ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 30(961) от  17 сентября  2012 года


Мировой рынок


В следующем году TSMC потратит на расширение производства $10 млрд.


Компания TSMC ударными темпами приближает момент перехода на использование кремниевых пластин типоразмера 450 мм, а также с опережением графика готовится перейти на 20 нм технологию. Всё это требует существенных финансовых затрат, и в текущем году соответствующая статья расходов уже была увеличена на 23% - преимущественно ради решения проблемы с дефицитом производственных мощностей, занятых в выпуске 28 нм продукции.
Как сообщает ресурс Taiwan Economic News со ссылкой на китайские СМИ, в следующем году капитальные затраты TSMC будут увеличены до $10 млрд. – практически на 25% от текущего уровня. Считается, что главным стимулирующим фактором станет желание Apple перенести производство своих процессоров с мощностей Samsung на конвейер "политически нейтральной" TSMC. Компания Apple якобы даже направила на Тайвань делегацию из 200 инженеров, чтобы те ознакомились с технологическими возможностями TSMC. Считается, что новые процессоры Apple, которые будут изготавливаться силами TSMC, перейдут на техпроцесс 2х нм класса. Пилотная партия процессоров для Apple будет изготовлена в следующем полугодии, а в серию они пойдут только во второй половине 2013 года.
Затраты TSMC на капитальное строительство в 2013 году будут в основном связаны с расширением производственных мощностей, наращиванием объёмов выпуска 20 нм и 28 нм изделий, а также подготовке к переходу на 16 нм техпроцесс с использованием так называемых FinFET-структур. Официальные суммы затрат, заложенные в планах на 2013 год, представители TSMC озвучат не ранее ноября, когда состоится их встреча с поставщиками технологического оборудования.
www.overclockers.ru/hardnews/11.09.2012


Выпуск нового iPhone поднимет ВВП США на полпроцента


Выпуск iPhone 5, объявление которого ожидается сегодня, поднимет ВВП США на 0,5%. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на расчеты главного экономиста J.P.Morgan Майкла Фероли (Michael Feroli).
По его подсчетам, продажи iPhone 5 увеличат ВВП США на 3,2 млрд долл. в краткосрочной перспективе, а годовой ВВП страны увеличится на 12,8 миллиарда. В 2012 году, считает Фероли, ВВП страны благодаря продажам нового гаджета вырастет на 0,33–0,5%.
По планам Apple, в четвертом квартале будет продано восемь миллионов новых iPhone 5. Цена каждого составит 600 долл. При этом, по некторым оценкам, две трети в каждом смартфоне составит стоимость отечественных компонентов, а треть – импортных.
Презентация нового iPhone должна состояться 12 сентября. Блог iMore еще в конце июля 2012 года сообщил, что новый iPhone поступит в продажу 21 сентября. По слухам, смартфон получит более «вытянутый», по сравнению с iPhone 4S, экран размером 4 дюйма и уменьшенный разъем для док-станции.
Предыдущая модель смартфона, iPhone 4S, поступила в продажу в октябре 2011 года. Только за первые три дня Apple продала четыре миллиона таких смартфонов. По оценке Фероли, выпуск iPhone 4S позволил увеличить ВВП США на 0,2%.
Ожидается, что в 2012 году американская экономика вырастет на 2%. В 2011 году ВВП США увеличился на 1,8%, в 2010-м – на 2,4%, а в 2009 году – сократился на 3,1%. В 2011 ВВП крупнейшей экономики мира равнялся около 15 триллионов долларов.
http://lenta.ru/digital/11.09.2012


