ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 21(952) от  1 июня  2012 год

 


Мировой рынок


Renesas сокращает 15% сотрудников и расширяет диалог с TSMC


Убытки в минувшем финансовом году заставляют Renesas сократить 15% рабочих мест и передать производство ряда микроконтроллеров своим стратегическим партнёрам TSMC и GlobalFoundries.
Согласно опубликованному сообщению корпорация Renesas Electronics, крупнейший японский производитель логических ИС, заключит соглашение о деловом партнерстве с Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. (TSMC), тайваньской компанией-производителем ИС.
В компании Renesas информацию о сотрудничестве с TSMC подтвердили, но не представили никаких подробностей. Переход на режим аутсорсинга при производстве ИС может рассматриваться как шаг в борьбе с тяжелыми потерями, понесёнными компанией Renesas.
По данным газеты Japan Daily Press, Renesas может объявить о ликвидации 6000 рабочих мест, что составляет около 15% персонала, в попытке сократить ежегодные расходы на 50 млрд иен (около 630 млн долл.). По результатам последнего финансового года, завершившегося 31 марта 2012 г., чистые убытки Renesas составили 62,60 млрд иен (около 790 млн долл.) при выручке в 883,11 млрд иен (около 11,1 млрд долл.).
Финансовый год был омрачен последствиями Великого Японского землетрясения, произошедшего 11 марта 2011 г., в результате которого была прекращена деятельность ряда промышленных предприятий Renesas, а производители автомобильной электроники столкнулись с нарушением графика поставки микроконтроллеров. Renesas уже некоторое время работает с компаниями TSMC  и GlobalFoundries, как со стратегическими партнёрами, и передала производственным предприятиям партнёров заказы на производство ряда микроконтроллеров.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/29.05.2012


Intersil сокращает 11% рабочих мест


Один из крупных производительей полупроводников, компания Intersil в рамках сокращения операционных расходов уволит до 11% сотрудников
Представитель Intersil, производителя аналоговых ИС, заявил, что компания сократит около 11% своих рабочих мест в рамках плана по урезанию операционных расходов примерно на 40 млн долл. в год.
В штаб-квартире компании Intersil в г.Милпитас, шт. Калифорния, сообщили, что совет директоров компании одобрил план реструктуризации, чтобы сосредоточить усилия компании на 10 лучших направлениях роста и пересмотреть свою  модель работы. По данным сайта Intersil, в компании работает около 1600 сотрудников. Сокращение персонала на 11% повлечет увольнение ориентировочно 176 сотрудников. Компания не представила информацию о том, на каком участке предполагается провести увольнения сотрудников. Представитель Intersil не ответил на вопрос о возможности получения дополнительной информации об увольнениях.
Intersil заявил, что планирует признать реструктуризацию платежей (на сумму около 9 млн долл.), состоящих, в основном, из премиальных вознаграждений работникам, за второй квартал 2012 года.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/29.05.2012


Поддельные кристаллы в военной технике США: почти «эпидемия»


Согласно данным отчета Сенатского комитета по вооруженным силам, в 1800 случаях применения контрафактных изделий в оборудовании военных самолетов, вертолетов, ракет и систем управления было задействовано более миллиона поддельных компонентов.
Как показало продолжавшееся в течение года расследование, контрафактные компоненты были в основном произведены в Китае.
В заявлении председателя комитета Карла Левина (Carl Levin) подчеркивается, что огромный поток контрафактной продукции угрожает национальной безопасности страны, вооруженных сил и препятствует созданию рабочих мест в Америке. В то же время обращается внимание на то, что китайскому правительству не удается предотвратить появление поддельных компонентов на рынке и власти должны исправить эту ситуацию.
В отчете комитета делается вывод о том, что на долю всех обнаруженных сомнительных компонентов пришлось 70% изделий китайского производства. К другим крупнейшим поставщикам контрафактной продукции относятся компании из Великобритании и Канады, которые также перепродают контрафактные изделия, произведенные в Поднебесной.
В отчете делается вывод о том, что Министерство обороны США и производители военной техники часто не осведомлены об источниках поставок компонентов, что приводит к недопустимым рискам для национальной безопасности и безопасности военнослужащих.
В отчете также указывается, что информация об использовании поддельных компонентов не была доведена поставщиками до сведения Министерства обороны.
В качестве пример приводится китайская компания Hong Dark Electronic Trade, которая продала 84 тыс. компонентов сомнительного качества подрядчикам Министерства обороны. Затем эти компоненты были установлены в системы предупреждения опасного сближения, системы формирования изображения для военно-морского флота и в платформы для пушек.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/29.05.2012


