ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 11(982) от 18 апреля  2013 года


Мировой рынок


IC Insights: Qualcomm и Globalfoundries лидируют в рейтинге роста п/п-продаж


В целом, продажи 25 ведущих полупроводниковых компаний снизились на 1%, но лидеры показали рост более 30%.
Рейтинг 25 наибольших в мире полупроводниковых компаний, составленный аналитической компанией IC Insights по итогам продаж, включая оптоэлектронику, датчики и дискретные устройства, показал, что Globalfoundries увеличила продажи на 31% а Qualcomm на 30%. Qualcomm прорвался в пятерку лидеров (смотрите таблицу ниже).
Фаундри-компания TSMC осталась на третьем месте, но увеличила продажи на 18%, приблизившись к Samsung и Intel, у которых продажи снизились. Хотя и Samsung и Intel делают только первые шаги в фаундри бизнесе, первую компанию потянули вниз продажи памяти, а вторую – продажи процессоров на увядающем рынке ПК.
В целом, продажи 25 ведущих полупроводниковых компаний снизились на 1% в 2012 г., на 2% меньше, чем 3%-ное снижение мирового рынка полупроводников в целом.
Географически, в топ-25 входят 10 производителей с центральными офисами в США, 7 – в Японии, 3 – на Тайване, 3 – в Европе, и 2 – в Южной Корее.


Рейтинг 25 ведущих производителей полупроводников по объему продаж в 2012 г. (в млн долл., включая фаундри)

Колонки таблицы:  Рейтинг 2012 г.; Рейтинг 2011 г.; Наименование компании; Местонахождение центрального офиса; Объем продаж ИС; Объем продаж оптоэлектроники, датчиков и дискретных элементов (O-S-D), Объем продаж полупроводников в целом. Последняя колонка: изменение объема продаж от года к году.

Те же компании в другом порядке, рейтинг по годовому росту

IC Insights также предоставила рейтинг тех самых 25 компаний по значению годового роста (смотрите таблицу 2). Примечательно, что нижние строки рейтинга заняты компаниями, пережившими двузначный спад продаж, включая некоторые Европейские и Японские компании.
Любопытно, что GlobalFoundries с показателем роста продаж 31% и AMD со спадом 17% находятся в противоположных концах рейтинга за 2012 г. AMD была основателем Globalfoundries и была ее главным заказчиком. IC Insights расценивает этот успех как показатель того, что Globalfoundries удалось привлечь и других заказчиков, таких как STMicroelectronics, Freescale, Qualcomm и других.
Включение фаундри в подобные рейтинги является дискуссионным, потому как это означает, что некоторые продажи учтены дважды – от фаундри к фаблес-компании и затем от фаблес-компании к заказчику. Однако IC Insights заявила, что в ближайшем обновлении The McClean Report также будут представлены рейтинги рыночной доли производителей ИС по видам продукции, и фаундри будут исключены из этих рейтингов.


Рейтинг 25 ведущих производителей полупроводников по значению годового роста продаж в 2012 г. (в млн долл., включая фаундри).

Колонки таблицы: Рейтинг 2012 г.; Наименование компании; Местонахождение центрального офиса; Объем продаж ИС; Объем продаж оптоэлектроники, датчиков и дискретных элементов (O-S-D), Объем продаж полупроводников в целом. Последняя колонка: изменение объема продаж от года к году

www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/10.04.2013

 


IC Insights: лишь 25% чипов в мире производятся по технормам менее 40 нм


До сих пор около 22% мировых мощностей предназначено для п/п-технологий с нормами от 80 нм до 0,2 мкм, к которым относятся поколения техпроцессов 90 нм, 0,13 и 0,18 мкм! Категория >0,4 мкм занимает большую часть всех мощностей, несмотря на то, что она существует уже более полутора десятка лет.
Более четверти мощностей по производству подложек в мире предназначены для техпроцессов точнее 40 нм, сообщает IC Insights.