Электроника через 15 лет: прогнозы Broadcom


К 2027 г. мобильные устройства будут оснащены полностью цифровыми радиоустройствами и модемами, работающие на скоростях в несколько Гбит/с, и 16-ядерными прикладными процессорами с рабочей частотой 5 ГГц.
Это лишь одно из нескольких предсказаний компании Broadcom Corp., которые обсуждались на симпозиуме в честь ее соучредителя и главного технолога – Генри Сэмюели (Henry Samueli). В этом году он получил приз Marconi Society Prize за разработку кристаллов, которая привела к появлению кабельного модема.
По словам Сэмюели, большинство предсказаний представляет собой линейные экстраполяции, однако лицо индустрии изменяют революционные новаторские решения.
К числу других предсказаний от Broadcom относится то, что радиоустройства будут работать в терагерцовом диапазоне с частотой дискретизации до 6 ГГц. Скорость передачи данных через домашние шлюзы достигнет 100 Гбит/с, что позволит обрабатывать несколько видеопотоков 8000?4000. Средняя скорость передачи через Ethernet-коммутаторы составит 400 Гбит/с при пиковой скорости в несколько Тбит/с.
По мнению Сэмюели, самая большая проблема состоит в прекращении действия закона Мура. Отрасль сумеет освоить проектные нормы менее 10 нм в течение ближайших 10–20 лет, после чего станет необходимым изобрести что-то принципиально новое.
Сэмюели не пугает нынешняя неспособность TSMC в полной мере освоить 28-нм техпроцесс. Он считает, что это будет сделано не ранее конца следующего года, хотя TSMC и другие фаундри-компании заявляют, что они справятся с проблемой выхода годных к концу этого года.
Большую часть своего времени миллиардер Сэмюели посвящает укреплению культуры совместного технического проектирования в компании, которая насчитывает в настоящее время более 11 тыс. сотрудников. В частности, Сэмюели посвятил себя вопросам создания стандартных методологий построения СнК и организации процесса проектирования, чтобы облегчить возможность освоения технологий в пределах одной компании.
По словам Сэмюели, Broadcom располагает собственными базами данных, позволяющими регистрировать и записывать все СФ-блоки компании, а также соблюдать существующие стандарты, использовать необходимую для работы документацию, находить требуемых специалистов для решения возникших вопросов. Сэмюели считает это большим преимуществом Broadcom.   Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/11.09.2012


Samsung строит в Китае фабрику для выпуска чипов по 10–19-нм техпроцессам


Компания Samsung Electronics заложила камень в основание фабрики по выпуску пластин для памяти NAND в Сиане, северо-западной части Китая.
На начальном этапе Samsung инвестирует в это предприятие 2,3 млрд долл., а в общей сложности – 7 млрд долл. До сих пор Samsung не указала ожидаемого объема выпуска на разных этапах работы этого производства кремниевых пластин.
На фабрике в Сиане, которая появится вслед за предприятием Line 16 по выпуску ИС памяти в Хвасеонге (Корея), будут использоваться 10–19-нм техпроцессы для изготовления запоминающих устройств для вычислительной техники, смартфонов и планшетов.
Из заявления Samsung следует, что открытие полупроводниковой фабрики в Китае позволит компании сбалансировать глобальную сеть производства и увеличит возможности заказчиков из этого региона.
На церемонии закладки камня Samsung заявила о начале программы сотрудничества с несколькими местными университетами, которая будет стимулировать развитие молодых талантов. В Сиане находятся 37 университетов и 3000 научно-исследовательских центров в области информационных технологий.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/13.09.2012


TI возглавляет список поставщиков ИС по управлению питанием


По данным IHS, компания Texas Instruments удержала в 2011 г. позицию ведущего производителя ИС для управления питанием.
В прошлом году TI увеличила объемы продаж ИС для управления питанием на 25% и обошла компании STMicroelectronics и Infineon Technologies, которые заняли второе и третье места, соответственно. По данным IHS, TI принадлежало в прошлом году 10,0% рынка этих ИС, объем которого составил 31,8 млрд долл. На долю STMicroelectronics пришлось 7,1% рынка, а Infineon – 6,6%.

Первая десятка поставщиков ИС для управления питанием по объему доходов в 2011 г., млрд долл.
Примечание. Renesas Technology Corp. объединилась с компанией NEC Electronics Corp. в апреле 2010 г., образовав Renesas ElectronicsИсточник: IHS

Двумя другими компаниями, которым удалось заметно продвинуться в первой десятке поставщиков, стали Mitsubishi Electric и On Semiconductor. Объем продаж первой компании вырос на 51,7% а у второй – на 22,3%.
К категории микросхем по управлению питанием IHS относит регуляторы напряжения и источники опорного напряжения, а также ИС интерфейса питания и специализированные микросхемы. Среди других основных ИС по управлению питанием – дискретные силовые компоненты, например, транзисторы мощностью выше 1 Вт, выпрямители на 0,5 А и выше и тиристоры.
TI удалось увеличить объемы продаж за счет приобретения National Semiconductor. Компания On Semiconductor вошла в десятку первых поставщиков после покупки Sanyo. Mitsubishi, перескочившая с восьмого на четвертое место, потеснила компанию Renesas Electronics, которая в результате опустилась на пятое место.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/13.09.2012


