ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 15(946) от  13 апреля  2012 года


Аналитика/Прогнозы


Перспективы развития электронных компонентов для бортовой аппаратуры космических систем


В статье рассматривается вопрос о том, как решить проблему обеспечения электронной компонентной базой российских производителей космической аппаратуры в современных рыночных условиях.
Развитие ракетно-космической техники (РКТ) ставит перед разработчиками аппаратуры жесткие требования – улучшение габаритно-массовых характеристик, увеличение функциональных возможностей аппаратуры и повышение сроков ее активного существования. Электронная компонентная база (ЭКБ), применяемая в бортовой аппаратуре космических аппаратов (КА), должна обладать следующим набором специфических условий:
- разнообразие функциональных задач, выполняемых КА, приводит к необходимости использования широкой номенклатуры типономиналов ЭКБ при крайне малой количественной потребности;
- широкая функциональная номенклатура ЭКБ требует при производстве применения разнообразных технологий, многие из которых уникальны и отсутствуют в Российской Федерации;
- жесткие требования к сроку активного существования (САС) при полном отсутствии возможностей ремонта приводят к сверхжестким требованиям надежности и стойкости к дестабилизирующим факторам космического пространства (см. рис. 1).
Специфика ЭКБ космического применения в том, что ее развитие идет путем, отличным от развития электроники общепромышленной, ориентированной на массовый выпуск продукции с коротким жизненным циклом и быстрой сменой типов.

Рис. 1. Специфика ЭКБ для аппаратуры космического назначения

Следствием этих особенностей оказывается крайне длительный жизненный цикл аппаратуры – и, соответственно, повышенные требования к жизненному циклу компонентов. За примерами далеко ходить не надо. Трудяга ракетоноситель «Союз», который за последние 40 лет вывел на орбиту огромное число аппаратов, разгонный блок-фрегат, успешно выпускаемый более 12 лет, КА «ГЛОНАСС-М», составляющие основу орбитальной группировки ГЛОНАСС… Список можно продолжить – но проблема комплектования аппаратуры с такими жизненными циклами становится все острее. Налицо противоречие между требованиями к жизненному циклу аппаратуры и реальной сменяемостью поколений ЭКБ.
Ключевой задачей при создании ЭКБ для применения в аппаратуре РКТ является обеспечение приемлемой стоимости мелкосерийного производства при безусловном обеспечении требований широкой номенклатуры, длительного жизненного цикла, надежности, стойкости к дестабилизирующим факторам и отказоустойчивости.
В то же время развитие мировой микроэлектроники идет семимильными шагами. Не секрет, что полупроводниковая промышленность занимает в мировой экономике уникальное положение: она развивается по детально разработанному плану, который, однако, не только не препятствует конкурентоспособности участников, но даже способствует ей. Этот план известен как International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) и представляет собой план-прогноз, ежегодно обновляемый и публикуемый международной организацией Semiconductor Industry Association (SIA).
В основе ITRS лежат несколько простых принципов, в т.ч. знаменитый закон Мура об удвоении числа элементов СБИС каждые 1,5–2 года. Закон Мура не отражает каких-либо фундаментальных законов природы, а лишь описывает ситуацию, складывающуюся на рынке в результате конкуренции между производителями, а также вследствие взаимного стимулирования радиоэлектронной и полупроводниковой отраслей. Играет роль и психологический фактор. Разработчики и производители придерживаются прогнозных сроков закона Мура и ITRS потому, что знают – конкуренты действуют так же. Более того, стремление обогнать конкурентов часто приводит к тому, что разработчики и производители выводят на рынок новое изделие раньше, чем это предусмотрено ITRS. В результате в наши дни закон Мура, строго говоря, должен формулироваться иначе, поскольку из экспоненциального он превратился в суперэкспоненциальный.
Главное значение же ITRS в том, что этот план – не только прогноз динамики параметров, но и содержит точные указания относительно того, какими конструкторскими и технологическими средствами новые параметры могут быть достигнуты, когда и какие технические средства должны быть разработаны и освоены производством. Таким образом, ITRS является руководством к действию для разработчиков не только приборов, но и техпроцессов и технологического оборудования.
Однако при каждом удобном случае в рассуждениях о проектных нормах и степени интеграции СБИС зачастую забывается, что потребителю, в общем-то, все равно, на какой базе сделана аппаратура. Его интересует функционал. Потребители предъявляют к разработчикам аппаратуры для космических аппаратов все более жесткие требования: необходимо увеличение функциональных возможностей аппаратуры при одновременном уменьшении габаритно-массовых характеристик и повышении срока ее активного существования. Снижение себестоимости конечной продукции и повышение качества надежности и функциональности изделия – основные задачи, решаемые мировыми лидерами в области космического приборостроения. Эти требования постоянно стимулируют исследователей и производителей разрабатывать и внедрять все новые и новые технологии.
В своем развитии электронная промышленность прошла через несколько этапов. В 1940–80-е гг. активно использовался монтаж в отверстия, в основном, при ручной пайке и монтаже. Изделия отличались достаточно большим весом и габаритами.
Начиная с 1980-х гг. печатные узлы стали разрабатываться с применением компонентов поверхностного монтажа, и при их сборке начали широко применяться полуавтоматические и автоматические методы монтажа. Вес и габариты изделий уменьшились в 6–7 раз.
Около пяти лет назад появилась новая технология – встраиваемые компоненты внутри печатных плат. Формируется печатный узел со сложной 3-D структурой, в которой как дискретные, так и пленочные компоненты расположены внутри самих печатных плат. Это позволяет в еще большей мере уменьшить габариты изделия и увеличить его функционал (см. рис. 2).

