ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 16(947) от  20 апреля  2012 года


Наука и технологии


ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel


Компания Soitec, специализирующаяся на изготовлении кремниевых пластин, заявила о том, что производители полупроводников смогут избежать необходимости долгие годы совершенствовать технологию полностью обедненных кремниевых транзисторов, перейдя на использование пластин КнИ. Этим путем решили пойти компании STMicroelectronics NV, ST-Ericsson и IBM.
По словам Стива Лонгориа (Steve Longoria), старшего вице-президента Soitec, при использовании техпроцессов по нормам ниже 32 нм производство полупроводников нуждается в технологии полностью обедненных транзисторов. Компания IBM воспользуется пластинами, изготовленными по технологии «кремний-на-изоляторе» (КнИ), при переходе на 14-нм FinFET-процесс. Компании STMicroelectronics и ST-Ericsson совместно с Soitec разрабатывают технологию полностью обедненных планарных транзисторов для создания 28-нм процессоров следующего поколения для мобильных устройств.
Одной из самых сложных проблем при переходе к проектированию полупроводников по нормам ниже 32 нм является неоднородность распределения легирующих примесей в наноразмерном канальном слое транзистора. Для ее решения в полностью обедненных транзисторах используются нелегированные каналы. Инженеры Intel увеличили их длину в трехзатворных транзисторах FinFET на стандартных монолитных пластинах. В результате для изоляции каналов и предотвращения избыточного тока утечки в подложку потребовалось ионное легирование их стенок.
Компания Soitec работает с двумя типами пластин по технологии КнИ. Одни пластины применяются для изготовления традиционных планарных транзисторов с очень тонким верхним слоем кремния при допуске в 5 A. Для создания каналов полностью обедненных транзисторов применяется скрытый оксидный слой диэлектрика очень небольшой толщины, который предотвращает утечку тока в подложку и исключает необходимость в дополнительных производственных операциях, к которым прибегает Intel.


Структура трехслойной подложки КнИ
Второй тип пластин компании Soitec предназначен для изготовления объемных FinFET-транзисторов, например по 14-нм техпроцессу IBM. У этого типа пластин кремниевый и скрытый оксидный слой изолятора имеют большую толщину, чтобы учесть сильные поля, создаваемые многочисленными металлическими затворами.
Стоимость КнИ-пластин для изготовления планарных и объемных кристаллов в четыре раза превышает стоимость монолитного кремния, что объясняет нежелание Intel применять технологию КнИ в процессе FinFET. Однако Soitec утверждает, что сокращение времени, затраченного на разработку полностью обедненных транзисторов, и уменьшение числа производственных операций по сравнению с теми, которые требуются в техпроцессе Intel для изготовления транзисторов с полностью обедненными и легированными каналами, более чем оправдывает высокую цену этих пластин.


Структура трехмерного транзистора Intel
Компания Soitec утверждает, что производительность полностью обедненных транзисторов, созданных с использованием КнИ-пластин, на 40% выше. Благодаря гораздо меньшему току утечки из скрытого слоя диэлектрика потребление таких устройств понижается на 40% при нынешних уровнях производительности. Soitec заявила о том, что сотрудничает с компаниями IBM и ARM над созданием спецификации для КнИ-пластин, которая позволит перейти с использования традиционных планарных транзисторов к полностью обедненным нелегированным каналам. Это позволит обойти проблему коротких каналов, когда близкое расположение стока и истока приводит к большим токам утечки через монолитную кремниевую подложку.
Источник: EE Times
Комментарий /Владимир Кондратьев/
Какой, однако, разнобой!
На сайте Intel Insider пишут: «…изготовление чипов с полностью обедненным каналом... влечет удорожание производства на 10%», и потому Intel коренным образом пересмотрела архитектуру транзистора, сделав его трехмерным. А вот компания Soitec уверяет в обратном – мол, ей удалось оправдать применение дорогостоящих КнИ-пластин за счет упрощения (соответственно, удешевления) разработки и количества производственных операций по сравнению с Intel. Интересно, Intel просчитывает эти варианты или их так много, что всего не учесть, если принимать во внимание особенности технологических процессов на разных фаундри, их реализацию, конкретные особенности производства, другие ветвления. Скорее всего, в данном случае действует неоспоримый авторитет Intel, которая не жалеет средств на разработку и технологически опережает другие компании. Уж какая здесь экономия, ведь главное – стать первой! Огромные затраты на R&D в таких случаях покрываются за счет баснословной прибыли в других сегментах рынка. А победителя не судят и идут по широкой колее, которую он проложил.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/19.04.2012


Новые подложки SOI для тонких техпроцессов


Производитель кремниевых подложек для микроэлектроники фирма Soitec S.A. заявляет, что у производителей полупроводников есть возможность избежать долгого и тернистого поиска путей совершенствования транзисторов из полностью обеднённого кремния, как об этом сообщает сайт EE Times своим читателям. Добиться этого можно благодаря применению новых подложек, сделанных по технологии "кремний на проводнике" (SOI), причём такие компании, как STMicroelectronics NV, ST-Ericsson и IBM Corp, Soitec уже удалось в этом убедить, склонив к сотрудничеству в области производства микросхем по 28нм и 14нм техпроцессу.
Основной проблемой, с которой сталкиваются производители микроэлектроники, по техпроцессу менее 32нм, это примеси в слое транзисторов, которые приводят к утечкам тока. Для решения этой проблемы Intel, например, разработала технологию создания токопроводящих каналов без примесей, что позволило ей продолжить использование обычной кремниевой пластины, в качестве подложки. Soitec, в свою очередь, предлагает применять для этих целей свои специальные подложки, которые представлены в двух вариантах, для плоских и для трёхмерных транзисторов.
Хотя стоимость данной продукции примерно в 4 раза выше стоимости кремниевой пластины аналогичной площади, менеджеры Soitec уверены, что в итоге использование их подложек окажется более выгодным. Оно позволит производителю микросхем избежать дополнительных этапов в производстве, тем самым сэкономив на разработке и монтаже оборудования. В итоге, применение подложек Soitec позволит сравнительно безболезненно перейти на более тонкий техпроцесс.
www.overclockers.ru/hardnews/17.04.2012

 

Разработки


Аналитики вскрыли новейший процессор Ivy Bridge от Intel


Аналитическая компания UBM TechInsights приступила к демонтажу процессора Ivy Bridge. Это первые 22-нм кристаллы с 3D-транзисторами, производство которых началось в конце прошлого года.
В руках специалистов компании UBM TechInsights, являющейся дочерним подразделением издания EE Times, оказался процессор Ivy Bridge. На его корпусе указано, что кристалл 3.3 GHz Core i5-3550 корпусирован в Малайзии.Площадь чипа составляет 170 кв. мм, тогда как площадь его предшественника – процессора Sandy Bridge i7 2600K – достигала 208 кв. мм. Предварительный осмотр показал, что шаг затворов во внутреннем массиве SRAM-памяти процессора составляет 90 нм. Длина затворов в логических элементах равна 22 нм.
В настоящее время большинство полупроводниковых компаний только осваивает 28-нм технологию. Altera и Xilinx уже поставляют 28-нм ПЛИС, а AMD и Qualcomm намереваются выпустить 28-нм процессоры.
Уникальная 22-нм технология Intel с использованием 3D-транзисторов известна также под названием FinFET (полевой транзистор с затвором-«плавником»). Применение этих транзисторов позволит уменьшить токи утечки электронных устройств, решив одну из самых сложных проблем разработки современных кристаллов. Другие производители кристаллов намереваются использовать схожие технологии на нормах ниже 20 нм.
Специалисты UBM TechInsights планируют опубликовать два отчета о результатах исследований кристалла Ivy Bridge. Предполагается, что 4 мая появится первый подробный доклад со структурным анализом техпроцесса изготовления этого кристалла, внутренней памяти, логики и транзисторов системы ввода-вывода, а также с фотографиями чипа с высоким разрешением и его основными областями.
Второй отчет, посвященный анализу характеристик транзисторов ЦП, появится 18 мая. В нем будут проанализированы электрические свойства по постоянному току транзисторов NMOS и PMOS, приведены данные, касающиеся токов затворов и утечки, а также результаты тестовых испытаний рабочих параметров.
Исследования будут проведены с помощью методов растровой и просвечивающей электронной микроскопии, анализа распределенного сопротивления и рентгеноскопии.

