ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 19(950) от  17 мая  2012 года


Мировой рынок


Доходы разработчиков аналоговых ИС заметно выросли в апреле


Доходы большинства тайваньских дизайн-центров по разработке аналоговых ИС достигли в апреле рекордной величины второй месяц подряд за счет высокого спроса на эти компоненты.
Благодаря высокому спросу со стороны глобальных IDM-производителей отношение объема заказов к объему поставок локальных дизайн-центров по разработке аналоговых ИС, в т.ч. Copella Microsystems, Macroblock и On-Bright Electronics, превысило значение 1,1.
Доходы центра разработки Copella в апреле выросли на 112,1% относительно прошлогоднего показателя, составив 7,26 млн долл., тогда как темпы роста доходов компаний Macroblock и On-Bright составили 32,7 и 34,7% за тот же месяц.
Ожидается, что доходы дизайн-центров Richtek Technology и Global Mixed-code Technology (GMT), также занимающихся разработкой аналоговых ИС, увеличатся до 15% за II кв. 2012 г. и достигнут 39,4–43,1 млн долл.


GMT: финансовый отчет, I кв. 2012 г., млн TWD

Показатель

Объем

Кв./кв.

Г./г.

Доходы

1100

7,98%

(12,51%)

Валовая прибыль

34,37%

ниже на 1,44%

выше на 3,27%

Чистая опер. прибыль

188

5,50%

(6,19%)

Чистая прибыль

140

(10,59%)

(29,74%)

Чистая приб. на акцию, TWD

1,63

 

 

Источник: GMT, компиляция Digitimes, май 2012 г.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/11.05.2012


Японская полупроводниковая агония продолжается


Японская полупроводниковая промышленность находится в кризисе и компании никак не могут найти выход из создавшегося положения. Агония на промышленных предприятиях продолжается в течение нескольких последних лет.
После объявления компании Renesas в конце марта 2012 г. о годовой выручке в 9,8 млрд долл. можно сделать вывод о том, что продолжается агония японской полупроводниковой промышленности. В 2003 г., спустя год после того, как в результате слияния мощностей по производству полупроводниковых изделий компаний Hitachi и Mitsubishi была создана компания Renesas, был зафиксирован доход 9 млрд долл. США и Renesas была признана вторым поставщиком в мире.
В 2010 году Renesas приобрела полупроводниковый бизнес NEC. NEC Electronics с 1987 по 1991 гг. занимала первую строчку в мировом рейтинге компаний-производителей полупроводниковых изделий. До того как NEC была приобретена компанией Renesas, её годовой доход составлял чуть меньше 6 млрд долл.
Теперь же операционные потери Renesas в закончившемся в марте 2012 г. финансовом году составили 710 млн долл., а сумма чистых убытков составила 790 млн долл.
В прошлом году сообщалось, что компании Renesas, Panasonic и Fujitsu договорились о слиянии мощностей своих полупроводниковых бизнесов. Японцы всё ещё продолжают верить в провальную по сути стратегию консолидации. После появления сообщения о слиянии мощностей Renesas, Panasonic и Fujitsu, г-н Малкольм Пенн (Malcolm Penn), генеральный директор Future Horizons, так прокомментировал это событие: «Сколько еще раз нужно решать уравнение «1 + 1=0,5» чтобы уже кто-нибудь понял, что такой подход не может быть правильной стратегией?».
Очевидно, японцам требуется это сделать еще несколько раз.
Странным является то, что, пока продожается безуспешный стратегический процесс консолидации, в Японии практически не зафиксировано ни одного нового проекта в полупроводниковой промышленности.
И всё это происходит на фоне того, что Panasonic и Sony сообщили о гигантских финансовых убытках, самых крупных за последние 10 лет.
Источник: Electronics Weekly
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/12.05.2012

 


Производство/Фаундри


Доходы TSMC в апреле выросли


Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) заявила о том, что ее консолидированные доходы в апреле 2012 г. выросли на 9,2% за месяц и на 9,1% относительно прошлогоднего показателя, составив 1,4 млрд долл.
TSMC ожидает, что общий объем продаж во II кв. текущего года увеличится на 19–21% относительно предыдущего квартала и достигнет 126–128 млрд тайваньских долл.
За первые четыре месяца 2012 г. консолидированный доход TSMC составил 146 млрд тайваньских долл., что на 2,5% выше прошлогоднего показателя.
Ожидается, что объем продаж TSMC в 2012 г. превысит 500 млрд тайваньских долл. благодаря высокому спросу на кристаллы для мобильных устройств. Обозреватели отмечают, что производственные мощности, работающие по 28-нм техпроцессу, загружены полностью до IV кв. текущего года.
Ранее TSMC сообщала об ускорении темпов освоения 28-нм производства. Компания решила увеличить капитальные расходы в 2012 г. до 8–8,5 млрд долл.
Несколькими днями ранее другой тайваньский чипмейкер, компания UMC, сообщила об 11%-ном росте своих доходов за последний месяц.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/12.05.2012

 

SMIC сократила объём убытков в первом квартале 2012 г.
SMIC, крупнейший китайский производитель кремниевых пластин, показывает стабильный ежеквартальный рост 9,5% вместе с ростом полупроводникового рынка Китая
Крупнейший китайский производитель кремниевых пластин, компания Semiconductor Manufacturing International (SMIC), отмечает улучшение своих финансовых результатов в I кв. 2012 г. Так, размер чистых убытков в I кв. сократился до 42,8 млн долл. по сравнению с 165,2 млн долл. в предыдущем квартале. При этом квартальные доходы по сравнению с предыдущим кварталом возросли на 14,9% и составили 332,7 млн долл., однако, эта сумма ниже на 10,2% по сравнению с I кв. 2011 г, когда был зафиксирован доход в сумме 370,6 млн долл.
Валовая маржа компании в I кв. 2012 г. увеличилась до 12% по сравнению с 7,4% в предыдущем квартале. Аналитики считают, что увеличение валовой маржи связано с более активным действиями компании по улучшению использования имеющихся производственных мощностей и снижению себестоимости продукции. По мнению менеджемента компании, объем продаж и размер валовой маржи за I кв. 2012 соответствуют верхней границе прогноза, сделанного ранее руководством компании.
В компании ожидают, что во II кв. 2012 г. рост доходов составит от 19% до 21%, а увеличение валовой маржи будет в диапазоне от 19% до 22% по сравнению с I кв. 2012 г.
Цзы-Инь Чу (Tzu-Yin Chiu), исполнительный директор компании SMIC, отметил, что в компании ожидают рост продаж во второй половине 2012 года благодаря реализации первых партий коммутационных изделий? изготовленных по новым контрактам, мобильных телефонов и ТВ-приставок, а также увеличению спроса от некоторых из своих существующих клиентов.
В своём заявлении, Цзы-Инь Чу сказал: «Доходы компании от деятельности в Китае продолжают расти вместе с ростом китайского рынка полупроводников. В I кв. 2012 г. наши китайские доходы росли каждый квартал на 9,5% и доходы от поставок на рынок Северной Америки по-прежнему составляли более половины всех доходов компании, но их доля сократилась до 55,2% по сравнению 55,9% в предыдущем квартале. Доля доходов от поставок на китайский рынок составляла 32,5% от общей выручки компании в I кв. 2012 г.».
Напомним, что недавно крупнейшие тайваньские чипмейкеры TSMC и UMC также сообщили о большом росте своих доходов за последний период (см. ссылки ниже).
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/14.05.2012

 

Продажи


Samsung увеличивает отрыв от конкурентов на рынке мобильной памяти DRAM


Samsung Electronics упрочил свое положение среди производителей мобильной памяти DRAM, доведя свою долю до 70,9% в общемировом объёме в I кв. 2012 г.
Компании Samsung Electronics удалось увеличить свою уже доминирующую долю на рынке мобильной памяти DRAM. В недавнем докладе исследовательская компания DRAMeXchange показала, что в I кв. 2012 г. доля лидера составляет 70,9% от общего объёма мирового рынка мобильной памяти DRAM — по сравнению с 53,5% в предыдущем квартале.
Как отмечается в докладе DRAMeXchange, одним из основных факторов, повлиявшим на увеличения доли Samsung, стала  популярность смартфонов серии Galaxy, для производства которых Samsung в I кв. 2012 г. изготавила около 30% от общего объема мобильной памяти DRAM, которые были произведены Samsung.
Как отмечается в докладе DRAMeXchange, разнообразие продуктов Samsung и развитие технологий помогли компании снизить издержки производства, а также укрепить свое лидерство на рынке мобильной DRAM.
Второе место в рейтинге заняла компания SK Hynix, однако по данным DRAMeXchange её доля сократилась с 20,7% в IV кв. 2011 г/ до 15% в I кв. 2012 г. Третью строчку в рейтинге заняла компания Elpida Memory, причём её доля сократилась с 16,9% в IV кв. 2011 года до 8,8% в I кв. 2012 г. И наконец, 4-е место заняла компания Micron Technology, доля которой также сократилась до 4% с 7,3% в предыдущем квартале. Завершает первую пятерку производителей Winbond Electronics, на долю которой в I кв. 2012 г. пришлось 1,3% объёма мирового рынка мобильной памяти DRAM.