Intel говорит об особенностях 22 нм технологии для однокристальных систем


Компания Intel на сессии IDF Fall 2012 рассказала об особенностях 22 нм технологического процесса, который будет использоваться для выпуска однокристальных систем семейства Atom. Технология отличается от той, что применяется в производстве процессоров поколения Ivy Bridge, и подразумевает большую энергоэффективность.
Однокристальные системы Intel для планшетных устройств и смартфонов, о которых идёт речь, также известны под кодовым обозначением Bay Trail. Они заменят собой платформу Clover Trail и, вероятно, будут представлены весной на IDF в Пекине. О характеристиках решения Intel ничего не говорит, ограничиваясь беседой об особенностях будущих SoC.
По словам авторов сайта EE Times, в Bay Trail будут применяться логические транзисторы с низкими токами утечки и транзисторы I/O с более высоким напряжением. В SoC появится верхний слой межсоединений и набор пассивных элементов (резисторы, тонкоплёночные МДМ-конденсаторы и катушки индуктивности в высокой добротностью). В целом, Intel предложит "меню" из разнообразных вариантов логики, I/O, межсоединений, встроенной памяти и прочего, а выбор опций будет зависеть от требований к модели SoC.



Пока Intel предлагает только одну модель однокристальной системы – Medfield. Решение производится по 32 нм технологии и сегодня нашло применение в шести смартфонах и четырёх планшетах под управлением Windows 8. В будущем Intel обещает больше устройств на базе собственных SoC.
www.overclockers.ru/hardnews/14.09.2012


Intel заявила о готовности к производству по 14-нм техпроцессу


Intel раскрыла планы по переходу к производству процессоров и SoC (система на кристалле) по 14-нм техпроцессу к концу 2013 года, а также о начале ведения научно-исследовательских разработок по техпроцессам 10нм и ниже с 2015 года, сообщает Digitimes.
Выступая на форуме Intel Developer Forum (IDF) в Сан-Франциско, старший научный сотрудник компании Марк Бор представил перспективный план, демонстрирующий всё ещё занимаемое Intel лидирующее положение в области технологии процесса производства полупроводников.
Intel сообщила, что начало производства процессорных узлов под кодовыми наименованиями P1272 и P1273, выполненных по 14-нм техпроцессу, запланировано на конец 2013 года. Вендор добавил, что продолжит активные инвестиции в производство интегральных схем D1X в Орегоне, производство Fab 42 в Аризоне и производство Fab24 в Ирландии.
Ранее Intel подтверждала инвестиции в три производства по техпроцессу 14нм и ниже.
В дополнение к этому, научно-исследовательские разработки по 10-нм, 7-нм и 5-нм техпроцессам начнутся согласно плану с 2015 года, отметили в Intel.
В мае 2011 года Intel объявила о своих трёхмерных транзисторах Tri-Gate (с тремя затворами), важном научном открытии, позволяющем чипам работать под более низким напряжением и с меньшим током утечки, при этом обеспечивая более высокую производительность и энергоэффективность по сравнению с предыдущими моделями транзисторов. Новые транзисторы используются в семействе процессоров Intel Core на основе Ivy Bridge, массовое производство которых началось ближе к концу 2011 года
www.astera.ru/news/18.09.2012


Капитальные расходы на рынке полупроводников сократятся в 2012 г. на 6%


В 2012 г. на долю пяти компаний придется 64% капитальных расходов мирового рынка полупроводников, совокупный объем которого составит 61,4 млрд долл., что на 6% меньше прошлогоднего показателя.
Intel, которая недавно заявила о сокращении капитальных расходов в 2012 г., занимает второе место по этому показателю в списке полупроводниковых компаний. Ожидается, что Samsung, лидер данного списка, израсходует 13,1 млрд долл. к концу текущего года. По данным IC Insights, капитальные расходы Intel составят за текущий год 11,2 млрд долл.; TSMC – 8,3 млрд долл.; SK Hynix – 3,7 млрд долл., а GlobalFoundries – 3,1 млрд долл.
Рост инвестиций в производство наблюдается с 2005 г., когда на долю первых пяти компаний пришлось только 40% всех капитальных расходов полупроводниковой отрасли. Ожидается, что в 2012 г. доля первой десятки составила 77% от всех капитальных расходов к концу 2012 г. Этот показатель на 22% выше уровня 2005 г.
Согласно IC Insights, только шесть из 35 производителей кристаллов намереваются увеличить капитальные расходы в 2012 г. К их числу относятся Intel (4%), Samsung (11%), SK Hynix (16%), TSMC (13%), UMC (26%) и Rohm (78%).
Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/14.09.2012/


