ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 4(975) от  7 февраля 2013 года


Мировой рынок


Рынок полупроводников в 2013 г. готов к восстановлению


По данным аналитической компании Databeans (США), мировой рынок полупроводников ожидает долгосрочный подъем с совокупным среднегодовым темпом роста 9% за период с 2010 по 2018 гг.
Databeans заявляет, что хотя рост будет различным в разных регионах – Азиатско-Тихоокеанский регион и США будут лидировать, а Европа и Япония отставать, – полупроводниковая промышленность в 2013 г. продемонстрирует лучший рост и сохранит динамику в ближайшие годы.
Рынок во всех секторах оживает после вялого спроса, вызванного глобальной экономической неопределенностью, которая и сформировала слабый спрос в 2012 г., что привело к накоплению запасов готовых микросхем в течение прошлого года.
Databeans ожидает, что 2013 г. покажет стабильный рост продаж микросхем в размере 7% от 2012 г., который составил 313,04 млрд долл. Усредненные цены продаж стабилизировались, в частности, на память, а смартфоны и планшеты создают основной спрос на мобильные процессоры, микросхемы логики и NAND флеш-память.

Согласно прогнозу, наиболее сильным сегментом в 2013 г. будет рынок проводных коммуникаций (см. табл.), который вырастет на 15% и достигнет 32,5 млрд долл. Это также связано с постоянным расширением инфраструктуры дата-центров по всему миру.

Прогноз доходов мировой полупроводниковой промышленности по сегментам рынка (картинка кликабельна). Источник: Databeans Inc.

Рост сегмента беспроводной связи связан с намерением Китая развивать мобильную связь силами своих внутренних производителей, таких как Lenovo, ZTE и Huawei, нацелив рынок на пользователей с низкими доходами путем выпуска телефонов стоимостью около 1000 юаней (экв. 160 долл.). Наиболее слабый сегмент – компьютерный, – как ожидается, вырастет в 2013 г. на 4% процента, до 82,5 млрд долл.
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/06.02.2012


IC Insights: на китайском рынке ИС ожидается бум в 2017 году


По прогнозам IC Insights, среднегодовые темпы роста (CAGR) китайского рынка ИС за период 2012–2017 гг. составят 13%, а в 2017 г. на долю Китая придется 38% мирового рынка ИС.
Ожидается, что в пятилетний срок окупаемости CAGR полупроводникового рынка Китая превысит прогнозируемый темп роста мирового рынка ИС за тот же период, который составит в 8%. По данным аналитической компании, в 2014 г. объем продаж ИС на китайском рынке составит 100 млрд долл. США и при дальнейшем росте достигнет 150 млрд долл. в 2017 г.
Как считают аналитики, в 2017 г. на долю Китая придется 38% мирового рынка ИС, по сравнению с 31%, зафиксированным в 2012 г. и 23% в 2007 г.

Несмотря на то, что в 2012 г. доходы на китайском рынке ИС составили 81 млрд долл., всего лишь 11,2% проданных на региональном рынке микросхем были произведены внутри страны и, по словам аналитиков, к 2017 г. эта доля вырастет незначительно – до 13,1%.