Рис. 2. Развитие технологий сборки и монтажа

Эти тенденции получили название «Больше, чем Мур», т.к. помимо уменьшения размеров элементов до нанометрового диапазона существенные преимущества достигаются за счет гетерогенной интеграции, что позволяет совместить в одном корпусе элементы, изготовленные с применением различных микро- и нанотехнологических маршрутов (см. рис. 2).
Данная технология является крайне перспективной для создания бортовой аппаратуры современных космических аппаратов и позволяет удовлетворить растущие требования к функциональным, массогабаритным и энергетическим характеристикам.
В непрерывной технологической гонке Россия пока играет роль наблюдателя и потребителя технологий, разработанных зарубежом. Разработка и внедрение предлагаемых современных технологий космического приборостроения в рамках реализуемых проектов Роскосмоса и Минобороны России крайне затруднена, поскольку жесткие сроки создания космических систем вынуждают главных конструкторов использовать отработанные, но морально устаревшие технологические решения. В результате отставание от мировых лидеров увеличивается.
В настоящее время в России производством ЭКБ занимаются предприятия как с государственным участием, так и частные фирмы. Предприятия с государственным участием подведомственны Минпромторгу России, ГК «Ростехнологии», ГК «Росатом». Имеются специализированные производственные мощности и на предприятиях Роскосмоса. Уровень технологий большинства существующих производств соответствует мировому уровню конца 1980-х гг. – степень автоматизации технологических процессов мала, высока доля ручных операций и как следствие, велико влияние человеческого фактора на качество выпускаемой продукции. Конечно, нельзя не отметить усилия, предпринимаемые для преодоления сложившейся ситуации – есть надежда, что к 2015–2017 гг. технологическая модернизация предприятий радиоэлектронного комплекса принесет свои плоды.
Создание производства субмикронных СБИС в России реализовано в ОАО «НИИМЭ и Микрон» в рамках частно-государственного партнерства. В 2009 г. началась реализация совместного проекта ОАО «НИИМЭ и Микрон» с ГК «Роснано» по созданию производства с проектными нормами 90 нм. Существуют планы создания на базе ОАО «НИИМЭ и Микрон» производства с проектными нормами 65–45 нм.
Серийно на ОАО «НИИМЭ и Микрон» выпускается достаточно широкая номенклатура изделий, разработанных в 1980-х гг. Это ИС малой и средней степени интеграции.
Таким образом, создаваемые в ОАО «НИИМЭ и Микрон» производственно-технологические мощности позволят в среднесрочной перспективе (2012–2013 гг.) решить проблему отечественного производства высоконадежных цифровых и цифроаналоговых СБИС. Однако вводимые мощности не решают проблем производства необходимой номенклатуры ВЧ- и СВЧ-изделий, высоковольтных процессов, дисплейных технологий, ряда типов СБИС памяти и ПЛИС.
Помимо ОАО «НИИМЭ и Микрон», в России существуют экспериментальная линейка в НИИСИ РАН, ведется строительство линейки в НИИ ИС им. Седакова (Н. Новгород), а также существуют планы ОАО «Ангстрем» по созданию специализированного производства кристаллов.
В то же время остается ряд проблем с производством специализированных схем аналоговой и ВЧ-электроники, схем памяти, постоянной памяти MRAM и т.д., СВЧ-изделий, схем типа «система в корпусе», интерфейсных схем.
Отсутствие необходимой номенклатуры ЭКБ отечественного производства вынуждает использовать ЭКБ иностранного производства (ЭКБ ИП), доля которой в современной бортовой аппаратуре составляет более 70%.
Уже поднимался вопрос о технологической безопасности страны в части ЭКБ. Наша позиция была представлена — в настоящее время ни одна страна в мире не может позволить себе полный цикл производства всех вариантов технологий создания компонентов. Ведущие мировые производители компонентов, модулей и приборов – компании BAE Systems, Aeroflex и т.д. — развивают кооперационные связи, т.к. не имеют собственного кристального производства, ориентируясь не только на американские предприятия, но и на Тайвань, Израиль, Европу. Наверное, стоит задуматься о том, чтобы в этом списке числились и российские фабрики.
Технологическая безопасность – это, прежде всего, возможность обеспечить выполнение программ в течение длительного жизненного цикла изделий и с учетом безусловного соответствия требованиям назначения, условиям применения и экономической целесообразности.
И ни в коем случае нельзя противопоставлять ставшими привычными за последние 20 лет подходы к комплектованию импортом и работой с фаундри с применением отечественных компонентов и изготовлением на отечественном производстве. Для ее обеспечения нужно думать и о сборочном и испытательном производстве, складах длительного хранения, материалах и т.д. и т.п.
Как уже отмечалось, выпуск высоконадежных компонентов в небольшом количестве нерентабелен для предприятий электронной промышленности, нацеленных на массовое производство, однако представляет весьма доходный и динамично развивающийся бизнес для специализированных нишевых компаний. В США и ряде европейских стран работает много предприятий такого рода. Это могут быть как самостоятельные фирмы, например Aeroflex, так и подразделения крупных фирм, создающих сложные комплексы, например Boeing. Так, по данным аналитической компании Hoover's, компания Aeroflex демонстрирует стабильный рост (см. табл. 1).
Таблица. 1. Показатели прибыли компании Aeroflex


Показатель

2006 г.

2005 г.

2004 г.

Выручка, млн долл.

551,8

463,4

414,1

Валовая прибыль, млн долл.