На фотографии поперечного сечения кристалла Ivy Bridge видны объемные транзисторы. Фото: TechInsights

Фотографии кристалла Ivy Bridge (вверху) и процессора Sandy Bridge i7 2600K (внизу). Фото: TechInsights
Тем временем стало известно, что компания Intel перенесет с 29 на 23 апреля анонс процессоров Ivy Bridge, установленных в ультрабуки второго поколения Acer, Lenovo и Hewlett-Packard (HP), продажи которых начнутся в мае.
Кирк Скауген (Kirk Skaugen), вице-президент и генеральный директор отдела PC Client Group компании Intel, выступая на Форуме Intel Developer Forum (IDF) в Пекине, заявил, что цены на ультрабуки в последующие несколько месяцев понизятся с 999 до 699 долл. благодаря достаточно большому объему поставок. На продвижение ультрабуков Intel намеревается потратить 330 млн долл.
Intel ожидает, что цены на ультрабуки понизятся на 30% в течение нескольких месяцев после их появления на рынке.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.04.2012


Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?


Специалисты UBM TechInsights препарировали новейшую флеш-память Intel и обсудили физические пределы данной технологии и пути ее дальнейшего развития.
Компания UBM TechInsights (являющейся дочерним подразделением издания EE Times) провела анализ 20-нм кристалла MLC NAND 64 Гбит производства IMFT с тем, чтобы выявить преимущества инновационной структуры ячейки.
Широкое распространение флеш-памяти NAND обусловлено, главным образом,  непрерывным и бурным ростом рынка смартфонов и планшетников, а также увеличением использования твердотельных накопителей (SSD, solid state drives).
Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash Technologies (IMFT), в прошлом году разработало кристалл NAND емкостью несколько терабит. Микросхема изготавливается по технологическим нормам 20 нм и состоит из нескольких кристаллов, расположенных стопкой друг над другом.

За последние годы флеш-память NAND стала самой плотной среди коммерческих микросхем памяти благодаря большой физической масштабируемости и многоуровневым ячейкам (MLC, multi-level cell), содержащим два или три бита (см. рис.).
Недавний всплеск спроса на NAND для портативных устройств вылился в еще большее увеличение емкости. Одновременно увеличилась скорость работы и уменьшилась стоимость бита информации. Однако дальнейшее уменьшение размеров ячейки флеш-памяти может столкнуться с серьезным барьером на расстояниях меньше 20 нм.

В поисках решения этой проблемы компания IM Flash Technologies активно продолжает искать альтернативные пути уменьшения ячейки. В результате разработана и произведена многоуровневая ячейка NAND с высокой плотностью по технологическим нормам 20 нм. Ячейки используют отработанное на предыдущих интеловских техпроцессах сочетание материала с высокой диэлектрической проницаемостью и металлического слоя затвора (HKMG – high-k/metal gate). Такая конфигурация позволяет обойти многие физические и электрические ограничения, которые возникают на атомном уровне.
Компания UBM TechInsights проанализировала модуль NAND 64 Гбит, произведенный IMFT. Напомним, что IMFT первой в мире применила технологический уровень 20 нм для изготовления многоуровневой флеш-памяти. На данный момент компания является лидером в отрасли по уровню техпроцесса.
Размер кристалла NAND 64 Гбит составляет всего 117 мм2. Это примерно на 30% меньше, чем для NAND такой же емкости, произведенной по технологии 25 нм. Кристаллы выполнены в корпусе TSOP с 48 выводами. Весь объем разделен на 4 банка. Эффективность использования площади составляет 52%. Это сравнимо с предыдущим уровнем технологии 24 нм (размер чипа был 162 мм2), см., например, здесь.
В классической ячейке NAND с плавающим затвором управляющий затвор и межслойный диэлектрик оборачивается вокруг плавающего затвора (см. рис.).


Коэффициент связи сильно зависит от размеров боковых сторон плавающего затвора.


Для уровня технологии 20 нм и меньше расстояние между ячейками становится настолько маленьким, что управляющий затвор располагается между плавающими. Таким образом, технологию изготовления планарных ячеек необходимо доработать, чтобы этого не происходило.
Альтернативный подход применила Samsung Electronics, предложив хранить информацию в заряде ловушек в слое нитрида (CTF – Charge trap flash). Ячейки также имеют планарную структуру. Однако за 5 последующих лет так и не сообщалось о значительных успехах в этой области.
Более вероятным решением для перехода на уровень 20 нм видится следующая конфигурация: металлический управляющий затвор (CG) и тонкий плавающий затвор (FG), между которыми расположен стек из диэлектриков (IGD) с высокой диэлектрической проницаемостью.


Технология IMFT позволяет обойти несколько серьезных проблем, которые возникают на нанометровом уровне. В частности решена проблема сближения плавающих затворов и возникновения перекрестных помех между ячейками. Кроме того, удалось уменьшить толщину межслойного диэлектрика (IPD – inter-poly dielectric) и повысить коэффициент связи между управляющим и плавающим затворами.
Для изготовления ячейки NAND на технологическом уровне 20 нм требуется применение продвинутых технологий уменьшения шага литографии, например, использование двойных шаблонов. Для нанесения рисунка на еще более низком уровне можно использовать учетверенные шаблоны. Однако это тупиковый путь, поскольку инструменты ультрафиолетовой литографии, которые используются при этом подходе, являются слишком дорогими для NAND. Ячейка NAND имеет размер примерно 40 нм х 40 нм, общая площадь 0,0017 мкм2.


Недостаток технологии: многоуровневые ячейки намного быстрее деградируют (указано количество циклов перезаписи в зависимости от емкости ячейки и технологического уровня). Реальная длительность службы не соответствует требованиям ЕСС
В ячейке, которую предлагает IMFT, слой изоляции оксид-нитрид-оксид (ONO на рисунке ниже) между затворами заменен на стек изоляторов с высокой диэлектрической проницаемостью, который обеспечивает нужный коэффициент связи между плавающим и управляющим затвором. Плавающий затвор имеет большую толщину, скорее всего, для ослабления взаимной интерференции между ячейками. При миниатюризации структуры паразитные связи увеличиваются настолько, что параметры ячейки сильно ухудшаются. Это очень серьезная проблема в плане надежности. Чтобы этого избежать, применяется изоляция за счет воздушного зазора, который выступает как диэлектрик с невысокой диэлектрической поницаемостью. Контакты в столбцах памяти расположены в шахматном порядке, чтобы было проще проводить литографию.


