандартных методов оптической литографии. В то же время компания TSMC получила экспериментальную установку для субмикронной литографии от ASML Holding, благодаря чему имеет возможность ускорить разработку соответствующего процесса. При этом компания IBM считается лидером в Альянсе CPA (Common Platform Alliance), в который входят Samsung и Globlfoundries.
Следует заметить, что Люк ван ден Хоув, президент IMEC (микро- и наноэлектронный научный центр), считает, что у субмикронной литографии нет альтернативы — она и в дальнейшем будет применяться в производстве микросхем. Этот научный центр приобрел у ASML самую первую установку для субмикронной литографии, однако до сих пор не смог решить проблему отсутствия достаточно яркого источника света.
В настоящее время ASML прилагает огромные усилия, чтобы решить эту задачу. Для реализации литографической технологии по нормам 10 нм и меньше предлагалось использовать электронно-лучевые установки и другие методы, однако ван ден Хоув уверен, что существующая проблема будет решена уже выбранным способом.
Центр IMEC сотрудничает с ASML более 20 лет. Если ASML большее внимание уделяет вопросам создания оборудования, то IMEC занимается разработкой этапов техпроцесса, резистов, фотошаблонов и пр. По словам Хоува, настало время, когда нельзя создать новый инструмент, не учтя особенностей техпроцесса и технологического оборудования на производстве.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/09.04.2012


На рынке полупроводников рекорд второй год подряд


Рынок полупроводниковых материалов вырос на 7% за 2011 г. Это лучший результат за всю историю наблюдений SEMI, причем уже второй год подряд.
Продажи полупроводниковых материалов выросли до 47,86 млрд долл. США за 2011 г. В 2010 г. объем рынка оценивался в 44,85 млрд, в 2007 г. — 42,67 млрд.  


Из этой суммы на материалы для подложек и корпусов ИС приходится 24,20 млрд и 23,67 млрд долл. соответственно. Отчасти это связано с изменением курсов валют.
Второй год подряд Тайвань становится самым большим потребителем полупроводниковых материалов, на него приходится 10,04 млрд долл. Рынок Японии потерял 1%, в то время как в других странах региона наблюдался умеренный рост. В Южной Корее он связан с увеличением спроса на производственные материалы, а в Китае — на материалы для корпусов.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/05.04.2012


Программное обеспечение


Объём экспорта китайского ПО в январе-феврале 2012 г. составил 45.3 млрд долл.США


Министерства промышленности и информационных технологий Китая регистрирует рост экспортных поступлений от продаж программных продуктов за январь-февраль 2012 г. в 25,7% в годовом исчислении.
Всоответствии со статистическими данными Министерства промышленности и информационных технологий (МПиИТ), суммарный объём от продаж разработанного в Китае в январе-феврале 2012 г. программного обеспечения составляет 45,3 млрд долл. США, что соответствует росту в 25,7% в годовом исчислении.
Общая выручка от экспорта программных продуктов и услуг в отчетный период составила 4,7 млрд долл. США, что составляет 10,4% от общей выручки и рост 15,1% в годовом исчислении.
Китайский рынок: доходы индустрии по разработке программных продуктов по категориям, за январь-февраль 2012, млрд долл. США


Категория бизнеса

Сумма

Годовой рост

Программные продукты

15.37

23.4%

Сервис по системной интеграции

9.83

19.0%

Софт для встроенных систем

8.03

34.4%

Системы для обработки данных и операционного сервиса

6.13

27.4%

Продукты для консультационного сервиса

4.07

32.5%

Разработка ИС

1.87

28.8%

По материалам МП и ИТ, из архива Digitimes, апрель 2012.  Источник: DigiTimes
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/05.04.2012

Продажи


TOP-10 ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ 2010-2011


Ниже приводятся данные по ведущим производителям микроконтроллеров, подготовленные аналитической компанией DATABEANS.


место в 2011

компания

оборот в 2011

оборот в 2010

Y2Y

доля рынка @ 2011

1

RENESAS ELECTRONICS

$4,318 млрд.

$4,441 млрд.

-3%

28,5%

2

FREESCALE SEMICONDUCTOR

$1,538 млрд.

$1,484 млрд.

+4%

10,1%

3

ATMEL

$1,114 млрд.

$895 млн.

+25%

7,4%

4

MICROCHIP TECHNOLOGY

$1,010 млрд.

$956 млн.

+6%

6,7%

5

INFINEON TECHNOLOGIES

$1,007 млрд.

$857 млн.

+18%

6,6%

6

TEXAS INSTRUMENTS

$838 млн.

$809 млн.

+4%

5,5%

7

FUJITSU

$834 млн.

$1,000 млрд.

-17%

5,5%

8

NXP SEMICONDUCTORS

$721 млн.

$733 млн.

-2%

4,8%

9

STMICROELECTRONICS

$661 млн.

$680 млн.

-3%

4,4%

10

SAMSUNG

$510 млн.