DRAMeXchange: Топ-5 производителей мобильной DRAM, 1Q12 (в млн долл. США)

№ п/п

Компания

Доход в1Q12

Доход в 4Q11

Рост за год

Доля в1Q12 

Доля в 4Q11

1

Samsung

1,558

857

81,8%

70,9%

53,5%

2

Hynix

330

331

(0,4%)

15,0%

20,7%

3

Elpida

194

271

(28,3%)

8,8%

16,9%

4

Micron

87

117

(25,0%)

4,0%

7,3%

5

Winbond

29

26

11,0%

1,3%

1,7%

Всего

2,199

1,603

37,2%

100,0%

100,0%

По материалам DRAMeXchange
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.05.2012


Новости компаний


Intel собирается создать сверхэффективные чипы, которые «Apple не сможет игнорировать»


Intel во время прошедшей ежегодной встречи с инвесторами рассказала о своих планах по завоеванию рынка смартфонов: корпорация желает сокрушить конкурентов при помощи своих передовых заводов стоимостью многие миллиарды, а также тысяч инженеров, которые занимаются проблемой оптимизации мобильного ПО для работы с чипами Intel.
Цель — привлечение внимания ключевых игроков вроде Apple на рынке смартфонов, планшетов и персональных компьютеров. Apple и сегодня использует исключительно процессоры Intel в своих ноутбуках и настольных ПК, а ARM-чипы собственной разработки — на быстро набирающем популярность рынке планшетов и смартфонов. Многие полагают, что компания хочет в будущем перейти на ARM-процессоры в своих Mac-компьютерах.
«Наша задача — сделать свои чипы настолько привлекательными в области работы компьютеров Mac или улучшения планшетов iPad, что они больше не смогут нас игнорировать», — сказал исполнительный директор Intel Пол Отеллини (Paul Otellini).
Ранее в этом году Motorola Mobility и Lenovo среди прочих компаний сообщили о планах по выводу смартфонов, работающих под управлением чипов Intel Medfield. По словам главы Intel, в будущем готовятся новые анонсы. «Год назад не было ни одного человека, за исключением сотрудников Intel, кто бы верил в то, что у нас есть шансы в этом бизнесе, — сказал он. — А теперь у нас уже спрашивают о том, на какую долю рынка мы рассчитываем».
Для успеха компания собирается использовать своё основное преимущество — передовые производственные нормы, дающие возможность создавать более мелкие и более энергоэффективные чипы. При этом Intel будет продолжать продвигать на мобильном рынке свою архитектуру x86, используемую в области ПК и серверов.
В то время как конкуренты только начинают осваивать 32-нм или 28-нм нормы, Intel уже готовит запуск своего 22-нм чипа Intel XMM 7260 для смартфонов, выход которого ожидается в следующем году. В 2014 году компания обещает уже 14-нм системы на чипах — к тому времени конкуренты только начнут осваивать 22-нм или 20-нм техпроцесс.
Соперники, между тем, рассчитывают на дешёвые чипы, печатаемые на мощностях контрактных производителей и позволяющие не допустить Intel на мобильный рынок. Исполнительный директор NVIDIA даже советовал Intel производить чипы Tegra и GeForce на своих заводах.
Ещё одно оружие Intel — масса программистов. Компания является второй в мире по вкладу в развитие открытой операционной системы Linux. Она использует это важное преимущество для оптимизации мобильного ПО для своих чипов: 1200 инженеров помогают Google в развитии Android. В своё время компания также помогала Apple совершить переход с архитектуры Power PC на процессоры Intel в Mac. Вряд ли стоит сомневаться, что Intel откажется снова помочь купертинской компании в подобном переходе на рынке смартфонов и планшетов, если Apple того пожелает.
www.3dnews.ru/news/14.05.2012


Intel уже начала работу над освоением 7-нм и 5-нм норм


Исполнительный директор корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) заявил недавно, что компания уже начала работу над освоением 7-нм и даже 5-нм норм полупроводникового техпроцесса. Компания в настоящее время приступила к реализации своих первых 22-нм процессоров и планирует переоснастить свои заводы в штатах Орегон (D1X), Аризона (Fab 42) и в Ирландии (Fab 24) для производства 14-нм чипов.

«Наши исследования и разработки весьма долговременны — я говорю о перспективе на 10 лет», — отметил господин Отеллини. Он также добавил, что продукты Intel, использующие 7-нм и 5-нм нормы, выйдут на рынок в запланированный срок, согласно планам крупнейшего в мире производителя чипов. 14-нм чипы начнут производиться ближе к концу 2013 года, а 10-нм и более тонкие — после 2015 года.

«Изобретения продолжаются… Мы продолжаем приносить пользу нашим инвесторам и партнёрам при помощи последних наработок в области полупроводниковых технологий» — добавил господин Отеллини во время выступления на встрече с инвесторами.
www.3dnews.ru/news/15.05.2012


Apple разместил огромные заказы на мобильную память DRAM на заводе Elpida


Micron Technology планирует вклиниться в цепочку поставщиков комплектующих для Apple
По данным отраслевых источников, компания Apple недавно разместила огромные заказы на мобильную память DRAM на заводе Elpida Memory в Хиросиме, который выпускает 300-мм пластины. Объём заказа Apple составляет около 50% от общего числа ИС, выпускаемых данным заводом.
По сообщениям источников, Apple планирует использовать мобильную память от Elpida в новых сериях планшетов iPad и смартфонов iPhone, несмотря на то, что завод в начале этого года подал заявление о банкротстве и ведет переговоры о продаже своего бизнеса.
В качестве потенциального покупателя завода Elpida указывают американскую компанию Micron Technology. Как сообщают источники, в случае покупки Elpida, американская фирма сможет вклиниться в цепочку поставок комплектующих компонентов для iPad и iPhone.
Кроме того, высокий спрос на продукцию Apple, как ожидается, значительно упрочит положение Micron на мировом рынке мобильной памяти DRAM. Приобретение Elpida позволит Micron подвинуть SK Hynix со второго места в рейтинге поставщиков мобильной памяти DRAM, которое, по данным исследовательской компании DRAMeXchange, SK Hynix занимает по итогам четвертого квартала 2011 г.
По данным DRAMeXchange, компания Samsung Electronics занимает лидирующее положение среди мировых поставщиков мобильной памяти DRAM. В четвертом квартале 2011 г. доля Samsung Electronics составляла 53,8%, на втором месте находилась SK Hynix с долей 20,8%.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.05.2012


NXP сегодня: практически китайская компания


Основная деятельность компании осуществляется в Китае, но вся прибыль и налоги оседают в Нидерландах — руководству NXP нравится такая модель бизнеса.
Компания NXP весьма успешно развивается в течение последних лет — во многом благодаря тому, что основная деятельность компании происходит в континентальном Китае, а треть сотрудников компании составляют этнические китайцы. При этом вся прибыль и налоги компании оседают в Нидерландах: руководству NXP просто нравится такая модель бизнеса.
Только те, кто знает, что компания NXP Semiconductors изначально являлась подразделением гигантской голландской компании Royal Philips, могут оценить, как преобразилась к сегодняшнему дню NXP. Нынче NXP превратилась в компанию со своим собственным лицом и дисциплиной.
Под руководством Рика Клеммера (Rick Clemmer), генерального директора NXP, компания радикально сократила портфель продуктов. По словам Клеммера, управленческая команда отобрала самые востребованные на рынке линии продуктов, которые уже имеют либо господствующее положение на рынке, либо существует очевидная возможность, что конкретная линия продуктов займёт лидирующее положение.
Кроме того, существует еще один очень важный признак трансформации компании. Как утверждает Клеммер, «сегодня компания NXP является практически китайской компанией».
Почему NXP сейчас — это китайская компания?
По словам Клеммера, NXP зарабатывает денег в Китае больше, чем в любой другой стране. Кроме того, в Китае сейчас работает 8000 сотрудников голландской компании. «Единственная причина, по которой мы до сих пор являемся голландской компанией, — это то, что мы любим наши налоговые льготы в Нидерландах», – сказал Клеммер.
В самом деле, если называть NXP европейской компанией, то это будет вводить любого в заблуждение, так как доход NXP от деятельности Китае в два раза превышает доход в Европе, а каждый третий сотрудник NXP находится в Китае. По шутливому замечанию одного из обозревателей, который комментировал интервью Клеммера, «для того, чтобы NXP стало истинно китайской компанией, необходимо сделать ещё пару шагов — генеральным директором NXP должен стать этнический китаец, а налоги NXP должно платить в соответствии с китайским законодательством».