Первым клиентом на 20-нм техпроцесс TSMC стала компания Altera


Обычно первыми заказчиками на все новые техпроцессы становятся компании Altera и Xilinx. Это лидеры рынка программируемых FPGA-матриц. Такую продукцию — с регулярной структурой — на новейших техпроцессах выпускать легче всего. Помимо того, что в дизайне FPGA нет особых изысков, в брак уходит минимум кристаллов, ведь на матрице с сотнями тысяч и миллионами вентилей всегда есть место для рабочих участков. Следующий год не станет исключением, сообщает китайский сайт CENS: первым клиентом на 20-нм техпроцесс компании TSMC стала компания Altera.
Опытный выпуск 20-нм продукции для Altera компания TSMC запустит в начале нового года, а массовые поставки стартуют осенью. Отдельно отмечается, что новые матрицы будут иметь пространственную компоновку кристаллов — так называемый техпроцесс chip-on-wafer-on-substrate (CoWoS). По словам разработчиков, в рамках 20-нм техпроцесса с применением CoWoS можно будет создавать интегрированную сборку в широком спектре комбинаций разнородных кристаллов. По сравнению с возможностями 28-нм техпроцесса, комбинация 20 нм литографии и CoWoS позволяет в 10 раз расширить возможные комбинации в составе одного корпуса.
В заключение отметим, что компания TSMC немного отстаёт от конкурентов в плане освоения производства "трёхмерных" микросхем. От некоторых, впрочем, хорошо отстаёт. К примеру, компания Samsung уже несколько лет выпускает микросхемы памяти с помощью сквозного соединения кристаллов методом TSVs (Through Silicon Via). Считается, что истинная "трёхмерность" полупроводников может быть достигнута лишь с использованием TSVs (к слову, компания Intel умеет делать такие соединения, но не хочет). Возвращаясь к TSMC, уточним, что она в начале следующего года готова освоить некий промежуточный 2,5-D техпроцесс, где методом близким к TSVs будут собираться не "голые" кристаллы, а кристаллы на подложке. Чистую TSVs-сборку тайваньский контрактник обещает освоить к 2014 году.
www.overclockers.ru/hardnews/16.09.2012

Прочее в России


«Ангстрем» и Южный федеральный университет открыли лабораторию по разработке программного обеспечения


«Ангстрем», флагман российской микроэлектроники и разработчик уникальных систем цифровой связи, и ведущий центр развития образования, науки и культуры «Южный федеральный университет» подписали долгосрочное соглашение о сотрудничестве, в рамках которого на базе учебного заведения будет открыта научно-производственная лаборатория по разработке программного обеспечения.
Основным направлением деятельности лаборатории станет проведение научных исследований в области разработки и тестирования программного обеспечения для навигационного оборудования, создания высокоточных систем позиционирования для использования в мобильных устройствах и планшетных компьютерах, интеграции мобильных технологий с технологиями связи, а также разработки современных алгоритмов криптозащиты в применении к технологиям связи.
Установление тесных партнерских отношений между «Ангстремом» и «Южным федеральным университетом» будет способствовать обмену академической, научной информацией. Перед сотрудниками лаборатории будут поставлены актуальные задачи в области разработки ПО для новейших систем телекоммуникаций, навигации и связи, а «Ангстрем», в свою очередь, сможет эффективно использовать научно-исследовательский потенциал учебного заведения для реализации наукоемких проектов, востребованных современным электронным производством. «Ангстрем» и ЮФУ намерены регулярно проводить мероприятия, направленные популяризацию результатов работы лаборатории.
«На „Ангстреме“ производственную и преддипломную практику регулярно проходят учащиеся средних профессиональных учебных заведений и профильных ВУЗов, но создание учебно-производственной лаборатории — это для нас совершенно новый опыт, — сказал Алексей Таболкин, первый заместитель генерального директора ОАО „Ангстрем“. — Новая лаборатория станет прекрасной возможностью для студентов, выпускников и преподавателей университета реализовать свой потенциал. А „Ангстрем“, в свою очередь, получит уникальное программное обеспечение, гарантирующее эффективную работу новейших российских изделий электронной техники».
«Учебно-научно-производственная лаборатория Ангстрем-ЮФУ — новый шаг на пути интеграции учебы, науки и производства, — считает проректор по научной и инновационной деятельности Евгений Айдаркин. — Южный федеральный университет получит возможность поработать над острыми проблемами в области информационных технологий. И в рамках этого проекта наши студенты, аспиранты и преподаватели смогут применить теоретические знания на практике и использовать их при подготовке курсовых и магистерских работ, кандидатских и докторских диссертаций, используя стандарты и действующее оборудование „Ангстрема“. Данная лаборатория — новая форма сотрудничества, продиктованная развитием в области информационных технологий и микроэлектроники». "Angstrem.ru"  12 сентября 2012 года
http://rosrep.ru/news/14.09.2012