$515 млн.

-1%.

3,4%

 

остальные:

$2,604 млрд.

$2,430 млрд.

+7%.

17,2%

 

весь рынок:

$15,155 млрд.

$14,799 млрд.

+2%.

100%

http://www.ecworld.ru/support/sst/uCtop10_11.htm

 


Рынок IP-ядер удвоится в ближайшие пять лет


Рынок интеллектуальной собственности (IP) для полупроводниковых устройств вырастет с 2,5 до 5,7 млрд долл. за период 2012–2017 гг. при совокупном годовом темпе роста (CAGR) более 14%, считают аналитики MarketsandMarkets.
Этот рынок растет в сегментах IP-ядер для микросхем и систем-на-кристалле (СнК). Ожидается, что во втором сегменте он будет расти в течение 2012–2017 гг. более быстрыми темпами при CAGR равном 19%.
Сегменты IP-ядер для заказных ИС (ASIC) и FPGA на рынках ИС и СнК будут увеличиваться очень быстро, почти догоняя показатель CAGR (21,16%) основного источника доходов – IP-ядер для процессоров, которые объединяют функции системы в одном кристалле (СнК). Все IP-сегменты растут намного более высокими темпами на рынке СнК, чем на соответствующих рынках сегмента ИС.
Аналитики MarketsandMarkets указывают на то, что цепочка создания ценности выросла: в настоящее время в нее вошли участники самых разных сегментов рынка.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/06.04.2012


Прочее в России


Первый в мире «гибкий ридер» с российскими корнями поступает в продажу


Российский производитель компьютерной техники компания Wexler обещает, что продажи ее уникального гибкого электронного ридера Wexler.Flex One начнутся в мае 2012 г. По сообщению компании, это первый в мире случай поступления в открытую продажу ридера с «гибким» дисплеем.
Российская компания Wexler официально сообщила о том, когда планируется начать продажи ее нового электронного ридера с пластиковым гибким экраном Wexler.Flex One.
По мнению компании, это первый в мире случай, когда ридер с дисплеем на «гибкой электронной бумаге» поступит в открытую продажу.


Напомним, что Wexler впервые представила «уникальную» электронную книгу Wexler.Flex One на основе гибкого 6-дюймового экрана E-ink в сентябре прошлого года на международной выставке потребительской электроники IFA 2011. Тогда компания заявляла о том, что поставки Wexler.Flex One начнутся в конце октября 2011 г.
Устройство оснащено встроенной памятью на 8 Гбайт, поддерживает популярные форматы электронных книг (TXT, PDF, DOC, CHM, HTM, HTML, EPUB, FB2), изображений (JPG, JPEG, BMP, GIF, PNG). По словам производителей, Wexler.Flex One имеет очень низкое энергопотребление и при интенсивном чтении полного заряда аккумулятора хватает на 2 недели. Устройство оснащено интерфейсом microUSB.
По словам представителей Wexler, ридер появится в розничных магазинах в мае 2012 г. Уже сейчас на сайте www.wexler.ru можно разместить предзаказ на новую читалку. Ее розничная цена составит 8 990 руб.
Создатели устройства заявляют, что Wexler.Flex One станет самой легкой и самой тонкой электронной книгой в мире благодаря применению новой технологии изготовления экранов, а также использованию новых материалов корпуса и компоновки внутренних элементов. Еще одной важной деталью новинки является тот факт, что она обладает противоударными свойствами, тогда как остальные существующие на сегодняшний день электронные книги являются чувствительными к ударам и падениям.
Кстати, не следует путать этот ридер с так называемым планшетом Чубайса, который тот показывал Путину уже достаточн давно. Хотя тот ридер тоже гибкий и производится компанией с российским капиталом (Plastic Logic использует инвестиции Роснано), его экран значительно крупнее (10,7 дюйма) и стоимость больше (12-13 тыс. руб.). Его планировали использовать для замены школьных учебников. Источник: CNews
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/04.04.2012