258,4

218,6

192,7

Даже в «кризисном» 2008 г. в последнем квартале года продажи составили более 156 млн долл. при валовой прибыли более 73 млн долл. (данные квартального отчета Aeroflex от 17 февраля 2009 г., опубликованные на официальном сайте компании).
Организацией работ и формированием программ по производству радиационно-стойкой элементной базы в США занимаются три ведомства: Министерство обороны, Министерство энергетики, Национальное космическое агентство (NASA).
Министерство обороны США с 2001 г. реализует программу ускоренного развития радиационно-стойкой элементной базы в рамках Программы производства вооружений (Defense Production Act, Title III). В структуре Министерства обороны США Программа контролируется Агентством по уменьшению военной угрозы, подчиняющимся заместителю Министра обороны США по закупкам, технологии и логистике. Непосредственная поставка радиационно-стойкой элементной базы для нужд Министерства обороны США, а также других ведомств контролируется Центром снабжения вооруженных сил (DSCC) в Колумбусе. Центр DSCC в Колумбусе ведет реестр QML (Qualified Manufacturers List) сертифицированных изготовителей элементной базы для нужд Министерства обороны СШA.
Помимо сертифицированных фирм производством радиационно-стойкой элементной базы занимаются несертифицированные фирмы других ведомств (например, Сандийские лаборатории Министерства энергетики США) или частные фирмы типа Peregrine Semiconductor. Взаимодействие с другими ведомствами и промышленностью США в области радиационно-стойкой элементной базы координируются Центром микроэлектроники США DMEA в Сакраменто, шт. Калифорния.
Министерство энергетики США производит специализированную радиационно-стойкую ЭКБ в Центре микроэлектроники Сандийских национальных лабораторий, а также проводит исследования по данной проблеме в Ядерном центре Лос-Аламоса. Министерство энергетики США имеет собственные требования к радиационно-стойкой элементной базе, но большей частью они унифицированы с требованиями стандартов Министерства обороны США. Национальное космическое агентство США (NASA) проводит работы по радиационно-стойкой микроэлектронике в своих исследовательских центрах, например, Лаборатории реактивного движения JPL Стэндфордского университета.
В 1998 г. совместно с компанией Intel эта лаборатория передала технологии радиационно-стойких процессоров Pentium в Сандийские лаборатории.
Компания BAE Systems закончила модернизацию своего производства пластин при спонсорской поддержке Министерства обороны США по обеспечению внутреннего гарантированного ресурса для радиационно-стойкой микроэлектроники для стратегических военных и космических приложений следующего поколения. Производство пластин в настоящее время находится в полном объеме по технологическим нормам 250 и 150 нм. Компания BAE Systems продолжает играть важную роль в качестве внутреннего торгового поставщика радиационно-стойкой техники, производя продукты следующего поколения и предлагая услуги по производству пластин на вновь обновленных технологических мощностях.
Компания Aeroflex участвует в международной производственной кооперации, в т.ч. не только изготавливает заказные кристаллы, но и осуществляет корпусирование предварительно оттестированных кристаллов в металлокерамические корпуса.
Аналогичным путем идут в Европе и Японии. В частности, Японское агентство аэрокосмических исследований (JAXA) совместно с рядом компаний создало специализированное производство изделий радиационно-стойкой ЭКБ. Институт космических исследований и астронавтики (ISAS) Японского агентства аэрокосмических исследований (JAXA) владеет технологическим базисом для гибкой разработки и производства логических интегральных микросхем с очень высокой радиационной стойкостью и приемлемой ценой. Это было достигнуто путем интеграции технологии проектирования радиационно-стойких схем ISAS в современные технологии КнИ от Mitsubishi Heavy Industries Ltd., производителя электронной продукции с высокой надежностью. Кроме того, создана библиотека блоков для проектирования интегральных схем с перспективой применения в различных областях помимо космической.
Этот технологический базис был разработан за счет расширения системы развития статистической оперативной памяти (SRAM) с использованием технологии КнИ.
Европейское космическое агентство имеет опыт построения кооперации при создании специализированной ЭКБ совместно с компанией Atmel.
Таким образом, мировой опыт свидетельствует о том, что создание необходимых технологий ЭКБ для космического приборостроения осуществляется с помощью механизмов частно-государственного партнерства через заинтересованные государственные институты.
Современные подходы к созданию специализированной ЭКБ, стойкой к дестабилизирующим факторам космического пространства, можно разделить на следующие большие группы: технологические методы повышения стойкости, конструктивные и схемотехнические,а также обеспечение поддержки моделирования влияния ДФ КП на этапе проектирования компонентов (см. рис. 3).

Рис. 3. Подходы к созданию специализированной ЭКБ, стойкой к дестабилизирующим факторам космического пространства

К технологическим методам следует отнести использование специализированных техпроцессов изготовления СБИС и материалов. Так, в частности, это технологии «кремний-на-сапфире» (КнС), «кремний-на-изоляторе» (КнИ), специализированные операции легирования и т.д. Все эти способы чрезвычайно дорогостоящи, и потому они реализованы на небольшом числе производств. В частности, ведущими производителями подобных структур являются компании Honeywell (США), Peregrine Semiconductors (США) и ряд других.
К схемотехническим методам повышения радиационной стойкости, в т.ч. к тяжелым заряженным частицам (ТЗЧ) относятся применение библиотек элементов с мажоритированием на уровне вентилей, кодеров, декодеров Хэмминга, т.н. «усиленных» библиотек элементов, отбор библиотечных компонентов и ряд других приемов. Основным достоинством такого подхода является возможность его реализации на существующих и перспективных фабриках, обладающих СТАНДАРТНОЙ (предназначенной для массовой продукции) технологией. Такой подход получил международное название Rad hard by design [12, 13]. Так, французская компания МНS обеспечивает таким путем гарантированную стойкость порядка 100 кРад по объемному кремнию. Аналогичным путем работает Aeroflex, используя обычные технологические линейки ведущих производителей. При этом можно использовать как уже существующие мощности зарубежных фабрик, так и вводимые мощности ОАО «НИИМЭ и Микрон» и ОАО «Ангстрем». Использование такого подхода дает повышение стойкости, сопоставимое с применением специальной технологии, но при существенно (в 5–7 раз) меньшей стоимости.
К конструктивным способам повышения стойкости следует отнести использование специальных корпусов, методов локальной защиты и т.д. Получить высокую функциональность за приемлемую цену и с необходимыми массогабаритными характеристиками на сегодняшний день зачастую можно только с применением технологии интеграции кристаллов, изготовленных по различным технологиям в одном корпусе, т.е. с применением подхода «система-в-корпусе» (СвК). Динамика развития интеграции СвК представлена на рисунке 4.

Рис. 4. Динамика развития интеграции СвК

Переход на технологию СвК является одним из приоритетных направлений исследований и разработок мировой электроники и требует решения ряда проблем:
- средства проектирования СвК, составленной из разнородных компонентов;
- электрическое моделирование межсоединений, встроенных компонентов и подсистем;
- разработка правил и методологии проектирования для СвК;
- термическое и термомеханическое моделирование;
- анализ надежности;
- средства и методология верификации СвК.
Технологическая цепочка разработки и изготовления компонентов космического применения высокой степени интеграции (БИС, СвК) включает в себя ряд достаточно обособленных технологических подциклов, которые в принципе могут выполняться на различных производственных площадях и имеют достаточно формализованные процедуры контроля и приемки результатов каждого такого подцикла. В идеальном случае вся эта технологическая цепочка должна быть расположена на территории Российской Федерации и работать под контролем ПЗ. Одним из важнейших этапов этой цепочки – изготовление партии пластин с кристаллами микросхем, или микроэлектромеханических компонентов. В силу исключительно высокой стоимости современных кристальных производств изготовление многих типов изделий неизбежно будет осуществляться на фабриках (в т.ч. зарубежных), работающих по коммерческим технологиям и не обладающих системами менеджмента качества, которые соответствовали бы требованиям производства изделий космического применения. Это предполагает наличие точек входа в технологической цепочке для несертифицированных комплектующих в виде полуфабрикатов пластин с кристаллами микросхем. Технически возможно провести сертификацию таких пластин на территории Российской Федерации с дальнейшим производственным циклом на отечественных предприятиях.
Развитие технологий трехмерной сборки позволяет реализовать многослойные структуры со встроенными активными и пассивными компонентами, объединяющими в единой микроминиатюрной конструкции функционально законченный узел.
Применение такого рода технологий в космическом приборостроении позволит не только уменьшить массу и габариты систем в 5–10 раз по сравнению с существующими сегодня, но и повысить надежность за счет сокращения числа паяно-сварных соединений, улучшения теплофизических характеристик конструкции и снижения стоимости в серийном изготовлении за счет унификации конструктивов, схемных и аппаратных решений.
Примером технологий трехмерной сборки для изделий типа «система-в-корпусе» является разработка компании EADS, включающая процессорное ядро, интерфейсные схемы и схемы памяти (см. рис. 5). Применение подобных модулей позволяет уменьшить массу и габариты перспективной аппаратуры в 10–12 раз по сравнению с существующими уровнями.