Классический полевой транзистор для ячейки NAND
Новая архитектура и ключевые технологии IMFT являются очень перспективными для дальнейшего увеличения срока службы классических ячеек флеш-памяти и позволяют уменьшить их размер. В то же время, при дальнейшем уменьшении размеров до 1 нм придется управлять всего 20 электронами. Именно поэтому важны новые подходы и альтернативные решения, такие как многоуровневая ячейка IMFT, которые показывают, что наука готова к переходу на новые типы памяти. Например, в качестве альтернативы планарному подходу можно попробовать совместить CTF, о которой упоминалось выше, и трехмерную архитектуру.
Методики на основе плавающих затворов близки к физическому пределу, однако пока не все возможности исчерпаны. Мы подошли к тому моменту, когда развитие технологий должно изменить направление, и очень важно наблюдать за новыми идеями, чтобы не пропустить появление той самой революционной идеи.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/18.04.2012

 


Новости компаний


MIPS ищет покупателя


Компания MIPS Technologies, которая специализируется на разработке процессоров и связанных с ними технологий, первопроходец в области создании архитектуры RISC, ищет покупателя.
Об этом сообщает агентство Bloomberg со ссылкой на неназванные источники.
MIPS, некогда достойный конкурент компании ARM Holdings, лицензедателя IP-ядер, а ныне терпящая убытки, совместно с коммерческим банком Goldman Sachs Group пытается найти покупателя. Официальный представитель MIPS отказался прокомментировать это сообщение.
Компания MIPS (Microprocessor without Interlocked Pipeline Stages) была основана 28 лет тому назад Джоном Хеннесси (John Hennessey), специалистом в области теории вычислительных машин и систем, сотрудником Стэнфордского университета. Компания Silicon Graphics приобрела MIPS в 1989 г., а затем продала ее в 1998 г. MIPS преуспевала в 1990-х гг., продавая лицензии на 32- и 64-разрядные ядра разработчикам компьютерной техники и приставок к телевизорам. Созданная ею архитектура нашла широкое применение в сетевых приложениях.
Получатели лицензий MIPS входили в длинный список, в котором наряду с другими числились компании Broadcom, Cavium, Cisco Systems, LSI, Microchip и Toshiba. При этом последние 10 лет продукция MIPS не пользовалась спросом на рынке мобильных телефонов и компьютеров. MIPS также успешно работала на рынке Китая, однако ее отчаянные попытки выйти в сегмент мобильных устройств на базе ОС Android не увенчались успехом.
Чистый убыток MIPS во втором полугодии 2011 г. составил 449 тыс. долл. при совокупном доходе в 32,5 млн долл. Годом ранее чистая прибыль компании за тот же период составила 13,5 млн долл. при доходе в 44,4 млн долл.
На фондовом рынке объем капитализации MIPS оценивается примерно в 350 млн долл. Среди возможных покупателей этой компании – Cisco Systems, Broadcom, Sony и Texas Instruments, которые являются крупнейшими потребителями кристаллов на основе микроархитектуры MIPS. Компания ARM представляется как наименее вероятный покупатель.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.04.2012

 


Altera: будущее за однокристальными процессорными устройствами


17 апреля в Экспоцентре в Москве состоялась пресс-конференция Altera. Вице-президент по стратегическому развитию Дэнни Байрен (Danny Biran) выступил с докладом «FPGA и эра слияния устройств», посвященному тенденциям развития электронной отрасли.
Дэнни Байрен (Danny Biran), вице-президент Altera по стратегическому развитию
Байрен отметил, что будущее за универсальными кристаллами, имеющими высокую гибкость (т.е. возможность программирования как программной, так и аппаратной части) и обеспечивающими высокую эффективность расхода энергии. На сегодняшний день приходится сочетать несколько вычислительных устройств (процессоры, прикладные и сигнальные процессорные ядра, специализированные СБИС, ускорители, ПЛИС и т.д.).


Универсальное однокристальное решение, во-первых, дешевле и надежнее, а во-вторых, является более компактным и эффективным с точки зрения энергопотребления. Кроме того, за счет высокой программируемости такие устройства проще обновлять и модернизировать (не требуется замена чипа). Учитывая наличие большого количества инструментов и средств проектирования, подробной документации и примеров разработки, можно сказать, что однокристальные решения являются идеальной базой для современных быстро развивающихся электронных схем.
Единственное условие заключается в том, что прямые потребители (т.е. разработчики и программисты), должны обладать соответствующим уровнем квалификации, чтобы грамотно использовать весь огромный потенциал этих устройств. Но и здесь производители готовы помочь, предлагая различные формы обучения: курсы, семинары, литературу, обучающие программные средства, демонстрационные примеры и т.п.
Семинар по продукции Altera 18 апреля собрал более 50 специалистов-разработчиков
В частности, один из таких обучающих семинаров по продукции Altera прошел 18 апреля в ходе выставки «Новая электроника — 2012», прошедшей с 17 по 19 апреля в «Экспоцентре» в Москве. Помимо теоретической информации, на семинаре были представлены практические примеры реализации устройств на базе продукции компании Altera, например, плата видеоанализа в реальном времени:
В заключение пресс-конференции Байрен отметил, что компания Altera намерена увеличить свое присутствие на российском рынке и ищет партнеров и клиентов среди российских производителей электронных устройств.
Источник: Медиагруппа «Электроника»
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/19.04.2012


Как отчет об условиях труда на Foxconn скажется на мировом рынке контрактного производства?


Расследование того, как соблюдаются условия труда на предприятиях тайваньского контрактного производителя Foxconn, выявило серьезные нарушения. Аналитики IHS iSuppli уверены, что результаты этого расследования отразятся на глобальной индустрии контрактных услуг.
В прошлом месяце организация FLA (The Fair Labor Association — Ассоциация по охране труда) опубликовала отчет с подробным перечислением результатов исследования условий труда на фабриках Foxconn в Китае. В отчете указывается, что эти условия нарушаются самым серьезным образом на трех предприятиях Foxconn: помимо прочего, сотрудники этой компании работают сверхурочно в нарушение китайского законодательства, а переработка оплачивается несоответствующим образом.


В комнате для снятия стресса на предприятии Foxconn
Цель расследования ассоциация FLA, которое она провела при поддержке компании Apple, одного из крупнейших заказчиков Foxconn, состоит в нормировании рабочего времени, а также в обеспечении надлежащей зарплаты и улучшении условий труда.
Apple присоединилась к этой организации в январе текущего года под давлением правозащитников и заказчиков, обеспокоенных прокатившейся волной самоубийств работников на предприятиях Foxconn (см. ссылки внизу).
По мнению аналитиков IHS, расследование ассоциации FLA приведет к тем же результатам, что и расследование в 1990-х гг. на обувных фабриках Nike и текстильных фабриках, когда шокирующие факты о потогонном производстве вынудили, в конце концов, работодателей следовать утвержденным нормативам труда.
По мнению Томаса Дингиса (Thomas Dinges), старшего аналитика IHS, СМИ уделяют чрезмерно большое внимание тому, как скажутся результаты расследования ассоциации на прибыли Apple и сколько станут стоить айфоны и айпады. При этом недооценивается то влияние, которое расследование окажет на все взаимоотношения между поставщиками электронных устройств и контрактными производителями типа Foxconn. Многие заказчики уже поняли, что сотрудничество с подобными контрактными производителями может пошатнуть их имидж в глазах общественности. При этом следует учитывать, что объем глобального рынка контрактного производства в 2011 г. составил 360 млрд долл.


Прогноз развития рынка глобального контрактного производства, млрд долл. Источник: IHS iSuppli, апрель 2012 г.