Компания «Т-Платформы» стала убыточной


Российский производитель суперкомпьютеров «Т-Платформы» в 2011 г. сократил выручку и впервые за последние годы стал убыточным.
Компания «Т-Платформы» опубликовала отчет о финансовых результатах своей деятельности за 2011 г. Как следует из документа, выручка компании в прошлом году в очередной раз сократилась — на 15%, с 1,34 млрд руб. до 1,14 млрд руб. По итогам 2010 г. компания также продемонстрировала падение выручки (почти на 30%), однако показала чистую прибыль на уровне 40 млн руб. В 2011 г. бизнес «Т-Платформ» ушел в минус — компания понесла убытки в размере 24,7 млн руб.
При этом среднесписочная численность сотрудников за год выросла со 105 до 134 человек, говорится в отчетности. В связи с этим расходы на зарплату увеличились более чем на 90 млн руб.
Осенью 2010 г. войти в капитал «Т-Платформ» принял решение «Внешэкономбанк» (ВЭБ). Сделку о приобретении банком 25% акций компании ФАС одобрила в сентябре 2011 г. Согласно отчету «Т-Платформ», с декабря 2011 г. ВЭБ числится участником компании, однако денежных средств от него компания еще не получила. Официально сумма этой сделки не озвучивалась.
«Т-Платформы» является головной компанией одноименного холдинга, отвечающей за хардверное направление. Помимо нее в холдинг входят еще несколько компаний, среди которых — «Т-Сервисы» (услуги по моделированию на суперкомпьютере и аренде машинного времени), T-Design (R&D-центр), а также офисы в Германии и США. Данные по финансовым показателям этих структур компания не раскрывает. По словам гендиректора «Т-Платформы» Всеволода Опанасенко, на дочерние компании приходится менее половины общего оборота холдинга.
Изменение динамики финансовых показателей компании вызвано рядом объективных причин, заявил замгендиректора по продуктам и технологиям Алексей Комков. «В частности, в прошедшем финансовом году значительные средства мы инвестировали в разработку наших новых аппаратных и программных решений», — сказал он. Из таких разработок в компании упоминают новую вычислительную систему с водяным охлаждением, персональный суперкомпьютер, микроэлектронику.
Финансовые показатели деятельности «Т-Платформ» за 2008-2011 гг. (млн руб.)


 Год

2011

2010

2009

2008

Выручка

1141

1340

1850

423,3

Чистая прибыль/убыток

- 24,7

39,78

107

2,43

Также в прошлом году в отдельное направление бизнеса был выделен департамент, отвечающий за разработку и поддержку систем управления вычислительными комплексами ClustrX, создание интегрируемого в аппаратную часть кластеров ПО (так называемый Embedded-soft) и за разработку системного ПО для конкретных заказчиков, добавляет Комков.
По словам замгендиректора «Т-Платформы», в 2011 г. несколько миллионов компания также инвестировала в проекты по модернизации и строительству суперкомпьютерных центров российских научно-образовательных организаций и выиграла несколько тендеров на создание крупных проектов, запуск которых тоже потребовал значительных капиталовложений. Возврат существенной части этих инвестиций ожидается уже в наступившем финансовом году, полагает Комков. Еще одним направлением долгосрочных инвестиций в 2011 г., по его словам, стало укрепление позиций компании на территории Европы.
«Таким образом, мы никак не можем счесть 2011 год убыточным: мы выполнили ряд крупных проектов, заложили прочную основу дальнейшего развития как на российском, так и на европейском рынках, а также продвинулись в разработке отечественных суперкомпьютерных технологий нового поколения. И уже в новом финансовом году эти инвестиции начнут возвращаться», — резюмирует замгендиректора «Т-Платформы».
Напомним, что в 2011 г. до рекордно низкой величины также сократилось число суперкомпьютеров «Т-Платформы» в рейтинге Топ-50 мощнейших вычислительных систем СНГ: в ноябрьском рейтинге их насчитывалось всего пять. В последнем списке, вышедшем в марте 2012 г., систем стало семь.
Источник: CNews
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/04.04.2012