Глава Foxconn считает, что состояние экономики в Европе и США ухудшится


Экономика в Еврозоне находится в плачевном состоянии из-за продолжающегося долгового кризиса. В этих условиях состояние бизнес-среды США в 2013 г. будет неудовлетворительным. Так считает Терри Гоу (Terry Gou), глава Foxconn.
Свое заявление Гоу сделал на недавно состоявшейся встрече с Хе Сяньгцзянем – одним из самых богатых людей в Китае.
Согласно информации из отраслевых источников, это заявление Гоу сделал после того, как лучше узнал о действительном состоянии европейской экономики на примере сотрудничества с Metro Group – крупнейшей немецкой сетью по торговле электроникой. Совместно с Metro компания Foxconn создала сеть розничной торговли 3С в Китае.
По мнению Гоу, ФРС США рано или поздно запустит третий раунд количественного смягчения, что связано с ухудшающимся положением экономики.
Гоу считает, что снижение объема экспорта из Китая продолжится. Это значит, что торговля на экспорт в дальнейшем не будет способствовать развитию компаний, работающих в Китае.
Гоу с большим оптимизмом полагается на внутренний спрос в Китае и заявляет о том, что Foxconn Group удвоит среднемесячное жалованье работникам на китайских предприятиях к августу 2013 г. Он уверяет, что их зарплата составит 693 долл.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/30.05.2012


Старт-ап-компания начинает производство нитрид-галлиевых пластин


Исследовательская группа, выделившаяся из научно-исследовательского института IMEC, начинает промышленное производство нитрид-галлиевых пластин диаметром 150 мм.
Стартап EpiGaN NV, выделившийся из научно-исследовательского института IMEC в 2010 г., официально открыл производственные мощности для изготовления нитрид-галлиевых структур на кремниевых пластинах в научно-исследовательском кампусе в г.Хасселт, Бельгия.
Нитрид-галлиевые структуры по сравнению с кремниевыми структурами, как ожидается, позволят повысить эффективность электронных узлов, что, в первую очередь, найдёт применение при создании источников питания, драйверов моторов, инверторов для солнечных энергетических станций и экологического транспорта. Выращивание эпитаксиального слоя GaN на кремниевой подложке EpiGaN ставит своей целью добавить к существующим производственным масштабам по изготовлению кремниевых структур возможность изготовления высокопроизводительных структур на основе GaN.
Технология EpiGaN позволяет размещать эпитаксиальные слои GaN на кремниевых пластинах или на SiC-пластинах до 150 мм в диаметре. Технология для изготовления пластин диаметром 200 мм находится в стадии разработки.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/31.05.2012


Intel инвестирует в ирландское 14-нм производство


Кремниевая фабрика Intel в ирландском городе Лейкслипе получит инвестиции в размере 1 млрд долл. для производства кристаллов по норме 14 нм и ниже.
Об этом на презентации Intel заявил глава корпорации Пол Отеллини (Paul Otellini). Инвестиции будут вложены не только в ирландскую фабрику Fab 24 по изготовлению 14-нм компонентов, но и в D1X в Орегоне и Fab 42 в Аризоне.
В настоящее время осуществляется строительство и оснащение оборудованием всех трех фабрик. 14-нм технологический процесс будет запущен в 2013 г.
Возведению предприятия по выпуску 14-нм кристаллов в Израиле Intel предпочла запуск фабрики в Ирландии.
Intel закрыла производство Fab 14 в Лейкслипе возле Дублина летом 2009 г., сократив число фабрик в этом кампусе до трех (Fab 10, 24 и 24-2). В январе 2011 г. Intel приняла решение инвестировать около 500 млн долл. в переустройство старого здания Fab 14, не уточнив свои планы относительно этого предприятия.
Ирландское СМИ RTE News подтвердило намерение Intel наладить в Ирландии производство кристаллов следующих поколений, но не указало размера инвестиций и их сроков. Из других источников стало известно, что объем вложений составит 1,25 млрд долл. Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/01.06.2012


Epistar разрабатывает 8-дюймовую Si-подложку для уменьшения себестоимости


В 2014 году Epistar начнёт массовое производство 8-дюймовых кремниевых подложек, что уменьшит себестоимость изготовления эпитаксиальных светодиодов и повысит процент выхода годных изделий
Компания Epistar разрабатывает 8-дюймовые кремниевые подложки для производства светодиодов, используемых в различных LED-приложениях. Планируется начать массовое производство подложек в 2014 г.