Рис. 5. Разработка компании EADS

Типовой узел класса система в корпусе характеризуется следующими параметрами:
максимальные линейные размеры: 150?250 мм;
количество кристаллов: 1…20 шт.;
количество компонентов поверхностного монтажа: до 100 шт.;
количество микросварок: 250 шт.;
тип подложки: многослойная низкотемпературная керамика;
герметичный корпус с контролируемой атмосферой;
количество рабочих смен: 1;
объем партий: 1…500 в зависимости от спроса на рынке;
серийность и номенклатура: мелко- и среднесерийное многономенклатурное производство.


Рис. 6. Реализация первой очереди проекта создания специализированного сборочного и испытательного производства

В настоящее время (см. рис. 6) начата реализация первой очереди проекта специализированного сборочного и испытательного производства для внедрения принципиально новых технологий создания бортовой аппаратуры космических аппаратов с использованием прорывных достижений микроэлектроники, нано- и микросистемной техники, технологий обработки сигналов и информации. Это в значительной мере обеспечит создание перспективной аппаратуры служебных и целевых систем космических аппаратов, определяющих облик КА на средне- и дальнесрочную перспективу (2017–2025 гг.).
В основе создаваемого производства – проведение разработки и проектирования СБИС и ЭКБ в дизайн-центрах РФ, изготовление кристаллов на отечественных зарубежных производствах с последующим корпусированием и сертификацией в РФ для аппаратуры РК (см. рис. 7)

Рис. 7. Основа создаваемого производства

Для реализации такого подхода необходимо создать современные высокотехнологичные участки микросборки и корпусирования для изделий специального применения.
Становление производства должно проходить с учетом следующих этапов:
внедрение единых руководящих указаний по конструированию, обязательных для всех разработчиков, входящих в структуру;
внедрение современных технологий и оборудования;
внедрение эффективной организации производства;
обучение персонала технологии;
обучение персонала эксплуатации оборудования;
внедрение эффективной системы обслуживания оборудования.
Основным требованием к автоматизированному оборудованию, кроме высокого качества и повторяемости процесса, является его гибкость – возможность работать с широкой номенклатурой микросборок и широчайшим объемом производства от единичного изделия до крупносерийного производства.
Данное требование означает быструю переналадку оборудования на сборку различных типов микросборок. Переналадка комплекта оборудования должна занимать не более 10–25 мин.
Основной результат реализации проекта – прорыв в области технологического исполнения основных элементов перспективных космических аппаратов.
Таким образом, решить проблему обеспечения ЭКБ производителей космической аппаратуры возможно только путем комплексного подхода, состоящего в пропорциональном использовании отечественных и импортных комплектующих, создания специализированных отраслевых производств (см. рис. 8).

Рис. 8. Реализация комплексного подхода при решении проблемы обеспечения ЭКБ производителей космической аппаратуры


Комментарии эксперта


Дмитрий Боднарь, к.т.н., генеральный директор, ЗАО «Синтез Микроэлектроника»
Я рад, что поднятые мною вопросы в статье «Может ли один «Микрон» обеспечить технологическую безопасность России?» получают свое продолжение в статьях профессионалов. Статья В. Гаршина и В. Стешенко – это взгляд профессионалов изнутри. Она лишний раз демонстрирует, что наши специалисты «держат руку на пульсе» современного уровня и тенденций развития ЭКБ для космического применения. Но не хотелось бы оказаться в положении беспомощного существа, когда мы все видим, понимаем, но ничего сделать не можем.
Применяемые в космических аппаратах технологии и конструкции имеют элемент здорового консерватизма. До недавнего времени наиболее продвинутой считалась радиационно-стойкая технология 0,25 мкм на пластинах диаметром 150 мм. Только недавно один из лидеров этого направления  — американская компания Honeywell — стала переводить все свои изделия с 0,25 мкм на 0,15 мкм. Следующим шагом будет переход к 90 нм и т.д. Хотя современные коммерческие СБИС уже изготавливаются по нормам 22 нм. И если в этом направлении в России еще создается какой-то технологический фундамент, то в вопросах современной сборки БИС положение угрожающее. Повышение функциональности при одновременном снижении массогабаритных параметров, о котором упоминают авторы, требует не только минимальных проектных норм технологии, но и современной 3D-сборки СБИС. В этом отношении наша промышленность на голодном пайке. К тому же большинство разработчиков военной аппаратуры слабо разбирается в этих технологиях, а многие ничего не знают о таких продуктах.
Однако вызывает озабоченность другое. В последние годы мы видим, как тяжело достается в нашей стране переход к новому, особенно там, где этим занимается государство. Профессионалы могут хорошо представлять, что и как необходимо делать, формировать правильные диаграммы и графики, но при переходе к их реализации оказывается, что векторы запланированного и реализуемого лежат в разных измерениях. Не умеем мы создавать эффективных механизмов реализации задуманного. И в этом мы сильно проигрываем зарубежным странам. Даже если описанные в статье подходы будут реализованы на небольшой производственной линии в космическом агентстве (это может стать необходимым, но временным шагом), без повышения уровня российских технологических и, особенно, сборочных предприятий не обойтись. Не станем ли мы, как в недавние времена, создавать непрофильные «подсобные хозяйства» в разных отраслях промышленности? Мы помним, чем это закончилось.
Хотелось бы, чтобы авторы в следующей статье перешли от космического к земному и рассказали, как будут осуществляться изложенные в статье планы.
Есть еще одна область, в отношении которой хотелось бы увидеть взгляд профессионалов изнутри. Это высоконадежная ЭКБ для авиационной и наземной военной техники. Надеюсь, такие профессионалы у нас тоже есть. В этой области требования проще, однако объемы заказов больше, что важно для наших предприятий.
Есть еще она больная проблема — контрафактная и подложная ЭКБ. Но это тема отдельных дискуссий.Главное, чтобы в результате этих дискуссий мы двигались вперед, а не топтались на месте.
www.elcomdesign.ru/market/interview/09.04.2012