Российская микроэлектроника


"Ангстрем" выбрал строителей


Российский производитель микроэлектроники "Ангстрем-Т" выбрал генерального подрядчика для строительства фабрики по выпуску микрочипов 130-110 нм. Им стала компания "Рамос". Строительство начнется в мае 2012 г.
Об этом репортеру ComNews рассказал начальник управления по корпоративным коммуникациям группы компаний "Ангстрем" Алексей Дианов. По его словам, в тендере на выбор подрядчика строительства основных сооружений по проекту "Ангстрем-Т" участвовали четыре российские компании. "В рамках генподряда "Рамос" осуществит строительно-монтажные и пусконаладочные работы по реконструкции основного производственного помещения, построит дополнительные технические помещения и различные объекты инфраструктуры, а также энергокорпус для размещения электростанции мощностью до 40 кВт", - пояснил Алексей Дианов.
На сайте ООО "Рамос" указано, что компания занимается строительством объектов промышленного и гражданского комплекса, владеет лабораторией для испытаний. В составе компании также 10 самостоятельных управлений и восемь производственных подразделений.
Тендер на строительство чистых комнат (помещений, в которых концентрация взвешенных в воздухе частиц и число микроорганизмов поддерживаются в определенных пределах, необходимых для изготовления микрочипов), по словам Алексея Дианова, будет объявлен после того, как завершится возведение производственного помещения. Определять подрядчика "Ангстрем-Т" будет, основываясь на рекомендациях специалистов - производителей оборудования для полупроводниковых производств. "Скорее всего, это будет иностранная компания, так как в России нет нужных специалистов", - уточнил Алексей Дианов.
Оборудование американского производителя электроники Advanced Micro Devices (AMD), которое "Ангстрем-Т" планировал использовать на фабрике по производству микрочипов 130-110 нм, предприятие приобрело в 2008 г. за 292 млн евро. Сейчас оно хранится на складах в Нидерландах.
Директор по маркетингу "Ситроникс Микроэлектроника" Карина Абагян в беседе с репортером ComNews отметила, что применение технологии определяется не только минимальным размером элементов микросхемы (180, 130, 90 нм), но и типом технологического процесса. "AMD, у которой "Ангстрем" приобрел технологию, специализируется только на разработке и продаже микроэлектроники и не имеет производственных мощностей. Технология такого типа имеет узкое применение в силу своей энергоемкости - это в основном микропроцессоры для ПК. К сожалению, рынок микропроцессоров давно ушел от норм 130 нм. Современные микропроцессоры делаются на уровне 45-22 нм, - рассуждает Карина Абагян. - Чтобы получить применимую на рынке продукцию, "Ангстрему" придется заложить значительные инвестиции и время в лицензирование и разработку технологий, а также в закупку дополнительного оборудования".
По словам Алексея Дианова, микрочипы 130-110 нм будут применяться в классе продуктов "система на кристалле" (System-on-a-Chip): в процессорах, смарт-картах, в стационарной и мобильной связи. "Консалтинговая компания Gartner, которой мы заказывали исследование, изучала потенциальный рынок и дала положительное заключение", - добавил он.
Как ранее сообщал ComNews, "Ангстрем-Т" планировал запустить фабрику на оборудовании AMD еще в конце 2008 г. Под этот проект для российской компании Внешэкономбанк открыл кредитную линию на 815 млн евро. Ни в 2008-м, ни в 2009-м фабрика не заработала, а обслуживать кредит "Ангстрем-Т" не смог, и в 2010 г. ВЭБ пригрозил забрать в собственность залог - 100% "Ангстрем-Т" с оборудованием AMD и лицензиями. Однако летом 2011 г. Леонид Рейман, бывший министр связи (1999-2008) и советник президента (2008-2010), объявил себя совладельцем одной из структур группы "Ангстрем". В октябре 2011 г. ВЭБ разморозил кредитную линию, а "Ангстрем-Т" возобновил строительство фабрики (см. новость на ComNews от 2 февраля 2012 г.).
http://www.comnews.ru/ 04.04.2012


ВЭБ одобрил финансирование строительства завода светодиодов в Томске


Наблюдательный совет Внешэкономбанка (ВЭБ) одобрил финансирование проекта создания крупносерийного производства светодиодов и светодиодных осветительных устройств в Томской особой экономической зоне (ОЭЗ), который планирует построить ОАО "Российская электроника" ("Росэлектроника") за 9,1 миллиарда рублей, говорится в сообщении АО во вторник.
Ранее сообщалось, что "Росэлектроника" перенесла с 2012 год на 2013 год строительство завода светодиодных светильников полного цикла в Томске из-за нерешенного вопроса с финансированием проекта. В марте 2011 года глава "Росэлектроники" Андрей Зверев сообщал, что в мае 2011 года компания планировала начать строительство завода стоимостью 6,5 миллиарда рублей, при этом предприятие должно было начать работу в 2013 году.
В конце ноября 2011 года "Росэлектроника" и ВЭБ подписали в Иркутске соглашение о намерениях по инвестиционному сопровождению строительства завода в Томске. Планируемый объем производства составит 35-40 миллиардов рублей в год, что позволит занять долю российского рынка светодиодов в 30%.
Для разработки, проектирования, производства и испытаний новых материалов, технологий и конструкций светодиодов и светотехнической продукции на их базе в октябре 2010 года было создано ООО "Базовый центр светодиодных технологий - Томск" (ООО "БЦСТ - Томск") - R&D-подразделение ЗАО "Новые технологии света" (входит в "Росэлектронику"). Компания стала резидентом томской ОЭЗ.
"Начало производства светодиодов и светильников на их основе предполагается с третьего квартала третьего года проекта, а выход на полную мощность завода - объем произведенных светодиодов свыше 600 миллионов штук в год (более 5 миллионов светильников) - на 4,5 года реализации проекта", - цитирует пресс-служба "Росэлектроники" гендиректора ЗАО "Новые технологии света" Федора Бояркова.
Отмечается, что в рамках проекта предусмотрено строительство лабораторно-производственных корпусов, общей площадью 22,5 тысячи квадратных метров. Общая стоимость проекта составляет 9,1 миллиарда рублей, из них 7 миллиардов рублей - кредит Внешэкономбанка.
Холдинговая компания "Российская электроника" (входит в госкорпорацию "Ростехнологии") образована в начале 2009 года на базе государственного холдинга "Российская электроника". В настоящее время ОАО "Российская электроника" в качестве холдинговой и управляющей компании консолидирует потенциал около 80 предприятий электронной отрасли. Предприятия специализируются в разработке и производстве изделий электронной техники, электронных материалов и оборудования для их изготовления, а также СВЧ-техники, полупроводниковых приборов и материалов.
http://rosrep.ru/news/03.04.2012

