ОАО ИНТЕГРАЛ


Выпуск  № 3(1026) от 28 февраля 2015 года


Мировой рынок


Полупроводниковое производство в Индии может начаться с аналоговых и силовых микросхем


Стоимость проекта всего один миллиард долларов США, что в десять раз меньше, чем планировалось ранее в расчёте на возведение двух заводов.
Ровно год назад Индия была как никогда близка к началу строительства первого в стране полупроводникового завода. Точнее, двух заводов, каждый из которых, как планировалось, мог обрабатывать ежемесячно по 30 тысяч 300-мм кремниевых подложек. Вопрос с постройкой первого в стране полупроводникового предприятия не может быть решён вот уже десять лет. К февралю 2014 года было создано два консорциума, каждый из которых готовился строить свою фабрику. Это группа из компаний Tower Jazz, IBM и Jaiprakash Associates (возможно — Jaypee Associates), и группа из компаний Hindustan Semiconductor Manufacturing Co. (HSMC), STMicroelectronics и Silterra. Но весной 2014 года в Индии сменилось правительство, и вопрос снова остался нерешённым.
На днях произошло событие, которое позволяет надеяться на хотя бы частичное решение вопроса с местным производством полупроводников. Американская компания Cricket Semiconductor подписала договор о взаимопонимании с индийской полупроводниковой ассоциацией IESA и правительством штата Мадхья-Прадеш (Центральная Индия). Согласно договору, планируется построить в Индии первый полупроводниковый завод, способный выпускать до 60 тысяч 300-мм пластин в месяц. Стоимость проекта всего один миллиард долларов США, что в десять раз меньше, чем планировалось ранее в расчёте на возведение двух заводов.
Секрет «уценки» в том, что партнёры предлагают построить в Индии первым завод, который выпускал бы силовые и аналоговые полупроводники. Это намного дешевле, чем строить производство для выпуска цифровых микросхем. Зато в случае успеха это открыло бы путь для инвестиций в национальную отрасль и создало бы привлекательный фон для строительства завода уровнем выше — для цифровой логики. Кроме того, у Индии есть потребность в силовых и аналоговых элементах, которые необходимы для автомобильной и промышленной электроники. Впрочем, как и для выпуска бытовой электроники. Другой вопрос, что никто из подписавших документ, включая компанию Cricket Semiconductor, не располагает нужной суммой. Интересно, как они собираются выкручиваться?
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/snabworldmarket/doc/71883/18.02.2015


Samsung сообщила о начале массового производства 14-нм SoC Exynos 7 Octa


Свои первые массовые 20-нм процессоры компания Samsung начала выпускать в конце лета прошлого года, отстав от компании TSMC примерно на шесть месяцев. С 14-нм техпроцессом и FinFET всё получилось с точностью до наоборот.
Официальным пресс-релизом компания Samsung сообщила о начале массового производства однокристальных прикладных процессоров новой серии Exynos 7 Octa с использованием 14-нм техпроцесса и FinFET-транзисторов. Безусловно — это достижение. Свои первые массовые 20-нм процессоры компания Samsung начала выпускать в конце лета прошлого года, отстав от компании TSMC примерно на шесть месяцев. С 14-нм техпроцессом и FinFET всё получилось с точностью до наоборот. Первые массовые 16-нм решения компания TSMC начнёт выпускать лишь через полгода (в лучшем случае, в конце июля). Поскольку анонс новых смартфонов Samsung — моделей Galaxy S6 — на новой 14-нм SoC ожидается 1 марта, у компании будет не менее полугода форы на рынке, пока не появятся 16-нм SoC Qualcomm и устройства на их основе.
В пресс-релизе компания Samsung не раскрыла никаких технических спецификаций новых SoC. Сообщается только, что новый 14-нм техпроцесс и FinFET-транзисторы по сравнению с 20-нм техпроцессом и планарными транзисторами позволили увеличить тактовую частоту на 20 %, производительность на 30 %, а потребление снизили на 35 %. Также обозначение «Octa» в названии серии указывает на использование в составе SoC восьми ядер. При этом традиционно используется связка ARM Big.Little из четырёх производительных ядер и четырёх энергоэффективных. Само собой, решение ожидается с поддержкой 64-битных вычислений и со встроенным LTE-модемом, в чём Samsung раньше серьёзно уступала компании Qualcomm.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/snabworldmarket/doc/71880/18.02.2015