Квартальный доход (в млн долл.) компании NXP по сегментам: HPMS – сегмент высокопроизводительных аналоговых и аналого-цифровых ИС; STDP – сегмент стандартных продуктов; MFG & OTHER – сервисные услуги производителя и другие корпоративные доходы

Конечно, никто не должен удивляться тому, что NXP активно присутствует на растущем рынке Китая, т.к. именно в Китае разрабатывается, производится и закупается большее число компонентов. Компания завершила последний квартал с выручкой в 978 млн долл. США, т.е. с ростом в 5% по сравнению с предыдущим кварталом. Клеммер подчеркнул: «Мы закончили квартал у верхней точки нашего первоначального прогноза».
На вопрос о том, какая часть из этого роста была вызвана циклическим подъемом рынка, Клеммер ответил осторожно. По его словам, хотя эксперты и говорят, что NXP находится «в ранней стадии положительного циклического движения», большая часть роста, на самом деле, обусловлена конкретными достижениями компании. «Хорошей новостью является то, что сотрудники NXP начинают видеть, что в результате преобразований в компании мы достигаем намеченные цели», — заключил генеральный директор NXP.
Клеммер отдельно коснулся такого направления в бизнесе NXP, как идентификация. Данное направление обслуживает целый ряд рынков, включая электронные паспорта, транзитные билеты, ярлыки и этикетки, а также обеспечивает связь между банковскими картами и электронными кошельками. В частности, Клеммер отметил, что сегменте электронныых кошельков – там, где NFC-технология вместе с компонентами защиты были встроены в смартфоны – объём продаж в первом квартале подскочил на 30%, а в остальных сегментах идентификационного бизнеса компании объём продаж вырос на 20%.
Доля рынка, как у Intel
На самом деле, NXP является лидером в технологии NFC в таких приложениях, как смартфоны и планшеты, и опережает конкурентов Qualcomm, Broadcom и Intel. Клиентами NXP в приложениях, где смартфоны и планшеты используют NFC-технологию, являются Apple, Nokia и Samsung.

Квартальный доход (в млн долл.) компании NXP по видам бизнеса: AUTO – ИС для автомобильных приложений; IDEN – ИС для идентификационных приложений; WILI – ИС для беспроводных, индустриальных и LED-приложений; MCC – ИС для мобильных, потребительских и ПК-продуктов; STDP – сегмент стандартных продуктов.

Отмечая, что NFC-технология NXP (сама беспроводная технология и сопровождающие её компоненты безопасности) будет использоваться в 130 моделях смартфонов, Клеммер заявил: «Компания NXP, как и Intel, присутствует на «горячем» рынке электронных кошельков. Треть из разработанных нами продуктов уже поставляется сегодня».
Поскольку все больше потребителей пользуются смартфонами, всё чаще транзакция в точках продажи выполняется простым предъявлением смартфона с поддержкой электронного кошелька (без физической кредитной карты или наличных). Хотя есть мнение, что еще придется ждать, пока ИС для реализации NFC-функций появятся внутри смартфонов, Клеммер утверждает, что ряд поставляемых смартфонов уже содержит NFC-функции — часто без ведома пользователя. Сейчас рынок ждёт соответствующего развития инфраструктуры, т.е. момента, когда функция NFC может быть включена для оплаты товара.
По данным недавнего маркетингового исследования, проведённого шведской компанией Berg Insight, обслуживающей телекоммуникационную индустрию, мировые продажи мобильных телефонов, поддерживающих функцию NFC, увеличились в 2011 г. в десять раз и составили 30 млн шт. По данным компании, совокупный темп годового роста (CAGR) составил 87,8% и по прогнозу компании объём продаж достигнет 700 млн шт. в 2016 г.
Редкоземельные проблемы
В отличие от идентификационного бизнеса NXP, где в течение последних двух кварталов динамика была относительно небольшой, светодиодное направление NXP стало ключевым среди приложений, включённых в объявленную год назад программу «Интернет-вещи».
Присваивая каждой установленной в доме лампочке уникальный IP-адрес, NXP оказывает содействие внедрению энергосберегающих технологий, когда пользователь сможет включать и выключать лампочку индивидуально, включать затемнение или создавать световую гамму с помощью своего смартфона, планшета, ПК или телевизора. Однако, по мнению Клеммера, рост прогнозируемых доходов в данном бизнесе ограничивается нехваткой редкоземельных металлов.
Решение Китая о приостановке деятельности или национализации десятков производителей редкоземельных металлов вызвало рост стоимости компактных люминесцентных ламп (CFL), что вынуждает производителей CFL отложить планы по производству ИС-драйверов для своих лампочек. Такие драйверы позволят обеспечить для каждой лампочки функции затемнения, окраски или сетевого управления. Поскольку цены на CFL взлетели, CFL-производители просто не могут позволить себе добавить внутрь каждой лампочки эти ИС-драйверы.
«Зелёные» лампочки NXP, согласно сценарию компании, будут работать в домашней беспроводной сенсорной сети, разработанной с учётом использования умных электросчётчиков и систем безопасности. Программное обеспечение для JenNet-IP-сети позволит связать все устройства в единую систему, обеспечит ультрамаломощное сетевое управление в рамках умной и экологичной системы освещения.
Пятилетний китайский план по сокращению энергопотребления
Однако, как заметил Клеммер, компания NXP не теряет оптимизма. Две недели назад, во время визита чиновников из китайского министерства науки и технологий в Европу, в Эйндховене (Нидерланды) состоялась их встреча с руководством Philips Lighting и NXP.
В ходе встречи чиновники подтвердили, что расходы на домашнее освещение находится на третьем месте среди всех счетов за электроэнергию. Было отдельно отмечено, что Китай «абсолютно серьезно относится к национальной задаче сокращения потребления электроэнергии» и это является одной из ключевых задач текущего пятилетнего плана Китая до 2015 г.
Несмотря на текущие неудачи с продвижением сетевой CFL-функциональности, Клеммер уверен что Китай рассматривает внедрение систем интеллектуального освещения как путь к сокращению потребления электроэнергии. В соответствии с решением генерального директора NXP, компания недавно приступила к отбору партнёров для создания уникальных приложений для использования ПО JenNet-IP, в том числе, в Китае.
Автомобильные приложения от NXP
К третьему направлению NXP, после идентификации и освещения, относятся автомобильные приложения. Уже доминирующие на рынке компании, производящие системы управления автомобилем без использования ключа, планируют расширить своё влияние путём создания NFC-многофункционального ключа от машины. По словам Клеммера, с созданием интеллектуальных систем управления автомобилем количество полупроводниковых компонентов в смарт-ключе возрастёт в три-четыре раза.
В отличие от других, относительно новых полупроводниковых компаний, успехи NXP, в частности, лидирующие позиции в таких областях, как NFC-технологии с поддержкой смартфонов, беспроводное управление освещением и системы интеллектуального управления автомобилем, тесно связаны с инвестициями, сделанными материнской компанией Philips Semiconductors в течение последних нескольких десятилетий в исследовательскую и конструкторскую деятельность.
При всём уважении к успехам нынешней команды NXP, один вопрос витает в воздухе: что будет, когда исчерпаются преимущества технологий прежних версий, т.е. всего того, что было сделано компанией прежде чем она стала называться NXP?
Похоже, что Клеммера этот вопрос мало беспокоит. Он сказал: «Мы продолжаем инвестировать в развитие перспективных технологий каждого из наших лидирующих продуктов, например, в существенное снижение потребляемой мощности и уменьшение размеров кристалла для ИС NFC. В прежние годы NXP не имела возможности инвестировать в развитие всевозможных беспроводных технологий, и сейчас компания подходит к решению об инвестировании фокусных направлений очень избирательно».
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.05.2012