Соотношение китайского рынка ИС и китайского производства ИС

В IC Insights отмечают, что следует очень четко разделять китайский рынок ИС и китайское производство ИС. Хотя Китай начиная с 2005 г. и стал крупнейшим потребителем микросхем, это вовсе не означает, что за этим последует незамедлительный рост объемов производства ИС внутри станы.
Прогнозируемое увеличение CAGR по выпуску ИС в Китае к 2017 г. достигнет 16,5%, что составит 19,5 млрд долл. на фоне 9,1 млрд в 2012 г. Но несмотря на стремительный рост, на долю Китая в 2017 г. придется лишь 5% от 389,3 млрд долл. прогнозируемых для общего мирового рынка ИС.
В 2012 г. SK Hynix, Intel и TSMC были единственными иностранными чипмейкерами, имеющими крупные производства в Китае. Производственные мощности китайского завода Hynix в 2012 г. превысили потенциал остальных заводов компании, а Intel продолжает наращивать производство своих 300-мм пластин на заводе в Даляне, что даст новый толчок к увеличению производства ИС в Китае в течение следующих нескольких лет.
Производство чипов на китайском заводе Intel было запущено в конце октября 2010 г. Установленная производительность для 300-мм продуктов достигла 30 тыс. пластин в месяц, с возможностью изготавливать до 52 тыс. пластин ежемесячно.
Кроме того, в Samsung Electronics сообщили о том, что компания получила одобрение от правительства Южной Кореи на выпуск NAND-памяти на 300-мм подложках на заводе в городе Сиань в Китае. В сентябре 2012 г. состоялась церемония закладки первого камня завода Samsung в Сиане. Первую партию продукции на заводе планируется выпустить в первой половине 2014 г.
Как отмечают в IC Insights, исторически сложившаяся ситуация с отсутствием надежной защиты интеллектуальной собственности стала основным сдерживающим фактором для иностранных компаний, которые стремятся открыть в Китае передовые заводы по производству ИС. И китайский завод Samsung по производству NAND флеш-памяти на 300-мм пластинах, который откроется в 2014 г., станет, по сути, первым передовым производством ИС в стране, работающим по самой современной технологии.
В IC Insights полагают, что Китай будет по-прежнему рассчитывать на иностранных поставщиков ИС. По крайней мере, 70% от объема выпускаемой продукции в Китае в 2017 г. поступит от таких компаний, как Hynix, Intel, Samsung и TSMC. Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/06.02.2013


Fujitsu и Panasonic объединят усилия в производстве полупроводников


Ещё в октябре прошлого года были озвучены планы японской правительственной инвестиционной корпорации INCJ по реформированию национального производителя полупроводников Renesas, которого наряду с другими подкосил экономический кризис. Предполагалось, что подразделение System LSI будет объединено с аналогичными структурами Fujitsu и Panasonic, выпускающими микросхемы для потребительской электроники.
Как сообщает информационное агентство NHK, в марте 2014 года Fujitsu и Panasonic собираются объединить свои подразделения System LSI, чтобы совместными усилиями разрабатывать и выпускать микросхемы для сектора потребительской электроники. Финансирование сделки будет частично обеспечено государственным банком Японии. Дальнейшие инвестиции в совместное предприятие со стороны японских властей могут достигнуть в размере нескольких сотен миллионов долларов.
Ожидается, что Fujitsu и Panasonic также будут сотрудничать в сфере System LSI с тайваньской компанией TSMC. Очевидно, разработанные японскими инженерами микросхемы будут выпускаться на мощностях TSMC, поскольку "натуральное хозяйство" в современных условиях японской экономики себя полностью дискредитировало. Компания Fujitsu заявила, что опубликованная выше информация не была основана на официальных комментариях, и пока ей нечего сказать по существу данной сделки. www.overclockers.ru/hardnews/02.02.2013


