ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 14(985) от 23 мая  2013 года


Мировой рынок


TSMC выделит 1,5 млрд долл. США на НИОКР


В Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявили о том, что в 2013 г. компания инвестирует рекордную сумму в 1,5 млрд долл. США на исследования и разработки.
Инвестиции по-прежнему направлены на сохранение превосходства TSMC в передовых технологических процессах, а также на повышение конкурентоспособности компании в гонке за лидерство в производстве чипов для мобильных приложений.
По словам Джейсона Чена (Jason Chen), старшего вице-президента фаундри-компании по международным продажам и маркетингу, в 2010 г. ежегодные затраты TSMC на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР) превысили 1 млрд. долл. США и продолжают неуклонно расти. Г-н Чен отметил, что в 2012 г. расходы компании на НИОКР достигли 1,36 млрд долл. США.
Г-н Чен также повторил заявление председателя и исполнительного директора TSMC Морриса Чанга (Morris Chang) о том, что в 2013 г. компания планирует увеличить производственные мощности на 28 нм в три раза по сравнению с 2012 г., а в 2014 г. запустить в массовое производство 20-нм пластины.
Кроме того, в 2014 г. в TSMC планируют начать изготовление чипов по 16-нм FinFET-технологии и запустить в опытное производство 10-нм FinFET-продукцию в 2016 г.
Общий объем капиталовложений TSMC в 2013 г. составит 9,5-10 млрд, долл. США, включая расходы на НИОКР.
В 2012 г. объем капитальных затрат компании был рекордным третий год подряд и достиг отметки в 8,3 млрд долл. США. Как заявил г-н Чен, общие капитальные расходы фаундри за период с 2010 по 2013 гг. превысят 30 млрд. долл. США.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/20.05.2013


Борьба за 450-мм пластины и литографию жесткого ультрафиолета обещает быть долгой


ASML заявляет, что производственное оборудование для серийного производства 450-мм пластин может быть готово в 2018 г, а оборудование для литографии жесткого ультрафиолета (EUV) – в 2016 г.
Как сообщает SEMI, старший вице-президент ASML Джим Кунмен (Jim Koonmen) заявил, что «450 мм выглядит как «выполнимый» сценарий снижения затрат, но 450 мм предусматривает малую экономию средств на сканирующих системах, и чтобы выполнить план внедрения, с увеличением размера пластины необходимо значительно улучшить операции совмещения».
ASML запустила четыре программы совершенствования технологии 450 мм на двух платформах и четырех длинах волн. Кунмен прогнозирует появление первых версий установки в 2015-16 гг., а серийных систем – в 2018 г.

Производительность и стоимость в технологии 450 мм:
Синяя линия – мощность источника, красная линия – производительность (пластин в час).
Справа на рисунке: При мощности 55 Вт, 1 проход: 97,5% кристаллов < 0,5% дозы.
При мощности 40 Вт, 6 проходов: 99,99% кристаллов < 0,2% дозы.
7 одночасовых проходов, в целом, обеспечивают 250 обработанных пластин с энергией 15 мДж/кв.см.
Относительно литографии жесткого ультрафиолета Кунмен сообщил, что сейчас мощность источника доведена до 55 Вт и обеспечивает производство 43 пластин в час. Он ожидает, что в 2013-14 гг. мощность источника будет доведена до 80 Вт и сможет обеспечить 58 пластин в час; в 2014-15 гг. – 125 Вт источник обеспечит 81 пластину в час, а в 2015-16 гг. – 250 Вт источник справится с 126 пластинами в час.
Стив Джонстон (Steve Johnston) из Intel, которая инвестировала 4 млрд долл. в программы ASML по разработке технологий 450 мм и EUV, заявил, что программа EUV отстает от графика: «Мощность источника нас задерживает и значительно выбивает из графика, а дефектность маски вызывает серьезную озабоченность».
«Для нас, 10 нм означает 2015 г.», – подчеркнул Джонстон, добавив: «Но я не говорю, что именно тогда мы собираемся внедрить 450 мм».
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/20.05.20


IC Insights: К 2017 году бесфабричные компании займут треть рынка микросхем


IC Insights прогнозирует, что к 2017 г. бесфабричные (fabless) производители микросхем будут владеть 33% всего рынка микросхем, особенно если такие крупные компании как IDT, LSI, Agere и AMD станут бесфабричными в течение следующих пяти лет.
IC Insights полагает, что в долгосрочной перспективе бесфабричные производители микросхем и фаундри, которые их обслуживают, будут усиливать свои позиции в отрасли микроэлектроники.

