ОАО ИНТЕГРАЛ


Дизайн-центр ОАО "ИНТЕГРАЛ":Разработка технологий:Биполярные серийные технологические процессы

Биполярные серийные технологические процессы

№ п/п Техпроцесс Характеристика техпроцесса Исходные параметры подложки Мин.
размер,
 мкм
Область применения
Электрические параметры

1

BP20-20

2,0 мкм Биполяр,
1 ПКК, 2 металла,
16 ф/л Изоляция:
 p-n переход

Ф 100 мм
 p-Si
 <100>
12 Ом*см

2,0

Цифроаналоговые ИМС малой и средней степени интеграции, 
Епит. до 18 В

NPN
PNP гор.

h21Э, ед 

80÷160 

80÷160 

UКЭ.ПРОБ, В

22÷35

22÷65

2

BP20С-40

2,0 мкм Биполяр,
 1ПКК, 2 металла,
17 ф/л Изоляция:
 p-n переход

Ф 100 мм
 p-Si
 <100> 
12 Ом*см

2,0

Цифроаналоговые комплементарные ИМС малой и средней степени интеграции,
 Епит. до 40 В

NPN

PNP гор.

h21Э, ед 

80÷180 

40÷100 

UКЭ.ПРОБ, В

45÷80

45÷70

PNP верт.

h21Э, ед 

60÷200

 
UКЭ.ПРОБ, В

45÷80

 

3

BPI-20Y-12

2,0 мкм Биполяр, 2 металла, 18 ф/л Изоляция: Изопланар

Ф 100 мм
 p-Si
<100>
12 Ом*см

2,0

Цифроаналого-вые ИМС средней степени интеграции,
 Епит. до 15 В

 

NPN

PNP гор.

h21Э, ед 

80÷140 
20÷50 
UКЭ.ПРОБ, В
15÷24
15÷25

 

PNP верт. 

h21Э, ед 

40÷100 
UКЭ.ПРОБ, В
15÷35

4

BPI-30Y-5

3,0 мкм Биполяр,
 2 металла,
13 ф/л Изоляция:
 Изопланар

Ф 100 мм
 p-Si
 <111> 
10 Ом*см

3,0

Логические ИМС средней степени интеграции, стойкие к спецвоздействиям ЗУ

 

NPN

PNP гор.

h21Э, ед 

80÷140 

10 

UКЭ.ПРОБ, В

>6

19

 

PNP верт. на подложку

h21Э, ед 

45 

UКЭ.ПРОБ, В
20

5

BPI2-20-5

2,0 мкм Биполяр,
1 ПКК, 2 металла,
14-16 ф/л
Изоляция:
Изопланар ІІ

Ф 100 мм
 p-Si
 <111> 
0,3 Ом*см

2,0

Логические ИМС большой степени интеграции

 

NPN
 верт.

PNP гориз.

h21Э, ед 

100 

15 

UКЭ.ПРОБ, В

8

20

6

BP20SN-100

2,0 мкм Биполяр,
1 металл, 12 ф/л
 Изоляция:
 p-n переход

Ф 100 мм
 p-Si
 <100>
 12 Ом*см

2,0

Телефонные схемы типа SLIC, Епит.=100 В

 

NPN 
верт.

PNP
верт.гор.

h21Э, ед 

50÷150 

30÷90  

UКЭ.ПРОБ, В

> 20

> 80

 

PNP 
гориз.

PNP гориз.

h21Э, ед 

30÷70

20÷60

UКЭ.ПРОБ, В

>15

> 80

Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014