Российская микроэлектроника


«Ситроникс» зачистили перед возрождением: уволен президент и топ-менеджеры


«Ситроникс» покинули последние топ-менеджеры, включая президента Сергея Асланяна. Но сам «Ситроникс» будет возрожден АФК «Система» в виде холдинга, ориентированного на ГЛОНАСС-продукцию.
Концерн «Ситроникс» сообщил об уходе своего президента Сергея Асланяна. Вместе с ним компанию покинули вице-президент по корпоративным коммуникациям Ирина Ланина и вице-президент по стратегии Оксана Ковалевская. Временно исполнять обязанности главы компании будет и.о. вице-президента по финансам Евгений Тарасов.
За последние полгода «Ситроникса» покинуло почти все руководство. Сейчас в штаб-квартире остаются только Тарасов и его помощники, говорит источник в компании. Между тем сам Асланян заявил, что его уход связан с планами контролирующего акционера АФК «Система» возродить «Ситроникс» с фокусировкой на новые виды деятельности. О своем дальнейшем трудоустройстве он не говорит.
«Ситроникс» взял свое начало в 90-х годах, когда АФК «Система» консолидировала ряд зеленоградских предприятий, в частности, микроэлектронный завод «Микрон» и крупнейший на тот момент контрактный сборщик компьютеров «Квант», в холдинг «Концерн Научный центр».
В 2000-х гг. холдинг активно расширял сферу деятельности, покупая новые активы. В частности, были приобретены греческий производитель телекоммуникационного оборудования Intracom Telecom, чешский поставщик программного обеспечения для операторов связи Strom Telecom, украинская ИТ-компания «Квазар-Микро». Также был начат выпуск потребительской электроники под брендом Sitronics.
В 2007 г. компания была переименована в «Ситроникс» и провела IPO на Лондонской фондовой бирже, однако так и не смогла выйти на безубыточность. Кроме того, у «Ситроникса» последовательна росла зависимость от заказов со стороны МТС и других предприятий АФК «Система». В последние два года на них приходилось около половины выручки «Ситроникса».
В связи с этим «Ситроникс» стал избавляться от активов: были продана дистрибуция ИТ-товаров, закрыты направления офшорного программирования, потребительской электроники и контрактной сборки. Компания вела переговоры о продаже Intracom Telecom. В 2011 г. контрольный пакет акций «Ситроникса» отошел к РТИ — принадлежащему АФК «Система» холдингу, специализирующемуся на производстве средств связи для военных.
В прошлом году РТИ консолидировал все акции компании и провел ее делистинг с фондовых бирж. После этого начался раздел «Ситроникса»: подразделение системной интеграции вместе с Strom Telecom были отданы компании «Энвижн Групп», более 50% акций которой взамен отошли к РТИ.
Теперь в РТИ должен быть передан завод «Микрон», после чего у «Ситроникса» останутся блокпакет акций Intracom Telecom и ряд зеленоградских активов («Квант», «Элион» и «Элакс»), на которых в настоящее время нет активного производства. Ранее рассматривался вариант превращения этих заводов в склады либо в таможенный терминал.
Но при текущей ситуации им должны найти другое применение, ведь, как сказал недавно основной владелец АФК «Система» Владимир Евтушенков, в новый «Ситроникс» будет передан контролируемый АФК «Система» оператор навигационных услуг «НИС Глонасс». Источник в компании объясняет уход последних управленцев тем, что «такое количество преобразований трудно пережить».
Недавний переход Евгения Примакова из НИС ГЛОНАСС в «Ситроникс» полностью согласуется с этими перестановками.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/01.02.2013


«Микрон» провел заседание Межведомственного Совета главных конструкторов по ЭКБ


ОАО «НИИМЭ и Микрон», крупнейший в России производитель чипов для смарт-карт, RFID и промышленной электроники, входящий в отраслевой холдинг РТИ, провел заседание Межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе.
В Совете приняли участие представители Минпромторга, Центра специальной техники ФСБ России, Госкорпорации «Ростехнологии», ГК «Росатом», ОАО «Российские космические системы», руководители крупнейших отечественных микроэлектронных предприятий, ученые ведущих научно-исследовательских центров.
Участники обсудили государственную программу развития электронной промышленности до 2025 года, разработали предложения по корректировке федеральной целевой программы развития ЭКБ и радиоэлектроники на 2008-2015 годы.
Отдельное внимание было уделено вопросу производства пассивной электронной компонентной базы. «В настоящее время в РФ импортируется около 80% пассивной ЭКБ. Зависимость от иностранных производителей не только является угрозой национальной и технологической безопасности государства, но и, в конечном счете, может в дальнейшем привести к уменьшению объемов российского рынка микроэлектроники. В связи с этим в России необходимо создавать микроэлектронику замкнутого цикла, поддерживать на государственном уровне отечественных микроэлектронных производителей. Одним из инструментов поддержки может стать программа комплексного развития ЭКБ, а также предоставление налоговых и финансовых льгот предприятиям», - отметил Председатель совета директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон», Руководитель Межведомственного Совета главных конструкторов по ЭКБ, Академик РАН Г.Я. Красников. «Mikron.sitronics.ru»
http://rosrep.ru/news/30.01.2013