Лидеры производственных мощностей с наименьшими технормами на декабрь 2012 г. (Рейтинг по доле от всего смонтированного оборудования в мире, в эквивалентной мощности для 200-мм пластин). Столбцы: >0,2 мкм («крупноэлементный» техпроцесс); 80–200 нм («отработанный» техпроцесс); 40–80 нм («отстающий» техпроцесс); ?40 нм («передовой» техпроцесс).
* Учтена доля мощностей совместных предприятий.

В конце 2012 г. около 27% мировых мощностей по производству пластин с чипами были заняты для выпуска компонентов по техпроцессам с нормами менее 40 нм. К этим компонентам относятся DRAM высокой плотности (обычно от 30 до 20 нм), флэш-память высокой плотности на основе техпроцессов от 20 до 10 нм, высокопроизводительные микропроцессоры и передовые ASIC/ASSP/FPGA компоненты на основе техпроцессов 32/28 или 22 нм.
Около 22% мировых мощностей предназначено для сегмента от 80 нм до 0,2 мкм, к которому относятся поколения техпроцессов 90 нм, 0,13 и 0,18 мкм  – «отработанные» техпроцессы, широко используемые «чистыми фаундри», включая TSMC, UMC, GlobalFoundries, SMIC и TowerJazz для производства широкого спектра продукции своей разноплановой клиентской базы.
Наименее распространенные технологии, во всяком случае, по доле от всех установленных мощностей, заняты техпроцессами от 80 до 60 нм (по сути, поколение 65 нм) и от 0,4 до 0,2 мкм (по сути, поколения 0,25 и 0,35 мкм).
Следует отметить, что категория >0,4 мкм занимает большую часть всех мощностей, несмотря на то, что она существует уже более полутора десятка лет с появления на тот момент передового техпроцесса 0,5 мкм. Основной причиной этого является то, что огромное количество компонентов широкого применения, таких как стандартные аналоговые компоненты и логика общего назначения, производятся на хорошо отлаженных техпроцессах с нормами, большими 0,4 мкм. К тому же, для высоковольтных интегральных схем требуются техпроцессы с крупной геометрией.
Samsung, Intel, Toshiba/SanDisk, SK Hynix и Micron возглавляют список компаний с наибольшими объемами самых современных производственных мощностей.
Крупнейшими владельцами мощностей с нормой техпроцесса более 0,2 мкм являются несколько производителей аналоговых и аналогово-цифровых микросхем.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/12.04.2013

 


Gartner: Qualcomm и Broadcom поднялись в рейтинге производителей микросхем


По данным исследовательской компании Gartner, чипмейкеры Qualcomm и Broadcom показали значительный рост продаж в 2012 г. и улучшили свои позиции в десятке производителей микросхем с наибольшими продажами.
Эти две компании, разместившись на третьей и девятой позиции соответственно, присоединились ко второй в рейтинге Samsung и составили тройку компаний, у которых наблюдался рост продаж. Все остальные, включая лидера рынка Intel, переживают спад продаж вместе с уменьшением мирового рынка до 299,9 млрд долл., что на 2,6% меньше от 307,8 млрд долл. в 2011 г., как информирует Gartner.
Qualcomm подскочил на три позиции став третьим, а Broadcom на одну позицию и стал девятым (смотрите таблицу ниже). Обе компании – бесфабричные (fabless) производители интегральных схем. Gartner не включает фаундри в свой рейтинг, в отличие от IC Insights.
Gartner сообщает, что доходы 25 наибольших полупроводниковых производителей снизились несколько быстрее – на 2,8%, – чем в целом по промышленности и составили почти такую же долю суммарного дохода промышленности – 68,9% в 2012 г. против 69,0% в 2011 г.
Intel зафиксировала снижение доходов на 3,1% из-за ориентации на безнадежный рынок персональных компьютеров и падения поставок ПК. Однако она удерживает верхнюю позицию по доле рынка уже 21-й год подряд. Samsung сдержал слабый рынок памяти в 2012 г., хотя общий доход компании увеличился благодаря выпуску специализированных ИС (ASIC) и специализированных стандартных ИС для быстрорастущих рынков смартфонов и планшетов.
Qualcomm являясь наиболее быстрорастущей полупроводниковой компанией в топ-25 от Gartner и пользуется лидирующим положением на рынке прикладных процессоров для смартфонов с интегрированными радиочастотными модулями. Их продажи выросли на 31,8% в 2012 г. до 13,2 млрд долл.