Аналитики IHS считают, что для электронных компаний, работающих с контрактными производителями, настало время привести нормативы труда в соответствие с правилами FLA. Эту индустрию и в дальнейшем ожидают подобные проверки, которые вынудят OEM-производителей работать в соответствии с принятыми нормами.
Переход контрактного производства на законодательные рельсы приведет к повышению оплаты труда в Китае, в результате чего вырастет стоимость услуг производителей. Но, учитывая, что цена услуг контрактного производства невелика относительно стоимости компонентов, этот рост заметно не скажется на прибылях компаний или потребительских ценах.
По мнению аналитиков IHS, рост цен на контрактные услуги в Китае, вероятно, вынудит контрактных производителей искать регионы с дешевой рабочей силой. Однако наличие сформированных каналов сбыта и хорошо развитой инфраструктуры позволит Китаю остаться основным поставщиком контрактных услуг для глобальной индустрии электроники. Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.04.2012

 


Инвестиции


ATIC и германские власти совместно финансируют научные разработки


Инвестиционная компания ATIC из Объединённых Арабских Эмиратов с недавних пор является единоличным собственником Globalfoundries, и уже несколько лет активно вкладывает средства в развитие этого ныне независимого контрактного производителя микросхем. Кроме того, арабские инвесторы являются держателями крупного пакета акций AMD, поэтому заподозрить местных шейхов в нелюбви к высоким технологиям просто невозможно.
На прошлой неделе компания ATIC заявила, что совместно с властями Саксонии (Германия) начинает финансирование проекта Twin Labs: две исследовательские лаборатории будут работать на базе Дрезденского технического университета и Масдарского института науки и технологий (Абу-Даби), соответственно. ATIC давно хотела расширить научно-исследовательскую деятельность у себя на родине, и это хороший шанс воплотить намеченные планы в жизнь. Каждый из двух источников финансирования проекта внесёт по $2,4 млрд. в течение ближайших двух лет.
Усилия инженеров будут направлены на разработку полупроводниковых структур с трёхмерной компоновкой, а также интерфейсов для соединения микросхем в многоуровневых кристаллах. Особое внимание будет уделяться поиску способов снизить уровень энергопотребления микросхем. Надо полагать, что полученные наработки будут использованы компанией Globalfoundries, в том числе, и при выпуске процессоров по заказу AMD.
www.overclockers.ru/hardnews/17.04.2012


Абу-Даби и земля Саксонии инвестируют в производство 3D-микросхем


Advanced Technology Investment Co. (ATIC), мажоритарный владелец фаундри-компании Globalfoundries, и власти земли Саксонии, Германия, подписали договор об инвестициях объемом 4,8 млн долл. в две лаборатории, которые займутся совместным исследованием 3D-микросхем.
Руководить совместной деятельностью лабораторий станет Масдарский институт науки и технологий в Абу-Даби и Технический университет Дрездена в Саксонии.


Обе лаборатории будут работать в области полупроводникового производства и, главным образом, заниматься проектированием энергоэффективной технологии изготовления объемных кристаллов.
В Абу-Даби группа инженеров займется реализацией проекта по созданию трехмерных микросхем для минимизации энергопотребления приложений вычислительной техники, связи и систем хранения данных. Группа ученых из Технического университета Дрездена приступит к разработке технологии упаковки и монтажа методом сквозных межсоединений (trough silicon vias, TSV) для завершающего этапа производства. Цель этой группы – проектирование блоков высокоскоростных интерфейсов между кристаллами сборки.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.04.2012

 


Производство/Фаундри


Qualcomm и NVIDIA не хватает мощностей TSMC


Дефицит чипов, построенных по технологическому 28-нм процессу TSMC, скорее всего, вынудит NVIDIA и Qualcomm обратиться к другим мастерским в качестве второго поставщика. NVIDIA начала выборку своих чипов Samsung Electronics, сообщил Digitimes. В настоящее время для изготовления своей продукции вендор использует в качестве подрядчика лишь TSMC.
Также в подтверждение дефицита производственных мощностей TSMC при изготовлении чипов по 28-нм технологии Qualcomm обратилась в United Microelectronics (UMC) и Globalfoundries.
Сообщается, что TSMC испытывает проблемы с объёмом выпуска своих узлов, изготавливаемых по 28-нм технологии, что вызывает затруднения с наращиванием производственных мощностей. Также считается, что мастерская пытается контролировать доступность своих производственных мощностей 28-нм ввиду того, что недостаточные ставки доходности негативно отразятся на показателях валовой прибыли.
Несмотря на недавние сообщения TSMC относительно планов о расширении производственных мощностей 28-нм, предстоящее открытие новых линий вряд ли поможет гарантированно устранить дефицит до первого квартала 2013 года.
www.astera.ru/news/19.04.2012


Объём производства кремниевых пластин в 2012 г. вырастет на 12%


Эксперты ожидают существенный рост объёмов производства кремниевых пластин в 2012-2015 гг.
По данным исследовательской компании IHS iSuppi, увеличение объёма электроники в популярных планшетах, смартфонах и ультрабуках будет стимулировать в этом году рост промышленного производства у глобальных производителей кремниевых пластин.
В соответствии с прогнозом IHS iSuppi, чистая выручка поставщиков пластин вырастет в 2012 году до 29,6 млрд долл. США, т.е. на 12% по сравнению с 26,5 млрд долл. США в 2011 году. Как говорится в сообщении IHS iSuppi, это соотвтетствует примерно трехкратному росту для всей полупроводниковой промышленности. Производители пластин предполагают, что в конце первого квартала начнётся устойчивый рост спроса, а к третьему кварталу спрос должен достигнуть своего пика.
Быстрый рост в этом году является существенным улучшением по сравнению с весьма слабым 3% ростом в 2011 году, когда оживился рост промышленности после падения в результате  рецессии на 45% в 2010 году. В отличие от спада в прошлые годы, предполагается, что рост доходов производителей пластин будет оставаться значительным в ближайшие годы. Ориентировочно, по прогнозу IHS iSuppi, доходы вырастут еще на 14% в 2013 году до 33,6 млрд долл. США, а процент роста в 2014 и 2015 годах будет определяться двухзначными цифрами.
По словам Лена Елинека, директора и главного аналитика полупроводникового производства в IHS, в этом году значительная производительность является результатом существенного роста спроса на потребительские продукты, производство которых связано с необходимостью использования передовых технологий для создания маломощных приложений. Особенностью таких приложений является увеличенное количество полупроводниковых компонентов, причём это количество будет и далее расти, чтобы поддерживать более сложные функциональные возможности изделий.
В перечень продуктов этого года, в которых будет увеличиваться объём электроники, входят такие пользующиеся значительным спросом портативные устройства, как планшеты и смартфоны, в том числе от Apple, а также телефоны Google Android и ультрабуки, причём последние будут являться ключевым новым устройством, которое, как надеются многие компании, будет стимулировать новый рост спроса.
Как отмечает IHS, ожидаемый в 2012 году рост полупроводникового рынка будет определяться продажами планшетов и смартфонов, которые будут стимулировать рост доходов от продаж флэш-памяти NAND и специализированных интегральных схем ASIC.
В то же время, будет проходить оживление рынка ноутбуков — за счет появления на рынке ультрабуков, которые вызовут рост доходов в микропроцессорном сегменте рынка.
По мнению IHS, указанные выше растущие сегменты рынка будут резко контрастировать с одним из сегментов, который резко сжимается. Рынок DRAM, по прогнозам, будет падать в  2012 году, особенно из-за недавнего банкротства ключевого игрока рынка — компании Elpida.
IHS указывает, что несмотря на то, что полупроводниковая промышленность демонстрирует  внушающие оптимизм показатели, существуют весьма сложные проблемы. Наиболее важным вопросом в 2012 году будет, по-прежнему, состояние мировой экономики. Хотя ситуация в США и некоторых странах Еврозоны начинает улучшаться, рост может быть незначительным, т.к. экономика этих и других стран зависит от нефти, особенно в свете уже весьма высоких цен на энергоносители, что может в дальнейшем вывести ситуацию из-под контроля, особенно, если останется нерешённой напряженность на Ближнем Востоке.
Как указывает IHS, в настоящее время, объём складских запасов также остаётся одной из основных проблем по всей цепочке поставок. Компании, например, до сих пор ждут до последней минуты момента для  размещения заказа, зная, что при повышении спроса общий объем производства останется прежним. Насколько необходимо будет дополнительно сократить запасы, еще предстоит выяснить, в зависимости от возможных инноваций, которые могли бы стимулировать рост полупроводниковой промышленности в большей степени, чем простой механизм регулировки спроса и предложения для существующих продуктов.
По мнению IHS, третья задача для производителей пластин связана с финансами. По прогнозам, фирмы,  в отношении капитальных расходов в 2012 году, будут еще более осторожными, хотя расходы, по прогнозам, сократятся на 19% в этом году.
В IHS полагают, что производителям пластин также придется бороться с продолжающимся снижением средних цен продажи, особенно в свете повышения общей конкуренции.
TSMC правит бал среди производителей пластин.
По мнению IHS, рынок производителей пластин по прежнему фрагментирован и содержит основную группу из 4-х топ-поставщиков и группу из 16, более мелких компаний, которые относятся к производителям второго, менее значимого уровня.
Группа из 4-х ведущих производителей в 2011 году включала под №1 компанию Taiwan Semiconductor Manufacturing Corp. (TSMC) с выручкой 14 млрд долл. США, на втором месте следует компания UMC с выручкой 3,6 млрд долл. США. Остальные, входящие в Топ-4 компании, — это занимающая 3-ю строчку компания Globalfoundries с 3,5 млрд долл., и на четвертом месте находится Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) c 1,3 млрд долл.
В минувшем году, на 5 строчке общего списка и на первой позиции в списке компаний второго эшелона находилась компания Tower Semiconductor Ltd. с выручкой 613,0 млн долл. США. У компании  TowerJazz есть одна особенность: для увеличения своей пропускной способности она на основе долголетнего соглашения активно поглощает предприятия, занимающиеся производством пластин, что остается самым жизнеспособным методом расширения для компаний, желающих нарастить свои производственные мощности.
Как отмечает IHS, решение, которое включает в себя приобретение фабрики и последующее строительство в соответствии с результатами экспертизы существующего производственного предприятия, является наиболее эффективным способом для удовлетворения спроса на полупроводниковом рынке, что подтверждается специалистами многих производственных компаний второго уровня в Китае и Европе.
Источники: DigiTimes, EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/18.04.2012