Аналитика/Прогнозы


3-D ИС, 14-нм процесс и дуализм 20-нм технологии: мнения ведущих экспертов


На саммите Global Semiconductor Alliance выяснилось, что производители ИС сомневаются насчет дальнейших путей совершенствования технологий микроэлектронного производства.
В ходе состоявшегося недавно саммита Global Semiconductor Alliance (GSA) представители производителей ИС высказали свои суждения и сомнения по поводу дальнейших путей совершенствования технологий производства ИС. Руководители ряда компаний высказали соображение, что 3-D ИС будут хитами продаж уже к 2014 году, несмотря на имеющиеся неразрешённые проблемы. И хотя масштабирование КМОП-технологии замедляется, тем не менее, существует возможность совершенствования, как минимум, вплоть до технологических норм 7нм.
Быть ли двум вариантам 20-нм техпроцесса?
По словам эксперта компании IBM, кристаллы, произведённые по технологии 20 нм, смогут поддерживать разные оптимизированные версии технологии — для низкопотребляющих и для высокопроизводительных микросхем. Компания GlobalFoundries, являющаяся одним из крупнейших производителей полупроводниковых пластин, в августе примет решение, будет ли она предлагать рынку указанные версии.
В своей вступительной речи Субраманиан Айер (Subramanian Iyer), главный технолог в отделе микроэлектроники IBM, сказал: «В последнее время официальные лица TSMC заявляли, что при использовании 20-нм технологии нет существенной разницы в оптимизации технологических процессов, но я этому не верю. Я считаю, что для одной и той же технологической нормы возможны вариации технологии».
Поднятая GlobalFoundries тема относительно необходимости создания низкопотребляющей и высокопроизводительной вариаций в рамках 20-нм технологии, действительно, уже стоит на повестке дня.
В своём кратком интервью журналу EE Times Субрамини Кенгери (Subramani Kengeri), руководитель подразделения передовой технологической архитектуры компании GlobalFoundries, сказал: «Мы всё еще ведем переговоры с ведущими клиентам, чтобы принять решение, нужно ли нам работать в этом направлении и есть ли заметный  интерес к вариациям технологии для экономичных и производительных схем. Возможные вариации при 20-нм технологии лежат в относительно узком диапазоне и работа в этом направлении может быть неоправданна по экономическим критериям».
Айера соглашается, что решение TSMC предложить единственный вариант 20-нм технологии может иметь больше экономические, нежели технические причины.
Однако по мнению Кенгери последующий 14-нм технологический процесс с использованием FinFET (т. н. 3D-транзисторов) откроет гораздо больше возможностей для версии техпроцесса для высокопроизводительных систем при напряжении питания 0,9 В и для, одновременно, для техпроцесса для маолмощных устройств пр напряжении 0,6 В. Кроме того, переход к 14-нм техпроцессу может предложить удвоение преимуществ по сравнению с предыдущей технологией.
Айер, между тем, полагает, что каждое изменение базового процесса требует дополнительного уникального комплекса мер, и нужно постоянно помнить, что малейшее изменение, которое мы вносим в базовый процесс, подобно лекарству, от которого мы не можем отказаться без серьёзных последствий.
3-D ИС поступят на рынок в 2014 г.
По словам руководителей ряда компаний, в 2014 г. начнётся производство нескольких типов трёхмерных ИС с использованием технологии TSV (с вертикальным электрическим соединением).
По словам Марка Брилхарта (Mark Brillhart), эксперта по корпусированию и вице-президента по технологиям и качеству компании Cisco, это изменит правила игры. Он полагает, что появление на рынке 3-D ИС будет существенным новшеством, которое будет использоваться во множестве приложений.
«Я никогда не думал, что вопросы корпусирования снова будут актуальными, как было в 1996 году с технологией flip chip (дословно — «перевернутый кристалл» — метод монтажа кристалла непосредственно на плату, — прим. переводчика)», – заявил Марк Брилхарт.
По мнению Ника Ю (Nick Yu), вице-президента по инжинирингу компании Qualcomm, «компания очень довольна плотностью монтажа 2,5-D для ПЛИС Xilinx. Наша работа напоминает лабораторные исследования с прототипом будущего продукта». Ник Ю считает, что процессоры для таких мобильных приложений, как смартфоны, будут хитом продаж в этом или следующем году благодаря использованию TSV-каналов для соединения с различными типами памяти.
«3-D технологии являются очень мощным инструментом, и мы вскоре увидим применение этих технологий в различных приложениях, – заявил Субраманиан Айер из IBM. — Мы уже изготовили работающие прототипы серверных процессоров с TSV-каналами для связи с чипами DRAM. Сейчас в процессорах используется 8-12 ядер с тенденцией масштабирования до 24 ядер. 3-D технология позволит соединить модули ИС с DRAM и теплоотводами. IBM также заинтересована в «промежуточных системах», например, в виде 2,5-D модулей, которые окружают процессор с ИС памяти на кремниевой подложке с развязывающими конденсаторами для улучшения теплоотвода. Много хороших новостей сулит использование 3-D технологии, и если эту технологию распространить и на мобильные приложения, то мы и там получим аналогичные преимущества».
Но при создании 3-D ИС также возникает большое количество сложных проблем. ИС выделяют тепло, и инженеры до сих пор не знают, как это тепло рассеивать. Объемные ИС требуют новых стратегий тестирования и инструментальных средств. Новые изделия требуют от разработчиков ИС формирования новых видов цепочек поставок, которые должны взаимодействовать между собой на очень подробном техническом уровне и на бизнес-уровне.
По словам Ника Ю из Qualcomm, сейчас большой проблемой для 3-D ИС является их стоимость. Ю не уверен, что TSMC, не так давно предложившая полный 3-D сервис, обеспечит минимальную стоимость на свои услуги, как обещала ранее. Рынку для различных 3D-продуктов будут необходимы различные цепочки поставок.
«Затраты на оборудование являются важным фактором в определении стоимости единицы продукции», — сказал Рич Райс (Rich Rice), старший вице-президент по инженерным вопросам и продажам компании ASE Group, специализирующейся на решении «пограничных» проблем кремниевых пластин, уменьшении толщины пластин и других проблем — так называемых средних шагов 3-D процесса. «Даже для более традиционных технологий у нас возникают проблемы, когда мы начинаем пытаться расширить существующие возможности», — заметил Райс.
Один из участников дискуссии отметил, что необходимость в новом оборудовании для 3-D-систем наступит как раз тогда, когда производители основного оборудования начнут свои попытки подготовиться к производству 450-мм пластин для 20-нм и 14-нм технологий.
Марк Брилхарт из Cisco сказал, что он обеспокоен тем, что некоторые конкурирующие компании не могут договориться, вместо того чтобы собраться вместе и найти выгодные пути сотрудничества для 3-D ИС. «Я видел слишком много примеров таких программ, в которых одному из партнеров в цепочке поставок сотрудничество становилось невыгодным и все усилия становились напрасным трудом», — сказал он.
Закон Мура действует всё медленнее
«Хорошей новостью является то, что эксперты не видят никаких фундаментальных препятствий на пути масштабирования технологического процесса, по крайней мере, до уровня 7 нм, — подчеркнул Субраманиан Айер из IBM. — Плохая же новость заключается в том, что по мере того как уменьшается технологический шаг, одновременно уменьшаются и преимущества масштабирования».
Причиной этого является отсутствие новых методов литографии. Сегодня оборудованию иммерсионной литографии с длиной волны УФ-света в 193 нм поручают изготовить 22-нм и даже 14-нм изделия. «Решение подобных задач не находится бесплатно, расходы становятся весьма существенными. – сказал Айер — Поиск и нахождение комплексных решений являются причиной наших забот».
По словам Субрамини Кенгери из GlobalFoundries, «необходимо осознать, что стоимость литографических работ для 20-нм продуктов вырастет значительно, а для 14-нм изделий она станет заоблачной. Дополнительные сложности, особенности технологического процесса и расходы на разработку — это только некоторые из причин удлинения традиционной двухлетней каденции между технологическими этапами. Всё происходит медленнее, подготовка промышленных помещений при переходе от 32- к 28-нм технологии заняла на три четверти больше времени, чем обычно. На четверть больше времени ушло на технологические вопросы и т.д.».
«По данным отчета Merrill Lynch, стоимость одного проекта «система на кристалле» (SoC) может увеличиться на 250 млн долл. США для 14-нм изделия, — заявил Роуэн Чен (Roawen Chen), вице-президент по производству компании Marvell Semiconductor. — Только расходы на изготовление масок составят около 7 млн долл. США, а время от финальной стадии разработки до первого промышленного кристалла может увеличиться до шести месяцев. Начальный этап создания нового изделия становится очень дорогим».
Хорошей новостью стало выступление одного исследователя из IBM, который показал пути создания устройств из 25 атомов, что открывает дверь в 7-нм процесс. «Пока мы не дошли до 7-нм изделий, поэтому у нас нет никаких очевидных фундаментальных вопросов», – сказал в заключение Субраманиан Айер.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/15.05.2012


Рынок аналоговых ИС вырастет на 3% в 2012 г.


