ОАО ИНТЕГРАЛ


Дизайн-центр ОАО "ИНТЕГРАЛ":Разработка технологий:ДМОП и БиКДМОП серийные технологические процессы

ДМОП и БиКДМОП серийные технологические процессы


№ п/п Техпроцесс Характеристика техпроцесса Исходные параметры подложки Мин.
размер,
 мкм
Область применения Электрические параметры

1

ВСDMOS30-40 3,0 мкм БиКДМОП, 2 кармана, 1ПКК, 1 металл, подзатворный SiO2– 25 нм, 16 ф/л Изоляция: p-nпереход+ Locos ∅100 мм p-Si <100> 12 Ом⋅см 3,0 ИМС исполнительных устройств силовой электроники   PNP NPN в/в

h21Э, ед 

2,2÷30 25÷90
UКЭ.ПРОБ, В 25÷60 20÷70
  NДМОП РМОП н/в

UПОР, В

1,8÷2,6  0,8÷1,4 

IС.НАС., мкА/мкм 

180÷300  4÷12
UПРОБ СИ , В 60÷100  20÷35
  РМОП в/в NМОП

UПОР, В

1,2÷2,2 1,1÷1,7

IС.НАС., мкА/мкм 

16÷60 2÷7
UПРОБ СИ , В 30÷80 15÷25

2

ВСDMOS30-600 3,0 мкм БиКДМОП, 1 карман, 1 металл, подзатворный SiO2– 75 нм, 15 ф/л Изоляция: p-n переход+ Locos ∅100 мм p-Si <100> 60 Ом⋅см 3,0 ИМС управления импульсным источником питания, Епит.=600 В   NPN   

h21Э, ед 

>50

UКЭ.ПРОБ, В

>30

  NМОП
 н/в
РМОП
 н/в

UПОР, В

0,8÷2,0 0,8÷2,0

IС.НАС., мкА/мкм 

 20÷80   10÷40 
UПРОБ СИ , В >18 >18
  NМОП
 в/в
РМОП
 в/в

UПОР, В

0,8÷2,0 0,8÷2,0

IС.НАС., мкА/мкм 

 100÷300    2÷10 
UПРОБ СИ , В >600 >22
  NДМОП н/в

UПОР, В

1,2÷3,0

IС.НАС., мкА/мкм 

20÷70
UПРОБ СИ , В > 30
>
Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014