Samsung и TSMC всё сильнее зависят от лояльности своих заказчиков


Не секрет, что каждая новая ступень литографического техпроцесса требует от производителя полупроводниковых изделий не только более совершенного и дорогого оборудования, но и существенных затрат времени на внедрение. При этом некоторые физические закономерности уже не обеспечивают того изменения потребительских качеств изделия, которое имело место при миграции на предыдущую ступень техпроцесса. То есть, затраты заметно растут, а отдача может от них отставать. Лишь немногие разработчики микросхем, в числе которых Intel и Samsung, могут позволить себе содержание современного литографического производства – прочие обращаются за услугами к контрактным производителям вроде TSMC, Globalfoundries и UMC. Обратная тенденция справедлива в меньшей степени: Intel пытается привлечь клиентов для выпуска их изделий на своих мощностях, но делает это скорее ради обмена какими-то технологиями и разработками, а не из банального желания догрузить производственные мощности.
Агентство Bloomberg путём анализа информации из открытых источников и опроса экспертов выяснило, что контрактные производители полупроводниковых изделий неуклонно увеличивают капитальные затраты. Например, TSMC и Samsung в настоящее время направляют на эти нужды до 40% своей выручки, и это не предел. Дело в том, что эти производители очень зависят от заказчиков типа Apple и Qualcomm, которые требуют скорейшего освоения новых технологий и строительства дополнительных мощностей. А стоимость возведения современной фабрики по выпуску микросхем и процессоров достигает $5 млрд. Естественно, возвращать эти затраты контрактный производитель может лишь за счёт получаемых за свои услуги средств от заказчика. В этом смысле TSMC и Samsung интереснее работать с крупными клиентами, которые обеспечивают хорошие обороты. Достаточно вспомнить, как Apple оставила многих клиентов TSMC без доступа к 20-нм технологии на определённом этапе, чтобы понять, насколько здесь важны приоритеты в отношениях партнёров. Даже Samsung в борьбе за заказы Apple готова простить все обиды рынка смартфонов. Живущая "натуральным хозяйством" компания Intel в плане капитальных затрат ведёт себя гораздо более спокойно, если верить предоставленному графику.

Получается, что Samsung и TSMC сами себя загоняют в замкнутый круг. Новые техпроцессы и новые фабрики требуют средств, компаниям нужны новые заказы, они всё сильнее зависят от крупных заказчиков. При этом удельная себестоимость единицы продукции с переходом на более современные техпроцессы на начальных этапах внедрения может быть на 50% выше, чем в рамках предыдущей ступени техпроцесса, и только с течением времени и расширением производства она постепенно снижается. Крупные заказчики вроде Apple, Qualcomm и MediaTek знают о зависимости подрядчиков от их производственной программы, а потому смело торгуются за лучшие с их точки зрения условия контрактов. Прибыльность подрядчиков при этом страдает, поскольку крупные клиенты имеют свойство "продавливать" более низкие цены.
www.overclockers.ru/hardnews/67126/samsung-i-tsmc-vse-silnee-zavisyat-ot-loyalnosti-svoih-zakazchikov.html/18.02.2015


По прогнозу Digitimes Research, производство микросхем в этом году вырастет на 12%


