ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 18(989) от 1 июля  2013 года


Мировой рынок


X-Fab совершенствует свой «аналоговый» 180-нм техпроцесс и снижает его стоимость


X-Fab модернизировала свой техпроцесс XP018 новыми возможностями для снижения стоимости микросхем для высокопроизводительных аналоговых приложений, таких как аудиоустройства и интерфейсы датчиков.
«С помощью этого передового 20-слойного техпроцесса заказчики могут строить свои СнК со смешанными сигналами, используя преимущества компоновки с плотностью 180 нм и двухтактных драйверов напряжения для диапазонов 5 В, 12 В и до 50 В – дальнейшее улучшение было произведено благодаря наличию NVM-блоков», – сказал представитель X-Fab Себастьян Шмидт (Sebastian Schmidt).
Эти возможности делают XP018 пригодным для недорогих пользовательских устройств, требующих интеграции аналоговых схем в 180-нм технологии.

Схематичное изображение структур в техпроцессе XP018

Снижение затрат происходит благодаря следующим улучшениям:
– Использование одного значения напряжения 5 В сокращает общее количество масок, благодаря исключению блока с напряжением 1,8 В, что удобно для недорогих мобильных устройствах.
– 5-вольтовая периферия с ячейками ввода/вывода, цифровой библиотекой, ППЗУ и аналоговыми блоками становится полностью совместимой с всеми высоковольтными возможностями XP018, что позволяет применять ее со всеми драйверами устройств.
– Применение ее с новыми 12-В транзисторами, оптимизированными по прямому сопротивлению, уменьшает необходимую площадь кристалла для драйверов пьезо- или емкостных устройств.
К тому же, имеется компилятор ППЗУ для 5-В модуля, предназначенный для целей калибровки до 16 Кбит, который дополняет существующие восстанавливаемые перемычки для компенсации калибровочных бит для небольших отклонений.
Компоновка металлических соединений под конкретное устройство – концепция впервые введенная в платформе XP018 – также снижает стоимость дизайна. Это позволяет производить гибкое, экономичное по площади размещение МДМ-конденсаторов в металлическом слое.
И наконец, 60-В металлический краевой конденсатор и поликремний со средним сопротивлением 1 кОм/кв. облегчают проектирование высоковольтных устройств с напряжением питания 60 В.  Источник: Electronics Weekly
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/20.06.2013


TOP 20 MEMS-ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ 2011 ... 2012


Ниже приводятся данные по лидерам рынка MEMS (MicroElectroMechanical Systems) датчиков, подготовленные аналитической компанией IHS.


2012

компания

оборот в 2012
($ млн.)

оборот в 2011
($ млн.)

динамика

доля рынка в 2012

1

BOSCH

793

735

+7,9%

9,5%

2

STMICROELECTRONICS

793

644

+23,1%

9,5%

3

TEXAS INSTRUMENTS

751

776

-3,2%

9,0%

4

HEWLETT-PACKARD

677

748

-9,5%

8,1%

5

CANON

377

369

+2,2%

4,5%

6

DENSO

298

292

+2,1%

3,6%

7

PANASONIC

296

308

-3,9%

3,5%

8

KNOWLES ELECTRONICS

292

273

+7,0%

3,5%

9

ANALOG DEVICES

285

257

+10,9%

3,4%

10

FREESCALE

255

245

+4,1%

3,1%

11

EPSON

223

246

-9,3%

2,7%

12

SENSATA TECHNOLOGIES

200

190

+5,3%

2,4%

13

INVENSENSE

186

144

+29,2%

2,2%

14

AVAGO TECHNOLOGIES

167

193

-13,5%

2,0%

15

VTI

163

135

+20,7%

2,0%

16

INFINEON TECHNOLOGIES

157

139

+12,9%

1,9%

17

GENERAL ELECTRIC

141

132

+6,8%

1,7%

18

JDSU

114

103

+10,7%

1,4%

19

FORMFACTOR

109

115

-5,5%

1,3%

20

TRIQUINT SEMICONDUCTOR

94

88

+6,8%

1,1%

 

остальные:

1.957

1.828

+7,1%

23,5%

 

всего:

8.342

7.961

+4,8%

 

www.ecworld.ru/support/sst/memstop20.htm


Товарные запасы поставщиков ИС снижаются


Недавние сообщения о надвигающемся дефиците и все более жестких сроках поставок были подтверждены докладом IHS, в котором говорится, что в первом квартале товарные запасы поставщиков полупроводников значительно сократились.
Запасы, созданные во время глобального «недомогания» экономики в 2012 г., были разобраны в предчувствии возрождения пользовательского спроса на электронную продукцию, ожидаемого во второй половине 2013 г., сообщает IHS iSuppli.
«Товарные запасы производителей полупроводников в первом квартале снизились до 37,6 млрд долл., что на 4,6% ниже от 38,4 млрд долл. в четвертом квартале 2012 г.», – заявляют в IHS.