Десятка крупнейших полупроводниковых производителей по величине дохода за 2012 г. (млн долл.). Источник: Gartner (Апрель 2013 г.).

Данные Gartner по мировому рынку микросхем несколько ниже предоставленных Международной организацией статистики полупроводниковой промышленности (WSTS), которая оценила стоимость рынка в 299,5 млрд долл. в 2011 г., а падение на 2,7% до 291,6 млрд долл. в 2012.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/10.04.2013

 


Технорма 14 нм принесла множество конструкторских проблем


Внедрение технологической нормы 14 нм окажется более сложным, чем представлялось ранее.
Таково мнение экспертов, выступивших на Международном Симпозиуме по Физическим Системам (ISPD), где ежегодно собираются конструкторы передовых полупроводниковых систем со всего мира.
Результатом миниатюризации полупроводников становятся всё более быстрые и компактные микросхемы, поскольку тактовая частота и рабочее напряжение в определенной степени зависят от размеров элементов на кристалле.
К сожалению, для нескольких последних поколений технологических процессов тактовая частота и рабочее напряжение изменились очень мало – из-за ограничений схемотехники и физического дизайна, вызванных уменьшением элементов до размеров, сравнимых с атомарными, в частности, таких как утечка в транзисторе, вызванная очень тонким оксидным изолятором затвора. Было предпринято множество мер по устранению утечки: например, более толстые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью. Но они только помогли оттянуть решение ключевых проблем – до перехода на 14 нм технорму. Так утверждается в докладе известного специалиста из IBM Джеймса Ворнока (James Warnock) «Проблемы схемотехники и физического дизайна на 14 нм технологической норме».
«Технорма 14 нм ставит множество проблем перед конструкторами, потому что решения проблем миниатюризации откладывались предыдущими поколениями, – сказал Ворнок. – Конец близок и в конечном счете будет определен экономическими причинами, а на технорме 14 нм уже нет способов увеличения производительности с помощью одной только миниатюризации».
Наибольшей проблемой, по словам Ворнока, является увеличившаяся утечка в транзисторе, которую конструкторы на предыдущих технормах сдерживали благодаря применению более крутого наклона подпороговых характеристик и совсем недавно – благодаря переходу к диэлектрикам с высокой диэлектрической проницаемостью. Отсутствие коммерческой литографии жесткого ультрафиолета (EUV) пока что обходится применением двукратного экспонирования в отрабтанном ранее иммерсионном процессе. Однако по словам Ворнока, на 14 нм ни одно из этих ухищрений не будет действенным.


Многозатворные 3-D FinFET-транзисторы (см. рис.) будут важным элементом для внедрения 14-нм технологической нормы, заявляет ученный из IBM Джеймс Ворнок (James Warnock).
«Для решения проблемы утечки, многозатворные 3-D FinFET-транзисторы уже были применены Intel на 22-нм техпроцессе и были быстро заимствованы другими производителями микросхем, – сказал Ворнок. – FinFET имеют, по своей сути, более крутой наклон пороговой характеристики и меньшие случайные флуктуации примесей (RDF), но они также вводят новые источники нестабильности, такие как ширина и высота ребер».