Объем выпуска интегральных микросхем в этом году достигнет 54,8 млрд долларов, что на 12% больше показателя прошло года, равного 49 млрд долларов. Таков прогноз Digitimes Research.
Рост будет обусловлен спросом на смартфоны с поддержкой 4G, который позволит скомпенсировать такие неблагоприятные факторы, как уменьшение спроса на планшеты, ПК и смартфоны.
Компания TSMC выделила на 2015 год рекордно большие капиталовложения в размере 12 млрд долларов. Ведущий контрактный производитель полупроводниковой продукции в течение года рассчитывает расширить производственные мощности, на которых продукция будет выпускаться по 16-нанометровой технологии FinFET, одновременно возводя линий для более передовой 10-нанометровой технологии.
В TSMC ожидают, что продажи 20-нанометровой продукции, в 2014 году составившие 2,15 млрд долларов, в 2015 году достигнут 6,34 млрд долларов.
Между тем, компания Samsung Electronics сосредотачивается на 14-нанометровой технологии FinFET. По мнению аналитиков, благодаря партнерству с Globalfoundries, Samsung сможет предложить заказчикам более выгодные условия, чем конкуренты. Считается, что Samsung сможет получить больший процент выхода годной продукции в сегменте рынка, соответствующем нормам 1X нм. Все это поможет Samsung по итогам концу занять 10% мирового рынка интегральных микросхем. Источник: Digitimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/snabworldmarket/doc/71913/20.02.2015


К 2017 году TSMC обещает технологически догнать Intel на 10 нм


На увеличение мощностей одного из главных производств компании в Центральном Тайване в течение нескольких лет будет затрачено порядка 16 млрд долларов США.
Ранее сообщалось, что компания TSMC в ближайшие годы собирается значительно расширить производство, вложив в это 16 млрд долл. Вполне возможно, что это будут средства из заложенных в ежегодные капитальные затраты. В 2015 году, например, компания увеличит ежегодные капзатраты на величину до 20 % или до 12 млрд. долларов США в год. Тем самым, кстати, TSMC впервые обойдёт по этому показателю компанию Intel, которая в 2015 году рассчитывает выделить на капитальные затраты от 9,5 до 10,5 млрд. долларов. К чему тут Intel? К 2017 году компания TSMC собирается сделать всё от неё зависящее, чтобы устранить технологическое отставание от этого своего потенциального соперника.
В ходе беседы с представителем Intel журналист издания EE Times выяснил, что TSMC рассчитывает начать выпуск 10-нм полупроводниковой продукции в 2017 году. Компания Intel, напомним (согласно последним слухам), 10-нм процессоры может представить в первом квартале 2017 года. Полупроводники TSMC с нормами 16 нм по технологичности не могут соперничать с 14-нм решениями компании Intel. Компания Intel перевела на 14-нм нормы весь цикл производства: не только кристалл, но и его обвязку, а это проводники, изоляторы и контактные группы в составе металлических слоёв, без которых ни одна микросхема не может обойтись (эта часть любой микросхемы называется BEOL, back end of line). Компания TSMC сохранила BEOL с топологией 20 нм, хотя кристалл, точнее, затворы транзисторов, выполнен с нормами 16 нм. В случае 10-нм производства TSMC будет использовать 10-нм топологию как для кристалла, так и для BEOL-обвязки. Попросту говоря, у неё окажется своего рода копия 10-нм техпроцесса Intel.
Стремление догнать компанию Intel оно ведь неспроста. Микропроцессорный гигант начал предоставлять услуги по контрактному производству полупроводников и вскоре может вторгнуться на территорию клиентов TSMC. Более того, компания Intel потенциально способна выполнять заказы компании Apple, которые в прошлом году стали катализатором значительного роста TSMC. Тайваньскому контрактнику кровь из носу необходимо догнать и перегнать Intel. Похоже, это мы сейчас и наблюдаем.
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/snabworldmarket/doc/71961/26.02.2015


Intel заверяет, что освоение 10-нанометрового техпроцесса идет по плану


На мероприятии International Solid State Circuits Conference (ISSCC) компания Intel рассказала об освоении передовых техпроцессов, констатировав, что развитие полупроводниковой технологии продолжает следовать закону Мура.
Как утверждает производитель, сложности с 14-нанометровым техпроцессом успешно преодолены. Подготовка к тестовому 10-нанометровому производству идет по плану.
Компания задержалась с выпуском 14-нанометровой продукции для массового рынка примерно на 6-9 месяцев. Однако даже это не помешало Intel сохранить лидерство. На указанном шаге технологических норм компания Intel имеет превосходство над ближайшими конкурентами в лице TSMC и Samsung, поскольку ее 14-нанометровая продукция имеет лучшие параметры.