Товарные запасы производителей полупроводников во всем мире по кварталам (в млн долл. США), по данным IHS iSuppli на июнь 2013 г.

Снижение товарных запасов происходило одновременно с уменьшением доходов от продаж полупроводников, которые снизились на 5,1% по сравнению с предыдущим периодом, следуя естественной сезонной тенденции.
«В то время как в первом квартале доходы в целом снизились, уменьшение товарных запасов среди производителей микросхем в сочетании с нарастающими запасами у дистрибьюторов, контрактных производителей и OEM-производителей является индикатором роста потребительского спроса на электронику за этот период, — заявила Шэрон Стифель (Sharon Stiefel), аналитик полупроводникового рынка в IHS. — И это способствовало уменьшению запасов микросхем. В то же время, полупроводниковые компании проводили жесткий контроль своих производственных мощностей, что и привело к снижению запасов».
В цепочке поставок электроники наибольшие запасы были накоплены производителями мобильных телефонов и OEM-производителями. Производители мобильных телефонов увеличили свои товарные запасы, включая готовые смартфоны, на 7,2% в течение квартала. В свою очередь, OEM-производители ПК увеличили свои запасы продукции, включая ноутбуки и настольные ПК, на 6%.
Увеличение товарных запасов у OEM, контрактных производителей и дистрибьюторов за первые три месяца года стало полной противоположностью ситуации в четвертом квартале 2012 г., когда складские запасы в этих сегментах снизились.
«Рост товарных запасов в различных звеньях цепочки поставок указывает на то, что электронная промышленность готовится к нарастанию спроса во второй половине 2013 г.», – сказала Стифель.
Общие глобальные экономические индикаторы указывают на возрастание в течение ближайших кварталов, в основном, в развивающихся странах. Это стимулирует полупроводниковые компании и их заказчиков увеличить загрузку фабрик во втором квартале для удовлетворения спроса на поставки во второй половине года.
Ожидается, что уровень товарных запасов во втором квартале повысится в ответ на возрастающие темпы заказов у производителей электронного оборудования, тогда как уровень запасов для потребителей полупроводников, скорее всего, останется без изменений. Источник: Electronics Weekly
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/1.07.2013


Российская микроэлектроника


Каждому по кластеру: ведомства соревнуются в реализации программ развития микроэлектроники