Кремниевая подложка вместо сапфировой уменьшит себестоимость производства
Изготовление крупногабаритных кремниевых подложек поможет снизить издержки производства, что понизит на 10% стоимость сапфировых подложек к 2015 г. В компании сообщают, что начало массового производства запланировано на 2014 г., но до конца 2013 г. будут продолжаться работы по созданию  новой технологии подложки.
Использование в производстве кремниевых подложек больших размеров, как ожидается, устранит некоторые недостатки в производстве эпитаксиальных светодиодных изделий. По мнению тайванского исследовательского института промышленных технологий (ТИИПТ), до начала массового производства необходимо увеличить процент выхода годных изделий.
Эксперты ТИИПТ также говорят, что тайваньские производители не должны считать, что с понижением цен на LED-изделия их продукция будет автоматически становится более интересной рынку, а им, в первую очередь, необходимо оценить все возможности по снижению себестоимости изделий.
Между тем, источники также отметили, что такие международные производители светодиодных изделий, как Cree и Osram, уже начали массовое производство кремниевых подложек, а Bridgelux, с целью снижения себестоимости продукции на 75%, готовится сделать то же самое в 2013 г.  Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/01.06.2012


Европейские производители поликремния ищут сотрудничества с китайскими компаниями


Резкое снижение цен на поликремниевые изделия заставляют европейских производителей налаживать сотрудничество с китайскими производителями
Как сообщают отраслевые источники, европейские производители поликремния ищут сотрудничества с китайскими компаниями, в первую очередь, потому что на спотовом рынке цены на поликремниевые изделия упали на 20-25 долл. США за 1 кг, что ниже чем себестоимость производства.
Европейские компании ищут партнёров в Китае
Клиенты европейских производителей поликристаллического кремния оказывают давление на изготовителей, подталкивая их к сотрудничеству с китайскими компаниями. В отраслевых источниках в Китае считают, что в случае возможного сотрудничества для снижения общей стоимости производства изделий необходимо будет использовать более конкурентную технологию каталического жидкостного реактора (FBR). Падение цен на поликремниевые изделия побудило многих производителей поликремния остановить планы расширения производственных мощностей в 2012 году.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/03.06.2012


США предпринимают усилия для создания региональных промышленных кластеров


Аппарат президента США объявил о новой инициативе по стимулированию внедрения инноваций, развитию экономики и укреплению государственно-частного партнёрства.
Администрация президента США объявила о новой инициативе, в рамках которой  США будут стремиться к созданию региональных промышленных кластеров путём объединения усилий по развитию экономики с передовыми технологичными производствами.
Правительственная организация «Advanced Manufacturing Jobs and Innovation Accelerator Challenge» должна выбрать двенадцать проектов по созданию кластеров. Общий объём инвестиций выделяемых для создания кластеров составляет 26 млн долл. В своём официальном заявлении представитель Белого дома подчеркнул, что в рамках инициативы необходимо стремиться к установлению государственно-частного партнерства как способа повысить отдачу от федеральных инвестиций.
Кандидатам на получение инвестиций предлагается представить предложения, которые будут способствовать росту регионального промышленного кластера за счет укрепления связей между региональными возможностями развития экономики и передовыми технологическими производствами, укреплению потенциала региона для создания высококачественных устойчивых рабочих мест, развитию квалифицированных и разнообразных передовых производственных сил, увеличению экспорта, стимулированию развития малого бизнеса, а также ускорению внедрения технологических инноваций.
Новая инициатива является частью правительственных усилий по стимулированию создания передовых производств, которые создают рабочие места. Инициатива должна помочь США в конкурентной борьбе в развивающихся производственных секторах. Например, Национальный научный фонд (NSF), один из спонсоров производственной программы, готовится в рамках своей программы «Innovation Corps program» выбрать группу стартапов по разработке новых технологичных продуктов. Наряду с NSF, в реализации новой инициативы участвуют ряд таких организаций, как коммерческий департамент Национального института стандартов и технологий, Министерство энергетики и др.
Заявки принимаются до 9 июля. Подробная  информация об условиях участия в конкурсе для получения производственных грантов доступна на веб-сайте manufacturing.gov.
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/03.06.2012