В Intel заверяют, что преимущества сохранятся и на шаге 10 нм. Масштабирование позволит повысить степень интеграции, снизив стоимость в расчете на один транзистор. Однако, 10 нм — рубеж, за которым придется менять технологию. В Intel ведут исследования, направленные на выбор подходящей технологии, упоминая возможность использования в перспективе углеродных нанотрубок и графена.

Одним из направлений повышения степени интеграции является переход к объемной компоновке. Располагая чипы слоями, можно не форсировать переход к более тонкому техпроцессу, увеличивая число транзисторов в микросхеме за счет увеличения числа слоев. В первую очередь, такой подход годится для интеграции SoC и памяти.

Источник: WCCFtech
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/snabworldmarket/doc/71960/26.02.2015


Samsung тоже сообщила о разработке 10-нм техпроцесса с использованием FinFET транзисторов


Конференция International Solid-State Circuits Conference 2015, начавшаяся в понедельник, принесла много информации о разработке очередных техпроцессов для выпуска полупроводников.
Компания TSMC, как мы сообщили вчера, твёрдо намерена приступить к массовому выпуску 10-нм FinFET решений в 2017 году. Компания Samsung, как следует из доклада её представителя, также разработала 10-нм техпроцесс с использованием FinFET транзисторов и завершит его введение в строй в конце 2016 или в начале 2017 года.

Также в компании намекнули, что следующий за 10-нм техпроцесс — 7-нм — потребует иного строения транзисторов и, возможно, новых материалов. Пока в компании рассматривают вопрос перехода на так называемые GAA FET транзисторы (gate-all-around FET). В транзисторах GAA FET каналы выполняются в виде круглых нанопроводников, расположенных горизонтально или вертикально. Затвор обтекает такой канал со всех сторон. При этом один транзистор может использовать как два канала, так и четыре. В качестве материала для каналов может быть использован не только кремний, но также арсенид индия и галлия (InGaAs).

Варианты исполнения транзисторов
Стоит напомнить, что вертикальная флэш-память Samsung 3D V-NAND, которую компания промышленно выпускает уже более полутора лет, по строению вертикальных каналов содержит массу базовых элементов, свойственных транзисторам GAA FET. Место для хранения заряда (ячейка) и затвор охватывают каналы кольцом. Так что Samsung на практике уже отрабатывает будущие технологии. Источник: ZDNet, Ф-Центр
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/snabworldmarket/doc/71962/27.02.2015