 


Оборонка


Белорусский ВПК подзаработает на России


Москва намерена задействовать потенциал предприятий белорусского военно-промышленного комплекса при реализации программы перевооружения российской армии.
На состоявшейся недавно в Москве встрече первого вице-премьера Беларуси Владимира Семашко и вице-премьера России Дмитрия Рогозина была достигнута договоренность о создании специальной белорусско-российской рабочей группы для активизации военно-технического сотрудничества между двумя странами. С белорусской стороны группу возглавит председатель Государственного военно-промышленного комитета Сергей Гурулев. На встрече в числе прочих вопросов обсуждались перспективы создания совместных предприятий и холдингов в военно-технической сфере. В частности, речь шла о налаживании производства элементной базы в области микроэлектроники.
В этой связи белорусская сторона предложила ввести в обеих странах единое техническое нормирование и стандартизацию в сфере военной промышленности. Было также предложено координировать научно-исследовательские и конструкторские работы, чтобы исключить неоправданное дублирование. Кроме того, был поднят вопрос о равном доступе белорусских предприятий к участию в тендерах на выполнение заказов российского оборонного ведомства.
Как заявил Дмитрий Рогозин, ныне в России ведется активная работа по восстановлению потенциала и глубокой модернизации оборонного комплекса. В связи с этим российской стороне крайне важно наладить тесное взаимодействие в этой сфере с Беларусью.
По мнению экспертов, российскому ВПК действительно необходимо серьезное содействие белорусских военных заводов. До сих пор целый ряд выпускаемых на них комплектующих изделий, узлов и агрегатов не имеет аналогов в России. К тому же возможности предприятий российской «оборонки» в плане создания новейших систем оружия сейчас значительно сократились. В то же время, как следует из неоднократных письменных и устных высказываний Владимира Путина, до 2020 года Россия намерена резко нарастить выпуск самых современных видов вооружений. 24 февраля он, еще будучи кандидатом в президенты, во время посещения федерального ядерного центра в городе Саров встретился с представителями ВПК и военными экспертами для обсуждения перспектив развития оборонно-промышленного комплекса страны. Комментируя основные положения программы перевооружения российской армии до 2020 года, Путин заявил, что она должна иметь средства для «абсолютной защиты всей большой территории России».
Приоритетом нынешней программы перевооружения он назвал дальнейшее развитие сил ядерного сдерживания и ракетной техники различного назначения. Российский лидер отметил, что при составлении госпрограммы вооружений до 2020 года было предусмотрено наращивание выпуска новых стратегических ракет. При этом Россия не собирается отказываться ни от одного из других средств обеспечения своей безопасности, в том числе от тактического ядерного оружия. По словам Путина, бюджетные средства на эти направления выделены в тех объемах, которые запросил Генштаб, и, как результат, в данной сфере Россия уже «немножко впереди» США.
Что касается качества вооружений, то доля современных ракетных комплексов в российских наземных силах ядерного сдерживания за последние три года выросла почти вдвое: с 13 до 25%. Оснащение ракетных войск стратегического назначения шахтными и мобильными ракетными комплексами «Тополь-М» и «Ярс» будет продолжено. Они обладают самыми современными средствами преодоления ПРО, что позволяет аналитикам рассматривать наращивание производства этих комплексов в контексте подготовки асимметричного ответа на ЕвроПРО.
В рамках того же асимметричного ответа, как следует из предыдущих высказываний Путина, предусмотрено укрепление сил ПВО с целью защиты позиций ПРО вокруг Москвы и баз стратегических ядерных сил. Прежде всего, это делается за счет оснащения войск ПВО новыми зенитными ракетными системами C-400 и новейшими С-500. Однако, как следует из публикации в газете «Московский комсомолец», предвыборные обещания Путина об усилении военной мощи страны могут остаться невыполненными. Производственные площади многих оборонных предприятий России проданы или переданы за долги новым владельцам. Согласно данным Федеральной налоговой службы, более 170 стратегических предприятий и организаций оборонно-промышленного комплекса России имеют все признаки банкротства.
Ярким примером деградации ВПК является ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей», разработчик и производитель С-400 и С-500. По словам сотрудников предприятия, собирать комплексы С-500 скоро будет просто негде: сборочные цеха распроданы, а большинство пока еще занимаемых предприятием помещений арендуются ОАО у новых собственников.
Однако, как отмечают эксперты, под угрозой не только создание перспективного С-500. Постоянно срываются планы и графики оснащения российской ПВО и уже запущенными в серийное производство С-400. Отставание по срокам вооружения частей ПВО этими системами достигло почти пяти лет. И так же, как в предыдущем случае, основная причина — в деградации предприятий-производителей, нехватке на них технологических мощностей.
Не менее существенно и то, что ныне многие российские оборонные заводы уже не в состоянии наладить серийный выпуск ряда важных компонентов для современных вооружений. В связи с этим даже находящийся в серийном производстве С-400 морально стареет на глазах. Дело в том, что изначально в конструкцию этой ЗРС, спроектированной еще во второй половине 90-х годов прошлого века, была заложена устаревшая элементная база.
На этом фоне даже весьма далекое от идеального состояние белорусских оборонных предприятий выглядит неплохо. Худо-бедно, но они могут обеспечить многие запросы российских военных заказчиков. Более того, ряд созданных на заводах Госвоенпрома Беларуси образцов техники двойного и специального назначения не имеет аналогов за рубежом.
Это относится, например, к тяжелым многоосным шасси для установки различных вооружений, в частности, грунтовых подвижных ракетных комплексов типа «Тополь-М» и «Ярс». Большой научный задел имеется в области микроэлектроники, вычислительной техники, радиолокационных и оптоэлектронных средств, средств радиоэлектронной разведки и подавления.
Традиционно высоко оцениваются специалистами белорусские программные продукты, автоматизированные системы управления войсками и оружием. В последнее время бурно развивается направление беспилотных летательных аппаратов.
Таким образом, намерение военно-политического руководства России воспользоваться потенциалом ВПК Беларуси для ускорения темпов выполнения программы перевооружения своей армии выглядит вполне оправданным. Что, в свою очередь, сулит белорусским предприятиям значительную прибавку заказов и валютной выручки.
http://vpk.name/news/29.03.2012