Соотношение размеров 3-D в FinFET создает другие проблемы, такие как шероховатость линейных поверхностей и паразитная емкость, а также привносит абсолютно новые проблемы. Например, FinFET-транзисторы могут иметь только целое число 3-D ребер, преподнося конструкторам дилеммы, с которыми они ранее не встречались  – к примеру, сколько ребер применить.
Одним из решений является «море ребер», в котором вся поверхность транзистора усеяна десятками ребер, многие из которых удаляют на этапе травления. Однако новые средства разработки отображают новые ограничения, которые будут нужны инженерам в выборе числа ребер и расстояния между ними в многозатворных структурах.
Новые ограничения литографии, такие как необходимость многократного структурирования в 3-D, также потребуют новых средств, которые сделают возможным совместное проектирование FinFET-архитектур, совместимых со стандартными библиотеками. Большие задержки RC-цепочек также вносят затруднения для автоматических трассировщиков в процессе распознавания и оптимизации плоскости проводников и межслойных соединений, которые не уменьшатся в 14-нм техпроцессе. Также новые средства понадобятся, чтобы смягчить проблемы электромиграции – в связи с возрастанием плотности тока в «горячих» проводниках. Это необходимо для того, чтобы быть уверенным, что время жизни микросхем не пострадало в 14-нм техпроцессе.
Среди других докладчиков в секции «Конструирование для технологичности на передовых технологических нормах» участвовал ученый из Toshiba Шигеки Ноима (Shigeki Nojima), который детализировал проблемы оптического многократного структурирования. Ученый из Токийского университета Риман Икено (Rimon Ikeno) представил тонкости использования электронного пучка в новых техпроцессах, а ученый Тайваньского национального университета Чунг-Вэй Лин (Chung-Wei Lin) предложил архитектуру структурированной трассировки, использующей наложение для проекции контуров, которая ограничивает размещение межслойных соединений и развязок проводников с целью сократить число шаблонов на слой в новых техпроцессах.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/12.04.2013

 


TSMC говорит о будущем и настоящем литографической промышленности


Чтобы удержаться на позиции первого по величине в мире контрактного производителя микросхем на фоне обострившейся конкуренции со стороны Samsung и Globalfoundries, компания TSMC вынуждена форсировать процесс освоения и внедрения новых технологий. Как пишет издание EE Times со ссылкой на слова Морриса Чана (Morris Chang), главы тайваньского предприятия, до конца 2013 года TSMC планирует начать тестовый выпуск изделий с топологическими нормами 16 нм.
Господин Чан считает, что закон Мура, которому подчиняется развитие полупроводниковой индустрии, будет действовать ещё 7-8 лет. В этот период возможно освоение технологий с нормами 10 и даже 7 нм. Так, с конца 2015 года подрядчик рассчитывает перейти на фотолитографию в глубоком ультрафиолете (EUV) с нормами 10 нм. При этом TSMC не кладёт все яйца в одну корзину: исследования также ведутся в области электронно-лучевой литографии, рассматриваемой в качестве возможной альтернативы EUV. Только в этом году капительные затраты TSMC превысят $9 миллиардов, в то время как в 2009 оду на аналогичные нужды было потрачено "всего" $2 миллиарда.
Около года назад TSMC не справлялась с заказами на продукцию с нормами 28 нм, а клиенты компании даже подыскивали нового исполнителя. Но подрядчик активно работал над расширением соответствующего производства: в апреле прошлого года в половину проектной мощности заработал завод Gigafab 15, фундамент которого был заложен в июне 2010 года. За 8 месяцев с момента старта фабрика нарастила объём выпускаемых ежемесячно пластин до 50 тысяч штук. В следующем месяце Gigafab 15 заработает в полную силу, благодаря чему через пять месяцев объём производства увеличится ещё на 50 тысяч пластин в месяц.
Если раньше TSMC запускала одну производственную линию в год, то сейчас тайванцы планируют увеличить это число до трёх. Развиваясь такими темпами, к 2017 году TSMC сможет нарастить свою совокупную мощность с нынешних 1.3 миллиона пластин в месяц до 13.5 миллиона. Samsung, которая грезит о победе над тайваньской электронной промышленностью, сегодня способна выпускать около 900 тысяч пластин в месяц.
TSMC ожидает, что в этом году в производство с нормами 20 нм будет передано около 20 решений. При этом их массовый выпуск начнётся только в 2014 году. А в 2017 году количество 20-нм продукции будет сопоставимо с объёмом 28-нм сегодня, считает Джек Сунь (Jack Sun), главный технический директор TSMC.
Как уже упоминалось, к середине 2015 года TSMC надеется начать поставки своих первых изделий с нормами 10 нм, изготовленных с применением технологий EUV. По словам господина Суня, литографическая машина должна обрабатывать более 100 пластин в час, иначе производство не будет экономически выгодным. Сейчас специалисты TSMC работают с установками ASML NXE:3100 для создания образцов продукции с использованием транзисторов FinFET, но в будущем компания перейдёт на машины модели NXE:3300.