Доля продаж бесфабричных компаний в мировом рынке продаж ИС

Доля продаж бесфабричных компаний в мировом рынке продаж ИС

Цифры взяты из нового информационного бюллетеня IC Insights, в котором производится сравнение роста продаж бесфабричных компаний и комплексных производителей микросхем (IDM).
Компания обращает внимание на то, что рост продаж бесфабричных компаний всегда опережал рост продаж комплексных производителей (либо снижение было меньшим), за исключением 2010 г. В первый и единственный раз, в 2010 г., было зафиксировано опережение роста продаж комплексных производителей (35%) по сравнению с бесфабричными (29%).
Так как лишь немногие бесфабричные производители присутствуют на рынке памяти, они не получили прироста от всплеска активности на рынках DRAM и NAND-flash памяти в 2010 г., которые выросли на 75% и 44% соответственно. Другой причиной относительно слабых показателей бесфабричных компаний в 2010 г. было то, что некоторые крупные бесфабричные производители ИС, такие как MediaTek и ST-Ericsson показали рост, наполовину меньший среднего показателя по отрасли в 2010 г.
Однако в 2011 г. бесфабричные производители снова возрастали быстрее, чем рынок ИС в целом, показав увеличение на 5%, по сравнению с 1%-м снижением продаж IDM-компаний. В 2012 г. бесфабричные производители ИС выросли на 6%, что на 14 пунктов лучше, чем 8%-ное снижение, зафиксированное у IDM-производителей, и на 10 пунктов лучше, чем 4%-ное снижение, показанное рынком ИС в целом.
Данные для информационного бюллетеня были взяты из апрельского обновления основного доклада IC Insights издания 2013 г. «The McClean Report – Полный анализ и прогноз промышленности интегральных схем».
Источник: Electronics Weekly
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/20.05.2013


Qualcomm взлетела на 28% и стала четвертым в мире производителем ИС


Как сообщает IC Insights, в первом квартале Qualcomm стала четвертым в мире по величине производителем ИС, увеличив продажи в первом квартале 2013 г. на 28% по сравнению с первым кварталом 2012 г., и вытеснила компанию Toshiba на пятое место в мировом рейтинге производителей полупроводников.
Вследующем квартале Micron должна завершить поглощение компании Elpida, и если это произойдет, то Micron встанет на пятое место, следом за Qualcomm, с 3 млрд долл. доходов.
TSMC – на третьем месте. Конечно, это означает, что много продаж было посчитано дважды, но IC Insights обращает внимание на то, что это список производителей, а не рыночной доли.
«Непрекращающийся успех бизнес модели фаблес/фаундри стал очевидным после оценки темпов роста компаний, – утверждает IC Insights, – в число девяти наибольших компаний входят три бесфабричные компании (Qualcomm, Broadcom и Nvidia) и три чистых фаундри (TSMC, UMC и GlobalFoundries)».

У четырех из пяти компаний, показавших двузначное снижение продаж в первом квартале 2013 г., главные офисы находятся в Японии (Toshiba, Renesas, Fujitsu и Sony). Однако следует отметить, что конвертация сумм продаж японских полупроводниковых компаний из иен в доллары США по курсу 79,26 иены за доллар в первом квартале 2012 г. против 92,19 иены за доллар в первом квартале 2013 г., значительно повлияла на показатели продаж японских поставщиков.
Тем не менее, в то время как Sony и Fujitsu демонстрировали двузначное снижение продаж, даже если их результаты не конвертировать в доллары, то Toshiba объявила о 5% возрастании продаж, выраженных в иенах.
Пятая компания, показавшая двузначное снижение, AMD, не может приписать свои результаты к конвертации валют.


Топ-20 производителей микросхем в первом квартале 2013 г.

Компания

Объем продаж, млрд. долл.

Intel

11,6

Samsung

8

TSMC

4,5

Qualcomm

3,9

Toshiba

2,9

TI

2,7

Hynix

2,6

Micron

2,2

ST

2

Broadcom

2

Renesas

1,9

GloFo

1,2

Infineon

1,2

AMD

1,1

NXP

1,1

Sony

1

Nvidia

1

Freescale

0,92

UMC

0,9

Fujitsu

0,9

Топ-20 наиболее быстрорастущих компаний за период с первого квартала 2013 г. по первый квартал 2012 г.