Наука и технологии


Созданы энергоэффективные туннельные полевые транзисторы


Исследовательская команда двух университетов в США достигла существенных успехов на пути создания полевых транзисторов с квантовым туннелированием (TFET).
Исследователи из Университета Нотр-Дам и Университета штата Пенсильвания объявили, что достигли существенного успеха в разработке туннельных полевых транзисторов (TFETs) — полупроводниковых устройств, которые используют некоторые особенности поведения электронов на квантовом уровне.
Исследователи из Университета Нотр-Дам и Университета штата Пенсильвания объявили о прорыве в разработке туннельных полевых транзисторов. Фото Университета Нотр-Дам.
Транзисторы являются строительными блоками электронных устройств, и большая часть роста вычислительной мощности компьютеров за последние 40 лет обусловлено увеличением количества транзисторов, которые могут быть размещены на подложке кремниевого кристалла. Но этот рост (описанный законом Мура), даже в условиях современных нанотехнологий, может скоро подойти к концу.
Многие специалисты, работающие в полупроводниковой индустрии считают, что эта отрасль быстро приближается к физическим пределам миниатюризации транзисторов, поскольку характерные размеры последних становятся всё ближе к размерам атомов, из которых они состоят. Основной проблемой современных полевых транзисторов является наличие тока утечки, ведущего к выделению избыточного тепла из миллиардов расположенных в непосредственной близости транзисторов. Ток же утечки, как правило, обусловлен паразитным туннелированием электронов сквозь очень узкие, близкие к атомарным размерам, барьерам.
Последние достижения в университетах в Нотр-Дам и в штате Пенсильвания, которые являются партнерами по Институту наноэлектроники (Midwest Institute for Nanoelectronics Discovery, далее MIND), показывают, что TFET-транзисторы могут дать один из путей к решению этих проблем, обеспечивая сравнимую с современными КМОП-транзисторами производительность, но при этом позволяют создавать устройства с гораздо более высокой энергоэффективностью.
Они делают это, пользуясь возможностью электронов проходить по «квантовому туннелю» через тонкие слои твердых тел, с эффектом, который на обывательском уровне воспринимается как волшебство, но на квантовом уровне это соответствует нормальному поведению электронов.
Как говорит Алан Сибуг (Alan Seabaugh), профессор электротехники в Нотр-Дам, транзистор сегодня действует так же, как плотина с подвижнымы воротами. Ему вторит Франк Фрайманн (Frank M. Freimann), директор MIND: «Скорость, с которой течёт вода, как и сила тока транзистора, зависит от высоты ворот. В туннельных транзисторах у нас есть новый вид ворот, через которые может течь больше тока. Мы электрически регулируем толщину ворот и можем включить и выключить ток».
«Электронные туннельные компоненты имеют долгую историю коммерциализации, — добавляет Алан Сибуг. — Очень вероятно, у вас уже есть более миллиарда таких компонентов в устройствах флэш-памяти. Ведь принцип квантово-механического туннельного транзистора уже используется для устройств хранения данных».
Хотя TFET-транзисторы всё ещё уступают по энергетической эффективности современным транзисторам, результаты исследований, полученные в декабре 2011 г в Пенсильвании и в марте 2012 г. в Нотр-Дам, демонстрируют достигнутые улучшения в управлении током туннельного транзистора и ещё больше достижений ожидается в скором времени. «Наши разработки базируются на поиске правильного сочетания полупроводниковых материалов, необходимых для создания таких устройств, — говорит Суман Датта (Suman Datta), профессор электротехники Университета штата Пенсильвания. — Если мы добъёмся успеха, то наш результат будет существенным фактором для создания маломощных интегральных схем. Это, в свою очередь, расширит возможности устройств с автономным питанием, которые в сочетании с эффективными аккумуляторами могут обеспечить режим активного мониторинга здоровья, окружающей среды, и имплантируемых медицинских устройств».
Еще одно преимущество туннельных транзисторов в том, что для их применения вместо существующих компонентов не требуется значительных изменений в полупроводниковой промышленности. Большая часть существующих схемных решений и производственной инфраструктуры останутся такими же. Источник: ScienceDaily
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/03.04.2012