Государство продаст акции «Микрона» с аукциона


Росимущество выйдет из состава акционеров крупнейшего российского производителя микроэлектроники «НИИМЭ и завод Микрон».
Согласно распоряжению правительства, с которым ознакомились «Известия», все принадлежащие государству в лице Росимущества акции «Микрона» должны быть проданы на аукционе, а в случае признания его несостоявшимся – путем публичного предложения (оферты). На сегодня госдоля в «Микроне» составляет 10,18%, основной акционер – «Ситроникс», входящий в АФК «Система», – владеет 80,35% акций «Микрона». Росимуществу поручено заключить с «Российским аукционным домом» агентский договор по проведению оценки принадлежащей государству доли в «Микроне» и ее продаже.
«Микрон» является одним из крупнейших в стране производителей полупроводниковой продукции. На предприятии освоено производство микросхем с топологическим размером 90 нм, на основе которых с недавнего времени выпускаются чипы для биометрических загранпаспортов. Кроме того, продукция «Микрона» применяется для изготовления микрочипов, используемых в SIM-картах для мобильных телефонов, банковских картах и других электронных изделиях.
Несмотря на расширение производства и поиски новых рынков для своей продукции, «Микрон» остается убыточным, причем убытки компании растут. В 2011 г. чистый убыток «Микрона» составил 1,67 млрд рублей против 465 млн рублей в 2010 г. При этом выручка компании увеличилась в 2011 г. до 5,26 млрд рублей по сравнению с 4,57 млрд рублей годом ранее. Во втором полугодии 2012 г. чистый убыток также был больше прошлогоднего: он составил 762 млн рублей, превысив прошлогодний уровень на 140 млн рублей.
Получение доступа к рынку микрочипов для паспортов будет способствовать увеличению выручки «Микрона», так как этот государственный заказ позволит предприятию дополнительно продать 3,5 млн микрочипов в год. Однако это вряд ли сильно скажется на величине убытка компании.
Решение о скорой продаже государственной доли в «Микроне» оказалось достаточно неожиданным для участников рынка, потому что недавно «Микрон» осуществил дополнительный выпуск акций в пользу основных акционеров, часть которого должно выкупить государство, доведя свою долю примерно до 14%. Размещение этого выпуска, как сказали «Известиям» в АФК «Система», планировалось завершить в ближайшие дни.
Потенциального покупателя продаваемых государством акций «Микрона» сейчас назвать сложно. Претендентов на долю в предприятии, которое уже много лет убыточно, вряд ли будет много. В АФК «Система» не сообщают о планах выкупить у государства его долю в «Микрон».
Представитель одного из основных конкурентов «Микрона» – концерна «Ангстрем» – затруднился прокомментировать возможность покупки у государства миноритарной доли в «Микроне», сказав, что этот вопрос зависит от решения акционеров «Ангстрема».
Тем временем практические шаги по продаже государством акций «Микрона» должны начать предприниматься уже в ближайшее время: распоряжение правительства предусматривает передачу Росимуществом «Российскому аукционному дому» необходимых для продажи документов в течение месяца.
Государство в лице «Росимущества» стало приобрело 10,18% акций «Микрона» в 2007 году. Стоимость сделки с АФК «Система» составила тогда около 10,5 млн долл.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/russianmarket/doc/62456/07.02.2013