Работает TSMC и над "настоящими" трёхмерными микросхемами со сквозными соединениями (Through-silicon via, TSV). Толщина TSV будет уменьшена с шести до двух микрон, а в мае в 28-нм производство будет передана трёхмерная микросхема памяти. На объединение логических элементов и памяти в вертикальный стек потребуется больше времени: выпуск таких решений будет освоен не ранее 2015 года, считает технический директор TSMC.
А вот к использованию кремниевых пластин типоразмера 450 миллиметров TSMC перейдёт не ранее 2016 года. В настоящее время тайваньская компания ведёт тестирование прототипов оборудования для обработки 450-миллиметровых пластин, его крупносерийное производство начнётся в конце 2015 года. Впрочем, иммерсионные литографические установки для 450-миллиметровых пластин не будут готовы до конца 2017 года, соответствующие EUV-машины появятся только в начале 2018 года.
Обратите внимание на разницу в размерах между 300-мм и 450-мм пластинами. Площадь последней приблизительно в 2.25 раза больше:

www.overclockers.ru/hardnews/14.04.2013

 


Российская микроэлектроника


«ЭЛВИС» разработал золотой чип


В 2013 году в конкурсе приняли участие более 20 российских компаний с более чем 40 проектами. В номинации «За вклад в развитие российской электроники» ОАО НПЦ «ЭЛВИС» было присуждено первое место за разработку микросхемы статического ОЗУ 1657РУ1У с уникальными параметрами радиационной стойкости для КМОП технологии. Микросхема была спроектирована НПЦ «ЭЛВИС» при активном участии сотрудников МИФИ и ОАО «Ангстрем-Т».
В номинации «Лучшее изделие российской электроники 2012 – 2013 гг» компания «ЭЛВИС» заняла второе место за разработку радиационно-стойкого многокристального микропроцессорного модуля.



Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Ранее НПЦ «ЭЛВИС» также занимал первое место в конкурсе «Золотой чип» – Лучшее изделие микроэлектроники 2010 года.
Подробную информацию о всех продуктах и проектах компании «ЭЛВИС» Вы можете получить на выставке «Экспоэлектроника 2013». Выставка проводится в Москве с 10 по 12 апреля в «Крокус-Экспо».
Информация о конкурсе:
Конкурс «Золотой Чип» проводится c 2004 года при поддержке Департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства города Москвы, ГК «Ростехнологии», РОСАТОМа, Московской торгово-промышленной палаты, Гильдии выставочно-ярмарочных организаций МТПП.
Целью конкурса является содействие возрождению отрасли и поддержка предприятий, которые способствует развитию науки, бизнеса, образования и формированию положительного имиджа различных направлений российской электроники.
Одним из инициаторов конкурса и Председателем жюри до 2010 года был Борисов Б.И.(до 2011 года Заместитель Министра промышленности и торговли Российской Федерации).
С 2011 года Председателем жюри является Якунин А.С. – директор департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации.
В члены жюри входят:
1. Якунин Александр Сергеевич – председатель жюри Директор Департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации
2. Муравьев Сергей Алексеевич – Советник Руководителя Департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации
3. Купов Дмитрий Дмитриевич – Начальник Управления промышленной политики Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства г. Москвы
4. Критенко Михаил Иванович – Начальник службы по активам РЭК ГК «Ростехнологии»
5. Авдонин Борис Николаевич – Генеральный директор АОА «ЦНИИ Электроника»
6. Силкин Александр Тихонович – Заместитель Генерального директора Концерна радиостроения «Вега»
7. Биленко Александр Гаврилович – Генеральный директор ЗАО «ЧипЭКСПО»
http://vpk.name/news/09.04.2013

 