Создан гибкий и прозрачный микрочип памяти


Исследователи из Университета Райса (США) разработали новый тип памяти, которая в перспективе может стать альтернативой флеш-накопителям в портативных устройствах.


Гибкий микрочип памяти (иллюстрация Университета Райса).
Гибкий микрочип памяти (иллюстрация Университета Райса).

Продемонстрированный образец, созданный командой учёных под руководством химика Джеймса Тура (James Tour), обладает прозрачностью и гибкостью. Он выдерживает температуры свыше 500 градусов Цельсия, благодаря чему может функционировать в экстремальных условиях.
Разработка базируется на сделанном в 2010 году открытии: тогда г-ну Туру и коллегам удалось создать элемент памяти на основе оксида кремния SiOх. Такой элемент представляет собой трёхслойную структуру, в центре которой находится диэлектрик (оксид кремния), а по краям — полупроводящие пластины поликристаллического кремния, которые служат электродами. При пропускании электрического тока между ними в слое SiOх образуется проводящая цепочка нанокристаллов кремния размером около 5 нанометров, выполняющая функции переключателя
Исследователи полагают, что показанный образец памяти ещё на один шаг приближает появление гибкой электроники, в частности мобильных телефонов и компьютеров, способных к трансформации.
Помимо гибкости и прозрачности, новая память имеет ещё одно достоинство: её элементы можно организовать в трёхмерный массив. Благодаря этому повышается плотность хранения информации и уменьшаются габариты конечных устройств.
Исследователи уже ведут переговоры с производителями об организации выпуска чипов памяти нового поколения.
http://science.compulenta.ru/03.04.2012


Найден новый способ создания графеновых схем


На сайте Bright Side Of News появилась информация о разработке, которая позволяет создавать графеновые электронные схемы. Группа специалистов, под руководством профессора Университета Флориды Стефаттина Тонгэя (Stefaattin Tongay) продемонстрировала технологию, позволяющую выращивать 20-нанометровые графеновые дорожки на кремнии.
Методика, подробно описанная в журнале Applied Physics Letters, заключается в образовании графеновой структуры на поверхности карбида кремния (SiC) в процессе выпаривания, при температуре около 1300 градусов по Цельсию. Изюминка технологии состоит в том, что внедрение в SiC ионов кремния или золота снижает температуру образования графена. Таким образом, при нагревании, в местах, содержащих эти ионы, получается графеновый рисунок необходимой формы раньше, чем он покрывает остальную поверхность.
Ранее, команда Тонгэя пыталась процарапывать графеновые дорожки, однако в ходе этого процесса часто возникали механические повреждения, что не позволяло обеспечить надлежащий уровень качества схемы. Применение описанной технологии позволило решить эту проблему, и сейчас учёные стремятся к тому, чтобы снизить температуру образования графена, тем самым уменьшив энергозатраты и потенциальную стоимость таких схем.
www.overclockers.ru/hardnews/03.04.2012
Разработки


Intel ведёт работы над суперпроцессором


Как сообщает техноблог Fudzilla, компания Intel ведёт разработку решения, которое именуется не иначе как "superchip", и предназначено для применения в высокопроизводительных вычислительных системах. По словам Дианы Брайант (Diane Bryant), руководителя подразделения, занимающегося разработкой решений для центров обработки данных и коммуникационных систем, связь "суперчипа" с прочими компонентами системы будет осуществляться посредством интерфейса InfiniBand, который характеризуется низкими задержками и часто используется для построения связей внутри вычислительного оборудования.
В настоящий момент в сегменте HPC Intel может предложить х86-совместимые процессоры Xeon и ускорители параллельных вычислений Knights Corner, которые основаны на архитектуре Many Integrated Core (MIC). Сочетание этих решений, как ожидается, обеспечит пиковое быстродействие на уровне 10 петафлопс суперкомпьютеру Stampede, который будет построен при Университете Техаса.
Напомним, что в январе Intel объявила о приобретении компании QLogic, которая занимается разработкой и продвижением интерфейса InfiniBand. Уже тогда крупнейший в мире производитель процессоров не скрывал своих намерений воспользоваться технологией для увеличения пропускной способности внутренних соединений вычислительной системы.
www.overclockers.ru/hardnews/04.04.2012