Прочее в России


Радиоэлектронная промышленность требует системных решений


В экспертном совете Госдумы рассмотрели вопросы состояния отрасли.
Экспертный совет по развитию предприятий радиоэлектроники при Комитете по промышленности Госдумы обсудил ряд вопросов, касающихся текущего состояния отрасли. Открытые базы данных ЭКБ, российские ноу-хау и технологический трансфер помогут решить задачи радиоэлектронной промышленности, считают в совете.
В заседании участвовали представители Госкорпорации Ростех, российского парламента, Совета безопасности, Минобороны, Минпромторга, ВПК, ведущих отраслевых предприятий. Центральными темами стали вопросы технологического перевооружения, импортозамещения и законодательного регулирования радиоэлектронной отрасли.
ПУТИ РЕШЕНИЯ СУЩЕСТВУЮЩИХ ПРОБЛЕМ НАДО ИСКАТЬ БЕЗОТЛАГАТЕЛЬНО, ВРЕМЕНИ НА РАСКАЧКУ НЕТ
Председатель экспертного совета, первый заместитель председателя Комитета ГД по промышленности Владимир Гутенев напомнил, что в конце 2014 года решением совета была сформирована рабочая группа, которая провела большую подготовительную работу.
«Мы разработали пакет аналитических материалов, предложения по развитию нормативно-правовой базы и сформировали проект плана работы совета на первое полугодие 2015 года», – сообщил Владимир Гутенев.
«Мы очень ограничены во времени, – обратил внимание первый заместитель председателя экспертного совета, генеральный директор Объединенной приборостроительной корпорации (входит в Ростех) Александр Якунин. – Президент России выступил с посланием к стране, в котором поставил задачи отечественной промышленности. Правительство приняло план антикризисных мер, которые требуют безотлагательной реализации».
Одновременно существенно усложнилась экономическая ситуация, напомнил Александр Якунин. «Исходя из этого, нам необходимы не только качество, но и своевременность получения ответов на вопрос, как выйти на новый уровень в условиях ограниченных ресурсов и насколько это позволит существующая нормативно-правовая база», – заявил он.
Он также подчеркнул, что эти ответы находятся не только в технологической сфере, когда требуются лишь технологии и средства на их разработку или приобретение. Необходимые ответы могут находиться в управленческой, экономической и в социальной сферах деятельности радиоэлектронной промышленности.
ДОЛЖНА РАЗВИВАТЬСЯ СЕТЬ ЦЕНТРОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ
С докладом о ситуации в радиоэлектронной промышленности выступил заместитель председателя совета, заместитель генерального конструктора ОАО «РТИ» Александр Рахманов. Он отметил, что необходимо провести перманентный анализ участников рынка, чтобы вовлечь все предприятия радиоэлектронного комплекса в инновационный процесс развития, в том числе в рамках государственных программ. В числе наиболее острых проблем он назвал широкое применение импортной электронной компонентной базы в отечественной радиоэлектронной аппаратуре.
«При этом российские предприятия выпускают достаточно большую номенклатуру современной конкурентоспособной ЭКБ, – заявил Александр Рахманов. – При соответствующей организации работ по унификации блоков и модулей использование импортных компонентов можно существенно сократить. Для этого необходимо создать открытую базу данных, где будут отражены все разработки ЭКБ, встраиваемых модулей, а также организовать в широком доступе обменный фонд, своего рода магазин этих продуктов. Кроме того, должна появиться разветвленная сеть современных центров проектирования ЭКБ, открытых для квалифицированного общественного пользования».
Вместе с тем на заседании совета была озвучена мысль о том, что наращивание прямого импортозамещения компонентной базы в отрыве от разработок аппаратуры может навредить отрасли. В этом случае разработчики техники раз за разом будут вставать перед выбором: какую ЭКБ применять – новую импортозамещающую, но уже успевшую отстать от зарубежных аналогов или самую современную импортную?
«Требуется системный подход, при котором разработка ЭКБ, отдельных узлов и конкретных образцов аппаратуры является взаимоувязанной, – считает Александр Якунин. – Такие работы необходимо проводить в рамках комплексных целевых проектов, что позволит радикально решить проблему и получить на выходе современное 100% отечественное радиоэлектронное оборудование, а не отдельные импортозамещающие компоненты».
СОЗДАНИЕ МЕХАНИЗМОВ УПРАВЛЕНИЯ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТЬЮ
Еще одна тема, которой предстоит заниматься экспертному совету, – создание механизмов эффективного управления интеллектуальной собственностью в сфере радиоэлектронных технологий. На заседании была озвучена статистика за последние 10 лет: около 30% технологий, разработанных в США за этот срок, имели коммерческий успех, их трансфер приносит стране серьезную экономическую выгоду – до 960 млрд долларов в год.
В Европе около 20% технологий стали предметом технологического трансфера. В России этот показатель – всего 3%. При этом в собственности государства находится очень большое количество неиспользованных изобретений и ноу-хау. В условиях санкций и эмбарго этот «запас» может стать эффективным средством повышения конкурентоспособности радиоэлектронной промышленности как на внешнем, так и на внутреннем рынках.
По мнению членов экспертного совета, решить проблему можно путем создания специального центра компетенции, который проведет аудит разработок и откроет к ним доступ для активных участников рынка и инвесторов, готовых довести проекты до уровня востребованной на рынке продукции.
«Современная ситуация требует не перманентных и «лоскутных», а системных решений по уточнению и формированию нормативной базы, – заявил Александр Якунин. – Мы хорошо представляем, какие мероприятия, в том числе антикризисного характера, необходимо осуществить в отрасли. Это технологическое перевооружение, унификация элементной базы, разумное импортозамещение, создание инновационной продукции».
Он также отметил, что необходимо уточнить наши представления о рисках реализации требуемых мероприятий, выявить системные пробелы в законодательной базе, которые создают эти риски, определить приоритеты и сроки разработки или уточнения соответствующих законодательных норм.
«В марте согласно плану работы нам предстоит рассмотреть стратегические цели российской радиоэлектронной промышленности: экономические, социальные, технологические, технические», – напомнил Владимир Гутенев.
Экспертный совет Госдумы по развитию предприятий радиоэлектроники создан в октябре 2014 года. В него вошли 29 специалистов отрасли. Основными направлениями деятельности совета являются анализ имеющихся проблем отрасли и поиск путей их решения с точки зрения законодательного обеспечения. Источник: ГД РФ
www.russianelectronics.ru/engineer-r/review/doc/71833/11.02.2015