На зеленоградской конференции SEMICON Russia 2013 одной из центральных и острых стала тема государственной поддержки отечественной микроэлектроники и наличия единой продуманной стратегии по её развитию. Само государство, в лице Минпромторга, видит в отрасли один из самых высокопроизводительных секторов экономики, который определяет конкурентоспособность других отраслей промышленности и решение социальных задач. С собственными живыми и отчасти противоположными примерами консолидации электронного бизнеса на конференции выступили представители зеленоградского «Микрона» и холдинга «Росэлектроника». В игру активно включилось и правительство Москвы.
Заместитель директора департамента радиоэлектроники Минпромторга Павел Куцько рассказал участникам конференции — представителям электронных предприятий, науки, институтов развития инновационного бизнеса России, а также зарубежным гостям — о новой государственной программе по развитию электронной и радиоэлектронной промышленности, принятой в конце 2012 года. Основные тенденции новой программы — сокращение прямых госинвестиций в предприятия и увеличение финансовой поддержки конкретных проектов, привлекая для этого все больше частных инвестиций. Кроме того, государство намерено продвигать создание кластеров предприятий в отрасли.
«Благодаря прошлой федеральной целевой госпрограмме — „Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники“ на 2008-2015 годы — которая сейчас близка к завершению, нам удалось решить базовые задачи, которые позволяют сегодня двигаться вперёд: мы сохранили структурообразующие предприятия отрасли, создали основу для развития микроэлектронных производств, сформировали систему дизайн-центров, способных работать на современном оборудовании с использованием новых технологий, — отметил Павел Куцько. — Новая госпрограмма нацелена на использование новых возможностей, которые сегодня появляются у отрасли, в том числе, с учетом изменения конъюнктуры рынка, вступления России в ВТО и высоких темпов роста доли радиоэлектроники в структуре мирового обрабатывающего производства. Прежде всего, эти возможности связаны с интенсивным ростом спроса в профессиональных сегментах и с появлением их на глобальном и внутреннем рынке: это системы энергоэффективности и электротехнического оборудования, автомобильная электроника, медицинская техника, системы безопасности и промышленной электроники. Для развития этих сегментов у российских предприятий есть существенный задел — и технологический, и производственный потенциал, и интеллектуальный капитал. Мы ожидаем к 2025 году увеличения доли российских компаний в приоритетных сегментах на внутреннем рынке до 40%, на мировом — в 3 раза».
Один из принципов, заложенных в новой госпрограмме — постепенный переход от прямой господдержки отдельных предприятий к созданию условий для развития отрасли. В этом состоит задача её первого этапа, 2013-2015 годов. На втором этапе, в 2016-2020 годы, государство намерено активно содействовать запуску новых проектов; начиная с 2021 года акценты сместятся на поддержку роста производства.
Госфинансирование отрасли электроники до 2025 года планируется снизить почти вдвое — с 19 (2013 год) до 11 млрд рублей (2025 год), однако общий размер инвестиций за этот период должен вырасти, как полагают в Минпромторге, за счет средств частных компаний — с 36 (2014 год) до 45,5 млрд рублей (2025 год). Реализация всех трёх этапов программы подразумевает тесную координацию с национальными институтами развития — Сколково, Роснано, Внешэкономбанком. При этом из внебюджетных источников государство рассчитывает привлечь за весь период более 339 миллиардов рублей, а из федерального бюджета вложить 178 миллиардов рублей, которые в основном пойдут на институциональную поддержку и стимулирование инвестиционной активности со стороны частного бизнеса, как отмечается в презентации госпрограммы.
Основным механизмом её реализации станет создание кластеров в радиоэлектронной промышленности, ориентированных на развитие малых и средних предприятий. В таких кластерах будут поддерживаться специальные условия для развития микроэлектронных производств и формирования кооперации, там же будет организована инфраструктура общего пользования, научная и технологическая база, система подготовки кадров. Сейчас Минпромторг прорабатывает вопрос о создании более чем 20 таких кластеров.
«Логика снижения госинвестиций, кластерная политика, привлечение малых и средних предприятий, создание конкурентной среды полностью отвечает нормам ВТО, — отметил Куцько. — Что касается уже действующих компаний — мы продолжим совершенствовать условия ведения бизнеса, будем активно применять меры нормативно-правового и нормативно-технического регулирования, оказывать поддержку рынку...»

«Микрон»: кластер уже есть — нужны потребители и таможенные льготы


Пример микроэлектронного кластера, который де-факто уже самоорганизовался вокруг зеленоградского «Микрона» привёл в своём докладе на конференции Николай Шелепин, первый заместитель генерального директора НИИМЭ, заместитель генерального конструктора «НИИМЭ и Микрон». Он отметил, что общепринятая практика в мире — концентрация вокруг одной крупной «якорной» микроэлектронной компании альянсов и кооперации, объединяющих поставщиков исходного сырья и материалов, разработчиков и поставщиков оборудования, научно-исследовательские институты, дизайн-центры полупроводниковых приборов и микросхем, сборочные производства и сервисные фирмы.
«Фактически на данный момент „якорной компанией“ зеленоградского кластера со своими технологиями микроэлектроники является „Микрон“, — заявил Шелепин. — Что мы имеем с точки зрения кластера? МИЭТ, как высококлассный университет, который готовит специалистов для электронной промышленности; налаженное сотрудничество с Зеленоградским наноцентром; установившиеся связи с рядом дизайн-центров Зеленограда, среди которых есть как начинающие (дизайн-центр „Союз“, КМ-211), так и давно работающие фаблесс-компании („Элвис“, „Миландр“). У нас есть прочное сотрудничество с компанией „Эпиэл“, которая занимается созданием исходных материалов для микроэлектронной промышленности. Таким образом, в Зеленограде есть сильный средний и малый бизнес в области микроэлектроники для развития реального микроэлектронного кластера. Кроме того, „Микрон“, конечно, ведёт большую работу и с массой других дизайн-центров, и с международными компаниями...»
На сегодняшний день, по словам Николая Шелепина, одним из самых «больных» вопросов в отрасли остаются существующие правила таможенного оформления импорта в Россию микроэлектронных элементов, что сказывается на оперативности поставок исходных материалов и запчастей для работающих технологических линий. Выход, который предлагает «Микрон» — в расширении территории особой экономической зоны «Зеленоград», в которую могли бы войти существующие предприятия, обретя таможенные льготы ОЭЗ. Правда, в госструктурах это предложение, которому уже не один год, пока не нашло отклика. Хотя по инициативе правительства Москвы сейчас рассматривается возможность законодательного увеличения числа площадок ОЭЗ.
О второй проблеме «Микрона» и его кластера говорят уже много лет. «Сегодня зеленоградскому кластеру не хватает еще одной „якорной“ компании — которая была бы основным потребителем нашей микроэлектронной продукции. — Считает Шелепин. — С этим у нас в целом в России есть проблемы, которые, надеюсь, будет решать госпрограмма развития радиоэлектронной промышленности. Много лет считалось, что у нас в стране нет технологий производства микросхем, нет компонентной базы. В конце концов, получилось так, что на примере „Микрона“ современная технология изготовления микросхем появилась раньше, чем компании, способные потреблять новые разработки и обеспечивать массовый выпуск электронной аппаратуры».
Помимо того, что в стране по-прежнему крайне узок круг потенциальных потребителей отечественной микроэлектроники, по мнению «Микрона» разрыв есть и с другой стороны цепочки: в доведении до производства тех научных и дизайнерских разработок, которые создаются в НИИ, технопарках и инновационных стартапах. Николай Шелепин признал их достаточно конкурентоспособными, оригинальными и многообразными — тем острее проблема их эффективной коммерциализации и доведения до рынка. Её и могли бы разрешить сильные микроэлектронные кластеры, выстраивая весь процесс от заказа и поиска научных исследований до производства и продажи продуктов. «Подобный кластер — это большое количество рабочих мест и хороший инструмент развития инновационной экономики в регионе», — заметил Николай Шелепин.