Роснано передумала инвестировать 300 млн руб. в центр 3D-сборки микросхем


Амбициозный инвестпроект Роснано по созданию в Воронеже технологического центра трехмерной сборки микросхем закрыт. Предприятие, на базе которого планировалось развернуть инновационное производство, продолжает фокусироваться на выпуске электроники спецназначения.
О закрытии проекта по созданию в России технологического центра трехмерной (3D) сборки микросхем, ранее утвержденного к финансированию, но не проинвестированного со стороны Роснано, было объявлено на заседании совета директоров корпорации.
Основанием «стало снижение инвестиционной привлекательности, а также недостижение договоренностей по условиям финансирования», сообщили в Роснано, не пояснив детали.
Одобрение наблюдательного совета Роснано на финансирование центра 3D-сборки было получено в конце 2009 г. Производство должно было расположиться на базе «Воронежского Завода Полупроводниковых Приборов – Сборка» (ВЗПП-С). Общий бюджет реализации проекта оценивался в 1,57 млрд руб. Роснано планировала инвестировать до 300 млн руб.
«Технология трехмерной сборки кристаллов является одним из наиболее перспективных методов, позволяющих снижать размеры микросхем за счет повышения плотности упаковки, увеличивать пропускную способность соединений внутри кристалла и уменьшать его энергопотребление», - говорили тогда в Роснано.
«В результате применения данной технологии появляется возможность совмещения в одном корпусе произведенных по различным технологиям цифровых и аналоговых схем, памяти и микроэлектромеханических систем. 3D сборка позволяет повысить надежность и продолжить снижение себестоимости микроэлектронных изделий», - отмечалось в обосновании.
В 2008 г. мировой рынок 3D сборки составил $1,3 млрд, к 2012 г. должен был увеличиться в 5 раз, а в 2015 г., по прогнозам, озвученным Роснано, достичь объема в $42 млрд. Продажи воронежского центра к 2015 г. в сегменте изделий 3D сборки на мировом рынке должны были составить 992 млн руб., а на российском – 1,13 млрд руб.
Результаты проекта должны были позволить обеспечить российских производителей электроники компонентной базой, созданной с использованием передовой технологии сборки, снизить себестоимость продукции и уменьшить зависимость от импорта, рассчитывали в Роснано.
В годовых отчетах ВЗПП-С совместный с Роснано инвестпроект упоминается лишь один раз - в 2010 г., когда предприятие организовало обучение 26 молодых специалистов «в соответствии с образовательной программой …, ориентированной на инвестиционные проекты ГК «Роснанотех» по созданию технологического центра 3D сборки с производством электронных наноматериалов и 3D изделий». На вопросы CNews о перспективах проекта в связи с отказом Роснано его финансировать представители предприятия не ответили.
Выручка ВЗПП-С в 2011 г. составила 762,7 млн руб. против 834,9 млн руб. в 2010 г., чистая прибыль также сократилась с 81,7 млн руб. в 2010 г. до 65,5 млн руб. в 2011.
Более 97% продукции, выпущенной ВЗПП-С в 2011 г., это электроника спецназначения, следует из отчетности предприятия. «Выпуск отдельных изделий общепромышленного применения в основном является убыточным, в связи с жесткой конкуренцией на рынке с отечественными производителями, а также доступностью практически любых современных импортных электронных компонентов», - сказано в документе.
Напомним, что недавно Роснано также объявила о закрытии инвестпроекта по разработке, производству и продвижению на рынок семейств спутниковых навигационных приемников ГЛОНАСС/GPS компании «Геостар Навигация». Тогда в качестве причины назывался отказ заявителями от ранее утвержденной советом директоров госкорпорации структуры сделки.
www.cnews.ru/top/2013/02/06/rosnano_peredumala_investirovat_300_mln_rub_v_centr_3dsborki_mikroshem_518148


Наука и технологии


Разработан трёхмерный дизайн микросхем


Учёные из Кембриджа совершили прорыв в микроэлектронике, о чём появилась соответствующая заметка на сайте университета. Они создали первую в мире 3d микросхему, в которой данные распространяются во всех трёх измерениях. Поясним. Ранее микросхемы имели плоский дизайн, а для уменьшения площади кристалла, её делали многослойной, или же применяли технологию чип-на-чипе. Разработка о которой идёт речь позволяет сигналу перемещаться по всему объёму микросхемы без ограничений.
Добиться этого удалось благодаря применению спинтроники – сигнал внутри микросхемы передаётся не электронами, а их спиновым состоянием. Внутренняя структура микросхемы-многослойная. Слои кобальта и платины отвечают за хранение данных, а рутений осуществляет передачу сигнала между слоями. Толщина каждого слоя-всего несколько атомов. Доктор Реинноуд Лэвриджсэн (Reinoud Lavrijsen) – один из авторов разработки, сравнил современные процессоры с одноэтажными бунгало, заявив, что теперь можно будет строить "лестницы". Данная технология позволит существенно расширить площадь микросхем, и у неё есть шансы стать промышленным стандартом.
www.overclockers.ru/hardnews/06.02.2013