Согласно прогнозу Databeans, суммарный объем продаж аналоговых микросхем вырастет до 43,8 млрд долл. в 2012 г., что на 3% больше прошлогоднего показателя.
Объем рынка специализированной аналоговой продукции увеличится в текущем году до 26 млрд долл., тогда как в 2011 г. этот показатель составил 25,2 млрд долл. Сложный годовой темп роста (CAGR) в течение ближайших пяти лет рынка аналоговых изделий для специализированных приложений составит 8%.
По данным Databeans, рынок аналоговых ИС общего назначения вырастет незначительно – его объем составит 17,5 млрд долл. (17,1 млрд долл. в 2011 г.). В ближайшие пять лет темпы роста рынка аналоговых микросхем общего назначения будут выше темпов рынка специализированных аналоговых ИС.


Прогноз развития мирового рынка на период 2012–2017 гг. (доход, млн долл.; кол-во шт.; средняя продажная цена). Источник: Databeans

Аналитики Databeans прогнозируют, что к 2016 г. совокупный объем рынка аналоговых полупроводников превысит отметку в 60 млрд долл.
По данным Databeans, этот рост в течение ближайших пяти лет будет, в первую очередь, наблюдаться в сегментах связи и потребительской электроники, где имеется существенный спрос на мобильные телефоны и портативные устройства, а также велика потребность производителей Азиатско-тихоокеанского региона. Доля этого региона на мировом рынке продолжает увеличиваться по мере дальнейшего перемещения производства из Америки.


Потребление сегментов мирового рынка аналоговых ИС. Источник: Databeans

Согласно данным Databeans, рынок аналоговых микросхем остается одним из самых разнообразных и прибыльных в полупроводниковой отрасли. Сегмент ASSP приносит самый большой доход. При этом наибольшими темпами роста характеризуются секторы высокопроизводительных силовых ИС и преобразователей данных.


Список первой пятерки поставщиков аналоговых ИС в 2010–2011 гг. Источник: Databeans

Новый отчет о рынке аналоговых полупроводников опубликован на сайте Databeans.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/15.05.2012


Наука и технологии


Графен в электронике: сегодня и завтра


Графен у всех на слуху, однако не все четко представляют себе, что это за материал и как он применяется в настоящее время.
В данном обзоре, не претендующем на всеохватность этой бурно развивающейся сейчас темы, представлена информация об этом материале и областях его применения.  
Общие сведения
Графен был экспериментально обнаружен в 2004 г. двумя английскими учеными российского происхождения — Андреем Геймом и Константином Новосёловым, за что они вскоре получили Нобелевскую премию по физике. Графен представляет собой слой атомов углерода, соединенных в гексагональную двумерную кристаллическую решетку. Это, по сути, пленка углерода толщиной в один атом, имеющая строго упорядоченную кристаллическую структуру. Графен можно считать развернутой в плоскость одностенной нанотрубкой или двумерным фуллереном, или же отдельно взятым атомарным слоем из множества таких слоев, составляющих монокристалл пиролитического графита.  


Структура графена
Слой графита толщиной в один атом обладает рядом ценных свойств: отличается высокой стабильностью, в т.ч. и при комнатной температуре, а также высокой тепло- и электропроводностью. Подвижность электронов в графене в 10—20 раз выше, чем в арсениде галлия. Из этого материала можно создавать чипы, пригодные для работы на терагерцовых частотах. Хотя монослои графита обладают такой же подвижностью носителей зарядов при комнатной температуре, как и нанотрубки, однако для него, в общем случае, применима обычная, отработанная годами планарная технология. К тому же, благодаря двумерной структуре управляющий ток может быть легко увеличен за счет изменения ширины проводящего канала.
Проводник или полупроводник?
На пути создания графеновой электроники остается еще много препятствий, в т.ч. невозможность выращивания больших графеновых пластин, высокая стоимость материала и трудности с управлением его проводимостью. В частности, еще недостаточно разработаны способы получения полупроводников из графена — до сих пор графен и его производные известны только в виде проводников и изоляторов.
Недавно был получен полупроводниковый материал на основе графена, в котором атомы кислорода заключены в гексагональную структуру графена. По замыслу исследователей, в ходе нагрева оксида графена в вакууме должен был выделиться кислород и получиться многослойный графен. Однако при повышении температуры атомы углерода и кислорода стали выстраиваться в упорядоченную структуру моноокиси графена, не существующего в естественном виде. Полученный материал обладает полупроводниковыми свойствами и имеет широкие перспективы применения в производстве электроники. Меняя температуру нагрева, исследователи получили четыре новых материала, которые были отнесены к категории GMO. В настоящее время определяется устойчивость моноокиси графена и возможность масштабировать этот материал для производства.

Исследователи демонстрируют атомную структуру моноокиси графена
Ранее было открыто другое интересное свойство графена, которое заключается в том, что определяющую роль в формировании свойств графена играет материал, на котором он выращивается. В частности, если подложку, на которой будет выращена структура, активировать кислородом, то полученный лист графена будет обладать свойствами полупроводника, если водородом – то свойствами металла. «Варьируя химический состав подложки, мы можем управлять природой графена, наделяя его свойствами полупроводника или металла», — сообщил Сарож Наяк (Saroj Nayak), профессор кафедры физики и астрономии Ренсселарского политехнического института.
Управление током в графене: нитрид бора может статью ключом к графеновой микроэлектронике
Графен — самый тонкий в мире материал. Почти единственным на сегодняшний день принципиальным препятствием для его применения является невозможность управления электронным потоком по графену. Например, до сих пор не удалось найти способ остановить ток в графене: на атомарном уровне работают законы квантовой механики, которые сильно отличаются от тех, что действуют на макроуровне. Электроны в слое графена проходят сквозь препятствия (т. н. туннельный эффект, применяемый также в некоторых радиоэлектронных приборах), а не отскакивают от них, как это происходит в макромире. Недавно было обнаружено, что при наложении слоя графена на слой нитрида бора возникает новая гексагональная структура, которая определяет путь прохождения электронов по образцу.


Один из способов создания графенового двоичного триггера. Квадратная графеновая ячейка разбивается на два треугольных участка. Электроны отражаются, когда напряжения имеют разную полярность, и проходят, когда напряжения одинаковы.

Этот факт может стать ключом к созданию нового типа электронных устройств, отличающихся малым размером и низким энергопотреблением. Из-за этой особенности контролировать распространение электронов по слою очень сложно. Недавние исследования показали, что при наложении пленки нитрида бора на слой графена удается задержать некоторые электроны. Это первый шаг на пути решения проблемы.
Нитрид бора имеет сходную с графеном структуру, однако является диэлектриком. Пленки из нитрида бора можно использовать также для улучшения электрических свойств графена. Они предотвращают флуктуации электронного заряда.


Формирование гексагональной структуры при наложении нитрида бора на графен
Если менять угол между кристаллическими решетками, количество электронов, которые не могут проходить сквозь решетку, увеличивается. Коэффициент задержания зависит от размера гексагонального рисунка, который возникает при угловом смещении одного из слоев (аналогичный эффект – возникновение муарового рисунка при наложении линейчатых структур). По сути, этот рисунок является картой электрического потенциала.