«Росэлектроника»: впереди кластеризация холдинга и выход на IPO


В холдинг «Российская электроника» входит на сегодня около 120 предприятий радиоэлектронной промышленности России — предприятий бывшей электронной промышленности СССР, сохранивших госучастие и объединенных в 1997 году по решению правительства РФ. Среди них — зеленоградские «Ангстрем», «Логика» и ЦКБ «Дейтон», половина из предприятий холдинга являются традиционными изготовителями электронной компонентной базы, а вторая половина — это как раз её потребители, которых так не хватает «Микрону». Альтернативный вариант территориально-распределённого микроэлектронного конгломерата, образованного «сверху», а точнее сохранённого с исторически сложившимися взаимоотношениями.
«„Росэлектроника“ объединила компетенции в области электронной компонентной базы, аппаратуры и комплексов, получив уникальное позиционирование на рынке, — доложил на конференции Павел Приходько, руководитель Центра оптимизации производственных систем в холдинге „Российская Электроника“. — Наши основные сферы — это СВЧ-компоненты, компонентная база для специальных и широких нужд, спецсвязь и управление воздушным движением, комплексы АСУ и системы интерактивного управления. В структуре выручки компании порядка 49% — компоненты, 31% — радиоэлектронное оборудование, около 1% — материалы. Стратегические продуктовые направления на рынке гражданской продукции это информационно-компьютерные технологии, системы безопасности, медицинское оборудование, промышленная электроника, системы и комплексы связи. В стратегически значимые для нас государственные интересы входит обеспечение высоких характеристик и низкой себестоимости систем двойного и специального назначения и развитие инноваций для сферы радиоэлектронной промышленности».
Для развития холдинга до 2020 года в «Росэлектронике» выбрали сбалансированную по целевым рынкам стратегию — она предполагает реализацию продуктовых направлений разного уровня, укрепление операционных связей между предприятиями и отказ от наиболее рискованных направлений. Помимо достижения ряда плановых показателей это позволит устранить технологические разрывы смежных цепочек предприятий по холдингу и повысить устойчивость его к внешним факторам экономики. «По многим направлениям, которые сегодня не совсем традиционны для „Росэлектроники“, мы планируем увеличение показателей более чем на порядок», — отметил Павел Приходько.
Кластеризация — другой тренд на ближайшие годы: корпоративный центр и усиление головных центров приоритетных направлений, которые станут центрами кластерных притяжений — такой будет «планетарная модель» холдинга. Кроме того, в «Росэлектронике» планируют заняться оптимизацией активов и инвестиций. К 2020 году, согласно внутреннему прогнозу, примерно 25% компаний холдинга объединятся, общее их число сократится с 124 до 104.
«Оптимизация структуры активов будет выполнена с учетом стратегической важности и финансового состояния каждого отдельного актива, — рассказал Приходько. — Активы делятся на системообразующие, центры ключевых компетенций, центры второстепенных компетенций, непрофильные активы. Все они у нас структурированы, оценены, по ним принимаются оперативные решения об усилении, объединении или о выводе из холдинга, продажи для инвестиций в более перспективные направления. Большая часть таких инвестиций — 65% — будет направлена на развитие технологий двойного назначения и покрыта за счет новых рынков, 35% пойдёт на развитие проектов, диверсификацию бизнеса и гражданский сегмент. Запланировано также приобретение активов в Юго-Восточной Азии — то есть, мы предполагаем как развитие собственных заводов для внутренних целей и обеспечения госзаказов, так и приобретение активов для выхода на международный рынок. Конечная цель компании — выход на IPO и аккумулирование средств для дальнейшего развития. Мы обсуждаем сейчас разные модели выхода на IPO всего холдинга и, скорей всего, остановимся на выводе на IPO для начала только гражданского бизнеса, потом начнем поэтапный вывод остальных направлений, а затем и полностью всех предприятий холдинга».
Первым крупным представителем сектора отечественной микроэлектроники на фондовом рынке был концерн «Ситроникс», которому принадлежал зеленоградский «Микрон» — 20% акций «Ситроникса» были размещены на Лондонской фондовой бирже с 2007 по 2012 год.
Правительство Москвы: кластер на низком старте
К началу практической реализации подошёл инновационно-территориальный кластер в Зеленограде. Условия финансирования проектов кластера определены и теперь необходимо срочно переделать задумки под нужный формат, а также наладить работу управляющей компании. Если всё пойдёт по плану, то кластерный проект министерства экономического развития в Зеленограде может первым показать результат.
http://rosrep.ru/news/20.06.2013