В микроэлектронику — с «боевым заданием»


Уникальная работа ученых и конструкторов выводит отрасль на новый уровень
В нужное время и в нужном месте встретились революционные научные идеи, интересы производства и государственная прозорливость, чтобы стать примером того, как можно найти выход из сложнейшей и, как многим казалось, безвыходной ситуации. Ведь развал производства изделий микроэлектроники, наступивший после краха СССР, представлялся явлением необратимым. В начале 90-х годов предприятия третьей в мире микроэлектронной индустрии, теряя заказы и кадры, разрушались. Тяжелые времена наступили и для наших НПО «Интеграл» и ГНПО точного машиностроения «Планар». Поэтому их возрождение, причем на гораздо более высоком уровне, стало событием выдающимся.
Впрочем, чудо это вполне объяснимо. Используемые в космической и военной технике компоненты микроэлектроники, способные выдержать ускорения в сотню g, мощную радиацию и запредельные скачки температуры, нам никто не продаст ни за какие деньги. А пытаться оснащать бортовую аппаратуру гражданским ширпотребом было бы самоубийством. Поэтому пришлось, что называется, крутиться — использовать весь арсенал программно-целевого планирования, финансирования и средств государственной поддержки, а главное, поворачиваться лицом к науке.
Именно научная составляющая и ставка на разработку и освоение выпуска оборудования, которое используется в производстве изделий микроэлектроники специального и двойного назначения, в конечном счете и предопределили успех. Поэтому не случайно, что работа авторского коллектива в составе Владимира Глухманчука, Валерия Зайцева и Сергея Чижика, представляющих соответственно ОАО «Интеграл», ГНПО «Планар» и НАН Беларуси, была выдвинута на соискание Государственной премии Республики Беларусь 2012 года в области науки и техники.
Плодом поиска ученых и конструкторов стали разработка и освоение в производстве более 40 моделей автоматизированного сборочного и сканирующего зондового оборудования, а также 239 типов изделий микроэлектроники специального и двойного назначения, относящихся к V и VI технологическим укладам. Все это поставляется преимущественно на экспорт. Например, с 2003-го по 2009 год из 400 единиц произведенного уникального оборудования 350 ушли за рубеж, а экспортные поставки изделий микроэлектроники выросли в 4 раза. На этом отечественные производители заработали более 159 миллионов долларов. В то же время внутренние поставки, на которые есть постоянный спрос, позволили стране сэкономить более 3 миллионов долларов. Ведь заточенное под оборонную тематику производство позволяет обеспечивать прекрасной микроэлектроникой также гражданские отрасли промышленности.
Основным покупателем белорусских компонентов микроэлектроники, как и в прежние годы, остается Россия, причем объемы поставок и номенклатура изделий постоянно увеличиваются. Ведь белорусы теперь производят не только то, что они делали в свое время в рамках всесоюзного разделения труда, но и закрывают многочисленные «дыры», возникшие после ликвидации некоторых российских предприятий. А если учесть, что многие российские производители микроэлектроники, оставшиеся на плаву, частично оснащаются белорусским оборудованием, то вклад нашей страны в обороноспособность восточной соседки едва ли можно переоценить. Ракетные комплексы, радиолокационные станции, бортовые РЛС и головки самонаводящихся ракет истребителей и вертолетов, аппаратура орбитальных комплексов, средств радиолокационной борьбы, связи, подавления помех и многое другое без белорусской микроэлектроники были бы, по меньшей мере, не столь надежны.
Не случайно ведь соискатели Госпремии, как того требует процедура, попросили оценить свой труд именно российских разработчиков радиоэлектроники, и партнеры не поскупились на слова признательности. Например, в отзыве ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (Москва, Зеленоград) отмечается, что в работе им очень помогает «уникальный лазерный фотоакустический комплекс контроля качества и диагностики, разработанный в ГНПО «Планар», который позволяет определять внутреннюю структуру неразъемных соединений в изделиях микроэлектроники».
ОАО «Корпорация «Московский институт теплотехники» дает высокую оценку также созданному в Институте тепло- и массообмена НАН Беларуси атомно-силовому микроскопу, который позволил расширить возможности неразрушающего контроля в субмикронную (менее 0,6 микрометра) область.
Этот прибор, кстати, превосходящий зарубежные аналоги по наличию некоторых функциональных возможностей, «видит» очень своеобразно. Тончайшим зондом он ощупывает неровности, лежащие за пределами возможностей самой мощной оптики, и тут же рисует на экране монитора объемный портрет поверхности с разрешением вплоть до атомарного уровня. Для создателей микросхем это бесценная информация, так как от чистоты поверхности полуфабрикатов, поступивших на сборку, зависит то, как кристалл соединится с корпусом. Если на поверхности окажутся микровкрапления или следы обработки, недоступные для оптических методов контроля, то со временем начинается разрушение самого кристалла. А разрушился кристалл — и ракета, успешно прошедшая тестирование и хранившаяся в идеальных условиях, не взлетит.
Первый серийный образец микроскопа NT-206 прошел приемочные испытания в 2002 году, а сегодня производится уже 5 модификаций этого уникального прибора — под каждую из стоящих перед производственниками и исследователями задач. Точно так же может «индивидуализироваться» под заказ и все остальное оборудование для производства компонентов микроэлектроники — различные установки резки, утонения, отмывки и монтажа сверхтонких полупроводниковых пластин, установки ультразвуковой и термозвуковой сварки, герметизации, автоматы монтажа кристаллов и другая техника, которая может отличаться уровнем автоматизации, опциями и стоимостью.
По основным параметрам этот комплекс работ, позволивший увеличить выход годных изделий по сборочному производству, повысить их эксплуатационную надежность, ни в чем не уступает лучшим зарубежным аналогам. К тому же он ценен и другими качествами. Предложенные технологии решают проблемы снижения энергозатрат, улучшают условия и производительность труда, уменьшают экологическую нагрузку на окружающую среду.
Но главное — представленная на соискание Государственной премии работа вносит неоценимый вклад в обеспечение обороноспособности и технологической безопасности государства, вводит Беларусь в клуб стран, способных на самом высоком уровне развивать микроэлектронику, которую справедливо считают катализатором научно-технического прогресса и базисом устойчивого развития других отраслей промышленности. /Дмитрий Патыко/
Газета "Республика" (Беларусь) / 14.09.2012