Компания

Рост/снижение продаж, %

Qualcomm

28

TSMC

26

Hynix

22

Samsung

13

NXP

12

UMC

12

Broadcom

10

Nvidia

8

GloFo

6

Micron

4

Freescale

1

ST

-1

Intel

-3

Infineon

-6

TI

-7

Toshiba

-10

Renesas

-20

Fujitsu

-26

Sony

-31

AMD

-31

Источник: Electronics Weekly
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/24.05.2013


IMEC и Globalfoundries договорились о сотрудничестве в разработке памяти STT-MRAM

Бельгийский центр прикладных разработок в сфере микро- и наноэлектроники IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) и контрактный производитель полупроводниковых микросхем Globalfoundries объявили о расширении сотрудничества с целью развития технологии STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory, магниторезистивная оперативная память с переносом спинового момента).
Globalfoundries присоединилась к научно-исследовательской программе IMEC, в которой участвует еще несколько крупных компаний, включая производителя микрочипов Qualcomm, способных обеспечить полноценную инфраструктуру для проведения работы по совершенствованию технологии изготовления модулей памяти STT-MRAM.
STT-MRAM обещает стать серьезной альтернативой существующим технологиям памяти, включая SRAM и DRAM, благодаря значительным резервам в повышении производительности, возможности масштабирования до 10 нм для встраиваемых и автономных приложений, а также благодаря энергонезависимости.

www.3dnews.ru/news/23.05.2013


Новости компаний


Вышел первый в России онлайн-журнал «ЭК. Силовая электроника»

Медиагруппа «Электроника» начала выпуск онлайн-журналов по электронике. Первым вышел «ЭК. Силовая электроника», журнал выложен в свободный доступ.

В первом номере журнала «ЭК. Силовая электроника» читатель найдет статьи, посвященные дискретным силовым приборам, источникам питания и преобразователям, а также новости отечественных и зарубежных производителей силовой электроники.

О MOSFET с низким уровнем электромагнитных помех при коммутациях идет речь в статье специалистов из Fairchild Semiconductor. О разработке неизолированных систем вторичного электропитания для импульсной нагрузки рассказывает к.т.н., заслуженный изобретатель РФ Юрий Шуваев. На наш взгляд, очень интересна статья, посвященная устойчивости DC/DC-преобразователей. Эта тема довольно актуальна сейчас, особенно в распределенных системах питания, когда преобразователи включаются последовательно друг за другом. Юрий Гасанов постарался в одной статье объять необъятное и рассказать все о резонансных топологиях. Как нам кажется, это ему удалось… ну, или почти удалось. Обратноходовые преобразователи очень популярны при мощностях до 200–300 Вт. Об их работе в режиме прерывистого тока пойдет речь в статье Джона Ботрилла.
Наверное, не стоит рассказывать обо всех материалах журнала – вы легко можете ознакомиться с ними, кликнув на ссылку в начале этой новости. Выбирайте оптимальный для вас формат – Flash, PDF или версию для чтения на мобильных устройствах. Надеемся, что удобная навигация, закладки, поиск по тексту, возможность непосредственно со страницы журнала отправить электронное письмо автору статьи и другие опции цифрового формата сделают работу с журналом более приятной и продуктивной.

И, как всегда, начиная новый проект, мы приглашаем вас к сотрудничеству в качестве читателей, авторов, экспертов и… критиков.

Медиагруппа «Электроника» работает на российском рынке электроники с 1995 года. Направления бизнеса:
  • Специализированные журналы
  • Информационно-аналитические интернет-порталы
  • Отраслевые конференции и семинары

Премия и Форум «Живая электроника России»

www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/partners-news/22.05.2013


Российская микроэлектроника


Конференция по микроэлектронике пройдет 4 июня в рамках SEMICON Russia

Участники зеленоградского кластера получат льготу на посещение международной конференции по рынку микроэлектроники, которая состоится 4 июня в Зеленограде в рамках выставки SEMICON Russia. Сама выставка пройдёт 5–6 июня в «Экспоцентре».
Впервые эта конференция пройдёт в Зеленограде и в большей степени сфокусируется на проблемах наших предприятий (программа конференции и обзор обсуждаемых тем).
Конференция пройдёт в зеленоградской префектуре (Центральная площадь, дом 1). Для участников организуют синхронный перевод, питание и транспорт из Москвы. Для предприятий-участников зеленоградского кластера — льготная стоимость посещения конференции. Для получения льготы необходимо обратиться к центр координации кластера.
Кроме того, на самой выставке SEMICON Russia московский департамент науки промышленной политики и предпринимательства организует коллективный стенд. Для компаний-участников кластера выставка бесплатна. Выставка пройдёт 5–6 июня в «Экспоцентре».