Intel анонсировала двухъядерные процессоры Ivy Bridge


Компания Intel представила четырнадцать двухъядерных процессоров Ivy Bridge, сообщает техноблог Engadget.
Intel анонсировала двухъядерные процессоры Ivy BridgeШесть процессоров предназначены для настольных компьютеров, а оставшиеся восемь - для компактных ноутбуков и ультрабуков. Из этих восьми половина имеют сверхнизкое энергопотребление и обозначаются маркировкой "U".
Поставки процессоров из семейств Core i5 и Core i7 начнутся сразу после анонса, который состоялся 31 мая. Бюджетные процессоры Core i3 будут доступны позже.
Процессоры из поколения Ivy Bridge выпускаются по 22-нанометровому техпроцессу. Они используют ту же микроархитектуру, что чипы предыдущего поколения (Sandy Bridge), но отличаются от предшественников большей производительностью и меньшими энергозатратами.
Первые чипы Ivy Bridge вышли в конце апреля. В отличие от процессоров, представленных в мае, они имеют четыре ядра и предназначены для настольных компьютеров и мощных ноутбуков.
Помимо анонса процессоров, Intel, являющаяся автором концепции ультрабуков, переформулировала требования к этим устройствам. Компания полагает, что современный ультрабук должен иметь скоростные порты USB 3.0 либо Thunderbolt и располагать встроенными средствами обеспечения безопасности.
Intel утверждает, что на процессорах Ivy Bridge будет выпущено 110 ультрабуков. Из них тридцать получат сенсорный экран, а еще десять будут "гибридами", то есть смогут превращаться из ноутбука в планшет.
www.lenta.ru/news/31.05.2012


Аналитика/Прогнозы

22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности

В начале мая компания Intel анонсировала свое очередное достижение в области эволюции транзистора — основы основ современных микросхем.

Впервые с момента изобретения планарных кремниевых транзисторов полвека назад были запущены в серийное производство транзисторы с трехмерной структурой. О своем решении приступить к разработке объемной транзисторной структуры Tri-Gate компания Intel известила общественность еще в 2002 г. Однако кристаллы с такими транзисторами, изготовленные по 22-нм технологии, корпорация начала продавать только в апреле: новые процессоры Intel носят кодовое имя Ivy Bridge.
3-D, 22 нм: беспрецедентная комбинация производительности и высокой эффективности

Появление новых транзисторов свидетельствует о том, что Intel продолжает идти в ногу с законом Мура и потребители могут рассчитывать на дальнейшее технологическое совершенствование продукции этой компании.
До сих пор транзисторы, составляющие основу микропроцессоров, были планарными (2D). Создание транзистора с трехмерной (3D) структурой затвора (Tri-Gate) и возможность серийного производства этих устройств говорят о значительных переменах в фундаментальной структуре компьютерных кристаллов. Кроме того, это значит, что Intel продолжает оставаться технологическим лидером в создании систем, начиная с суперкомпьютеров самой высокой производительности и заканчивая миниатюрными мобильными устройствами.
В традиционных планарных транзисторах проводящий канал образуется в кремниевой структуре под затвором в состоянии включения (см. рис.).