TSMC рассматривает возможность перехода на 18 нм и 16 нм технологии


О том, что компания TSMC стремится предоставлять своим клиентам несколько разновидностей каждого техпроцесса, можно судить хотя бы по схеме сотрудничества с холдингом ARM. В рамках 28 нм технологии, например, предлагаются четыре разновидности техпроцесса, позволяющие выпускать микросхемы с разным уровнем быстродействия и энергопотребления.
Как сообщает сайт EE Times со ссылкой на заявления вице-президента TSMC Шан'и Цзяна (Shang-yi Chiang), в рамках 20 нм технологии компания предложит клиентам только одну разновидность техпроцесса. Изначально планировалось, что их будет две, но дальнейшие исследования заставили TSMC придти к выводу, что различия между микросхемами, получаемыми по двум разновидностям 20 нм техпроцесса, минимальны в силу высокой плотности размещения полупроводников и их малых физических размеров. Было принято решение осваивать только одну разновидность 20 нм технологии. При освоении этой ступени будут применяться материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторы с металлизированным затвором.
Ожидается, что массовое производство микросхем по 20 нм технологии будет освоено в следующем году. Если промышленность предложит соответствующий инструментарий, то TSMC планирует освоить выпуск 14 нм микросхем к 2015 году. Ожидается, что в рамках этого техпроцесса будут использоваться транзисторы с трёхмерной структурой, которые Intel уже внедрила на этапе освоения 22 нм технологии.
Для перехода на 14 нм техпроцесс может потребоваться внедрение сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV), но производители литографического оборудования пока не могут решить некоторые технические проблемы, препятствующие его серийному производству. Освоить 14 нм техпроцесс на имеющемся оборудовании, использующем лазер с длиной волны 193 нм и иммерсионную литографию, вряд ли получится без экономически неоправданных затрат.
Представители TSMC заявляют, что в качестве запасного варианта рассматривают возможность перехода на технологические нормы 18 нм или 16 нм. Очевидно, решение будет принято позднее, когда определятся технологические возможности производителей литографического оборудования.
www.overclockers.ru/hardnews/19.04.2012

 

Продажи


Рейтинги крупнейших фаблесс-компаний по результатам 2011 г.


На долю 25-ти первых полупроводниковых фаблесс-компаний пришлось 80% продаж на рынке полупроводников, объем которого в 2011 г. составил 64,9 млрд долл., что на 4% выше показателя 2010 г.
По данным IC Insights, темпы роста 16 из этих первых 25 компаний превзошли годовой темп роста всего полупроводникового рынка фаблесс-услуг (см. табл. 1).


Рейтинг первых 25 полупроводниковых фаблесс-поставщиков по объемам продаж в 2011 г., млн долл. Источник: IC Insights

В прошлом году китайская компания Spreadtrum Communications стала первой среди фаблесс-поставщиков – темпы ее роста составили 95% (см. табл. 2 ниже). Spreadtrum поставляет процессоры для управления радиомодулями (baseband processors) и КМОП РЧ-трансиверы для систем беспроводной связи, причем 90% объема ее продаж приходятся на китайских заказчиков. Если в 2009 г. компания Spreadtrum занимала 67-е место в списке крупнейших фаблесс-поставщиков ИС, то в 2011 г. она добралась уже до 17-го места.


Рейтинг первых 25 полупроводниковых фаблесс-поставщиков по темпам роста продаж в 2011 г., млн долл. Источник: IC Insights
В отличие от Spreadtrum, продажи ИС компании ST-Ericsson упали на 28% в прошлом году после снижения этого показателя на 9% в 2010 г.
В списке крупнейших фаблесс-компаний доминируют поставщики из США — по объемам продаж они занимают восемь первых позиций из первых десяти мест списка. Европейские компании занимают средние и нижние позиции этого рейтинга, однако темпы роста компании Dialog составили 77%.
Япония представлена в этих рейтингах только одной фаблесс-компанией – MegaChips Corp., которая разрабатывает кристаллы для игровых приложений, цифровых камер, мобильных телефонов и систем безопасности. Однако в 2011 г., в отличие от многих интегральных производителей устройств, темпы роста этой компании составили 35%. Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.04.2012