В. Гутенев: в электронной промышленности критически устарели технологии


Владимир Гутенев, первый вице-президент Союза машиностроителей России, опубликовал в «Российской бизнес-газете» свои соображения насчет реформы российской электронной промышленности и импортозамещения.
До конца года из госбюджета планируется выделить 19 млрд рублей на финансирование госпрограммы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности России на 2013–2025 годы». Общий объем финансирования оценивается в 517 млрд рублей. Принятие программы обусловлено критическим отставанием России в этой стратегически важной отрасли.
Радиоэлектронные технологии составляют основу современных технологических укладов. Поэтому их приоритетное развитие в ведущих мировых экономиках рассматривается как самый эффективный способ повышения глобальной конкурентоспособности и базовый фактор обеспечения военной мощи государства. Дальнейшее отставание в производстве электронных компонентов крайне опасно и недопустимо прежде всего с точки зрения решения задач национальной безопасности. Достаточно сказать, что технологическое отставание в области твердотельной СВЧ-электроники создает серьезные проблемы в создании современного радиолокационного вооружения, использующего активные фазированные антенные решетки. А с этим связано создание современных зенитно-ракетных систем, радиолокаторов наземного, морского и авиационного базирования, систем обнаружения, управления, связи, разведки и т.п.
Ответ на извечный российский вопрос, что делать, прост: прежде всего необходимо повысить роль государства в развитии отечественной электронной промышленности. Ведь новые электронные технологии требуют огромных капиталовложений и объемных рынков сбыта продукции. Мировой опыт свидетельствует о том, что на одних рыночных механизмах микроэлектроника никогда не развивается, необходим комплекс мер господдержки, поэтому государство идет по пути создания мощных вертикально интегрированных структур. Так, в корпорации «Ростех» 137 предприятий и организаций радиоэлектронной промышленности включены в состав четырех крупных объединений: «Российская электроника», концерны «Сириус», «Радиоэлектронные технологии», «Орион». И это соответствует общемировой тенденции. Но, главное, государство должно не только участвовать в финансировании отрасли, но и формировать плановую политику развития отечественной электронной промышленности.
Увы, но даже во вновь разрабатываемых образцах отечественных вооружений, военной и специальной техники применяется до 70% иностранных электронных компонентов, причем не соответствующих порой необходимым требованиям заказчиков. Это приводит, в частности, к дополнительным затратам на вынужденную проверку изделий при ее применении. И это в лучшем случае. Гораздо хуже, когда использование зарубежных элементов может привести к непоправимым последствиям. Известно, что поставляемые из США и других западных стран микросхемы для вооружения и военной техники (ВВТ) других стран должны хранить в своей памяти «логические бомбы». Ярким свидетельством применения этого вида информационного оружия является опыт войны в Персидском заливе, когда Ирак не смог применить закупленные во Франции системы ПВО: их программное обеспечение содержало «логические бомбы», которые были активизированы с началом боевых действий. Поэтому следует максимально воздерживаться от использования зарубежной элементной базы. Но ее можно использовать на этапе разработки ВВТ в расчете на появление отечественных аналогов к моменту начала серийного производства, поэтому параллельно обязательно должна быть реализована программа импортозамещения и «вдогонку» создан отечественный аналог для серийного производства. Почти без ограничений применять зарубежную элементную базу можно в образцах ВВТ, предназначенных для экспорта в рамках военно-технического сотрудничества с зарубежными странами, а также при создании многих типов стрелкового оружия.
В гражданском секторе обойтись без импорта пока вряд ли возможно. Тем не менее интересы развития отечественной электроники требуют введения на государственном уровне ограничений или запрета на использование иностранной электронной компонентной базы при возможности разработки и изготовления отечественных аналогов прежде всего для систем специального назначения. Целесообразно предусмотреть комплекс налоговых льгот при реализации крупных проектов по созданию российского микроэлектронного производства, включая освобождение от арендных платежей за землю, освобождение от НДС, налога на прибыль на 3-5-летний период развития микроэлектронного производства, а также введение на этот период льготных тарифов на коммунальные услуги. Нужны меры по обеспечению низких кредитных ставок на развитие микроэлектронного производства, а также возможность субсидирования части уплаченных процентов по кредитам. В целом же необходима организация государственного рынка микроэлектронной продукции.
Сама по себе радиоэлектроника может служить драйвером развития других отраслей промышленности и экономики страны в целом. Доля радиоэлектронной промышленности в добавленной стоимости мирового обрабатывающего производства выросла с 2000 по 2010 год с 17 до 26%. Причем она контролирует в три раза больше рабочих мест, чем создает. Большинство других отраслей и государственных структур просто не могут работать без использования достижений электроники. В целом же, по мнению экспертов, электронная промышленность в последующие 10 лет увеличит более чем в два раза мировой ВВП. Если же говорить об основном драйвере возрождения российской электронной промышленности, то эту роль, на мой взгляд, может выполнить отечественный оборонно-промышленный комплекс прежде всего потому, что ОПК как высокотехнологичная отрасль, традиционно являясь генератором инноваций, способствует развитию всей российской экономики. Нельзя забывать, что как раз снижение в 6-8 раз оборонных заказов на продукцию электронной промышленности и явилось одной из основных причин ее деградации. Именно отечественная элементная база должна составить львиную долю микроэлектронной продукции на российском рынке. Важно и то, что меры господдержки радиоэлектронной промышленности, учитывая членство России в ВТО, наиболее эффективно можно применить именно в рамках ОПК.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/18.04.2013