Конференцию и выставку организует SEMI — глобальная промышленная ассоциация, объединяющей производителей оборудования, материалов, технологий и услуг для полупроводниковой промышленности. В этом году конференция проходит при поддержке правительства Москвы в лице Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства, кластера «Зеленоград», Особой экономической зоны «Зеленоград», международной аналитической компании Frost & Sullivan, холдинга «Российская Электроника», ОАО РОСНАНО, ОАО «Ангстрем-Т», Zelenograd.ru, а также при участии Департамента

Источник: Zelenograd.ru

www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/russianmarket/22.05.2013


Прочее в России


России нужна частная коммерческая космонавтика

Американские Dragon вытесняют «Прогрессы» с МКС: спрос на транспортные космические корабли «Прогресс» сократился после успешного начала эксплуатации американских коммерческих кораблей.
Головное российское предприятие по пилотируемой космонавтике — РКК "Энергия" сообщила о сокращении спроса на транспортные космические корабли "Прогресс" вследствие успешного начала эксплуатации коммерческих кораблей Dragon для грузового снабжения Международной космической станции.
"С октября 2012 года NASA может самостоятельно выполнять грузовые перевозки и возвращать грузы с МКС с помощью грузового космического корабля Dragon компании SpaceX. В связи с этим спрос на грузовые корабли "Прогресс" на международном рынке существенно сократился", — говорится в отчете "Энергии" за I квартал этого года.
По словам президента РКК "Энергия" Виталия Лопоты, речь идет о сокращении заказа "Прогрессов" на треть.
— После завершения программы Space Shuttle по соглашению с партнерами по МКС производство космических кораблей расширено до четырех пилотируемых "Союзов" в год и шести грузовых "Прогрессов". Сейчас заказ уменьшился до пяти "Прогрессов" в год, затем планируется снижение до четырех, — сказал он.
Глава РКК "Энергия" не смог конкретизировать стоимость "Прогресса" — по его данным, трудоемкость изготовления одного такого корабля лежит в пределах до 400 тыс. нормо-часов. По словам знакомого с ситуацией источника в Роскосмосе, сейчас "экспортная" цена "Прогресса" около $60 млн. Эта сумма учитывается в качестве вклада РФ в снабжение МКС, однако РКК "Энергия" получает меньшую сумму.
Кроме корабля Dragon, построенного частной компанией SpaceX, конкуренцию российским грузовикам в ближайшее время должен составить корабль Cygnus от компании Orbital Sciences Corporation. Его демонстрационный полет запланирован на ближайшие недели. Cygnus был создан по контракту с NASA в рамках той же программы "Коммерческая орбитальная транспортировка" (COTS), что и Dragon.
В плане пилотируемых кораблей Россия в лице РКК "Энергия" пока сохраняет монополию — до 2017 года к МКС люди будут добираться только кораблями "Союз". Что будет дальше — сейчас сказать сложно. NASA прогнозирует появление американских альтернатив "Союзам" в 2017 году со следующей оговоркой: если будут удовлетворены бюджетные запросы агентства. Запросы эти удовлетворяются не всегда, что уже послужило переносу срока ввода в эксплуатацию корабля Orion. Но в РКК "Энергия" предполагают, что монополия России в пилотируемых кораблях разрушится, как и в случае с грузовиками.
"Весьма успешные полеты Dragon открыли новую страницу в пилотируемой космонавтике, и NASA возлагает на этот корабль большие надежды. По контракту между NASA и SpaceX на $1,6 млрд планируется, что эти космические корабли будут перевозить груз, а после 2017 года и доставлять астронавтов к МКС. В этом случае Россия и РКК "Энергия" потеряют монополию на пилотируемые полеты", — говорится в отчете "Энергии".
3 августа прошлого года NASA подписало соглашения с тремя компаниями о продолжении разработок по программе Commercial Crew Integrated Capability (CCiCAP), в рамках которой финансируются работы по созданию новых пилотируемых кораблей. Boeing получил $460 млн, SpaceX — $440 млн, Sierra Nevada Corporation — $212,5 млн.
SpaceX обещает создать и сертифицировать пилотируемую модификацию корабля Dragon уже в 2017 году. Если у компании что-то не сложится и сроки сдвинутся, то уже на 2018 год намечено начало программы полетов к МКС корабля CST-100, создаваемого Boeing. Начало эксплуатации нового российского пилотируемого корабля (ПТК) при этом намечено на 2020 год.
Директор по развитию кластера космических технологий и телекоммуникаций фонда "Сколково" Дмитрий Пайсон полагает разрушение монополии РКК "Энергия" процессом естественным.
— В случае с количеством выпускаемых "Прогрессов" не совсем корректно говорить о влиянии рынка на бизнес компании. Для РКК "Энергия" это лишь величина госзаказа, его сумма варьируется в зависимости от обязательств Роскосмоса перед NASA. В "Энергии", насколько можно судить, к этому готовы, поэтому и диверсифицируют портфель заказов, — считает Пайсон.