Программное обеспечение


Правительство запускает Национальный фонд ПО. Разработчики критикуют


Будущий национальный репозиторий ПО, постановление о запуске которого подписал Дмитрий Медведев, вызвал вопросы у разработчиков. Их смущает отсутствие упоминаний в документе свободных лицензий и невозможность использовать национальное ПО коммерческими организациями.
1 июля 2013 г. в России должен начать работу Национальный фонд алгоритмов и программ (ФАП). Это следует из постановления правительства, подписанного премьер-министром Дмитрием Медведевым.
Согласно постановлению, ФАП будет представлять собой информационную систему, в которую будет вноситься ПО, созданное или приобретенное на средства федерального бюджета и на деньги государственных фондов. Заказчиком и оператором фонда станет Министерство связи и массовых коммуникаций.
Смысл создания ФАП состоит в обеспечении доступа органов власти к ПО, ранее приобретенному на государственные средства. Согласно правительственным документам, доступ к фонду для поставщиков и потребителей будет бесплатным.
Как указано в постановлении правительства, после 1 июля 2013 г. федеральные органы исполнительной власти и внебюджетные фонды (Фонд социального страхования, ПФР и ФОМС) будут должны при внедрениях и модернизации ИТ-инфраструктуры использовать разработки, размещенные в ФАП. Предполагается, что это приведет к экономии бюджетных затрат при разработке или модернизации ПО для органов власти.
Иным организациям, в том числе администрациям российских субъектов, использование ПО из фонда алгоритмов и программ будет рекомендовано, но не станет обязательным.
Помимо собственно программ в ФАП должны передаваться их исходные коды, алгоритмы, а также проектная, техническая, сопроводительная и методическая документации.
Порядок формирования ФАП, как ожидается, будет утвержден к 1 мая 2013 г.
Дмитрий Медведев подписал постановление о Национальном фонде программ
Генеральный директор компании-разработчика «Альт Линукс» Алексей Смирнов указывает, что в документе не раскрыты два фундаментальных вопроса.
Первый из них - это описанный в Положении механизм управления правами, говорит Алексей Смирнов. В п. 5.б указано, что обладателями исключительных прав на объекты фонда, включая воспроизведение, распространение и модификацию, являются Российская Федерация или, в случае, если программа передана в фонд федеральным субъектом, субъект федерации.
То есть государство при размещении объекта в фонде имеет достаточные права для распространения, но ограничивается распространением только для государственных органов, внебюджетных фондов и органов местного самоуправления. Но даже госкорпорации и госпредприятия, не говоря уже о простых налогоплательщиках (бизнесе и гражданах), не получают доступа к фонду и не получают прав на использование разработанного на деньги налогоплательщиков ПО.
«Почему бы тому, что создано на деньги налогоплательщиков, не быть доступным гражданам и бизнесу?» - удивляется директор «Альт Линукс».
Свободное распространение кода программ из фонда было бы большим плюсом для участников рынка разработки ПО, говорит Алексей Смирнов: при последующих госзаказах на ПО для госорганов они по крайней мере видели бы, что именно им предлагают разрабатывать и поддерживать.
Кроме того, полагает Смирнов, открытая публикация исходных кодов программ из фонда стала бы неплохой антикоррупционной мерой, позволяя желающим оценить качество разработки ПО для госорганов.
Вторым важным недостатком Положения о фонде Алексей Смирнов называет отсутствие в нем процедуры проверки соответствия исходного и бинарного кода программ, помещаемых в ФАП. «Согласно документу оператор фонда Минкомсвязи проверяет только правильность бумаг на ПО, в то время как логично было бы проверять, можно ли собрать из представленного кода представленную программу в эталонной сборочной среде или в среде, предоставленной исполнителем работ».
Гендиректор компании «Логика бизнеса» (ГК «Айти») Мария Каменнова напоминает, что всесоюзный Фонд алгоритмов и программ, куда программисты должны были сдавать свои разработки, под тем же названием существовал во времена СССР.
При создании российского ФАП, по ее словам, «дьявол будет в деталях»: среди тонких мест проекта она также называет возможность использования хранящегося в фонде ПО коммерческими структурами и другими организациями, не входящими в число органов власти.
Стоит напомнить, что разработка документов, регламентирующих размещение ПО в фонде алгоритмов и программ, была одной из задач госзаказа на создание компонентов Национальной программной платформы в 2011 г., который выполняла компания «Пингвин софтвер».
К моменту публикации этого материала Минкомсвязи не смогло ответить, в какой мере те наработки будут использоваться при запуске ФАП летом 2013 г.
www.cnews.ru/top/05.02.2013