Новости компаний


Роскосмос инвестирует в белорусские лазеры и тепловизоры


Российская компания может получить блокпакет ОАО «Пеленг», выпускающего лазерные дальномеры, тепловизоры, прицельные комплексы для танков и БМП
У Роскосмоса вскоре может появиться новый зарубежный актив. Как сообщил «Известиям» руководитель пресс-службы Роскосмоса Алексей Кузнецов, прорабатывается вопрос о приобретении блокирующего пакета акций белорусского ОАО «Пеленг» одним из предприятий агентства. Премьер-министр Белоруссии Михаил Мясникович направил Дмитрию Медведеву официальное предложение о приобретении акций ряда белорусских предприятий российскими компаниями. Среди предложенных активов — минское ОАО «Пеленг», 48,9% акций которого принадлежит белорусскому правительству, 51,1% — трудовому коллективу.
«Пеленг» занимается оптико-электронным приборостроением. ОАО было образовано в 1974 году путем реорганизации конструкторского отдела Минского механического завода, бывшего в то время филиалом Ленинградского оптико-механического объединения (ЛОМО).
Сейчас «Пеленг» выпускает оптическое и лазерное оборудование, в том числе камеры слежения, фото- и видеорегистраторы, микроскопы, лазерные дальномеры, тепловизоры, прицельные комплексы для танков и БМП. Приборы производства «Пеленга» были использованы при создании белорусского спутника дистанционного зондирования Земли «БелКа», сконструированного российской ракетно-космической корпорацией «Энергия». Аппаратура от «Пеленга» будет установлена на спутнике EgyptSat, который планируется вывести на орбиту в 2014 году, данный аппарат также делается в РКК «Энергия».
Эксперты космической отрасли отмечают, что сегодня российские предприятия превосходят «Пеленг» по уровню технологий.
— Если говорить о разработках с использованием оптики и лазеров для воздушно-космической обороны, то здесь мы безусловно впереди «Пеленга» и учиться нам у них нечему, — говорит генеральный конструктор ОАО «Научно-производственная корпорация «Системы прецизионного приборостроения» Виктор Шаргородский. — Возможности предприятия могут быть использованы для серийного производства, но у нас есть собственный серийный завод, который сейчас реконструируется в рамках выделенных нам инвестиций по ФЦП ГЛОНАСС и другим госпрограммам. Поэтому прямой заинтересованности в данном предприятии у нас сейчас нет. Хотя при более детальном рассмотрении могут быть найдены взаимовыгодные варианты кооперации. Здесь многое будет зависеть от политической воли — возможно, будут новые разработки военной или космической техники, которые мы сможем делать совместно.
Сегодня ряд предприятий Роскосмоса уже владеют зарубежными активами. Так, московскому Центру Хруничева принадлежит контрольный пакет акций в американской компании International Launch Services (ILS). А РКК «Энергия» через дочернюю Energia Overseas Limited (EOL) владеет буксируемой морской платформой Sea Launch.
http://vpk.name/news/05.04.2013


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014