"Росэлектроника" создаст в Москве научно-производственный кластер


Москва, 14 сен - РИА Новости. Холдинг «Росэлектроника», входящий в корпорацию «Ростехнологии», завершил первый этап создания в Москве научно-производственного кластера «НПО «Пульсар», сообщается в пресс-релизе холдинга.
«На первом этапе создания кластера, расположенного на востоке Москвы, завершена модернизация некоторых производственных площадей, открыт центр внедрения инновационных технологий, а также создан совместный с компанией Alcatel-Lucent центр по исследованиям и разработкам», - говорится в сообщении.
Основными направлениями промышленной деятельности кластера станут разработка и серийный выпуск кремниевых СВЧ электронных компонентов, модулей и комплексированных систем, сверхэнергоэффективных светодиодных осветительных устройств на нитридгаллиевых светодиодах, высокотехнологичных продуктов для телекоммуникационного оборудования, а также оборудования для интеллектуального управления энергозатратами в ЖКХ и промышленности.
«На единой инфраструктурно-производственной площадке кластера НПО «Пульсар» будут расположены пять действующих предприятий холдинга, работающих в схожих тематиках: государственный завод «Пульсар», предприятие «Оптрон», ОКБ «МЭЛЗ» и Центральное конструкторское бюро спецрадиоматериалов», - приводятся в сообщении слова генерального директора ОАО «Росэлектроника», члена Общественной палаты РФ Андрея Зверева.
Кластер позволит объединить потенциал РАН, российских вузов и компаний, занимающихся исследованиями и разработками. Так, уже подписано соглашение о сотрудничестве с национальным исследовательским ядерным университетом «МИФИ», отмечается в пресс-релизе.
Научно-инновационная часть кластера будет представлена СП Alcatel-Lucent и «Росэлектроники», компаниями малого бизнеса в сфере исследований и разработок, инновационными предприятиями на основе ЧГП. На территории кластера также разместится дополнительный офис института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН. На имеющейся экспериментальной базе нано-центра МИФИ будет создан научно-образовательный центр, аналогичные проекты планируется осуществить с МИРЭА и МИСиС. В состав комплекса также войдут центры подготовки кадров в области радиоэлектроники на базе интеграции профессиональных лицеев, училищ и колледжей.
http://vpk.name/news/18.09.2012