Размер рисунка в зависимости от угла наложения: а – слишком мелкий, б – правильный

В настоящее время идет процесс изучения различных графеновых структур с помощью сканирующего туннельного микроскопа, который позволяет получить изображение сверхрешетки и измерить ее размер. Если гексагональный рисунок слишком мелкий, образец отбраковывается. Примерно 10-20% образцов показывают желаемый эффект. Если данный процесс удастся автоматизировать, будет создана графеновая микроэлектроника.
Псевдомагнитные свойства графена
Группа физиков из Университета в Арканзасе ведет разработки в несколько ином ключе. Они предлагают управлять потоком электронов с помощью изменения механического напряжения в материале.
Было замечено, что если приложить к графеновой пленке механическое усилие, ее электрические свойства изменятся так, как будто материал поместили в магнитное поле. Чтобы использовать данное свойство, необходимо научиться контролировать механическое напряжение.
Исследователи из Университета в Арканзасе провели следующий эксперимент. Они натянули графеновые мембраны на тонкие квадратные рамки и просканировали поверхность графена туннельным микроскопом с помощью постоянного тока. В сканирующем туннельном микроскопе для создания карты рельефа поверхности используется электрический ток очень малой величины. Чтобы поддерживать ток на постоянном уровне в процессе сканирования рельефа поверхности, микроскоп данного типа меняет напряжение на кончике туннельного зонда, когда он передвигается вверх-вниз. Было замечено, что при этом форма мембраны также изменялась – мембрана изгибалась и стремилась приблизиться к щупу. Форма мембраны изменялась в зависимости от заряда между щупом и мембраной. Изменяя напряжение на щупе, можно управлять механическим напряжением мембраны.


В свободном состоянии графеновые мембраны имеют бугристую форму. Это является препятствием для их применения в электронных устройствах, поскольку на изломах проводимость мембраны резко падает.
Для более полного понимания этого свойства было проведено исследование теоретической системы, содержащей графеновые мембраны. Ученые сопоставили величину механического напряжения и рассчитали расположение щупа микроскопа относительно мембраны. Оказалось, что взаимодействие между мембраной и щупом зависит от расположения щупа. По этим данным можно рассчитать псевдо-магнитное поле для заданного напряжения и механического усилия.
Из-за того, что мембрана ограничена квадратной рамкой, напряженность поля меняется с положительной на отрицательную. Для создания неосциллирующего поля требуется изготовить треугольную ячейку. Возможно, именно она позволит найти способ управлять псевдомагнитными свойствами графена.
Примеры применения графена
В настоящее время в области применения графена ведутся разработки в следующих направлениях:
Высокочастотные транзисторы. Подвижность электронов в графене гораздо больше, чем в кремнии, поэтому цифровые элементы из графена обеспечивают более высокую частоту работы. Некоторые компании уже заявляли об успехах в этой области. Так, транзисторы IBM работают на частоте 26 ГГц и имеют размер около 240 нм. Поскольку между размерами транзистора и его производительностью существует обратная зависимость, увеличение рабочей частоты достигается с за счет уменьшения его размеров.


Строение графенового транзистора
Микросхемы памяти. Прототип нового типа запоминающего устройства состоит всего из 10 атомов графена. Во время лабораторных тестов группе профессора Джеймса Тура из американского Университета Райс удалось создать кремниевые модули, на которых были размещены 10 атомарных слоев графена. В итоге графеновый слой получил толщину около 5 нм. Исследователи говорят, что в новых экспериментальных модулях базовые ячейки хранения информации примерно в 40 раз меньше ячеек, используемых в самых современных 20-нм модулях NAND-памяти. Данная технология потенциально способна во много раз увеличить емкость модулей памяти. Кроме того, данные запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до 200°C, сохраняя всю информацию.


Ячейка флэш-памяти на основе графена
Еще одно преимущество разработки заключается в беспрецедентной экономичности расхода энергии. Для хранения данных модули памяти используют два исходных состояния — нейтральное (выключенное) и заряженное (включенное). Для того, чтобы закодировать 1 бит информации в графеновых модулях требуется в миллион раз меньше энергии, чем для кодирования того же бита в кремниевых чипах.
Электроды для суперконденсаторов. Проводимость графеновых электродов превышает 1700 См/м, тогда как у электродов на активированном угле она составляет лишь 10–100 См/м. Благодаря высокой механической прочности LSG-электроды могут использоваться в суперконденсаторах без связующих элементов или токоприемников, что упрощает конструкцию и снижает себестоимость изготовления суперконденсаторов.


Графеновый суперконденсатор (ионистор)
Исследователи из Калифорнийского университета Лос-Анджелеса и Калифорнийского института наносистем (California NanoSystems Institute) продемонстрировали высокопроизводительные электрохимические конденсаторы на основе графена, которые сохраняют превосходные электрохимические параметры при больших механических нагрузках. Статья на эту тему в марте была опубликована в журнале Science.
Устройства, изготовленные с использованием гравированных лазером графеновых электродов, характеризуются очень высокой плотностью энергии в разных электролитах, высокой плотностью мощности и поцикловой стабильностью. Более того, эти суперконденсаторы сохраняют отличные электрохимические свойства при больших механических нагрузках, благодаря чему их можно будет применять в мощных и гибких электронных устройствах.
Недорогие дисплеи для портативных устройств. Графен можно использовать вместо ITO (оксида индия-олова) в электродах для OLED-дисплеев. Во-первых, это позволяет снизить стоимость дисплея, а во-вторых, упрощает его утилизацию за счет прекращения использования металлических элементов.


Дисплей, изготовленный с применением графена
Кроме того, было установлено, что графен пропускает до 98% света. Это значительно выше показателя пропускания лучших материалов из ITO (82-85%). Графен обладает высокой электропроводностью, что позволяет использовать его для создания прозрачных электродов, управляющих поляризацией и состоянием жидких кристаллов.
Другая группа исследователей недавно установила, что несколько слоёв графена, нагретые при температуре 300-400°C в присутствии порошкового хлорида железа (FeCl3) приводит к интеркаляции слоёв графена и хлорида железа. Электроны из хлорида железа увеличивают число носителей заряда в слоях графена, а результате чего поверхностное сопротивление слоя падает до 8,8 Ом на квадрат при видимой прозрачности материала 84%. Новый материал имеет хорошую долговременную и температурную стабильность и во много раз лучше по характеристикам, чем сравнимые слои ITO: при том же поверхностном сопротивлении последний имеет прозрачность лишь 75%, а при той же прозрачности — сопротивление в 40 Ом на квадрат.


Гибкое прозрачное устройство отображения (дисплей с печатной платой) станет возможным изготовить на основе графена.
Аккумуляторы для автомобилей на водородном топливе. С помощью графеновых пленок можно увеличить энергию связи атомов углерода. Это позволит увеличить емкость, либо уменьшить вес аккумуляторов.
Датчики для диагностики заболеваний. В основе работы этих датчиков лежит тот факт, что молекулы, чувствительные к некоторым болезням, присоединяются к атомам углерода в графеновом слое. В датчике используется графен, молекулы ДНК и флуоресцентные молекулы. Флуоресцентные молекулы соединяются с одиночной ДНК, которая в свою очередь связывается с графеном. Когда другая одиночная молекула ДНК связывается с ДНК, присоединенной к слою графена, и формируется двойная ДНК, которая свободно передвигается по графену, увеличивая уровень излучения.


Принцип распознавания поврежденных ДНК
Охлаждение электронных схем. Недавно созданный композитный материал на основе графена и меди нашел применение в качестве наиболее эффективного и недорогостоящего средства охлаждения электронных устройств. Теплопроводность композита составляет 460 Вт/(м·K), тогда как у меди она равна 380 Вт/(м·K).
Композит осаждается на охлаждаемую поверхность электрохимическим способом в виде пленки толщиной 200 мкм. Уже разработана схема переоснащения оборудования для изготовления медно-графенового теплоотвода.
Элементы с малым удельным весом и высокой прочностью. Добавление в эпоксидный композит графена обеспечивает более высокую удельную прочность элементов, поскольку графен прочно связывается с молекулами полимеров.
Вместо заключения
Нет сомнений, что когда эти и другие разработки будут доведены до конца, наше представление об электронике коренным образом изменится. Как? Например, так, как показано в следующем видеоролике:
Его создатели, правда, не учли, что к тому времени и одежда будет сделана с применением углеволокна и графена и будет выглядеть совсем по-другому. :)
Материал подготовили Екатерина Самкова и Алекс Карабуто
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/16.05.2012


Прочее в России


Plastic Logic и «Роснано» объявили о революционном прорыве в электронике.