Intel отчитывается о результатах первого квартала


С момента завершения первого квартала прошло достаточно времени, чтобы западные компании смогли подвести финансовые итоги своей деятельности за период. Компания Intel сообщила о получении выручки в размере $12,9 млрд. Операционный доход за первый квартал этого года составил $3,8 млрд., чистый доход - $2,7 млрд., доход в пересчёте на одну акцию - $0,53.
Норма прибыли снизилась с 64,5% до 64%. Частично это объясняется расходами на наращивание объёмов выпуска 22 нм процессоров. В дальнейшем затраты начнут окупаться, но пока на финансовых показателях Intel данная миграция сказывается не лучшим образом. Во втором квартале компания рассчитывает выручить $13,6 млрд., норма прибыли должна лежать в пределах от 62% до 63%. Глава Intel надеется, что весь 2012 год будет для компании таким же стабильным и успешным, как первый квартал.
Теперь перейдём к самому интересному – заявлениям руководства Intel, сделанным на отчётной квартальной конференции. Во втором квартале компания обещает начать массовые поставки 22 нм процессоров, продолжить наращивание объёмов выпуска "лучшего серверного продукта за всю историю", а также при поддержке партнёров предложит первые смартфоны на базе процессоров Atom. Кстати, о самих процессорах Atom представители Intel предпочли на конференции почти ничего не говорить, за исключением выражения удовлетворённости темпами перехода этого семейства на новые технологические процессы, которые в два раза опережают действие так называемого закона Мура.
Массовые поставки процессоров Ivy Bridge уже начались – об этом можно судить хотя бы по множеству фотографий коробочных экземпляров Core i7-3770K и Core i5-3570K, которые уже вторую неделю подряд кочуют с форума на форум. Формальный анонс, как мы знаем, состоится в ближайший понедельник, хотя называть эту дату открыто в Intel отказываются. Ivy Bridge должен стать продуктом Intel с самым высоким темпом экспансии – уже во втором квартале эти процессоры займут до 25% поставок, а осенью их доля перевалит за 50%. Выпуском 22 нм процессоров занимаются три фабрики Intel. Четвёртая присоединится к ним во втором полугодии.
На мероприятии была названа причина задержки анонса процессоров Ivy Bridge на три недели относительно первоначальной даты. Компания Intel хотела обеспечить клиентов достаточным товарным запасом этих процессоров. Первые модели Ivy Bridge, которые поступят в продажу в этом месяце, будут четырёхъядерными, причём основная их часть будет использоваться в настольных системах. Возможно, такой приоритет объясняется их более высоким энергопотреблением. "Вторая волна" моделей Ivy Bridge будет состоять из двухъядерных процессоров, которые пропишутся и в массовых мобильных компьютерах. Если в планах Intel не произошло изменений, то двухъядерные процессоры Ivy Bridge начнут покорять прилавки в июне. Судя по всему, речь пока идёт только о мобильных процессорах с двумя ядрами, поскольку их настольные сородичи могут задержаться до августа.
www.overclockers.ru/hardnews/18.04.2012

 



Производство электроники постепенно смещается на запад Китая


Тайваньские ODM-производители ПК для Hewlett-Packard, Acer и Asustek Computer обосновались в г. Чунцине (Юго-Западный Китай), а компании Dell и Lenovo — в г. Чэнду, чтобы обеспечить соответствующие каналы поставок.


Тайваньские ODM-компании: производственные базы в Чунцине, Чэнду, западном Китае

Компания

Местонахожде-ние производствен-ной базы

Время инвестирования

Объем выпускаемой продукции

Основной клиент

Quanta Computer

Чунцин

январь 2010

Ежемесячный объем продукции достиг 1,5 млн шт., или 30% суммарной мощности в I кв. 2012 г.

HP, Acer

Compal Electronics

Чунцин

февраль 2011

Поставки начались в июле 2011 г., ежемесячная мощность увеличится до 700–800 тыс. шт. во II кв. 2012 г. Объем продукции составит 1 млн шт., или 7–8% всего объема поставок во второй половине 2012 г.

Acer

Ченду

сентябрь 2010

Площадь фабрики – 250 тыс. кв.м. Ежемесячный объем производства – 2 млн ноутбуков. Производство начнется во II кв. 2012 г.; 5% всего объема поставок

Lenovo

Wistron

Чунцин

май 2010

Производство началось в конце 2011 г. Объем продукции с учетом деятельности фабрики в Ченду – 40% всего объема поставок

HP, Acer

Ченду

ноябрь 2010

В III кв. 2012 г. объем производства составит 300 тыс. шт. Суммарный годовой объем превысит 20 млн шт. в 2014 г. и 40 млн – в 2016 г.

Dell, Lenovo

Pegatron

Чунцин

январь 2010

Начальные инвестиции – 49 млн долл., производство началось в июле 2011 г.

Asustek, Acer

Inventec

Чунцин

декабрь 2009

Завершился первый этап строительства фабрики. Объем продукции за 2011–2012 гг. увеличится с 2 до 4 млн шт.

HP

Источник: данные компаний, компиляция Digitimes, апрель 2012 г.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/18.04.2012

 

 


Прочее в России


Сурков: работа иностранных инженеров в компаниях РФ должна быть нормой


Выступая на совещании с представителями исследовательских подразделений российских и зарубежных компаний, Владислав Сурков отметил, что привлечение иностранных специалистов - очень важная составляющая модернизации экономики России.
В составе российских компаний сейчас работают специалисты из-за рубежа, занимающиеся различными аспектами деятельности компании. «Это уже нормальная практика, этому никто не удивляется», — сказал Сурков.
Он подчеркнул, что точно так же «обычным делом должна быть работа иностранных исследователей, инженеров в R&D-подразделениях наших компаний». R&D-подразделения занимаются научно-исследовательскими, опытно-конструкторскими и технологическими работами (НИОКР).
На совещании выступил швейцарский ученый, который работает в России. Он сетовал на то, что есть проблемы с получением виз для въезда в РФ, что, в частности, ему приходится выстаивать большие очереди за необходимыми документами.
По мнению Суркова, для высококлассных иностранных специалистов, работающих в России, «должен быть абсолютный комфорт».
Сурков отметил, что это «общая, системная проблема», и российские специалисты зачастую тоже имеют трудности с выездом в Европу.
«Россия выступает за безвизовый режим с Европой, и мы неоднократно об этом заявляли на самом высоком уровне, и готовы хоть завтра к этому, но мы не можем это сделать в одностороннем порядке», — сказал вице-премьер.
В прошлом году власти РФ включили инженеров в список профессий иностранных квалифицированных специалистов, на которых не распространялись квоты на 2011 год. Всего в списке было 32 должности — в основном управленцы, а также главный инженер в промышленности и инженер-технолог.  Источник: РИА Новости
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/20.04.2012


В Беларуси готовят концепцию развития наноиндустрии


Концепция формирования и развития наноиндустрии разрабатывается в Беларуси. Об этом сообщил на семинаре-совещании по вопросам развития отрасли начальник управления науки и инновационной политики Министерства экономики Беларуси Дмитрий Крупский.
«В настоящее время в Минэкономики Беларуси ведется работа по подготовке проекта концепции формирования и развития наноиндустрии в Беларуси», – рассказал эксперт.
Во время семинара Минэкономики рассчитывает услышать позицию по этим вопросам заинтересованных госорганов, учреждений науки и образования, организаций промышленности, бизнес-ассоциаций. Планируется определить имеющийся в стране организационный и интеллектуальный потенциал для развития нанотехнологической отрасли.
«Нам предстоит выработать согласованное видение по плану конкретных действий по развертыванию наноиндустрии до 2015 года, а также механизмам и инструментам, способствующим ускоренному развитию отрасли», – отметил Дмитрий Крупский.
С учетом озвученных мнений и предложений Минэкономики подготовит письмо в правительство с конкретными позициями, касающимися плана мероприятий по развитию отрасли на ближайшие три года. Минэкономики уверено, что развитию наноиндустрии необходимо уделить особое внимание в ближайшем будущем. Это связано, прежде всего, с тем, что экономика Беларуси носит материалоемкий и энергозатратный характер. Дальнейшее ее развитие за счет наращивания объемов производства потребует импорта все большего количества минерально-сырьевых и топливно-энергетических ресурсов.
«Ввиду данного обстоятельства будущее белорусской экономики за развитием нематериалоемких малозатратных производств на основе высоких технологий и местных ресурсов», – подчеркнул Дмитрий Крупский.
Он также добавил, что нанотехнологии являются сквозными технологиями, применение которых возможно в различных отраслях экономики – АПК, промышленности, ИТ-сфере. Массовое использование нанотехнологий способствует появлению значительного количества товаров с принципиально новыми свойствами.
«В этой связи исключительно актуален для будущего белорусской экономики вопрос выбора оптимальных форм хозяйствования и управления, а также инструментов и механизмов стимулирования и господдержки нанотехнологической отрасли», – резюмировал эксперт.
www.cleandex.ru/news/18.04.2012