По словам Виталия Лопоты, освободившиеся из-за изменения заказа на "Прогрессы" ресурсы будут задействованы для создания научно-энергетического модуля для МКС (НЭМ-1) и ПТК (проект пилотируемого транспортного корабля нового поколения). Контракт на создание НЭМ-1 объемом более 15 млрд рублей "Энергия" выиграла осенью прошлого года. Стоимость создания комплекса ПТК (кроме самого корабля включает в себя ракетный блок аварийного спасения, сборочно-защитный блок и целый комплекс наземных средств) оценивается экспертами РКК "Энергия" в 160 млрд рублей в ценах 2012 года.

www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/russianmarket/22.05.2013


Аналитика/Прогнозы


TSMC в 2013 году запускает FinFET-технологию и испытывает EUV на 10 нм

Встречая жесткую конкуренцию со стороны Globalfoundries и Samsung, TSMC взялась за планы по запуску производства на своем 16-нм FinFET техпроцессе к концу 2013 г. К тому же, она надеется внедрить литографию жесткого ультрафиолета в производство 10-нм микросхем в конце 2015 г., но продолжает заниматься исследованиями электронно-лучевой литографии в качестве альтернативы.
Руководители компании подробно охарактеризовали новые техпроцессы и методы их достижения на ежегодном симпозиуме в Сан-Хосе (США). Они также представили новинки своей работы в области 3-D-стеков и всё возрастающего производства на сегодняшней технорме 28 нм.
«Похоже, у нас есть еще семь-восемь лет впереди, может больше, и мы сможем увидеть уменьшение технологической нормы до 10 и даже до 7 нм», – сказал Моррис Чанг (Morris Chang), основатель и глава компании TSMC, выступая перед небольшой группой журналистов после основного доклада на симпозиуме. «Закон Мура продолжит действовать и мы вместе с ним – если кто-нибудь следует ему, мы тоже будем следовать ему», – сказал он перед аудиторией из нескольких сотен конструкторов микросхем.
«Закон Мура имеет еще 7-8 лет в запасе», – сказал основатель TSMC Моррис Чанг
Чанг, как ветеран полупроводниковой индустрии (более 50 лет в отрасли!), прогнозирует 4%-ный рост производства в этом году. «Бесфабричные компании, вероятно, смогут воспользоваться 9%-ным ростом в этом году и также мы оптимистичны относительно себя – мы ожидаем рост более 10%», – сказал он.

Чанг заявил, что в 2013 г. TSMC потратит более 9 млрд долл. на основные средства. Это больше, чем 2 млрд долл. вложенных в 2009 г.