Разное


Китайская грамота, или Как нужно работать с китайскими поставщиками


Опытные люди, работающие в Китае много лет, однажды мне сказали: китайцы все равно вас обманут, вопрос только в том, на какую сумму. Если вы хорошо подготовились к переговорам, ваши потери будут меньше, если плохо, то больше.
Особенность состоит в том, что вы далеко не сразу поймете, что вас «накололи». Китайцы – отличные продавцы. Куда бы вы ни попали, вам будут продавать: сервис, продукцию, перспективы – все, что угодно. Однако вы никогда не узнаете точную цену на товар, если, конечно, сами не станете производить его на собственной фабрике. Та цена, которую вам называет китаец, скорее всего, завышена в несколько раз. При этом узнать диапазон реальных цен при переговорах практически невозможно. Вы можете попросить дисконт, но все равно проиграете, потому что наценка окажется не 300%, а 250%. Если вы будете сильно торговаться, то китаец просто предложит вам товар другого качества, не сообщив вам об этом. Название товара окажется тем же самым, однако продукт будет сделан из более дешевых материалов, а часть функций будет отсутствовать.
Я читал большое количество книг американских бизнесменов, которые вели бизнес в Китае. Очень многие из них разорились, потому что их «подставляли» китайцы. Все дело в том, что в китайском менталитете нет понятия win-win – взаимной победы, когда выигрывают обе стороны. Китайские предприниматели всегда тянут одеяло на себя. Когда вы ведете переговоры, нужно понимать, что другая сторона не хочет вам помочь, она хочет помочь только себе. При этом, и это еще одна особенность китайской культуры, никто не будет вести переговоры в откровенно жестком стиле. Все будет мягко, с улыбками и реверансами в вашу пользу. Но нужно понимать, что перед вами отпетый коммерсант, который преследует свой собственный интерес, а не ваш.
Всегда нужно помнить, что Китай во многом остается аграрной страной. Промышленное производство уже становится более цивилизованным, но люди, которые ведут малый бизнес, в большинстве своем выходцы из аграрной провинции, которые поглощены жаждой быстрой наживы точно так же, как «новые русские» в 1990-е годы в России. Пока я не нашел другого рецепта, кроме как работать с надежным китайским партнером, который создает буфер при работе с местными производителями. Это должна быть компания, которая ориентирована на работу с западными партнерами, имеет хороший сайт на английском и англоговорящий персонал. Наценка такого посредника на товар составит 10-20%, но без его помощи, боюсь, вас ожидают одни разочарования.
В Интернете часто пишут о том, что необходимо обязательно иметь в штате юриста-международника. На самом деле наш опыт общения с компаниями, работающими на китайском рынке, говорит о том, что контракт не имеет практически никакого значения. Если вы четко договорились, какого качества должен быть поставляемый товар, вы его получите. Но если вдруг возникнут юридические проблемы, отстоять свои права, особенно при работе с малым бизнесом, будет практически невозможно. Нанять юриста и вести судебное разбирательство будет намного дороже, чем сесть за стол переговоров и договориться о каких-либо доработках. Делать это имеет смысл лишь в том случае, если речь идет о суммах в несколько миллионов долларов.
В Китае нужно четко понимать, кто начальник. Ведя переговоры не с тем человеком, можно потратить много времени впустую и, казалось бы, обо всем договорившись, столкнуться с тем, что решение принимает совершенно другой персонаж. Подтвердилась и другая азбучная истина: очень редко переговоры переходят сразу в деловое русло. Когда мы ездили в Китай, мы специально «инвестировали» целую неделю в общение с нашим партнером. Нужно было сходить с ним на ужин, посмотреть город, поговорить о жизни и только потом приступать к разговору по делу. Со своим партнером я общаюсь каждую неделю, мы переписываемся по почте, говорим по телефону и скайпу – это очень плотный контакт. Ну и не стоит забывать о небольших ритуалах: визитку здесь принято передавать двумя руками, пристально смотря в глаза собеседнику. Все обстоит именно так, как об этом написано в книжках по китайскому деловому этикету. Я убедился в этом на практике.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/11.09.2012