Аналитика/Прогнозы


Россия заняла 14-е место в рейтинге инновационности стран мира


Россия заняла 14-е место в рейтинге инновационности, опередив Канаду, Великобританию, Австралию и многие другие государства.
Агентство Bloomberg составило список самых инновационных государств в мире Global Innovation Index, который включил 50 стран.
В процессе анализа 200 государств и суверенных территорий аналитики агентства учли семь факторов: R&D intensity, productivity, high-tech density, researcher concentration, manufacturing capability, tertiary efficiency и patent activity. Источниками данных стали Всемирный банк, Всемирная организация интеллектуальной собственности, организация The Conference Board, Организация экономического сотрудничества и развития и UNESCO.
R&D intensity - объем средств в процентном отношении к валовому внутреннему продукту (ВВП), который государство направляет на исследования и разработки (вес - 20%). Productivity - ВВП в расчете на час рабочего времени (20%). High-tech density (20%) - процентная доля публичных высокотехнологичных компаний среди всех публичных компаний в государстве (включая компании из аэрокосмической отрасли, оборонные предприятия, биотехнологические компании, компании, занимающиеся разработкой программного обеспечения, выпуском полупроводников, возобновляемыми источниками энергии, интернет-услугами и интернет-ПО).
Показатель Researcher concentration (20%) - это количество научных работников на один миллион жителей. Manufacturing capability (10%) - добавленная стоимость производства в процентном отношении к ВВП. В свою очередь, фактор tertiary efficiency (5%) учитывает посещаемость в высших учебных заведениях, процент дипломированных специалистов от общего объема набора и долю дипломированных специалистов в общем объеме работающего населения в государстве, а patent activity (5%) - количество патентов, подаваемых местными компаниями в расчете на миллион жителей и в расчете на $1 млн средств, потраченных на научно-исследовательскую деятельность.
Места с 1 по 10 в рейтинге инновационности Global Innovation Index заняли США, Южная Корея, Германия, Финляндия, Швеция, Япония, Сингапур, Австрия, Дания и Франция.
Россия заняла 14 место, между Норвегией (13) и Бельгией (15). Позиции страны по отдельным показателям можно увидеть в таблице ниже. Самые слабые позиции Россия продемонстрировала по показателям производительности труда (Productivity, 41) и вклада производства в ВВП (Manufacturing capability, 39), самые сильные - по доле публичных хай-тек компаний (High-tech density, 2) и доле дипломированных специалистов (tertiary efficiency, 2).
Bloomberg Global Innovation Index