"Микрон" поставил RFID бирки для ювелирного завода


Москва, 24 июня 2013 – ОАО «НИИМЭ и Микрон», крупнейший производитель и экспортер микрочипов и RFID продуктов, входящий в отраслевой холдинг РТИ, начал поставки чиповых бирок для костромского ювелирного завода «Александра».
Объем первой партии составил 100 тысяч бирок. Бирка работает по бесконтактному интерфейсу на частоте UHF и полностью отвечает требованиям заказчика. Основные преимущества RFID бирки – ее компактность и уникальная антенна, разработанная специалистами RFID лаборатории ОАО «НИИМЭ и Микрон».
RFID бирка крепится к ювелирному изделию и позволяет значительно уменьшить время поиска и повысить эффективность учета ювелирных изделий.
На «Микроне» реализован полный цикл производства и конвертации RFID бирок. Это является основным преимуществом компании перед другими производителями. Наличие собственной RFID лаборатории позволяет моделировать характеристики антенны, тестировать ее согласованность работы с чипом, менять параметры продукта под конкретные условия эксплуатации
www.mikron.ru/press/news/24.06.2013


«Ангстрему» исполнилось 50 лет! Поздравляем!


25 июня 1963 был основан НИИ-336, впоследствии преобразованный в НИИ точной технологии (НИИТТ) и завод «Ангстрем». Предприятие было одним из основных производителей интегральных схем в СССР и до сих пор сохраняет лидирующие позиции в ряде секторов микроэлектронной отрасли.
По данным на 2012 год на «Ангстреме» работают почти 2000 человек из них 64% — жители Зеленограда. Треть работников — пенсионеры, средний возраст сотрудников — 46 лет. При этом есть большой приток новых кадров — у 53% сотрудников опыт работы менее 2 лет. Среднемесячная зарплата — свыше 51 тысячи рублей.
О себе компания сообщает, что является ведущим российским разработчиком и производителем продукции микроэлектроники (в том числе специального назначения) и телекоммуникационного оборудования. Сейчас предприятие имеет серийное оборудование и технологии, позволяющие разрабатывать и производить изделия различного класса сложности на пластинах диаметром 150 мм. Это, в первую очередь, сверхбольшие интегральные схемы, реализованные на БМК, схемы памяти, схемы стандартной логики (весь ряд по напряжению питания и быстродействию), микроконтроллеры и операционные усилители, приборы для силовой электроники и МЭМС.
Разработки «Ангстрема» в значительной мере востребованы рынком госзакупок и решают такие приоритетные задачи отечественной микроэлектроники, как разработка и освоение в производстве силовой электроники и радиационно-стойкой электронной компонентной базы (ЭКБ). В 2012 году «Ангстрем» являлся основным поставщиком радиационно-стойкой ЭКБ для военно-промышленного комплекса, в первую очередь для «Роскосмоса» и «Росатома». В ряде секторов «Ангстрем» занимает лидирующие позиции: 100% рынка устройств криптозащиты для кассовых аппаратов, 14% на рынке БИС БМК, 15% — радиационной стойкие ИС на базе КНС.
Приоритетным направлением развития «Ангстрема» стала реализация программы создания и разработки массовых изделий силовой электроники. Мировой рынок силовых транзисторов с биполярным затвором и сверхбыстровосстанавливающихся дидов стабильно растёт, а у «Ангстрема» есть большой опыт производства подобных приборов. Кристаллы находятся на испытаниях у заказчиков, продажи по этому направлению должны начаться осенью 2013 года.
«Ангстрем» продолжает разработки систем связи универсального назначения, призванных заменить существующие портативные средства связи в армии и спецслужбах, а также участвует в проектах электронных документов: электронной карты и жетона военнослужащего, заграничного и внутреннего паспортов.
Продолжается строительство корпуса по проекту «Ангстрем-Т» (производство микросхем по нормам 130 нм). Проект «разморожен» и начат завоз оборудования.
Чистая прибыль ОАО «Ангстрем» по итогам 2012 года увеличилась вдвое — до 61 млн рублей, а выручка превысила 3 млрд. При этом доход от реализации микросхем (кристальное и сборочное производство) падает, а от выполнения опытно-конструкторских работ растёт. «Ангстрем» рассчитывает на увеличение оборонзаказа, что повысит спрос на продукцию специального назначения. Однако, на предприятии понимают, что вторая волна экономического кризиса и падение цен на нефть может привести к корректировке государственных расходов.
На внешних рынках «Ангстрем» сталкивается с растущей конкуренцией и постепенным моральным устареванием основного технологического оборудования. На предприятии признают, что необходимо как можно быстрей переходить на более совершенное оборудование, позволяющее повысить технические и технологические возможности производства.
В нынешнем году «Ангстрем» планирует получить готовые модули для электронных документов с учетом всех замечаний, продолжить разработку новых радиационно-стойких щелевых ДМОП-транзисторов, стойких к воздействию тяжелых заряженных частиц, начать продажи силовой электроники, продолжить массовый выпуск телекоммуникационного оборудования и микропроцессоров для криптозащиты в новом корпусе. Источник: Zelenograd.ru
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/25.06.20134