В РАМКАХ ПРОЕКТА "РАБОТАЙ В РОССИИ" С МОЛОДЫМИ СПЕЦИАЛИСТАМИ И ИНЖЕНЕРАМИ АО "РОСЭЛЕКТРОНИКА" ВСТРЕТИЛСЯ НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ ЖОРЕС АЛФЕРОВ


Выдающийся советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике побывал на АО "НПП "Исток" им. Шокина", принял участие в заседании Круглого стола по вопросам сотрудничества предприятий "Росэлектроники" с Физико-техническим институтом имени А.Ф.Иоффе и Санкт-Петербургским физико-технологическим научно-образовательным центром РАН, на котором обсуждалась тема создания в наукограде Фрязино особой экономической зоны и национального центра СВЧ-электроники, и встретился с молодыми специалистами и инженерами "Росэлектроники", студентами филиала МГТУ МИРЭА и школьниками гимназии Фрязино с углубленным изучением физики и математики. Молодые специалисты получили уникальную возможность не только познакомиться с единственным ныне здравствующим из проживающих в России Нобелевским лауреатом, но и прослушать содержательную лекцию на тему "Эффективное преобразование и генерация света", что называется из "первых уст".
Подобная встреча стала возможной благодаря запуску совместного проекта ХК АО "Росэлектроника" и Союза машиностроителей России "Работай в России". Проект призван создать условий для реализации интеллектуального потенциала молодых инженеров и на формирование у будущих специалистов дополнительной мотивации к работе на машиностроительных предприятиях России и на развитие отечественной экономики.
"Работай в России!" - это не просто краткосрочный проект. Это комплекс мер в рамках корпоративной молодежной политики холдинга "Росэлектроника", направленных на привлечение, удержание и интеграцию молодых инженеров, обладающих высоким потенциалом и необходимым уровнем квалификации. В рамках проекта запланировано проведение публичных лекций и встреч выдающихся российских ученых, инженеров и конструкторов со студентами и молодыми специалистами, "Дни открытых дверей" в ВУЗах и "Недели без турникетов" на предприятиях радиоэлектронной и оборонной промышленности, работа тематических экспозиций, посвященных истории и достижениям отечественной инженерной мысли", - рассказал автор проекта "Работай в России", заместитель генерального директора АО "Росэлектроника" Арсений Брыкин.
"Мы должны отчетливо сознавать, что решение стратегических задач экономики связано не только с развитием новых технологий, но и с масштабными инвестициями в человеческий капитал. Кадровый вопрос на производстве стоит как никогда остро. Поэтому решение кадровых проблем в промышленности является одним из приоритетов в деятельности Союза машиностроителей России. Нами не первый год осуществляются проекты, направленные на выявление талантливой молодежи, ее ориентации на инженерные специальности, интеграцию профессионального образования и производства, формирование инновационного поколения молодых специалистов", - подчеркнул Первый зампред Думского Комитета по промышленности, Первый вице-президент СоюзМаш России Владимир Гутенев.
"Убежден, что благодаря реализации комплекса мероприятий в рамках проекта, разработанного холдингом "Росэлектроника", в реальный сектор экономики страны обязательно вольются светлые умы, видящие здесь свое призвание, свою перспективу" - заключил Владимир Гутенев.
Следующую публичную лекцию в рамках проекта "Работай в России" проведет академик Юрий Гуляев. Она будет посвящена развитию СВЧ-электроники и состоится в одном из Московских центров СВЧ электроники.
«Soyuzmash.ru»
26 февраля 2015 года


Выставки


Роснано наградит самый зеленый чип


Лучшее энергоэффективное решение в микроэлектронике получит инвестиции в несколько миллионов рублей. Победителей объявят в конце марта на выставке «Новая электроника» в рамках конкурса «Золотой чип». Ещё одна новая награда конкурса — за успехи в импортозамещении.