Страна

Общее место

R&D intensity

Produ- ctivity

High- tech

Resear- cher

Manufa- cturing

Tertiary efficiency

Patent activity

США

1

9

3

1

10

52

26

6

Южная Корея

2

5

32

3

8

3

4

1

Германия

3

8

7

4

17

23

25

7

Финляндия

4

2

14

11

1

31

3

23

Швеция

5

3

11

6

7

49

21

38

Япония

6

4

21

20

6

15

27

2

Сингапур

7

11

20

16

4

10

20

53

Австрия

8

10

9

14

15

29

28

19

Дания

9

6

12

18

3

66

30

20

Франция

10

14

6

8

18

73

12

18

Нидерланды

11

18

4

5

26

60

51

40

Ирландия

12

21

8

19

21

7

9

32

Норвегия

13

20

2

13

5

81

39

27

Россия

14

29

41

2

24

38

2

8

Бельгия

15

15

5

15

20

55

31

63

Люксембург

16

22

1

12

9

84

53

55

Канада

17

16

15

25

11

67

1

46

Великобритания

18

19

13

23

16

69

17

11

Словения

19

17

23

34

19

19

24

12

Исландия

20

12

16

-

2

54

38

39

Швейцария

21

7

17

10

22

-

34

45

Австралия

22

13

10

37

14

80

22

54

Чешская Республика

23

24

30

26

28

11

36

41

Италия

24

28

19

22

34

36

56

25

Португалия

25

23

34

27

13

57

43

62

Венгрия

26

32

35

21

31

16

59

36

Испания

27

27

18

63

25

53

13

50

Новая Зеландия

28

30

25

41

12

-

11

3

Китай

29

25

67

9

40

6

66

4

Польша

30

44

36

17

36

30

35

13

Эстония

31

26

39

-

23

46

29

48

Израиль

32

1

24

7

-

-

7

41

Литва

33

39

37

-

29

43

10

56

Словакия

34

54

29

-

30

20

40

35

Хорватия

35

40

33

52

38

37

45

31

Гонконг

36

41

22

24

27

89

32

75

Турция

37

38

38

46

45

26

49

49

Малайзия

38

48

42

30

56

4

23

30

Мальта

39

50

26

33

41

63

67

61

Тунис

40

33

59

40

32

24

58

-

Греция

41

49

28

36

33

-

15

24

Украина

42

37

69

47

39

34

6

17

Болгария

43

51

48

49

37

33

44

37

Латвия

44

58

43

28

35

72

50

9

Аргентина

45

53

40

-

43

13

55

57

Румыния

46

55

53

53

44

9

52

14

Иран

47

42

50

-

48

74

18

22

Македония

48

74

45

28

52

28

63

33

Беларусь

49

46

47

-

-

2

5

5

Южная Африка

50

35

56

35

54

50

95

68

www.cnews.ru/top/2013/02/06/rossiya_zanyala_14e_mesto_v_reytinge_innovacionnosti_stran_mira_518140/


Разное


Toshiba представила новую флэш-память Nano Flash-100



Корпорация TOSHIBA, отвечая на современные тенденции развития микроэлектроники, разработала технологию NANO FLASH, с использованием технологий NAND и NOR.
Сегодня TOSHIBA огласила, что разработала флешь-память, у которой доступ к встроенному микроконтроллеру в сто раз быстрее, чем в прежних разработках корпорации по технологии NANO FLASH.
В случае Nano Flash-100 произвольный доступ при работе на частоте 100 МГц осуществляется без тактов ожидания, что является лучшим показателем в отрасли. Новая память унаследовала у Nano Flash сверхмалое энергопотребление.
Первым продуктом Toshiba с флэш-памятью Nano Flash-100 станет микроконтроллер TMPM440F10XBG. Запланирован выпуск и других изделий на архитектур ARM. Источник: itword.org
http://newsland.com/news/05.02.2013


Россия создаст соцсеть для электронщиков и айтишников


Рабочая группа должна предложить юридическое оформление и форму участия государства в создаваемой индустриальной соцсети, а также проработать необходимые изменения в законодательство.
Рабочая группа для проработки стратегии создания промышленной социальной сети для разработчиков в области микроэлектроники, телекоммуникаций, машиностроения, биотехнологий и ряда других высокотехнологичных отраслей будет образована в феврале, сообщил в понедельник председатель Комитета ГД по информационной политике, информационным технологиям и связи Алексей Митрофанов.
«В ближайшее время должна быть создана рабочая группа, которая всесторонне изучит вопрос и даст соответствующие рекомендации», — заявил Митрофанов на совместном заседании Комитета Государственной Думы по информационной политике, информационным технологиям и связи, а также Комитета Совета Федерации по бюджету и финансовым рынкам. В рамках проекта предполагается создать глобальную инфраструктуру, которая поможет разработчикам со всего мира взаимодействовать на различных этапах создания продуктов.
Рабочая группа должна предложить юридическое оформление и форму участия государства в создаваемой индустриальной соцсети, а также проработать необходимые изменения в законодательство. По словам первого заместителя председателя Комитета СФ по бюджету и финансовым рынкам Владимира Петрова, из уже существующих федеральных целевых программ на создание социальной сети для разработчиков может быть выделено 20–30 миллиардов рублей.
Один из инициаторов идеи, председатель совета директоров «Центра электронных технологий» (ЦЭТ) Евгений Бабаян говорит, что сегодня лишь немногим очень крупным корпорациям по силам создать собственное облако для разработчиков, большинству компаний даже международных подобное не по карману. «Мы можем стать лидерами на рынке создания сред для разработчиков. Однако действовать надо быстро, у нас есть максимум полтора-два года», — сказал Бабаян.
ЦЭТ был создан в 2012 году для стимулирования разработчиков в области микроэлектроники Фондом «Сколково», «Роснано», «Ростелекомом», Российской венчурной компанией, ITFY в сотрудничестве с IBM. Источник: РИА Новостиwww.russianelectronics.ru/engineer-r/news/05.02.2013


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014