Аналитика/Прогнозы


Будущее технологий изготовления ИС: битва между Intel, IBM и ST


Будущее технологических процессов остается открытым при наличии трех возможных вариантов: FinFET на монолитной подложке, FinFET на кремнии-на-изоляторе (SOI), планарный FD-SOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе.
Так считает Асен Асенов (Asen Asenov), профессор электроники и электротехники в Университете Глазго и директор Gold Standard Simulations, ведущей компании в области статистической нестабильности КМОП.
«Идет битва между Intel и IBM – между SOI FinFET и монолитной FinFET технологиями, – сказал Асенов. – В то же время, планарная технология FD-SOI компании ST предлагает очень хорошее решение с малым потреблением. FD-SOI имеет преимущества с точки зрения простоты».
Недавно Асенов предоставил специальный доклад о применимости техпроцессов на ежегодной конференции по автоматизации проектирования DAC.
FD-SOI – надежда европейской микроэлектроники
«Основной проблемой FD-SOI является отсутствие достаточной инфраструктуры. С точки зрения экосистемы, нет достаточного количества людей, – добавил Асенов. – Все интересуются FinFET, потому что это делает Intel. Я думаю FD-SOI – это очень хорошее техническое решение. Вы можете сократить энергопотребление с помощью обратного смещения – FinFET нечувствительны к обратному смещению, – а FD-SOI имеет очень хорошую восприимчивость к обратному смещению».
Развитие FD-SOI зависит от STMicroelectronics. ST производит 28-нм FD-SOI подложки в г. Кроль (Франция) в количестве менее 2000 пластин в месяц, но она уже передала производственный процесс на фабрику Globalfoundries в Дрездене. Также ST намеревается лицензировать технологию, чтобы расширить экосистему FD-SOI.
«ST находится в очень благоприятной ситуации, она имеет хорошие отношения с SOITEC и LETI, – сказал Асенов, – Французское правительство закачивает туда деньги».
В рамках программы Places2Be стоимостью 100 млрд долл., объявленной вице-президентом Евросоюза Нили Кроэс (Neelie Kroes) в прошлом месяце, ЕС вложит 360 млн евро для поддержки производств в Дрездене и Кроле. Половина бюджета ST на исследования и разработку, около 300 млн долл., тоже будет направлена на развитие FD-SOI.
Это является жизненной необходимостью для Европы как экономического сообщества, полагает Асенов: «Если у нас не будет передовой полупроводниковой промышленности, то мы станем страной третьего мира. Для Европы очень важно проснуться и осознать, что полупроводниковая технология – это технологическая основа всех цифровых приложений».
IBM против Intel за FinFET
Что касается соперничества IBM–Intel между монолитной FinFET и FinFET на SOI, Асенов указывает, что эта битва другой экосистемы. Монолитная технология имеет большую экосистему, а SOI – значительно меньшую.
Очевидно, что монолитные FinFET имеют трудности, потому что Intel отказалась от идеальной прямоугольной формы ребер, перейдя на трапецеидальные ребра, что снижает быстродействие ИС на этом техпроцессе на 15%.