ИНФОРМАЦИОННЫЙ ДАЙДЖЕСТ Схема традиционного планарного транзистора: gate – затвор, high-k dielectric – подзатворный диэлектрик с высокой проницаемостью, drain – сток, source – исток, oxide – оксид кремния, silicon substrate – кремниевая подложка.</em><br> Однако у трехзатворных транзисторов может быть несколько каналов (в виде плавников), обеспечивающих более высокую производительность, см. рис.</p> <div align="center"> <table border="0" cellpadding="0" width="278"> <tr> <td width="274"><br> <img border="0" width="275" height="236" src="2012/1203_clip_image009.jpg"> </td> </tr> </table> </div> <title> ИНФОРМАЦИОННЫЙ ДАЙДЖЕСТ Схема трёхзатворного транзистора: gate – затвор, oxide – оксид кремния, silicon substrate – кремниевая подложка.</em><br> <strong>Объемные транзисторы</strong></p> Размер и структура транзистора являются определяющими параметрами для конечного пользователя. Чем меньше и энергоэффективнее транзистор, тем лучше. Intel последовательно становилась пионером в освоении новых проектных норм: 45 нм, технология high-k/metal gate – 2007 г.; 32 нм – 2009 г.; запуск крупносерийного производства первого в мире 22-нм 3D-транзистора – 2011 г.<br> В 3D-транзисторе Tri-Gate используются три затвора, расположенных вокруг кремниевого канала в объемной структуре, что обеспечивает уникальное сочетание производительности и очень малого потребления – преимуществ, востребованных как в смартфонах и планшетах, так и для мощных процессоров для ПК и серверов.</p> <div align="center"> <table border="0" cellpadding="0" width="176"> <tr> <td><br> <img border="0" width="196" height="199" src="2012/1203_clip_image011.jpg"> </td> </tr> </table> </div> <title> ИНФОРМАЦИОННЫЙ ДАЙДЖЕСТ Схематичный вид трехзатворного (FinFET) транзистора Intel: gate – затвор, oxide – оксид кремния, silicon fin – кремниевый канал, silicon substrate – кремниевая подложка.<br> </div> <div id="main2"> <div id="half"> <div id="greenline">Скачать </div> <p> </p> <table width="100%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0"> <tr> <td width="11%"><a href="../spec/PDF/INTEGRAL_2013_2014.pdf" target="_blank"><img src="../../img/pdf.gif" width="34" height="35" border="0"></a></td> <td width="1%"> </td> <td width="88%"><b><a href="../spec/PDF/INTEGRAL_2013_2014.pdf" target="_blank">Скачать Краткий каталог изделий и услуг  ОАО "Интеграл" (PDF)</a></b></td> </tr> <tr> <td><a href="../spec/PDF/Nomenklaturni_2013_01.pdf" target="_blank"><img src="../../img/pdf.gif" width="34" height="35" border="0"></a></td> <td> </td> <td><b><a href="../spec/PDF/Nomenklaturni_2013_01.pdf" target="_blank">Скачать номенклатурный перечень ОАО "Интеграл (PDF)</a></b></font></td> </tr> <tr> <td><a href="../spec/PDF/Military_2013.pdf" target="_blank"><img src="../../img/pdf.gif" width="34" height="35" border="0"></a><a href="../Каталог%20приемка.rar"></a></b></font></td> <td> </td> <td><b><a href="../spec/PDF/Military_2013.pdf" target="_blank"> Скачать каталог ИМС устойчивые к СВВФ (PDF)</a></b></td> </tr> </table> <p align="center"> </p> </div> <div id="half"> <div id="greenline"> Консультации </div> <p><strong>Отдел перспективного маркетинга</strong>:<br> Тел.                       + 375 17 398 1054<br> Email: markov@bms.by<br> <SPAN lang="EN-US">ICQ: 623636020</SPAN><br> <strong>Бюро рекламы научно-технического отдела </strong><br> Тел.                       + 375 17 212 3230 <br> Факс:                     + 375 17 398 2181<br> <img border="0" src="../../img/cont.gif" align="right"></p> <br> <p><a href="http://www.bms.by/ru/BMS/index.php?pass=svyaz_r"><input type="button" value="Другая контактная информация"style="font-weight: bold" > </a></p> </div> </div></div></div> </div> <div id="bottom"> <table width="100%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0"> <tr> <td> <a href="../../index.php"><img src="../../img/home.png" alt="Home" width="32" height="32" border="0"></a> </td> <td> <a href="http://www.bms.by/ru/BMS/index.php?pass=map_r"><img src="../../img/map.png" alt="Map" width="32" height="32"></a></td> <td> <p><a href='javascript:history.back(1)'><img src="../../img/back.png" alt="Back" width="32" height="32"></a></p></td> <td><p><a href="http://www.bms.by/ru/BMS/index.php?pass=svyaz_r"><img src="../../img/mail.png" alt="Contact" width="32" height="32" ></a></p> </td> <td> <a href="../../indexe.php"><img src="../../img/engb.png" alt="Engl" width="32" height="32" border="0" ></a></td> <td><a href="../../indexr.php" target="_parent"><img src="../../img/rusb.png" alt="Russ" width="32" height="32" border="0" ></a></td> <td><a href="http://www.bms.by/ru/BMS/index.php"> </a></td> <td><a href="http://www.bms.by/ru/BMS/index.php"> </a></td> <td><a href=""http://www.bms.by/ru/BMS/index.php"> </a></td> <td><h4 align="right">© Reseach & Design Center 2014 </h4></td> </tr> </table> </div> </div> </BODY> </HTML>