Производство/Фаундри


TSMC расширяет производство на фабрике Fab 14


Стремясь не потерять клиентов, которые опасаются задержек при выполнении их заказов, фаундри-компания TSMC быстрыми темпами наращивает свои мощности.
9-го апреля TSMC провела церемонию закладки фундамента корпуса Phase 5 фабрики Gigafab Fab 14 в Научном парке в Тайнане (Тайвань). Вслед за корпусом Phase 6 фабрики Fab 12 в Хсинчу эта линия станет еще одним основным центром, работающим по 20-нм технологии.
TSMC сообщила, что запуск серийного производства на фабрике Fab 12 по 20-нм технологии запланирован на 2013 г. Корпус Phase 5 фабрики Fab 12 станет вторым производством по этой норме, а запуск данной линии состоится в начале 2014 г. Таким образом, суммарная площадь зоны чистых комнат с учетом площади Phase 6 фабрики Fab 14 составит 87 тыс. кв. м, что в четыре раза превышает показатель стандартной 12-дюймовой фабрики.
Производство TSMC уже работает по 28-нм технологии, а запуск 20-нм мощностей предполагается осуществить с опережением графика.
Фабрика Fab 14 компании TSMC является вторым 300-мм производством после Fab 12. Серийное производство на мощностях Phase 1 этой фабрики было запущено в 2004 г. Ежеквартальная мощность Fab 14, в состав которой входят корпуса Phase 1–4, составляет 550 тыс. 12-дюймовых пластин, что позволяет считать это производство крупнейшим 12-дюймовым заводом в мире. Ежегодный доход фабрики Fab 14 с учетом всех действующих мощностей достигает 6 млрд долл. При этом TSMC рассчитывает на то, что ежегодный доход от производства на мощностях Phase 5 и 6 достигнет примерно того же уровня, а высокие объемы выпускаемой продукции и показатели выхода годных изделий позволяют говорить о TSMC как о мировом лидере в области контрактного производства ИС.
В настоящее время на фабрике Fab 14 работает около 4600 сотрудников. После расширения этого производства штат пополнится еще 4500 высококвалифицированными сотрудниками.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/11.04.2012

 


Наука и технологии


Полупроводниковая индустрия на пути освоения норм 8 нм


На Международном симпозиуме по физическому проектированию (ISPD), который состоялся на прошлой неделе в Напе, шт. Калифорния, обсуждались перспективы освоения 8-нм технологий производства полупроводников.
В настоящее время за внедрение в серийное производство борются три технологии — метод иммерсионной литографии с длиной волны 193 нм , дополненный возможностью многократной экспозиции, фотолитография глубокого ультрафиолета (EUV) и электронно-лучевая литография. По мнению Берна Лина (Burn Lin), вице-президента TSMC и основного докладчика на этом мероприятии, одной из этих трех технологий, несомненно, удастся преодолеть трудности, связанные с уменьшением геометрических размеров элементов до 8 нм.
По словам Лина, разработка технологии иммерсионной литографии завершится быстрее разработок других методов, однако ее внедрение осложняется высокой стоимостью производства. 13,5-нм технология EUV-литографии хорошо реализуется по созданным правилам проектирования, однако она нуждается в доработке механизмов фокусирования и в более мощных источниках глубокого ультрафиолета. Метод электронно-лучевой литографии уже позволяет перейти на 8 нм, но недостаток этой технологии – в низкой скорости и малой производительности. Для ее повышения компании KLA-Tencor Corp. и Mapper Lithography, например, использовали большое количество параллельных электронных пучков, что, однако, увеличило только надежность, воспроизводимость и точность метода.
Пытаясь создать установку для 8-нм производства, инженеры голландской компании Mapper Lithography используют пучок, состоящий из более чем 10 тыс. элементарных лучей. Рисунок: Mapper Lithography
Одной из наилучших работ, номинированных в этом году на симпозиуме ISPD, стала работа исследователей из Национального тайваньского университета (National Taiwan University), посвященная проблемам перегрева в процессе записи с использованием плотных электронных пучков. В этой работе было предложено разупорядочение последовательности записи для лучшего контроля над искажением размеров.
Канака Агарвал (Kanak Agarwal), IBM Research, один из приглашенных докладчиков, рассказал, как выбор допуска на форму топологических полигонов упрощает процесс литографии на малых нормах проектирования. Он также описал два метода использования этих полигонов в оптимизации топологии и шаблонов.
Еще один из приглашенных докладчиков — профессор Тим Ченг (Tim Cheng), Университет Калифорнии, рассказал, как 3D-методы помогут осуществить мечту по созданию полупроводниковых мемристоров.
С помощью технологии объемной интеграции разрабатываемая Ченгом структура памяти с мемристорным материалом достигает астрономической плотности — 100 тыс. Гбит/кв.см при ширине полосы пропускания 1 млрд Гбит/с. Самой трудной задачей при создании этой конструкции стало преодоление несоответствия между размерами небольших устройств и выводами интерфейса кристалла, однако она была решена путем наклона межслойных отверстий относительно выводов.
Приз за самую лучшую работу получил профессор Черс Чу (Chirs Chu) из Государственного университета Айовы, который предложил усовершенствованный алгоритм определения оптимальной формы схемных блоков при проектировании СБИС.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/11.04.2012


Создан квантовый компьютер "в алмазе"