Программное обеспечение


Windows 8 получит три версии


Менеджер Microsoft по коммуникациям Брендон Леблан рассказал, как будут называться версии Windows 8. Корпорация решила отказаться от сложной системы версий и ограничилась всего тремя, отметила Electronista. Помимо собственно Windows 8 будет еще Windows 8 Pro. Хотя обе поддерживают архитектуру x86/64, в Windows 8 Pro будет ряд функций для бизнеса, таких как шифрование диска BitLocker, виртуализация, групповые политики, поддержка доменов, удаленное управление рабочим столом и т.д.
Для Windows 8 Pro будет доступен Windows Media Center в виде отдельного расширения. С ним Windows 8 Pro получит максимально возможную функциональность.
ARM-версия новой ОС вынесена в отдельную редакцию под названием Windows RT. В нее войдет копия Microsoft Office 15 и большинство функций интерфейса Metro из сборки для x86 плюс шифрование на уровне устройств. Однако здесь не будут поддерживаться сторонние приложения для настольной версии Windows, не будет Storage Spaces и Windows Media Player, вместо которого будет другой проигрыватель.
Таким образом, Microsoft создает "вилку", выделяя ARM-устройства в отдельную ветку разработки. Они будут конкурировать с iPad и Android-планшетами. Одновременно компания радикально упрощает конфигурацию настольных систем, снижая число версий с шести-семи до двух.
Новая модель ближе к концепции Apple, когда одна версия отвечает потребностям почти всех пользователей, а вторая предназначена только для бизнес-потребителей.
Цены и даты выпуска Microsoft по-прежнему не называет. Ожидается, что Windows 8 появится в продаже примерно в октябре. По крайней мере известно, что на это время в Microsoft запланированы специальные мероприятия.
www.astera.ru/news/18.04.2012

 


BlackBerry 7 названа самой безопасной мобильной ОС для бизнес-пользователей


Компания Trend Micro оценила безопасность распространённых операционных систем для портативных устройств — коммуникаторов и планшетных компьютеров.
Рейтинг безопасности мобильных операционных систем (данные Trend Micro).
Рейтинг безопасности мобильных операционных систем (данные Trend Micro).

При проведении исследования учитывались такие критерии, как наличие брандмауэра, средства аутентификации, встроенные инструменты защиты, виртуализации, управления портативными устройствами и пр.
Trend Micro оценивала четыре мобильные платформы при их использовании в корпоративном секторе: Android 2.3, iOS 5, BlackBerry OS 7 и Windows Phone 7.5.
Самой безопасной платформой для бизнес-пользователей названа BlackBerry OS, которая по методике анализа Trend Micro набрала 2,89 балла. На втором месте — Apple iOS (1,70). «Бронзу» получила операционная система Windows Phone, набравшая 1,61 очка.
Платформа Android с результатом в 1,37 балла, по мнению экспертов Trend Micro, хуже всего подходит для применения в корпоративном секторе. Однако это не помешало корпорации Boeing выбрать её в качестве основы для своего коммуникатора, который создаётся для спецслужб, правительственных организаций, военных ведомств и бизнес-пользователей. Смартфон сможет передавать данные в зашифрованном виде по безопасному каналу.
Подготовлено по материалам Trend Micro.
http://soft.compulenta.ru/16.04.2012