Создан уникальный «спидометр» для лаборатории-на-чипе


Инженеры создали на кремниевом кристалле детектор, измеряющий скорости рекордно медленных потоков — менее 10 пиколитров в минуту.
Работа опубликована в журнале Physical Review Letters, а ее краткое содержание можно прочитать на сайте Американского физического общества.
Обычно скорость потока жидкостей в капиллярах измеряется при помощи флюоресцентных меток, за которыми наблюдают в микроскоп. Это, однако, требует наличия громоздкого оптического оборудования. Исследователи решили применить другой подход — использовать для измерения потока перенос электрического заряда между электродами, находящимися в жидкостном канале.
Авторы создали в кремнии микроскопический капилляр длиной в 5000 нм и шириной в 130 нм. В его полость были выведены три электрода, которые измеряли перенос электрических зарядов между стенками канала. Переносчиками выступали обычные ионы электролитов.

Скорость потока вычисляется на основе измерений трех электродов в микроканале. Изображение K. Mathwig et al., Phys. Rev. Lett., 2012

Из-за того, что объем канала был чрезвычайно мал (10 фемтолитров, т.е. 10-14 литра), то во время движения жидкости локальная концентрация электролитов постоянно колебалась. В соответствии с ней изменялась и проводимость между парами электродов, расположенных на входе и на выходе из канала. Измерив задержку в флуктуациях между этими парами электродов, физики смогли вычислить скорость потока жидкости.
Детектор оказался способен измерить скорости потока вплоть до 10 пиколитров (10-11 литра) в минуту. При такой скорости один миллилитр жидкости пройдет через капилляр примерно за 190 лет. Это самая медленная скорость потока, которую на данный момент удалось надежно измерить. Ранее этой же группе инженеров удалось при помощи подобного же метода детектировать в капилляре одиночную молекулу.
Разработка подобных детекторов требуется для создания лабораторий-на-чипе. Предполагается, что эти компактные устройства, принципы работы которых изучает микрогидродинамика (или микрофлюидика) будут способны детектировать следовые количества самых разнообразных веществ в очень маленьком объеме образцов.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.09.2012

Выставки/форумы


На Форуме «Живая электроника России» выступит Лев Шапиро


В качестве специально приглашенного докладчика на Форуме «Живая электроника России» выступит Лев Шапиро, CEO, Component Master Ltd., Израиль
Лев Шапиро, обладая более чем 35-летним опытом работы в различных областях электроники, имеет ученую степень Master Degree как инженер-электронщик и диплом специалиста в области патентной экспертизы. В течение более 15 лет Лев Шапиро занимался разработкой различных электронных устройств и систем, имеет 7 патентов. Последние 20 лет посвятил одной из наиболее актуальных областей электроники — элементной базе и правильному применению электронных компонентов.
До основания в 2003 г. собственной фирмы Component Master Ltd. Лев Шапиро был руководителем инженерного отдела электронных компонентов в нескольких компаниях высоких технологий. Фирма Component Master Ltd. оказывает консультационные услуги в области электронных компонентов и их правильного применения.
Лев Шапиро неоднократно выступал с докладами на различных семинарах и конференциях в нескольких странах — Израиле, Германии, Канаде, России и Китае. Он является автором многочисленных статей с практическими советами разработчикам об оптимальном проектировании электронных изделий о вопросах, связанных с влиянием современных требований  на элементную базу и электронику в целом. Перечисленные темы находятся в центре внимания также и в презентации Льва Шапиро на Форуме «Живая электроника России». 
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/17.09.2012


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014