Ученые из Университета Южной Калифорнии создали квантовый компьютер на основе алмаза, преодолев проблему декогеренции – «шума», который является одним из самых главных технических препятствий на пути создания квантовых компьютеров.
Современные квантовые компьютеры, как правило, очень малы и пока не могут конкурировать в быстродействии с традиционными компьютерами. Эксперимент американских ученых показывает жизнеспособность твердотельных квантовых компьютеров, которые, в отличие от современных опытных образцов на жидкой основе, могут быть масштабированы и применяться на практике.
Ученые создали алмазный квантовый компьютер с двумя квантовыми битами, так называемыми кубитами. В отличие от традиционных битов, которые работают с состояниями «1» или «0», квантовый компьютер может работать, как с «1» и «0», так и с обоими состояниями одновременно. Это называется состоянием суперпозиции и позволяет квантовым компьютерам выполнять миллионы вычислений одновременно.
Как и все алмазы, алмаз, используемый в эксперименте, имел примеси. В ювелирном деле чем больше примесей, тем менее ценен алмаз, поскольку это снижает его блеск и прозрачность. Однако для квантового компьютера примеси, наоборот, полезны. Так, спин ядра азота внутри алмаза стал первым кубитом, а электрон – вторым.
Электроны меньше ядер и выполняют вычисления гораздо быстрее, но они также подвержены более быстрой декогеренции. Кубит на основе ядра (которое по размеру больше электрона) работает гораздо стабильнее, хоть и медленнее.
Благодаря использованию ядра в качестве кубита время декогеренции удалось растянуть на миллисекунды, чего достаточно для надежных вычислений.
Хотя твердотельные вычислительные системы существовали и раньше, американским ученым впервые удалось «встроить» в нее защиту от декогеренции и сделать важный шаг на пути к применению квантовых компьютеров. Команда исследователей доказала, что их система действительно работает в квантовом режиме и практически полностью соответствует алгоритму Гровера.
Права на данный материал принадлежат CNews.ru.
http://vpk.name/news/12.04.2012


И снова графен


В исследовательском центре Stanford нашли новое применение графену.
На этот раз графену сумели добавить свойства пьезолектрика. По своей природе графен не пьезоэлектрик, но изменения его свойств можно добиться, добавляя примеси лития, водорода, калия, фтора.  В этом случае нарушается симметрия материала, и плоская решетка углерода толщиной 1 атом начинает работать как пьезоэлектрик. При этом пьзоэлектрический эффект соизмерим с таковым для трехмерных материалов.
Исследователи Стэнфордского центра называют графен волшебным материалом. Его проводящие свойства в сотни раз лучше чем у кремния. Предполагается, что графен с пьезоэлектрическими свойствами найдет множество применений: от транзистора до сенсорной клавиатуры.
www.elcomdesign.ru/news/11.04.2012


Новости компаний


NVIDIA призывает переходить на использование 450 мм кремниевых пластин


Если судить по недавним новостям, компанию NVIDIA беспокоит не только её технологическое настоящее, но и отдалённое будущее. Сейчас она страдает от нехватки производственных мощностей TSMC, от невыгодной системы расчётов за услуги этого подрядчика, и втайне мечтает когда-нибудь получить доступ к производственным мощностям Intel. Дальнейшее же уменьшение геометрических размеров полупроводников, по мнению руководства NVIDIA, сопряжено с такими расходами, что об экономии уже говорить не приходится.
Судя по всему, выход из этого затруднительного положения NVIDIA видит в переходе полупроводниковой промышленности на использование кремниевых пластин типоразмера 450 мм. Во всяком случае, именно такую точку зрения изложили на страницах издания EE Times представители компании. Пять крупнейших производителей полупроводников во главе с Intel, Samsung и TSMC могут позволить себе закупку оборудования для обработки 450 мм пластин, но они не торопятся этого делать. Как не раз отмечалось, данная миграция потребует существенных капитальных затрат, и это сдерживает темпы модернизации отрасли.
NVIDIA хотела бы, чтобы к моменту освоения 14 нм техпроцесса уже существовали производственные мощности, позволяющие использовать кремниевые пластины типоразмера 450 мм. Затраты распределяются на большее количество микросхем, получаемых с одной пластины, и теоретически, себестоимость производства единицы продукции снижается.
Компанию беспокоит тенденция увеличения сроков перехода на новый техпроцесс. В случае с 28 нм технологией время от передачи документации подрядчику до получения первых образцов микросхем выросло до четырёх-шести недель, а подготовка к серийному производству происходит на три месяца дольше, чем ранее. Между тем, выгодные для реализации продукции периоды остались на месте: это начало сезона деловой активности осенью и предрождественский потребительский ажиотаж.
NVIDIA уже пришлось увеличить количество инженеров, вовлечённых в проектирование микросхем, в тридцать раз. Для освоения последующих ступеней техпроцесса ей понадобится нанять всех инженеров мира, если следовать данной тенденции. Сейчас NVIDIA работает над оптимизацией процедуры тестирования готовых микросхем, а также совершенствованием систем проектирования изделий. Новые техпроцессы уже не дают такого снижения энергопотребления, как раньше, поэтому добиваться экономии приходится на этапе проектирования микросхемы. Действовать в этой сфере приходится заблаговременно, поскольку если не предпринимать меры сейчас, то потом будет поздно.
www.overclockers.ru/hardnews/13.04.2012


Intel и Xilinx поддержат начинающую САПР-компанию Oasys


Фонд Intel Capital и компания Xilinx инвестировали денежные средства в неуказанном объеме в начинающую компанию Oasys Design Systems, специализирующуюся на поставках САПР.
Компания Oasys, которая поставляет средства физического синтеза для проектирования и реализации ИС с более чем 20 млн затворами, сообщила о том, что воспользуется поступившими средствами для расширения научно-исследовательской деятельности и оказания техподдержки.


По словам Шишпала Равата (Shishpal Rawat), директора отдела Design Technology Solutions Group, у технологии компании Oasys имеются большие возможности существенно изменить технологический процесс разработки СБИС, т.к. эта технология является методом следующего поколения проектирования кристаллов.
Компания Oasys считает программный пакет синтеза схем RealTime Designer первым средством проектирования для физического RTL-синтеза схем со 100 млн затворов. Этот пакет обеспечивает лучшие результаты за гораздо меньшее время, которое требуется для традиционного синтеза логических схем. Пакет RealTime Designer имеет уникальный алгоритм размещения, который исключает необходимость в бесконечных итерациях по уплотнению на этапе между синтезом и компоновкой схемы.
Среди нескольких заказчиков Oasys — полупроводниковые компании Texas Instruments, Qualcomm и Xilinx.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/13.04.2012