  • Стремительный рост на техпроцессе 28 нм

Большая доля роста в этом году пришлась на техпроцесс 28 нм. Всего годом ранее Пол Джейкобс, глава компании Qualcomm (одного из ключевых заказчиков TSMC), рассказывал своим инвесторам, что компания может продавать больше передовых микросхем, чем их можно сделать на TSMC, и повсюду искал производственные мощности.
В июне 2010 г. TSMC открыла строительную площадку на так называемой гигафабрике 15 в Тайчжуне (Тайвань), которая планировалась как производственный центр для 28-нм микросхем. В апреле 2012 г., всего через 22 месяца, на ней началось производство на половине запланированных мощностей, что является рекордом для фаундри в Тайване.
Через восемь месяцев она «выбрасывала» по 50 тыс. 28-нм пластин в месяц – еще один рекорд, – но этого было все еще недостаточно. Поэтому в следующем месяце вторая половина мощностей начала выпуск подложек и в течение пяти месяцев ожидается, что будет побит старый рекорд и добавлено еще 50 тыс. 28-нм подложек в месяц. «Этот масштаб трудно осознать», – сказал Чанг.

«Беспрецедентный рост поставок 28-нм микросхем совпал с ускорением показателей выхода годных и объемов производства», – сказал Джей Кей Ванг (J.K Wang), ответственный за 300-мм фабрики. Компания ожидает даже более резкого роста на 20 и 16 нм, поэтому у нее есть несколько тысяч инженеров, которые сегодня ведут подготовку к этим технормам на оборудовании фабрик 12 и 14.

Сейчас TSMC вводит в действие три новых фабрики каждый год
«В прошлом мы строили одну очередь новой фабрики за год, а сейчас мы, как правило, начинаем три новых очереди в год», – сказал Ванг.

Сейчас компания оценивает свой общий объем производства в 1,3 млн подложек логики в месяц, значительно опережая Samsung, который находится на втором месте с показателем около 900 000 подложек логики в месяц. По оценкам компании, если рост продолжится, к 2017 г. объем производства достигнет чудовищных 13,5 млн подложек в месяц.

  • Следующий этап – 20-нм техпроцесс

Некоторые промышленные эксперты говорят, что 20 нм будет промежуточной технормой для отработки трудностей литографии двухкратного экспонирования, но не предоставляющей значительных преимуществ конструкторам микросхем. Не говорите этого Джеку Сану (Jack Sun), главному технологу TSMC!
Он предсказывает, что к 2017 г. TSMC будет производить 20-нм микросхем не меньше, чем сейчас 28-нм ИС. Он утверждает, что этот техпроцесс предполагает увеличение плотности затворов в 1,9 раза по сравнению с высокопроизводительным 28-нм техпроцессом, хотя предполагаемый конкурент Globalfoundries обеспечит только 16%-ное увеличение плотности на 20-нм техпроцессе.
Сан также заявил, что 20-нм микросхемы смогут достичь быстродействия на 20% выше или энергопотребления на 30% меньше, чем 28-нм микросхемы. Это существенно, хотя не настолько как для традиционных основных техпроцессов. «Следующий за ним 16-нм техпроцесс будет иметь подобные характеристики, а будущий 10-нм техпроцесс будет большие преимущества», – сказал он.
TSMC ожидает получить в этом году в примерно 20 проектов на 20-нм техпроцессе на своих фабриках fab12 и fab14. «Массовое производство на этом техпроцессе действительно начнется в 2014 г.», – сказал Ванг.
«20-нм техпроцесс достигнет тех же объемов, что и 28-нм, к 2017 г.», – прогнозирует Сан.
Дизайны, использующие шаг элементов 80–90 нм, могут быть построены с использованием однократного экспонирования. Но более тонкие линии потребуют второго прохода через сканер иммерсионной литографии.
«Экосистема уже готова, – сказал Клифф Хоу (Cliff Hou), вице-президент по исследованиям и разработке в TSMC. – 38 функций из 28 инструментов EDA были протестированы для 20 нм, 185 проектных наборов уже доступны для техпроцесса, а также и основные IP-блоки и IP-блоки критического интерфейса были проверены».

«TSMC ожидает в мае выхода с фабрики 20-нм тестового устройства, основанного на ядре ARM Cortex A15», – сказал Хоу.

  • Путь FinFET короче, чем ожидалось

TSMC удивила Кремниевую долину, объявив о начале производства в конце года первых 16-нм подложек с FinFET. Это соответствует графику, объявленному Globalfoundries и Samsung здесь в Сан-Хосе всего несколько недель назад.
В целом, индустрия планирует взять опыт, накопленный в производстве 20-нм микросхем с двухратной иммерсионной литографией, и скопировать на него 3D-транзисторные структуры. Такой ход дает преимущества в плотности, энергопотреблении и производительности, которые, однако, меньше чем для основного техпроцесса.
«Мы уверены, что 16-нм FinFET-техпроцесс выйдет на максимальный объем производства в следующем году», – сказал Сан.
TSMC показала диаграмму, доказывающую, что 64-битное ядро ARM в 16-нм техпроцессе будет иметь на 90% большую производительность, чем 32-битное ядро ARM A9 в 28-нм техпроцессе. Для сравнения, по оценке TSMC, ARM A15 в 20-нм техпроцессе даст около 40% прироста.