Номинацию «Зелёный чип» учредил Фонд инфраструктурных и образовательных программ Роснано. Критериями оценки станут научная и техническая новизна проекта, его техническая реализуемость, глубина проработки, востребованность в различных отраслях промышленности, а также возможность расширения сферы применения технологии. Победитель получит право на заключение инвестиционного соглашения с одним из наноцентров на сумму до пяти миллионов рублей. Заявки принимают до 5 марта (ea@chipexpo.ru или 8(916)585-75-49).
В связи с санкциями, ограничивающими доступ и поставки высокотехнологичной продукции, возник спрос на замещение некоторых видов продукции электроники и микроэлектроники. Это особенно важно для электронных компонентов, в том числе специального исполнения, оборудования и материалов для производства электроники. Новая номинация премии «Золотой чип» отметит лучшие российские предприятия, участвующие в программе импортозамещения. Заявки принимают до 1 марта.
Зеленоградские компании традиционно представлены на выставке «Новая электроника» в рамках коллективного стенда. В этом году будут участвовать НПК «Технологический центр», НПК «АКСЕЛЬ», «ФРАСТ-М», «Систелен», «Тахир» (LDM-SYSTEMS), Зеленоградский нанотехнологический центр, «Оптим Электро», «Троник», НИИ Микроприборов и НПЦ «ЭЛАС-ПОЛЁТ Ф».
Победителей конкурса «Золотой Чип — 2015» наградят в первый день работы выставки «Новая электроника«, которая пройдёт с 24 по 26 марта в «Экспоцентре».
Участники выставки «Новой электроники» — это передовые компании в микроэлектронике, поставке электронных компонентов, измерительного и технологического оборудования для микроэлектроники, систем проектирования и разработки электронных устройств. В рамках деловой программы пройдут конференции, семинары, презентации. Планируется организовать цикл публичных лекций «Современная электроника» для студентов профильных вузов, сотрудников предприятий радиоэлектронного комплекса и всех, кто интересуется современным состоянием отрасли.
Одновременно с «Новой электроникой» в том же павильоне пройдут выставки «Автоматизация» и PCB EXPO (печатные платы, материалы, технологии, оборудование).
/ Zelenograd.ru, 18.02.2015