Прочее в России


Российские ученые создали авионику мирового уровня


Премию правительства РФ получила группа ученых за создание вычислительной техники, обеспечивающей безопасность летательных аппаратов.
У наших самолетов и вертолетов довольно странное реноме. По своим летательным качествам они вполне конкурентоспособны с лучшей в мире техникой, а вот их "мозг", электронные системы управления явно уступают. Не секрет, что, покупая наши летательные аппараты, зарубежные партнеры извлекают из нее электронную начинку, так называемую авионику, и устанавливают более современную. Причина? Мы серьезно отстаем в элементной базе. Кстати, это отставание привело к серии аварий нашей космической техники. И в такой ситуации группе российских ученых присуждена престижная премия именно за создание авионики. Странно? И тем не менее это так.
Российские ученые создали авионику на новых принципах. Испытания на отечественных летательных аппаратах показали, что эта техника ничем не уступает лучшим зарубежным аналогам, а в чем-то ее превосходит. Например, в радиационной стойкости. Это очень важно, так как в верхних слоях атмосферы радиационный фон может превосходить норму в 100 раз, что может привести к сбою техники.
Вину за большинство катастроф сегодня возлагают на человека. Но ведь аппараты буквально напичканы умной электроникой, там и компьютеры, и память, и линии связи, и системы сбора информации, и много чего еще. Почему же, имея такое подспорье, самолеты падают? Дело в том, что и техника, и задачи, которые перед ней ставят, стремительно усложняются, объясняют эксперты. Скажем, военная авиация постоянно меняется. Здесь и огромные скорости, и сложнейшие маневры, и противодействие изощренному, технически прекрасно оснащенному противнику. Надо постоянно следить за огромным объемом информации о своей машине, о противнике, о состоянии внешней среды. Даже электронный мозг не поспевает за предъявляемыми к летательному аппарату требованиями. А в воздухе к нему предъявляются особые, взаимоисключающие требования. Он должен максимально быстро "щелкать" сложнейшие задачи и одновременно быть предельно компактным и простым. Ведь чем сложней техника, тем ниже ее надежность. А еще противостоять различным внешним воздействиям - радиации, температуре, давлению, влажности.
Но этого мало. Увы, электронный мозг ограничен в своих талантах. Не позволяет знаменитый закон Мура, который гласит, что количество элементов в микросхемах из кремния удваиваться каждый год. Но это не может продолжаться бесконечно, нельзя на единицу площади посадить элементов больше, чем некий физический предел. Какой же выход? Сегодня в ведущих лабораториях мира ищут разные ходы, чтобы обойти закон Мура. Например, в обычные кремневые микросхемы "поселяются" новые элементы из других материалов. Российские ученые из Московского государственного технического университета радиотехники, электроники и автоматики применили давно известные сегнетоэлектрики. Они не пропускают электрический ток, но одновременно они обладают одним удивительным качеством: при различных воздействиях, скажем, изменении температур, меняют свою поляризацию. И только за счет этого электронный мозг стал соображать намного быстрей. Дело в том, что в обычных кремневых микросхемах информация принимается и передается последовательно, что тормозит всю работу. А сегнетоэлектрики позволили создать сразу множество параллельных каналов. В итоге многократно повысилась скорость обработки информации.
Но вроде бы сегнетоэлектрики и все их "плюсы" известны давно. Почему только сейчас пришло их время? По словам специалистов, они очень капризны. Их очень непросто "подселить" в обычную кремневую микросхему. Дело в том, что для создания такого гибрида из сегнетоэлектрика и кремния их надо обрабатывать при температуре 700 С. Но такой режим "убивает" микросхему из кремния, верхний предел для него - 500 С. Многие годы потребовалось ученым, чтобы опуститься к этому пределу со 700 С. Каждые десять градусов - это была победа, как у спринтера тысячные доли на стометровке.
Сегодня в мире всего несколько фирм освоили подобную технологию и продают свою авионику по всему миру. Теперь и у России появился шанс включиться в эту гонку.
Справка "РГ"
В авторский коллектив, удостоенный премии правительства "За разработку эффективных алгоритмов обработки информации и создание отказоустойчивых интегрированных вычислительных комплексов, устройств и компонентов бортовых систем обеспечения безопасности функционирования летательных аппаратов", входят Александр Сигов (руководитель работы), Константин Воротилов, Александр Лучников, Евгений Ивашов, Алексей Каперко, Сергей Степанчиков, Александр Воробьев, Николай Макаров.
Юрий Медведев
Источник: rg.ru
www.newsland.ru/news/11.04.2012


Путин призвал не иронизировать по поводу «ГЛОНАСС»


Глава российского правительства Владимир Путин призвал не иронизировать по поводу темпов формирования спутниковой группировки «ГЛОНАСС», напомнив, что другие страны отстали от России в этом вопросе.
Премьер заявил, выступая в Госдуме с отчетом о деятельности правительства: «Полностью завершено формирование спутниковой группировки системы "ГЛОНАСС". Конечно, можно здесь сколько угодно иронизировать, конечно, проблем много с этой системой, но это важнейшее направление и для оборонки, и для безопасности, и для экономики, и для технологического развития страны», передает «Интерфакс».
Он напомнил, что Россия начала этот проект одинаково с европейскими партнерами. «У них сейчас на орбите, не помню, по-моему, пять-шесть спутников, у нас - полностью сформированная группировка. Это, наверное, одна из немногих областей, где мы реально обогнали наших партнеров», - отметил глава правительства.
Он добавил, что КНР «пытается создавать такую систему, а мы ее создали, за те же самые сроки и даже быстрее, чем планировали первоначально».
По словам Путина, «конечно, нужно заниматься картографией, сигнал уточнять, там много еще всяких проблем». «Но огромный путь пройден, и он, безусловно, является показательным», - сказал премьер.
Как сообщали ранее «Актуальные комментарии», в начале февраля премьер-министр РФ Владимир Путин заявил, что глобальная навигационная система состоялась.
«При всех сложностях, с которыми столкнулась отечественная космическая отрасль к концу прошлого года, мы сумели развернуть штатную орбитальную группировку. Глобальная навигационная система состоялась», - сказал он на заседании правительства.
Что касается работы наземной аппаратуры ГЛОНАСС, то она нуждается в совершенствовании, убежден Путин.
«Хочу обратить внимание, что мы в свое время предлагали нашим европейским партнерам работать совместно, они, по сути, отклонили наше предложение. Мы эту задачу исполнили, и это большой, хороший результат. По сути, это в мире вторая глобальная система после американской GPS», - подчеркнул премьер. Как отметил Путин, точность сигнала аппаратуры ГЛОНАСС увеличена в несколько раз и составляет 2,8 метра. Точность GPS пока лучше - 1,8 метра, добавил он.
«Нужно стремиться к тому, чтобы по всем параметрам ситуация была не хуже, а лучше. То же касается наземной аппаратуры и внедрения таким образом, чтобы вся эта система начала работать в рынке и приносила финансовую отдачу и пользователям, и государству в целом», - заключил премьер. Как писали «Актуальные комментарии», осенью прошлого года правительство России утвердило концепцию федеральной программы поддержания и развития ГЛОНАСС, предусматривающей выделение на эти цели в 2012-2020 годах 330,5 млрд рублей.
Ранее сообщалось, что автопарк российских транспортных компаний, осуществляющих пассажирские перевозки, должен быть оборудован спутниковой аппаратурой ГЛОНАСС или ГЛОНАСС/GPS к 1 января 2012 года.
Правительство постановило внести соответствующие изменения в Положение о лицензировании перевозок пассажиров автомобильным транспортом, оборудованным для перевозок более восьми человек.
www.newsland.ru/index/news/11.04.2012