«Рассмотреть FinFET-транзисторы Intel довольно сложно», – говорит Асенов.
Фотографии трех FinFET-транзисторов Intel, полученные с помощью просвечивающего электронного микроскопа с наложением области от статистического 3D-атомного симулятора GARAND
Intel не сказала, почему она перешла на трапецеидальную форму, но Асенов имеет свое мнение:
«В монолитной FinFET-технологии вам необходимо вытравливать ребра, – сказал Асенов. – Чтобы обеспечить изоляцию, нужно вытравить ребро и затем продолжить углублять канавку в кремнии, которая вдвое-втрое глубже высоты ребра. Также осаждение оксида с высоким К может быть легче с трапецеидальным ребром».
«По сравнению с прямоугольным ребром, трапецеидальное ребро Intel дает меньшее на 15% быстродействие при той же высоте и ширине», – сказал Асенов.
Однако IBM, используя SOI FinFET, показала, что может лучше приблизится к идеальной прямоугольной форме.
«IBM показала, что они могут добиться лучшей формы, – сказал Асенов. – На вершине ребра имеется некоторое закругление, потому что при идеальной прямоугольной форме иногда возникает высокая напряженность электрического поля, что может привести к проблемам с надежностью».
Тогда почему Intel не переходит на SOI?
«Intel перешла на более сложную технологию, потому что она боится стать зависимой от одного поставщика SOI-подложек – SOITEC, – ответил Асенов. – К тому же Intel беспокоят объемы поставок подложек, которые она сможет получить от SOITEC».
«SOITEC понимает проблему Intel и лицензировала технологию другим компаниям, и ситуация с поставками SOI стала лучше», – заявил Асенов.
Кроме Globalfoundries, другие фаундри не перешли на SOI. На вопрос почему, Асенов ответил: «Производство SOI FinFET дешевле, чем монолитной FinFET, но SOI-подложки значительно дороже, и поэтому если фаундри переходит на SOI, она должна отдать часть своей прибыли производителю SOI. Поэтому монолитная технология лучше для фаундри компаний, и поэтому они переходят на монолитный техпроцесс 16 нм и 14 нм. Однако SOI имеет преимущество. Для фаундри-производителей главной целью является не наилучшее техническое решение, а решение, которое производит наибольшую прибыль–.
Поэтому битва за будущее производственного процесса складывается так: SOI FinFET против FD-SOI.
Технология FD-SOI здесь является плохо предсказуемой, потому что это европейское решение, в то время как Америка переходит на FinFET.
Однако FD-SOI хорошо масштабируется
«28-нм FD-SOI-техпроцесс предоставляет на 30% лучшее быстродействие, чем 28-нм монолитный техпроцесс, – заявляет главный инженер и директор по маркетингу ST Жан-Марк Чери (Jean-Marc Chery). – 14-нм техпроцесс дает еще 30% повышения быстродействия при том же напряжении питания, 50% снижения энергопотребления на той же частоте и 40% уменьшения площади кристалла».
Эти показатели могут быть улучшены с помощью смещения. Прямое смещение активной области на 14-нм FD-SOI-техпроцессе дает еще 15% быстродействия при том же рабочем напряжении; обратное смещение «тела» снижает энергопотребление еще на 10% при той же частоте. Смещение, однако, неприменимо к FinFET.
На данный момент стоит задача получить готовый для прототипов заказчика 14-нм FD-SOI-техпроцесс во втором квартале 2014 г.
14-нм проектировочный набор PDK уже готов, 14-нм IP будет готова к концу этого года, 14-нм тестовые носители для определения качества процесса запланированы к концу года.
«Мы должны подготовить 14-нм FD-SOI-техпроцесс до того, как кто-нибудь получит 14-нм FinFET», – сказал Чери.
Чери ожидает, что сложность и дороговизна FinFET-технологии отпугнет заказчиков, желающих получить недорогой и более простой техпроцесс.
Источник: Electronics Weekly
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/25.06.2013