Plastic Logic представила публике гибкий цветной дисплей и гибкий дисплей для показа анимированных изображений. Устройства выполнены без использования кремниевых полупроводников, и, по словам разработчиков, не имеют аналогов в мире.
По заверению вице-президента компании Питера Фишера (Peter Fischer) и представителей совладельца компании из «Роснано», и та, и другая технологии, являются уникальными. По их словам, гибкий пластиковый цветной дисплей и анимация на гибком дисплее представлены на рынке впервые.
Принципиальным отличием разработок Plastic Logic от известных аналогов в компании называют отказ от кремниевых полупроводников и использование исключительно полимерной элементной базы.
Так, цветной дисплей Plastic Logic, созданный на основе технологии «электронной бумаги» имеет диагональ 10,7 дюймов и содержит 1,2 млн пластиковых транзисторов. Он способен отображать 4096 цветов с разрешением 75 пикселей на дюйм.
Сущестующий цветной дисплей способен отображать лишь статичные изображения, однако компания уже располагает прототипами монохромных видеодисплеев с частотой обновления 12,5 кадров в секунду.
По словам старшего менеджера Plastic Logic Дэвида Гэмми (David Gammie), частота обновления дисплея сейчас ограничивается возможностями отображающего слоя «электронных чернил», а не пластиковой подложки, которая и является основным ноу-хау разработчика.
Сроки массового производства гибких дисплеев будет зависеть от договоренностей с контрактными сборщиками. При наличии достаточного числа заказов, развернуть серийное производство устройств можно будет в течение года.

Еще одна цветная картинка на пластиковом дисплее. Изображение по-прежнему четкое, цветопередача по-прежнему не очень

У Plastic Logic существуют собственные производственные мощности в Дрездене, способные производить около 1000 гибких дисплеев в неделю. Насколько это производство загружено, и кто потребитель этой продукции, в компании не сообщают.
По словам как представителей «Роснано» московская презентация цветного и анимационного дисплеев стала мировой премьерой новых технологий Plastic Logic. В Кембридже, где находится исследовательский центр компании, и в Дрездене, где работает опытное производство Plastic Logic, презентации пройдут только через 2 и 3 недели.
Известно, что прототипы гибких цветных дисплеев на основе «электронных чернил» существуют как минимум у компаний LG и Samsung. Представители Plastic Logic отказались официально прокомментировать технологическую разницу в разработках своей компании и конкурентов на рынке.
Между тем, представитель «Роснано» рассказал CNews, что продукция конкурентов имеет гибридную природу. По его словам, в гибких дисплеях конкурентов использованы традиционные кремниевые транзисторы, нанесенные на пластиковую основу, в то время как «гибкая бумага» Plastic Logic построена на технологии «пластиковой электроники», включая полностью полимерные транзисторы. Предполагается, что гибридная «электронная бумага» обладает меньшей долговечностью, и хуже переносит скручивание и излом, нежели полностью пластиковая альтернатива, представленная Plastic Logic.
Британская Plastic Logic стала широко известна в России в связи с инвестициями в нее бывшей госкорпорации, а ныне ОАО «Роснано», которая в октябре 2011 г. владела 43,84% компании.
В конце 2010 г. стало известно о намерениях Plastic Logic построить в Зеленоградской особой экономической зоне завод «гибких дисплеев», а также открыть в России центр исследований и разработок, который бы участвовал в разработках с Технологическим центром в Кембридже. Нынешнее состояние этих проектов в точности неизвестно.
Интерес общественности к работе Plastic Logic подогрел визит главы «Роснано» Анатолия Чубайса к Владимиру Путину в бытность последнего премьер-министром в ноябре 2011 г. Чубайс представил премьеру в качестве перспективного электронного учебника устройство Plastic Logic 100.
Насколько известно CNews, сейчас 1300 экземпляров Plastic Logic 100 проходят апробацию в 38 школах 7 российских регионов (в том числе Москвы, Санкт-Петербурга, Калининграда, Кемерова и Татарстана) наряду с электронными книгами Pocketbook, Ectaco и мининоутбуками Classmate. Тестирование закончится в конце 2012 г., после чего, как ожидается, будут проведены тендеры на закупку электронных учебников.
http://www.cnews.ru/14.05.2012

Plastic Logic откладывает строительство завода в Зеленограде
Производство гибких пластиковых дисплеев на зеленоградском заводе должно было начаться в 2013-2014 годах, однако теперь сроки начала строительства переносятся. Это связано с новой стратегией бизнеса, о которой сегодня объявила компания Plastic Logic.
Новая стратегия предполагает отказ от формирования производственного холдинга «полного цикла», ориентированного на выпуск и продвижение одного вида продукции — электронных книг. Вместо этого компания, используя свой опыт в выпуске гибких пластиковых дисплеев, намерена сосредоточиться на проектировании и производстве широкого спектра решений для существующих и перспективных электронных устройств. Вывод конечных товаров на рынок будет осуществляться совместно с партнерами из числа контрактных производителей микроэлектронных компонентов, системных интеграторов и производителей устройств. В настоящий момент компания ведет переговоры с рядом производителей, в том числе по вопросам лицензирования технологии.
Накануне анонса новой стратегии, Plastic Logic показал и новые разработки своих ученых в области гибких пластиковых дисплеев: дисплей, воспроизводящий цветное изображение высокого разрешения, дисплей, воспроизводящий видео, ультратонкий дисплей. По заявлению компании, частота обновления экрана при демонстрации видео, а также показатели «выхода годных» достигли уровня индустрии ЖК-дисплеев.
«За последние 1,5-2 года разработчики Plastic Logic достигли серьёзных успехов и сделанный технологический рывок серьёзно превосходит наш первоначальный бизнес-план. Опережение по разным направлениям составляет от двух до трех лет», — рассказал Zelenograd.ru управляющий директор РОСНАНО Георгий Колпачёв. — «С одной стороны, это большой плюс, а с другой создает для нас проблему в том, что завод, который мы собираемся построить в Зеленограде, спроектирован под старую технологию».
Для завода Plastic Logic в Зеленограде уже выделен участок площадью 6,65 га на площадке «Алабушево» Особой экономической зоны (ОЭЗ), однако строительство на нем так и не началось. Решение о новых сроках строительства предприятия в Зеленограде будет принято после определения перечня и объемов продукции по новой технологии. При этом планы компании по созданию научно-исследовательского (R&D) центра в области пластиковой электроники на базе МИЭТа не изменились. В январе МИЭТ объявил набор студентов и магистрантов на программу профессиональной переподготовки «Органическая электроника».
«В России мы хотели делать всё параллельно — и R&D-центр создать, и большой завод построить, и продажи организовать. Нам ничего не мешает придерживаться этой старой стратегии, но через 2-3 года она приведет к коллапсу компании. Мы этого не хотим. Мы хотим вложенные деньги использовать эффективно. Поэтому если говорить о России, то те деньги, которые есть в компании, сконцентрируем в первую очередь на R&D-центре, на доводке тех технологий, которые мы разработали в Кембридже и первоначально обкатали в Дрездене, до промышленного статуса, а также на выходе за пределы бизнеса на дисплеях», — поясняет Георгий Колпачёв. В зеленоградском R&D-центре будет работать 43 человека, часть из которых проходит сейчас обучение на заводе Plastic Logic в Германии. Ранее Plastic Logic планировал создать в Зеленограде 300-400 новых рабочих мест.
Компания Plastic Logic была основана в 2000 году сотрудниками Кавендишской лаборатории Кембриджского университета. Компания является мировым лидером по исследованиям в пластиковой электроники и объему инвестиций, направленных в развитие этой сферы. Развитие компании поддерживают крупнейшие венчурные инвесторы, в том числе Oak Investment Partners и РОСНАНО.
www.zelenograd.ru/news/17.05.2012