Выставки


SEMICON 2012 — форум индустрии микроэлектроники и фотовольтаики


semiconlogo.png

С 15 по 16 мая в Москве состоится форум полупроводниковой промышленности выставка SEMICON Russia. Сегодня на связи со студией Zelenograd.ru Алла Фамицкая, глава российского представительства ассоциации SEMI.
— История выставки по тематике микроэлектроники в России началась, насколько я знаю, еще в 1996 году, а первая выставка проходила в Зеленограде, во дворце культуры. Первая выставка SEMICON состоялась в 2008 году в Центре международной торговли, в 2010 году выставка выросла и переехала в Экспоцентр, а в прошлом году вы еще больше выросли, и выставка стала трехдневной. Какие изменения в формате выставки произошли в 2012 году?
— В этом году мы все-таки перешли к двухдневному формату, потому что большинство «выставочников» и посетителей посчитали, что выставка еще недостаточно большая, и разумнее будет пока оставить ее двухдневной.
А вообще изменений у нас довольно много. Во-первых, по сравнению с прошлым годом выставка все-таки выросла. Уже сейчас продано стендов больше, чем в целом в прошлом году. Во-вторых, накануне выставки мы проводим конференцию по рынку микроэлектроники в России. Она проходит в отеле «Ренессанс Монарх», который находится на углу Ленинградского проспекта и улицы Беговой, это официальный отель SEMICON Russia. До сих пор у нас ни разу не было такой хорошей программы; будут выступать академик Владимир Борисович Бетелин, Геннадий Яковлевич Красников, Николай Лисай из «Ангстрема», Беатрис Шеферд — аналитик из фирмы «Frost & Sullivan», Борис Омаров — СЕО «CROCUS Nano Electronics». Также ожидаются две интересные панельные дискуссии, которые, безусловно, заинтересуют всех: одна дискуссия посвящена технологии и рынку в России на пути их развития, а вторая будет касаться усиления полупроводниковой экосистемы в России: видение, технологии, структуры, стимулы, преференции.
Кроме того, во время выставки у нас еще будут две сессии, они пройдут на арене выставочного зала. Мы делаем две арены, и закрываем их в гораздо большей степени, чем раньше; до этого на аренах стоял шум, и на территории выставки было слышно все, что там происходит. 15 мая там будет сессия по фотовольтаике, программа тоже получилась очень хорошей, хотя, думаю, зеленоградские компании это в меньшей степени интересует, но все-таки. А на второй день будет сессия, которую мы называем сессией по светодиодам. На самом деле это не совсем светодиоды, то есть, это касается их, но там будут выступления по материалам, оборудованию и технологиям выращивания монокристаллов сапфира, карбида кремния, самого кремния, арсенида галлия, нитрида галлия.
— Полупроводниковая часть светодиодного рынка, можно так сказать?
— Да. Обе этих сессии бесплатны, и уровень выступающих очень высок.
— Тема светодиодов, насколько я помню, появилась только в прошлом году, и, как понимаю, это было удачным решением, поскольку сейчас это направление стало полноправным сегментом мероприятия. Вообще есть ли на выставке какие-то заметные участники, может быть, вы можете кого-то назвать?
— Что касается LED, это будет так: выступит Владислав Бугров — один из основателей «Оптогана» и COO по стратегическим разработкам и перспективам технологий для LED, будет выступать CEO ставропольского «Монокристалла» Олег Качалов, также будет выступать Николай Крундышев, генеральный директор приборостроительного завода в Рыбинске; у них сейчас идет очень интересный проект с РОСНАНО по производству оборудования для изготовления сверхярких светодиодов и самих светодиодов.
Вообще ставропольские компании будут там представлены очень широко; на Ставрополье несколько компаний работают в сотрудничестве друг с другом, кто-то из них производит материалы, кто-то — оборудование, кто-то обеспечивает создание предприятий по производству светодиодов, оборудования и материалов, компания типа M+W Group, но работающая только в этой области.
Также ожидается презентация компании, которая сейчас тоже имеет проект с РОСНАНО во Владимире, в партнерстве с израильской компанией; это проект по созданию плат с высокой теплопроводностью для монтажа светодиодов высокой яркости. Есть еще одна ставропольская компания под названием «Экситон» — это я просто перечисляю компании из программы выставки.
— То есть, весь ставропольский кластер, который занимается сапфиром, практически в полном составе будет в Москве на SEMICON?
— Да. Там будут и другие, например, мы ожидаем презентацию томской компании «Микран», а еще, оказывается в Саранске есть завод, который сейчас готовит к запуску производство карбида кремния — все это интересно, и что касается фотовольтаики — там тоже ожидается много интересного.
— Есть ли какие-то изменения для посетителей?
— Думаю, что для посетителей все будет удобно. Мы проводим выставку в том же 7-м павильоне, что и в прошлом году, но в 1-м зале на нижнем уровне, который находится рядом со входом на территорию «Экспоцентра», а значит, найти что-либо будет легко. Кроме того, выставка будет проводиться по соседству и параллельно по времени с выставкой «Связь-Экспокомм», поэтому мы ожидаем гораздо больше посетителей.
— Это как раз тот проект, который ведет ассоциация SEMI — организатор SEMICON? Вообще на чем сейчас сосредоточены усилия SEMI в России?
— Дело в том, что, хотя SEMI и не ведёт этот проект, но — как это всегда было, старается объединить как можно больше компаний, которые являются поставщиками оборудования, материалов, услуг, разработчиками технологий и потребителями всего этого. Собственно, все выставки SEMICON и все конференции направлены на это. Кроме того, SEMI сейчас очень активно, особенно в Европе, занимается лоббированием интересов нашей отрасли. В России мы также пытаемся лоббировать эти интересы, уже не перед Еврокомиссией, конечно, но стараемся как-то достучаться до официальных кругов, объяснить необходимость государственной поддержки для отрасли, и делаем это в сотрудничестве с «Микроном» и другими компаниями.
— Насколько это удается, насколько госструктуры прислушиваются к рекомендациям SEMI и понимают, что нужно что-то менять, чтобы эта отрасль развивалась?
— Вообще, SEMI сейчас стала гораздо более популярной в России, Хайнц Кундерт очень активно этим занимается, и я думаю, что его личные качества помогают этому процессу. Нельзя сказать, что процесс идет быстро, но все-таки, какое-то движение есть, и как всегда, мы надеемся на изменения в ближайшем будущем.
— Вы уже упомянули, что в Европе есть некий спад в микроэлектронной отрасли. Как идет восстановление рынка микроэлектроники после кризиса? Можно ли сказать, что все восстановилось, или все-таки этот спад продолжается, и до докризисных показателей еще далеко?
— В прошлом году было такое впечатление, что вроде бы восстановилось, а сейчас опять какой-то не очень хороший период, особенно в фотовольтаике. Но фотовольтаика — это ведь тоже часть микроэлектроники. Пожалуй, сейчас не очень хороший период. С другой стороны эта ситуация привлекает европейские фирмы в Россию.
— Конечно, ведь любой кризис — это, в первую очередь, возможность продвинуться. Может быть, действительно благодаря кризису, SEMICON Russia становится все более успешным проектом. Скажите, а есть ли еще какие-то важные аспекты, касающиеся выставки, о которых мы не поговорили сейчас?
— На выставке, так же, как и всегда, будут организованы технические презентации экспонентов, для которых это делается бесплатно, и для других компаний, которым придется за это заплатить.
www.zelenograd.ru/news/18.04.2012


Разное


Cree выпустила светодиод с рекордным световым потоком


Cree начинает поставку нового светодиода со световым потоком 2100 лм и цветовой температурой от 2700 К до 5000 К.
Cree анонсировала начало поставок белых светодиодов типа MT-G2 с параметрами: световой поток 2100 лм, цветовая температура 3000К, мощность 25 Вт при 85?С.
По заявлению представителя Cree, более яркие светодиоды MT-G2 имеют ту же цоколёвку что и предшествующее изделие MT-G, что обеспечивает беспрепятственное обновление. Новое изделие предназначено для использования в качестве единственного компонента в светодиодной конструкции, что позволит упростить проектирование и производство изделий.


Предполагается, что новое изделие будет использоваться в таких приложениях, как трек-светильники, лампы подсветки, модернизированные лампы и лампы для низового освещения.
Корпусированное изделие имеет размеры 8,9 мм x 8,9 мм и диапазон цветовых температур от 2700 К до 5000 К с уровнем минимальной цветопередачи  80 и 90 (индекс CRI). Изделие будет иметь несколько вариантов рабочего напряжения.
Источник: ElectronicsWeekly.com
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.04.2012


Компьютер за 35 долларов добрался до заказчиков


Стартовали поставки компьютера Raspberry Pi ценой в 35 долларов США. Об этом сообщается в блоге разработчика устройства - некоммерческой организации Raspberry Pi Foundation.

Продажей компьютеров занимаются британские дистрибуторы RS Components и Element14. Они получили первую партию Raspberry Pi из десяти тысяч устройств и приступили к доставке компьютеров заказчикам, в том числе и зарубежным.
Прием предварительных заказов на компьютеры открылся в конце февраля. Устройства из первой партии раскупили за несколько минут, указывает CNET News.
Компьютеры поступят к покупателям с задержкой. Изначально планировалось доставить устройства в марте, но в срок не уложились из-за возникших трудностей. Сначала сборщики компьютера перепутали сетевые коннекторы, а затем готовые Raspberry Pi внепланово отправили на испытания на электромагнитную совместимость.
Заказ на компьютер из следующей партии можно сделать на сайтах RS Components и Element14.
Компьютер Raspberry Pi использует 700-мегагерцевый процессор ARM и оснащен 256 мегабайтами оперативной памяти. У него есть разъем Ethernet, HDMI, слот для карт SD и два порта USB. Он поставляется в виде платы без корпуса, монитора и периферийных устройств.
http://lenta.ru/news/17.04.2012

 


Управление взглядом


Электронный гигант Intel решил инвестировать 21 миллион долларов в про­екты компании Tobli, которая занимается разработкой систем управления цифровы­ми устройствами с помощью движений глаз, сообщает “АйтиХак“.
Основа таких гаджетов заключается в чувствительной ка­мере, которая фикси­рует перемещения зрачков и передает их компьютеру в виде команд. Первеначаль­но Intel планирует протестировать систе­му на ноутбуках, а в дальнейшем внедрять ее в смартфоны, план­шеты и т. п.
Первый серийный контроллер РСЕуе, позволяющий осуществлять управ­ление взглядом, уже поступил в продажу, однако его стоимость составляет 7000 долларов (20 0 000 рублей). Впрочем с притоком новых инвестиций Tobli может сконцен­трировать все силы на новых разработках, так что цена на подоб­ные гаджеты в буду­щем может существен­но снизиться.
http://it-hack.ru/18.04.2012


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014