Выставки


SEMICON Russia 2013 вышла на новый уровень


С 4 по 6 июня в Москве состоялась главная российская выставка и конференция полупроводниковой промышленности и смежных отраслей – SEMICON Russia 2013. Первой и важной частью программы SEMICON Russia стала Конференция по российскому рынку микроэлектроники, которая прошла 4 июня в Префектуре Зеленоградского административного округа.
Вслед за ней, 5 июня в Экспоцентре открылась выставка SEMICON/ SOLARCON Russia, ежегодно предлагающая специалистам не только инновационную экспозицию, но и серию международных образовательных программ.
Конференция в Зеленограде
В свете госпрограммы Министерства промышленности и торговли и планов Евросоюза по увеличению производства полупроводников, в этом году Конференция приобрела особую значимость для развития международного диалога в области микроэлектроники. Об этом также свидетельствует высокий уровень государственной поддержки и проведение Конференции в Зеленограде – столице российского полупроводникового кластера.
"Нельзя отрицать, что за последние годы у нас произошел существенный скачок в микроэлектронике. В первую очередь это связано с  нашими успехами в Зеленограде", - заявил Павел Куцько, Заместитель директора департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга РФ на открытии Конференции.
В числе спикеров Конференции: Хайнц Кундерт, Президент SEMI Europe, Павел Куцько, Заместитель директора департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга РФ, Михаил Ан, Заместитель директора Департамента науки, промышленной политики предпринимательства Правительства Москвы, Руслан Титов, Управляющий директор РОСНАНО, Юрий Васильев, Управляющий директор ОЭЗ "Зеленоград" и кластера Зеленоград, Анкит A. Шукла, Директор практики технологических исследований, Frost & Sullivan,  Алан Астье, Вице-Президент STMicroelectronics, д-р Беван Ву – Старший Советник ITRI International.
В настоящее время и Россия, и Евросоюз разрабатывают стратегии развития электронной промышленности. Согласно общему мнению спикеров Конференции, в этих условиях особенно необходимо инициировать совместные проекты российских и европейских компаний. В этом направлении Конференция SEMICON Russia выполняет свою важную роль – международной площадки для обмена опытом, постановки и обсуждения задач отрасли:
"Развитие электроники в России сдерживает ограниченный внутренний рынок… Без выхода на внешний рынок, в том числе микроэлектроники, будет весьма сложно привлекать частный капитал в отрасль",–  утверждает Павел Куцько.
При этом, отечественная микроэлектроника должна сфокусироваться на приоритетных для России направлениях, таких как космос, авиация, вооружение, способных поддержать развитие всей отрасли, и обеспечить базовые потребности страны в таких сферах как транспорт и информационная безопасность:
"Есть вопросы, которые необходимо решать, несмотря ни на что: развитие микроэлектроники для космоса, специальных применений, паспортно-визовых документов...", – пояснил Куцько.
Подводя итоги дискуссии, Николай Лисай, директор по развитию бизнеса ОАО "Ангстрем" еще раз подчеркнул, что важнейшей задачей отечественной  полупроводниковой промышленности является выход на мировые рынки с востребованными продуктами. Для этого необходимо найти свои ниши и обеспечить тотальное качество на всех этапах производства. Только баланс науки и бизнеса сможет повысить конкурентоспособность российской микроэлектроники.
Конференция по российскому рынку микроэлектроники состоялась в преддверии главной выставки индустрии полупроводников – SEMICON Russia 2013, которая проходила 5-6 июня в Экспоцентре на Красной Пресне.
Выставка SEMICON Russia 2013
В этом году выставка SEMICON Russia выросла и собрала более 120 участников из 13 стран, включая ведущих международных и региональных  поставщиков оборудования, материалов и услуг для полупроводниковой промышленности. Всего в 2013 году выставку посетило более 2200 специалистов.
"SEMICON Russia – это единственная выставка в России, собирающая весь свет и элиту полупроводниковой промышленности и отражающая все, что происходит в индустрии", – отметила Ольга Сыч, Начальник отдела маркетинга, КБТЭМ-ОМО, Беларусь.
Впервые на SEMICON Russia была представлена коллективная экспозиция Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства Правительства Москвы, на открытии которой выступил Руководитель департамента, Алексей Комиссаров, а также Александр Якунин, Директор департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторг РФ.
"Участие Правительства Москвы в выставке SEMICON Russia 2013 представляет собой великолепную возможность найти новые подходы к взаимодействию с участниками делового оборота в области микроэлектроники", – заявил Алексей Комиссаров, Руководитель департамента науки, промышленной политики и предпринимательства Правительства Москвы.
Большим интересом у специалистов пользовались образовательные программы SEMICON Russia. В это году они включали Сессии по полупроводникам, MEMS, новым технологиям корпусирования, фотовольтаике, а также презентации экспонентов на TechArena SEMI.
По мнению большинства экспонентов, SEMICON Russia в очередной раз продемонстрировала свою эффективность, помогая российским и зарубежным участникам встречаться, обмениваться опытом и развивать долгосрочное сотрудничество.
"SEMICON Russia – это действительно собрание сильных специалистов, которые сегодня развивают технологии в электронной промышленности", – подчеркивает Илья Рогов, Руководитель отдела маркетинга и PR, Элтех.
В 2013 году SEMICON Russia укрепила свои позиции и заложила прочные основы для развития международного сотрудничества в области полупроводниковой промышленности.
www.comnews.ru/24.06.2013


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014