ОАО ИНТЕГРАЛ


Дизайн-центр ОАО "ИНТЕГРАЛ":Разработка технологий:БиКМОП серийные технологические процессы

БиКМОП серийные технологические процессы



Наименование технологии Исходные параметры подложки Ф 100 мм Мин размер
мкм
Кол-
во
ф/л
Кол-
во
слоев
Ме


Электрические параметры

1

2,0 мкм БиКМОП 2 кармана, 1ПКК, LOCOS


P-Si
<100>
12 Ом см N+, P+ CC N-эпи
2,15 мкм

3.0

19

2

   NМОП PМОП    NPN
Верт.
PNP
Гор.
Uпор, В 0.6-1.2 0.6-1.2 b

80-200

15-25
Iснас, мкА/мкм

200

90

Uпркэ, В

7-15

10-25
Uпр, В 8-14 8-18

2

0,8 мкм БиКМОП 2 кармана, 1ПКК, LOCOS
Si3N4 конденсатор

P-Si
<100>
12 Ом см N+, P+ CC N-эпи
3,7 мкм

0.8

19

2

NМОП PМОП    NPN
Верт.
PNP
Гор.
Uпор, В 0.3-0.7 0.5-0.9 b

50-150

10-20
Iснас, мкА/мкм

130

60

Uпркэ, В

10-20

10-20
Uпр, В 10-20 10-25 C=4x10-16Ф/uм2
Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014