Оборонка


Оборонка должна создать собственную элементную базу, считает Рогозин


Элементная база новейших российских систем как военного, так и гражданского назначения должна быть создана на оборонных предприятиях РФ; это позволит уйти от зависимости от иностранных поставщиков, заявил в четверг журналистам вице-премьер РФ Дмитрий Рогозин. В настоящее время большая часть элементной базы (микросхемы, платы и так далее) закупается за рубежом.
Приняты все необходимые решения военно-промышленной комиссией о создании отечественной элементной базы высокого уровня, которая позволит нам уйти от зависимости в этом крайне важном сегменте. Любой мало-мальски знающий в этом деле человек подтвердит, что космический аппарат – это на 95% элементная база, оборудование», – сказал Рогозин после возложения венков к могилам Юрия Гагарина и Сергея Королева у Кремлевской стены.
Он считает правильными все принятые по вопросам развития космической отрасли в РФ решения и заявил, что испытывает осторожный оптимизм. По его словам, в перспективе каждый рубль, вложенный в развитие отечественной космической отрасли, должен приносить доллар отдачи, «а еще лучше – один евро».
Мы уже можем решать любые задачи в околоземном пространстве – исследовательские, гражданские, военные, любые. Теперь стоит другая задача – перейти в прагматическое, рутинное русло, когда космос будет давать отдачу, когда будут решаться самые важные задачи, – отметил вице-премьер.
Он пояснил, что здесь имеется в виду развитие программ, связанные с воздушно-космической обороной, которая позволит РФ обеспечить безопасность от любого ракетного нападения.
«Будут решены задачи противодействия любой противоракетной обороне, если она будет развернута против российских стратегических ядерных сил, будут решены задачи и сугубо гражданские с тем, чтобы найти новые источники для национального богатства России», – пояснил Рогозин.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/13.04.2012

 


Разное


Инженер AMD украл у Intel документы на 400 млн долл.


Бывший инженер компании Intel, перешедший на работу в AMD, признался в том, что украл у своего прежнего работодателя документы, стоимость которых составляет 400 млн долл. Обвинение настаивает, что общая сумма похищенного достигает 1 млрд.
Бывший инженер компании Intel, которого обвинили в краже информации на сумму около 1 млрд долл. США у производителя чипов для продолжения своей карьеры в конкурирующей компании AMD, признал свою вину.
36-летний Бисвамоан Пани (Biswamohan Pani) из Челмсфорда, штат Массачусетс, в субботу, 7 апреля 2012 г., признался в краже «ценных документов касательно производства компьютерных микросхем и их дизайна у своего бывшего работодателя». Об этом говорится в заявлении Министерства юстиции США, сообщает CNet.
Бывший инженер Intel признал свою вину по пяти пунктам мошенничества перед окружным судьей Дэннисом Сэйлором (Dennis Saylor). Пани работал на заводе компании Intel в Хадсоне, Массачусетс. Он сообщил руководству о желании покинуть свой пост 29 мая 2008 г., отработав до 11 июня того же года.
После этого инженер перешел на работу в компанию Advanced Micro Devices (AMD), сохранив за собой доступ к системе данных Intel, говорится в судебных документах. «Без ведома представителей Intel, Пани начал загрузку с компьютеров Intel многочисленных секретных документов о производстве Intel и дизайне компьютерных чипов», - отмечают представители Министерства юстиции.
Представители Intel заявили о том, что документы, в краже которых Пани уже признался, стоят от $200 млн до $400 млн. Общая стоимость документов, в краже которых его обвиняют, составляет около $1 млрд. Эти документы были найдены федеральными агентами в доме у бывшего инженера компании, что и дало неопровержимые улики его вины.
Бисвамоан Пани был арестован по этому делу еще в августе 2008 г. «Агентам ФБР удалось быстро обнаружить эти документы, прежде чем Пани смог их использовать невыгодным для Intel образом. Во многом, это произошло благодаря тому, что Intel оперативно заявила о краже и помогала в расследовании. Представители AMD также сотрудничали со следствием», - говорится в документах прокурора, который вел дело против обвиняемого.
Также эксперты отмечают, что сейчас нет никаких доказательств тому, что представители AMD знали о краже инженером документов у своего конкурента или просили его это сделать.
Бисвамоану Пани грозит тюремное заключение сроком до 20 лет по каждому из пяти предъявленных ему обвинений в мошенничестве. Заседание суда по этому делу было назначено на 8 августа текущего года.
Источник: CNews
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/10.04.2012


Руководитель Intel в 2011 г. заработал 17 млн долл.


Это примерно вдвое больше, чем его непосредственные подчиненные.
Общая зарплата главы Intel Пола Отеллини (Paul Otellini, на фото) в 2011 г. оценивалась в 17 491 900 долл. Это на 11,75% больше, чем годом ранее, когда его зарплата составила 15 652 500 долл.
Зарплата Отеллини в 2011 г. увеличилась на 10%, составив 1,1 млн долл. Кроме этого он получил 7,3 млн за счет акций, 1,8 млн за счет опционов и 6,4 млн в виде прочих поощрений, не связанных с фондовым рынком.
Доходы других руководителей также стали известны. Например, Энди Брайант (Andy Bryant), вице-председатель совета директоров, получил 7 246 300 долл., хотя в прошлом году ему заплатили 8 451 100 долл. Если углубляться в детали, то его зарплата выросла на 46% до 720 000 долл., однако доходы от акций и прочие премии сократились.
Директор по финансам Стейси Смит (Stacy Smith) заработал за 2011 г. 6 387 600 долл., что на 20% больше, чем в 2010 г. Его зарплата выросла на треть с 635 000 долл.
Девиду Перлмуттеру (David Perlmutter), старшему руководителю группы разработчиков архитектуры, повезло меньше — его общий доход был урезан с 7 159 300 долл. в 2010 г. до 7 082 400 долл.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/10.04.2012

 


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014