Выставки


Приближается выставка «Новая электроника — 2012»


В рамках этой выставки состоится Форум «Цифровая электроника» и семинар «Особенности применения продукции Altera».
С 17 по 19 апреля 2012 г. в павильоне №1 ЦВК «Экспоцентр» (г. Москва) пройдет международная выставка «Новая электроника — 2012». 150 отечественных и зарубежных компаний из 10 стран мира, обеспечивающих более 90% поставок электронных компонентов и модулей на российский рынок, займут 8000 м2 экспозиционной площади. На сайте организаторов выставки доступен обновленный «Бюллетень подготовки выставки», в котором отражены деловая программа, новые виды сервиса, направленного на расширение контактов; информация для гостей столицы — посетителей выставки; новости организаторов и мн. др.
В рамках выставки «Новая электроника — 2012» также пройдет Форум «Цифровая электроника» (17 апреля) и семинар «Особенности применения продукции Altera: ПЛИС и среда разработки» (18 апреля). Спешите зарегистрироваться на них  — количество мест ограничено! Источник: Медиагруппа «Электроника»
Оргкомитет конференции:
Тел.: (495) 741-7701, Фаттахова Гуля (внутр.2339), Бараева Динара (внутр.2233).
E-mail: conf@ecomp.ru
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/russianmarket/doc/58980/05.04.2012


Разное


Вживляемые микросхемы для бионического глаза прошли лабораторные испытания


Бионический глаз давно не новинка, однако до сих пор ему сопутствуют проблемы, в частности существенная сложность непосредственной передачи визуальной информации от камер в мозг. Исследователи из Университета Монаша (Австралия) полагают, что к 2014 году они решат этот вопрос раз и навсегда.
Австралийские исследователи только что провели первые лабораторные испытания новой системы вживляемых микросхем, призванных помочь страдающим слепотой. По их словам, предклинические оценки должны начаться в ближайшее время, а широкие клинические испытания стартуют в 2014 году. Разрабатываемый бионический глаз будет состоять из крохотных камер, вмонтированных в очки и действующих как заменитель сетчатки, карманного процессора, конвертирующего сигналы с камер в импульсы, которые позволят головному мозгу построить визуальную картину окружающего, и мозгового имплантата, поставляющего информацию непосредственно к клеткам зрительной зоны коры.
«На первом этапе цель проекта Bioniceye — достичь уровня зрения, по крайней мере эквивалентного полезности собаки-поводыря. Хотя сначала бионический глаз будет действовать лишь как дополнение к существующим методам ориентации слепого, мы полагаем, что устройство, возможно, заменит все остальные средства ориентации в пространстве и по мере его совершенствования сможет стать достаточно чувствительным, чтобы различать большой шрифт», — рассказывает глава группы по разработке бионических систем видения профессор Артур Лоури.
Система вживляется непосредственно в поверхность зрительной зоны головного мозга. Группа такого рода имплантируемых микросхем будет состоять из 14 элементов размером 8?8 мм. Каждый элемент включит в себя 500 тыс. транзисторов и 45 сверхтонких электродов. В случае полной реализации задуманного функционала с помощью этих электродов в зрительную часть коры головного мозга будет подаваться чёрно-белое изображение низкого разрешения с внешнего цифрового устройства, предварительно обрабатывающего изображение, которое поступает с камер в линзах носимых пациентом очков.
До сих пор основной проблемой было то, что воспроизведение даже относительно низкокачественной картинки в клетках головного мозга, отвечающих за зрительные ощущения, требует значительного числа контактных электродов — больше, к примеру, чем в кохлеарном имплантате. Если последнему хватает 15 электродов, то для сколько-нибудь эффективного зрения потребуется не менее 600, передающих информацию с внешних сенсоров.
В то же время ранее считавшаяся самой сложной проблема точности сигнала, подаваемого электродами клеткам коры головного мозга, австралийскими разработчиками в значительной степени преодолена, что и позволяет надеяться на успешную реализацию всей программы бионического глаза.
Подготовлено по материалам Университета Монаша.
http://science.compulenta.ru/04.04.2012


IEEE обеспечит связь поколений между инженерами


Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (IEEE) создал отделение для опытных инженеров, которые хотят делиться своими знаниями с молодыми специалистами и помогать им.
Безусловно, за 30-40 лет технологии ушли далеко вперед. Не каждый инженер почетного возраста умеет пользоваться интернетом или продвинутым смартфоном.


Тем не менее, многие активно пользуются соц. сетями и  форумами, чтобы помочь молодым инженерам решить ту или иную проблему, что-то подсказать или разъяснить. Со стороны молодого поколения советы воспринимаются с уважением и благодарностью.
Членство в новом подразделении является платным.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/06.04.2012


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014