Три крупнейшие фаундри-компании планируют начать поставки FinFET в 2014 г.
«Текущие испытания 16-нм техпроцесса с использованием 128-Мб SRAM дают результат «с опережением плана», – сказал Сан. – Ядро работает с напряжением 0,8 В, схемы ввода/вывода – с 1,8 В».
«Основные IP, такие как стандартные ячейки и ячейки памяти, уже готовы для нового техпроцесса. Однако первые блоки критичных интерфейсов не будут тестироваться до июня», – уточнил Хоу.

  • Взгляд в туманное 10-нм будущее

В конце 2015 г. TSMC надеется начать поставки своих первых 10-нм подложек с использованием литографии жесткого ультрафиолета (EUV). Ключевое слово здесь – «надеется».
TSMC работала с EUV-сканером NXE3100 и продемонстрировала его применение для получения ребер FinFET за один цикл. Она надеется скоро получить NXE3300.
Уклоняясь от своих обещаний, TSMC прокладывает путь в многолучевой электронной литографии, которая, по словам Джека Сана «показывает хороший прогресс». «Она использует параллельные лучи для повышения пропускной способности, которая пока остается слишком малой, но «прототипы оборудования показывают перспективу того, что в будущем их стоимость эксплуатации может быть ниже чем для EUV», – добавил он.
Даже если EUV достигнет своих целей, 10-нм техпроцесс все равно потребует использования методов самосовмещения с иммерсионной литографией, чтобы минимизировать необходимость EUV только для нескольких критичных слоев. TSMC также проектирует так называемое G-правило, которое автоматизирует сложный процесс решения цветовых конфликтов при двухкратном экспонировании.

Если все пойдет хорошо, 10-нм техпроцесс сможет предложить 90%-ное увеличение плотности затворов. Он также сможет обеспечить 35%-ное увеличение быстродействия при той же потребляемой мощности или 40%-ное снижение потребляемой мощности на той же частоте, что и 16-нм изделие», – предположил Сан.

  • 3-D-стеки и 450-мм подложки

Хорошие новости о 3-D-стеках. TSMC сейчас выжимает более 95% годных на некоторых видах 2,5-D дизайнов с промежуточным кремнием, изобретенных Xilinx – с четырьмя FPGA, размещенными подряд на кремниевой вставке. Компания ожидает множество проектов таких устройств уже в этом году.
«Это возможность начать с простого и хороший старт в 3-D», – сказал Сан, отметив, что вставки будут иметь размер от 100 до 50 микрон.
Это только начало для 3-D вертикальных стеков, использующих межслойные переходы через кремний. TSV (межслойные переходы через кремний) имеют размеры от 6 до 2 микрон и сейчас в работе находится много разных прототипов.
В прошлом году TSMC испытывала 2,5-D стек, несущий рядом 40-нм логику и кристалл памяти стандарта Wide I/O (с широкой шиной) от SK Hynix. Кристаллы Wide I/O прошли испытания на соответствие спецификации Jedec, но многие испытания еще проводятся.
В мае TSMC надеется подготовить проект «правильного 3-D-стека ИС» на 28-нм норме с микросхемами памяти», сказал Хоу. Позже компания попытается создать новейшую логику и память в вертикальном стеке с TSV.
Сан прогнозирует, что такие микросхемы могут быть готовы к производству в 2015 или 2016 году, что согласуется с недавними оценками от Globalfoundries. «Между тем, еще больше логических 2,5-D-стеков будет выпущено в этом году, а смешанные стеки логики с памятью должны выйти в 2014 г.», – сказал он.

«В не таком уж далеком будущем должен появиться и смартфон на кремниевой супермикросхеме в 3-D корпусе», – сказал Сан.

  • Переход на 450-мм пластины

«Новое поколение кремниевых подложек все откладывается и не станет актуальным, по меньшей мере, до 2016 г.», – сказал Ванг. TSMC действует как главный подрядчик для фабрики консорциума G450, которая сейчас тестирует прототипы оборудования для 450-мм подложек.