Оборонка


Правительству предложили меры по поддержке ОПК


Депутат Госдумы Владимир Гутенев попросил премьер-министра выделить 4 трлн рублей на «дешевые» кредиты для оборонных предприятий
Первый заместитель председателя комитета Госдумы по промышленности и президент ассоциации «Лига содействия оборонным предприятиям» (ЛСОП) Владимир Гутенев направил председателю правительства Дмитрию Медведеву обращение (имеется в распоряжении «Известий») с предложениями по поддержке предприятий оборонно-промышленного комплекса. Как указал парламентарий, по обращениям к нему представителей оборонных предприятий были подготовлены заключения ЛСОП, Союза машиностроителей России и экспертов Госдумы по необходимым мерам поддержки военно-промышленной отрасли, которые нуждаются в оценке со стороны исполнительной власти.
Предложения содержат девять пунктов. Первый из них предполагает значительные финансовые вливания в ОПК. В нем ЦБ РФ предлагается выделить целевое фондирование от 3 трлн до 4 трлн рублей через коммерческие банки с установлением предельной маржинальной наценки на кредит не более 2,5%. В формировании перечня предприятий, наиболее остро нуждающихся в поддержке, должны участвовать Военно-промышленная комиссия, Минпромторг России, Федеральная служба по военно-техническому сотрудничеству, госкорпорация «Ростех».
Далее рекомендуется установить ставку для кредитования предприятий ОПК не более 8%, а срок погашения кредита до 10 лет (до 2025 года). «Это необходимо не только для реализации государственного оборонного заказа в рамках государственной программы вооружения, но и для финансирования инвестиционных проектов, рефинансирования текущих кредитов», — отмечено в обращении.
Для кредитования в иностранной валюте предлагается установить еще более низкий процент — 5% на 5 лет. Как отмечено в обращении, это будет необходимо для создания запасов импортной электронной компонентной базы.
Кроме того, предлагается ввести мораторий на 1 год с возможностью пролонгации на новый порядок исчисления налога на землю для ОПК. При этом предложения содержат и пункт о целесообразности установить минимальный уровень фактической рентабельности для предприятий ОПК не менее 15%.
— Мы должны понимать, что в разных отраслях разная рентабельность, среднюю предсказать невозможно. В области военно-технического сотрудничества рентабельность довольно высока, имеется хорошая валютная выручка. С другой стороны, серьезно увеличились объемы по гособоронзаказу, который сегодня предполагает невысокую рентабельность. Если же учитывать затраты, такие, например, как закупка станкового оборудования, 95% которого приобретается за рубежом, то предприятия оказываются в сложном положении. В первую очередь из-за того, что эти закупки значительно дорожают из-за снижения курса рубля, — заметил Владимир Гутенев. — При этом существующие сейчас механизмы ценообразования не формируют условий, предусматривающих учет таких издержек, не оставляют задела для снижения цен в перспективе. Поэтому необходимо установить барьер рентабельности в 15%. Сейчас у нас есть предприятия, которые работают на этом уровне, но их очень мало. Банки же, привыкшие получать не заработанные деньги, предлагают кредиты со ставкой 30%. И это притом что им обещана антикризисная помощь от государства в размере нескольких миллиардов рублей.
Именно позиция банков по кредитам, как считает Владимир Гутенев, требует от государства введения механизмов «дешевого» кредитования для предприятий ОПК в целях сохранения и повышения эффективности их работы.
— Логично будет для предприятий ОПК, входящих в перечень Минобороны, установить ставку по кредитам не более 2–3%, что позволит государству сэкономить бюджетные деньги, которые оно отдает банкам. Если же этого не произойдет, то в отрасли, а особенно на некоторых ее направлениях (транспортостроении, вагоностроении) начнутся колебания цен, будут расти тарифы естественных монополий, будет сокращаться спрос, — считает депутат. — Что же касается годового моратория перехода на новый порядок исчисления налога на землю, то эта мера поддержит, в первую очередь, производства, имеющие большие площади, например заводы по производству боеприпасов, бронетехники, которые не могут отказаться от испытательных полигонов, трасс... Эти участки зачастую находятся в городах с дорогостоящей землей. Расчет налога по кадастровой стоимости земли превысит нынешний размер выплат по данной расходной статье предприятий в десятки раз, что очень плохо отразится на их дальнейшей работе.
На сегодня оборонно-промышленный комплекс России по своим масштабам уступает, пожалуй, только топливно-энергетической сфере экономики. На предприятиях и заводах ОПК, по разным оценкам последних лет, заняты от 2,5 млн до 3 млн работников, а сами планы государства предусматривают как значительный рост гособоронзаказа для нужд Российской армии, так и рост экспорта отечественного вооружения.
По данным Стокгольмского международного института исследований проблем мира (SPIRI), в 2009–2013 годах Россия значительно увеличила экспорт вооружений, заняв 27% мирового рынка, вплотную подойдя к лидеру по продажам оружия — США, которые за этот период держали 29% мирового рынка. В 2009 году портфель заказов «Рособоронэкспорта» вырос до $32 млрд. В условиях резкого падения цен на энергоносители роль военно-промышленной отрасли в качестве приобретателя валютной выручки существенно возрастает, что делает ОПК еще более значимым для государства не только в сфере поддержания обороноспособности, но в экономическом смысле. «Известия». 17 февраля 2015 года
www.rosrep.ru/news/index.php?ELEMENT_ID=9053&SECTION_ID=31/17.02.2015


Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014