"Облако" А.Чубайса


ОАО "РОСНАНО" инвестирует 25 млн долл. в компанию Aquantia, ведущего производителя решений для передачи данных High Speed Ethernet для "облачных" вычислений и дата-центров.
В рамках проекта Aquantia создаст в России центр по разработке, который дополнит существующую в Кремниевой долине исследовательскую группу компании, отмечается в сообщении "Роснано". Специализацией российского центра станут разработка микросхем и программного обеспечения, а также тестирование продукции.
В 2011г. Aquantia выпустила свой чипсет 10GBASE-T PHY, изготовленный по 40-нанометровым проектным нормам. Он предназначен для использования в сетевых решениях на материнских платах (LAN-on-Motherboard - LOM) серверов в дата-центрах и сетевых устройств.
Выпуск в марте этого года серверной платформы Intel Romley с десятигигабитным сетевым адаптером Ethernet на материнской плате стал причиной взрывного роста этого сегмента. По прогнозам исследовательской компании Crehan Research, поставки десятигигабитных адаптеров Ethernet для серверов и сетевых устройств в текущем году вырастут более чем в семь раз и достигнут объемов около 6,5 млн сетевых портов в 2013г. и более 20 млн в 2014г.
"Компания Aquantia оказалась единственным производителем микросхем для десятигигабитного Ethernet (10GE) в сегменте высокоскоростных соединений для дата-центров, который отвечал нашим инвестиционным критериям, - отметил управляющий директор "Роснано" Сергей Поликарпов. - Мы считаем, что объем передачи данных в крупных и сверхкрупных вычислительных центрах в ближайшие годы стремительно вырастет, а технологии Aquantia крайне важны для увеличения производительности серверов при одновременном снижении себестоимости. Для нас это отличная возможность воспользоваться плодами бурного роста рынка".
Aquantia Corp. - базирующаяся в Калифорнии компания, которая специализируется на разработке высокоскоростного оборудования для сетей передачи данных и сетевых интерфейсов для "облачных" вычислений. Среди инвесторов компании - крупные венчурные фоны New Enterprise Associates, Lightspeed Venture Partners, Greylock Partners, Pinnacle Ventures и Venture Tech Alliance.
Источник: rbc
www.astera.ru/news/15.05.2012


Разное


Европа возводит торговые барьеры


Политики и парламентарии Евросоюза хотят значительно сократить количество стран, пользующихся таможенными льготами в торговле с ЕС. Об этом Handelsblatt сообщили источники в дипломатических кругах Брюсселя. В черный список может попасть и Россия.
Еврокомиссар по вопросам торговли Карел де Гюхт настаивает, что число государств, получающих выгоды от Системы таможенных льгот для развивающихся стран (APS), должно уменьшиться с нынешних 176 до 80. Эта мера способна приносить в бюджет ЕС примерно миллиард евро ежегодно. Кроме того, предусматривается, что входящие в APS государства могут в дальнейшем подвергаться частичному лишению таможенных льгот в качестве наказания за "некорректную практику торговли", например если речь идет о поставках сырья.
Льготные таможенные тарифы на товары из развивающихся стран Евросоюз предоставляет с 1971 года. Их цель - облегчить этим государствам выход на европейский рынок и тем самым способствовать увеличению сбыта производимой ими продукции. Данные льготы распространяются примерно на 6300 товарных позиций. Проведенный Еврокомиссией анализ показывает, что наибольшие выгоды от льготного налогообложения своего экспорта сейчас имеют страны, которые уже переросли статус развивающегося государства. Оценка эта касается, например, таких стран, как Индия, Бразилия, Таиланд, Индонезия и Россия.
В настоящее время на долю развивающихся государств приходится примерно 40% того объема импорта ЕС, который подпадает под положения системы APS. Таким образом, эти страны оказывают все более сильную конкуренцию традиционным поставщикам в Европу тех или иных видов продукции. Поэтому в Брюсселе считают, что в будущем таможенными льготами при экспорте на территорию Евросоюза должны пользоваться лишь беднейшие государства нашей планеты.
Ранее с критикой практики распределения таможенных льгот Евросоюза неоднократно выступал и влиятельный Федеральный союз немецкой индустрии (BDI), который указывал, что ЕС неоправданно использует в этом вопросе принцип "всем сестрам по серьгам". Таким образом, эксперты полагают, что реформа регламента APS не просто уже созрела, но и давно перезрела. Предполагается, что модернизированный вариант APS вступит в силу с 1 января 2014 года.
Источник: rbc
www.astera.ru/news/12.05.2012


ПРО США столкнулась с реальной, но скрытой угрозой


«Военный Паритет». Что пугает ПРО США – перспектива ударов северокорейских и иранских ракет, или поддельная электроника, задается вопросом сайт Live Science 11 мая. Контрафактные электронные компоненты могут легко проникнуть в системы защиты высокотехнологичных беспилотников, истребителей, кораблей и танков, подвергая угрозе эффективность их боевого применения.
Такая угроза является реальной, когда американские военные пытаются купить запасные части от «ненастоящих производителей». Например, более 10% электронных компонентов ПРО США устарели. Чтобы отсеивать контрафактную продукцию, поступающую от сторонних компаний, Агентство по ПРО США планирует включить специальные недорогие системы маркировки, которые не могут быть скопированы фальшивыми производителями.
«Такая маркировка или специальное покрытие не решает текущих проблем с уже поступившей контрафактной продукцией, но может быть эффективна для отсеивания такой продукции в будущем», говорится в тендерном сообщении Агентства от 24 апреля. Метод защиты от подделок включает себя по меньшей мере 10 000 различных составов для уникальной маркировки электронных компонентов. Этот метод позволит безошибочно определять контрафактную продукцию и принять юридические меры против таких производителей.
Производители контрафактной продукции будут прибегать к «ошкуриванию», пескоструйной обработке или даже механической полировке для удаления маркировки, которые могут скрыть истинное происхождение электронных компонентов. Против таких действий необходимо оснащение таможенных служб сканирующими электронными микроскопами для определения изменений в текстуре поверхности компонентов или обнаружения следов шлифования.
Подделка электронных компонентов является растущей проблемой. Начиная с 2007 года таможенные службы США изъяли более 5,6 млн поддельных полупроводниковых устройств. В исследовании, подготовленном Счетной палатой США, говорится, что некие фиктивные американские фирмы закупали электронику для военных нужд, произведенных китайскими компаниями.
ВМС США считают, что 15% электронных схем и запасных частей, закупленных американскими военными, являются контрафактными.
по материалам http://www.livescience.com
http://vpk.name/news/14.05.2012


В Беларуси появится Совет конструкторов по внедрению IT в промышленности


В Беларуси будет сформирован Совет главных конструкторов по вопросам создания и внедрения интегрированных информационных систем и технологий на промышленных предприятиях. Об этом сообщил генеральный директор ОАО "ЦНИИТУ", кандидат экономических наук Анатолий Родцевич на пленарном заседании конференции "ПромИТ'2012", передает корреспондент БЕЛТА.
Необходимость создания Совета конструкторов разделяют участники Межведомственной комиссии по координации работы республиканских органов государственного управления и иных государственных организаций, подчиненных правительству Беларуси, по вопросам создания и внедрения современных интегрированных информационных систем и технологий (Межведомственной комиссии по ИИСТ).
Совет конструкторов будет работать вместе с головной организацией и генеральным конструктором по вопросам создания и внедрения интегрированных информационных систем и технологий на промышленных предприятиях.
До конца мая текущего года планируется подготовить проекты трех положений: о головной организации, генеральном конструкторе и совете главных конструкторов.
Совет конструкторов будет выполнять коммутирующую функцию между отраслями, а в последующем и предприятиями отраслей. "Основной акцент в работе головной организации и генерального конструктора будет сделан на разработке методических рекомендаций по внедрению информационных систем и технологий", - отметил Анатолий Родцевич.
По оценке гендиректора, внедрение информационных технологий на промышленных предприятиях страны сегодня протекает недостаточно активно. "Задача комиссии и тех, кто будет использовать функции генерального конструктора, заключается в том, чтобы разобраться в происходящих сегодня процессах", - добавил он. Совет конструкторов станет местом, где представители промышленных предприятий республики смогут рассказать об опыте внедрения информационных технологий, а также ошибках, которые сопутствуют этим процессам.
Заместитель председателя правления ОО "Гильдия маркетологов", консультант в сфере маркетингового анализа, бизнес-тренер MBA Эдуард Чурлей выделил ключевые тренды текущего столетия. Среди них - увеличение скорости обмена информацией и принятия решений, индивидуализация (проще говоря, потребитель сам решает, что ему хочется купить в любой момент времени) и глобализация. Следует помнить, что потребителем любой продукции является человек, а доля населения старшего возраста в Европе и, в частности, Беларуси растет.
При этом конкуренция усиливается, становится более жесткой. "Можем ли мы этому противостоять? Как показывает практика, маленькие компании могут бороться с крупными корпорациями, но в узких сегментах рынка", - отметил Эдуард Чурлей.
Большую роль в деятельности современных предприятий играют высокие технологии. "Сегодня вручную посчитать, что же происходит и как действует компания, уже невозможно. Более того, те решения, которые принимаются, сформулировать без информации тоже невозможно", - отметил эксперт. -
17.05.2012 / БТА "БЕЛТА"


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014