Сравнение 450-мм и 300-мм пластин

TSMC полагает, что все оборудование под 450 мм будет готово для крупносерийного производства к концу 2015 г., кроме литографических систем. Иммерсионные системы не будут готовы для 450-мм пластин до конца 2017 г., а EUV... скажем, Ванг надеется, что они будут готовы в начале 2018 г. И снова, ключевое слово – «надеется». Поэтому TSMC планирует запустить пробную линию 450-мм пластин в 2016 или 2017 г., наращивая производство 10- и 7-нм микросхем.

www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/20.05.2013


Программное обеспечение


ITFY запустила публичное «облако» для индустрии микроэлектроники на базе технологий IBM

Российская компания ITFY представила комплексное инфраструктурное решение для коллективной разработки чипов и печатных плат на базе программно-аппаратной платформы корпорации IBM. Таким образом, завершен первый этап проекта ITFY по созданию «Центра электронных технологий» (ЦЭТ).
Как рассказали CNews в корпорации, стратегическая цель создания этого продукта — дать возможность российским разработчикам проектировать микроэлектронику, конкурентоспособную на мировом рынке. Демонстрация возможностей «облака» в реальном времени была проведена компанией ITFY в научно-технологическом центре IBM в Москве.
Ожидается, что облачные технологии IBM позволят привлечь мировых специалистов для совместного проектирования инновационных чипов и печатных плат. Пользователи получат возможность полноценно работать с САПР IBM, Synopsys и Mentor Graphics. Таким образом, команды как российских дизайнеров, так и дизайн-центры всего мира получают доступ к широкому спектру услуг в микроэлектронике — от средств разработки чипов до размещения заказов на фабриках. В перспективе планируется превратить ЦЭТ в средство интеграции российской экосистемы разработки чипов в мировую индустрию микроэлектроники, сообщили в IBM.
«Данный проект является действительно значимым в контексте инновационного развития России. За сравнительно небольшой срок нами был выполнен огромный фронт работ. Мы вплотную приблизились к осуществлению наших глобальных планов и в самое ближайшее время будем готовы выйти на рынок с полным пакетом предложений, — сообщил президент компании ITFY Леонид Сватков. — Уже в среднесрочной перспективе мы рассчитываем приблизительно на 500 клиентов-пользователей».
«Данный проект прекрасно иллюстрирует новые возможности, которые открывают компаниям облачные технологии. IBM, в свою очередь, готова предоставить мировой опыт по развертыванию публичных и частных “облаков”, отвечающих передовым стандартам безопасности», — заявил руководитель дирекции по развитию бизнеса IBM в России и СНГ Майкл Вирт.
По информации IBM, вычислительная среда «Центра электронных технологий» размещена в облачной инфраструктуре на базе программно-аппаратной платформы IBM, предоставляемой хостинговым центром IBM в России и СНГ. Это, в частности, маршруты САПР разработки IBM с топологией 90 нанометров и набор IP-блоков. Инновационный сервис дает возможность компаниям разрабатывать чипы с использованием лицензионных продуктов, просто арендуя программные и аппаратные мощности среды. Производство чипов на фабриках, работающих по технологиям IBM, является гарантией самого высокого качества. Клиентами ЦЭТ выступят средних размеров дизайн-центры (от 20 до 50 разработчиков), а сам сервис по изготовлению чипов и привлечению их проектировщиков планируется предоставлять не только в России, но и в Западной Европе, странах Ближнего Востока и Индии.
Для клиентов, планирующих воспользоваться услугами платформы, доступны бесплатные демонстрационные материалы и инструменты, что позволяет разработчикам чипов оценить возможности ЦЭТ. Для специалистов дизайн-центров на постоянной основе будут проводиться тренинги по работе в «облаке» и дизайну чипов по технологиям IBM на предварительно установленном программном обеспечении IBM.

Уже сегодня инновационная облачная система доступна для российских университетов (МИЭТ, МГТУ им. Баумана и МФТИ), специалисты и студенты которых смогут воспользоваться всеми возможностями ЦКР после прохождения обучающих тренингов.

www.cnews.ru/news/2013/05/23/itfy_zapustila_publichnoe_oblako_dlya_industrii_mikroelektroniki_na_baze_tehnologiy_ibm_529740


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014